JPH03272747A - Ｘ線ｃｔ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＸ線ＣＴに関し、特に、高解像性を有し、微細
構造の観測を高精度に且つ発生するアーティファクトが
極めて少なく、又被曝線量の少ない理想的状態で行い得
るＸ線ＣＴに関する。

（従来の技術） Ｘ＠ＣＴは被検体にＸ線を曝射し、被検体を透過したＸ
線を検出し、これを３６０＠に亘って行って、画像再構
成演算を行うことにより被検体の断層像を得て診断する
装置である。このＸ線ＣＴにおいて、スライスの厚さは
１０〜３ｍｍ程度のものが多く、最小スライス厚さのも
のでも３關程度のスライス厚を持っている。

（発明が解決しようとする課線） ところで、被検体の組織の微細構造を観測する場合、現
状では観測しようとする物質のサイズに対してスライス
厚が異常に厚く設けられている（厚くないと観測できな
い）。即ち、例えば０゜５ｍ１ｒＸ０．５ｍｍの物体を
観測するのに先に述べたように現在の装置はスライス厚
を薄くできず、３〜５關程度のスライス厚のものを使用
しなければならない。これは０．５＋ｎＸＯ，５＋ｓｍ
程度の物体がそのスライス方向にその一辺の長さの６倍
以上も均一な物質でできていることを要求するもので、
測定上この条件を保証することはできない。こういう条
件での測定は誤った結果を生ずる可能性がある。然るに
薄いスライス厚条件での測定は正しい結果を与える。し
かしながらスライス厚を薄くすると、Ｘ線管から放射さ
れるＸ線の空間利用率が低下するので、検出されるフォ
トン数が減少し、ＳＮ比の低下を招くためスライス厚を
１０ｗ以上にしなければならないという現状である。

又、Ｘ＠ＣＴによる測定では、骨の多い部分等において
パーシャルボリューム効果によるアーティファクト（偽
像）が発生することは周知の事実であって、Ｘ線ＣＴに
おける不可避な問題である。

この対策として有効なのは、本質的にはより薄いスライ
スを使用しなければならない。

以上述べたように微細構造の観測において現状のスライ
ス厚で測定するのはＸ線計測上極めて異常であり、測定
精度上にも問題があると云わざるを得ない。

又、パーシャルボリューム効果によるアーティファクト
の発生を少なくするためにもスライス厚の薄いものを使
用する必要があるが、現在のところ極めて困難である。

本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的は
、生体等の微細構造の観測が可能な、即ち高解像度のＸ
線ＣＴを実現することであり、更にパーシャルボリュー
ム効果によるアーティファクトを完全に除去し得て、且
つ被曝線量が少ない等の特長を有するＸ＠ＣＴを実現す
ることである。

（課題を解決するための手段） 電界電子放射により又は熱電子放射による電子を集束レ
ンズ等の電子レンズ系で集束することにより又は集束電
極で電子を集束することによる等の手段により高密度の
電子ビームを得これにより高輝度、高密度の強力なＸ線
を発生させる事のできるＸ線発生源と、複数の検出器セ
ルで構成された検出器と、前記Ｘ線発生源と被検体を含
む再構成領域との間に設けられ、空間的に連続に放射さ
れるＸ線を細い多数の離散ビームにする為の複数の細い
中空の穴を有するＸ線の高吸収物質で作られた第１のコ
リメータと、前記再構成領域と前記検出器との間に設け
られ、測定収集すべき離散Ｘ線ビームを通過させ散乱線
等のＸ線測定に有害なＸ線を遮蔽する為に設けられ、複
数の細い中空の穴を有し、Ｘ線の高吸収物質で作られ、
前記第１のコリメータと相俟ってＸ線ビームのスライス
方向の幅をＸ線ビームの再構成平面上の幅と同等以下若
しくはより大きく威し得る′！Ｊ２のコリメータとを構
成要素とし、前記被検体を含む前記再構成領域を挟んで
前記Ｘ線発生源と前記検出器とを対向して配置し、前記
Ｘ線発生源と前記検出器とを一体として前記再構成領域
の周りに回転し、各方向でＸ線データを測定収集し、こ
れ等のデータを用いて前記被検体の断面に関する再構成
画像を得ることを特徴とするものである。

又、第２の発明は、Ｘ線データを得る為の３６０°を１
回転とする回転を少なくとも１回行うにあたり、Ｘ線発
生源の焦点位置と画像再構成領域の中心とを結ぶ直線に
対して前記Ｘ線焦点と検出器の中央に位置する検出器セ
ルの中心とを結ぶ直線がなす角である偏角δ。を０から
γ（γはコリメータ、検出器のサンプル角）または０か
ら一γの範囲となるように配置して固定し、第１のコリ
メータと第２のコリメータに偏角δを与え、偏角δを各
回転毎にその大きさを次式に示すように変化させる１ま
たは複数のコリメータ位置制御機構を具備することを特
徴とするものである。

Ｎ回のスキャンに対して δ−（２ｉ−１，）γ／（４Ｎ） 又は δ−（２ｉ−１）γ／（４Ｎ） （但し　Ｉ−１，２，・・・、Ｎ、　　Ｎは整数）更に
第３の発明は、Ｘ線発生源の焦点よりコリメータの隣接
するコリメータ要素の中心間を見た角度であるコリメー
タのサンプル角とＸ線発生源の焦点より検出器の隣接す
る検出器セルの中心間を見た角度である検出器のサンプ
ル角が等しく、スキャンの各回転毎に偏角δを変更する
ことによって与えられる各コリメータ要素を通過したＸ
線ビームが偏角δの値の如何に拘らず各該当する検出器
セルに入射されることを特徴とするものである。

（作用） 本発明に係るＸ１ｉＣＴでは第１のコリメータと第２の
コリメータ、又は検出器に一定の偏角を持たせてスキャ
ンを行い、所定の回数のスキャンを偏角を変えながら行
って、細いビームで高分解データを対向位置におけるス
キャンと共に十分な補間をしながら採集する。Ｘ線管の
照射Ｘ線は十分に強力で、薄いスライス厚に対してもＳ
Ｎ比は良好である。

（実施例） 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。

第１図は本発明の一実施例の概略構成ブロック図である
。図において、ＧはＸ線管、検出器等を内蔵し、中央の
空洞部に被検体Ｂを載置したテーブルＴＡを収納するガ
ントリで、これらはテーブル・ガントリ制御装置ＴＧＣ
によって撮影する断面の位置制御が行われる。ＸＧＣは
高圧電源発生装置を内蔵する高圧発生・Ｘ線管制御装置
ＸＲを制御して、Ｘ線管ＸにＸ線を発生させるＸ線発生
制御装置である。Ｘ線管Ｘは通常の回転陽極型のＸ線管
と異なり、電界電子放射型のＸ線管が用いられている。

このＸ線管Ｘの構造の一例を第８図に、Ｘ線管Ｘと高圧
発生・Ｘ線管制御装置ＸＲを含むＸ線発座装置の一例を
第９図に示す。第８図において、１は棒状のタングステ
ンチップの陽極、２は陽極１に対向して設けられた環状
のモリブデン製陰極（厚さ０，２山径度）である。陽極
１と陰極２との間に電圧を印加すると、強電界（＞１０
’Ｖ／ｃＳ）により電子放射が行われる。この電子放射
により通常の熱電子放射型Ｘ線管において得られる電流
密度の１０００倍以上の高密度の放射電流密度が得られ
るので、細くしかも強力な電子ビームが作られ、従って
極めて高輝度のＸ線が得られる。

３は発生したＸ線を照射出力するＸ線内部照射口、４は
出力されるＸ線を絞るためのＸ線絞りである。冷却ひれ
付き陽極棒５には冷却ひれが取り付けられており、油入
口６から注入される油（絶縁油）によって冷却される。

陰極２も同様に油入口６から注入される油によって冷却
される。この冷却用の油は、油出ロアから吐出されて油
ポンプを経て循環されている。８はＸ線管の内部を高真
空にするための真空口である。陽極には同軸ケーブル９
により高圧パルスが供給される。１０は軟Ｘ線写真用ア
タッチメントである。

第９図において、Ｘ線管１１は陽極部Ｘ、と陰極部Ｘｏ
とで構成されていて、油ポンプ１２は油入口６からＸ線
管１１に油を供給し、油出ロアから出た油を熱交換器１
３で冷却して油ポンプ１２に戻している。図の矢印を付
した太線部は油の循環経路を示している。１４はＸ線管
１１の内部を高真空に保つため連続排気するターボ分子
ポンプ、１５はＸ線管に高圧パルスを供給する高圧パル
ス発生器である。第１図に示すＸ線管Ｘはこの例では第
９図のＸ線発生装置の高圧パルス発生器１５以外の部分
を含んでいる。

図の左下方に示す円形はガントリＧの機能の説明のため
の模式図で、ＣＭＩは再構成領域ＲＡとＸ線管Ｘとの間
に置かれ、空間的に連続的に入射されるＸ線から細い多
数の離散ビームを生威し、不要なＸ線を遮断する第１コ
リメータ、ＣＭ２は再構成領域ＲＡと検出器りとの間に
配置され、被検体を透過したＸ線を正しく該当する検出
器に導き、散乱線等のＸ線測定に有害なＸ線を遮断する
第２コリメータである。第１コリメータＣＭＩの構成例
を第２図に、第２コリメータＣＭ２の構成例を第３図に
示す。両図において、（イ）図は平面図（断面図）、（
ロ）図は正面図である。第１コリメータＣＭＩ、第２コ
リメータＣＭ２は何れも鉛等のＸ線高吸収物質で作られ
、角柱状の中空の穴が多数設けられている。この中空の
穴は円柱であっても差し支えない。Ｄは例えばＸｅ検出
器で構成される検出器で、検出器セルＤ　ｅ　＋　Ｄ　
ｃ−１＋Ｄ　ｃ＋＋　＋　Ｄａ−２＋　Ｄｅ＋２等の集
合したものである。

第４図に第１コリメータＣＭＩ、第２コリメータＣＭ２
、検出器り及び再構成領域ＲＡから成るファンビームで
の測定系の幾何学的配置を示す。図において、第１図と
同一の部分には同一の符号を付しである。図中、ａは第
２コリメータＣＭ２の開口Ｈの幅で、Ｘ線はこの開口部
の範囲のみを通過することができる。ａ、は第２コリメ
ータＣＭ２の開口幅ａをＸ線管Ｘから見た開口角である
。

（簡単のため、第１コリメータＣＭＩの開口角もα。と
する。）γは第２コリメータＣＭ２の隣接する開口Ｈの
中心間をＸ線管Ｘから見た角度で、照射Ｘ線は第２コリ
メータＣＭ２の開口Ｈによってサンプリングされるので
、γはサンプル角ということになる６　Ｄｅ　＋　Ｄｅ
−１＋　　Ｄｅａｌ　ｒ　Ｄｅ−２＋Ｄ　ｃ＋２　　・
・・等は検出器りを構成する検出器セルで、そのＸ線管
Ｘから見た開口角はαｄである。検出器セル（検出器）
のサンプル角もγである。又、検出器セルの開口角に比
べて第２コリメータＣＭ２の開口角はかなり小さく作ら
れている。δは第２コリメータＣＭ２の中央に位置する
開口の中心とＸを結ぶ直線と直線ＸＯとの成す角（偏角
）である。ＣＣＩ、ＣＣ２は、それぞれ第１コリメータ
ＣＭＩ、第２コリメータＣＭ２を制御して偏角δを調節
するコリメータ位置制御機構である。又、ＲＣはガント
リＧを回転させてスキャンをするためのガントリ回転走
査機構である。

ＤＡＳは検出器りで検出された透過Ｘ線によるデータを
収集するデータ収集装置で、収集したデータをデータ処
理装置ＤＰにつ送る。ＳＣＣはオペレータとの情報、指
令の交換を行い、各装置の動作を統一的に制御する操作
・撮影制御装置である。ＡＭはデータ収集装置ＤＡＳか
らの大量のデータを格納し、データ処理装置ＤＰの演算
処理の進行に従ってデータを供給し、中間データやイメ
ージデータを格納するための大容量記憶装置である。Ｇ
ＤＣはデータ処理装置ＤＰで画像再構成された画像（イ
メージ）を表示する画像表示装置、ＭＦＣは前記の画像
を写真撮影するための写真撮影制御装置である。

次に上記のように構成された実施例の動作例を第５図の
フローチャートを参照して説明する。この動作例は２回
転のスキャンで通常の１／４〜１／４　（Ｑｕａｒｔｅ
ｒ−Ｑｕａｒｔｅｒ）オフセットスキャンの２倍の空間
分解能を与える例である。

ステップ１ オペレータからの撮影断面、スキャン条件、スキャン回
転数等の設定に基づいて、操作・撮影制御装置ＳＣＣの
制御によりスキャン準備を行う。

テーブル・ガントリ制御装置ＴＧＣは操作撮影制御袋ｕ
ｓｃｃからの指令によりテーブルＴＡを上下、左右へ移
動させ又ガントリＧの傾きを変化させたりして被検体Ｂ
の撮影位置（断面）を設定する。又、Ｘ線管Ｘへの印加
電圧、Ｘ線管電流等のスキャン条件等をＸ線発生制御装
置ＸＧＣを制御して設定する。

ステップ２ 第１回目のスキャンにおいて、コリメータの偏角δをコ
リメータ位置制御機構ＣＣＩ、　　コリメータ位置制御
機構ＣＣ２により第１コリメータＣＭ１、第２コリメー
タＣＭ２を動かしてδ１に調節する。δ、は次式に示す
角度とする。

ステップ３ テーブル・ガントリ制御装置ＴＧＣによりガントリＧを
回転させてスキャンを開始させ、Ｘ線ＣＴは被検体Ｂを
第１回目のスキャン条件でスキャンする。スキャンして
検出器りで検出されたデータはデータ収集装置ＤＡＳで
収集される。収集されたデータはデータ処理装置ＤＰを
経由して大容量記憶装置ＡＭへ格納する。このスキャン
において、Ｘ線管Ｘと検出器りとは同時に回転している
。

第６図はスキャンによって透過Ｘ線が検出器りのセルに
入射される軌跡を示した図で、検出器りは省略しである
。この第１回目のスキャンによるＸ線の軌跡は実線で示
され、Ｘ′はＸ線管Ｘに対し１８０＠回転した時のＸ線
管の位置を示している。

又、データ収集のタイミングが制御された平行ビームに
おいては、第７図に示すようなＸ線の軌跡となる。この
図においても第６図と同様な方法で描かれており、実線
が第１回目のスキャンにおけるＸ線の軌跡である。

ステップ４ 第２回目のスキャンのため、コリメータ位置制御機構Ｃ
Ｃ１及びコリメータ位置制御機構ＣＣ２により、第１コ
リメータＣＭＩ及び第２コリメータＣＭ２を動かして偏
角δを６２に調節する。

δ２は次式により設定される。

ステップ５ ステップ３と同様に第２回目のスキャンを行ってデータ
収集装置ＤＡＳはすべての方向に対してデータを収集す
る。収集されたデータはデータ処理装置ＤＰを経由して
大容量記憶装置ＡＭへ格納する。第２回目のスキャンに
よるＸ線の軌跡は第６図、第７図において１点鎖線で示
されている。

このように、第６図、第７図は第１回目のスキャンの成
る方向と１８０°異なる方向、第２回目のスキャンの成
る方向（第１回目のスキャンの成る方向と同一方向）と
１８０’異なる方向の合計４方向でのＸ線ビーム相互間
の関係位置を示している。

ステップ６ ステップ３とステップ５の２回のスキャンで得られた大
容量記憶装置ＡＭに格納されたデータは読み出されて画
像再構成される。

以上のフローチャートで示した手順により得られた画像
データは画像表示装置ＧＤＣにおいて画像表示され、必
要に応じて写真撮影制御装置ＭＦＣの制御により写真撮
影される。

以上説明したように本実施例によれば、次のようにスラ
イス厚を薄くし総合的なサンプル間隔を小さくし解像度
を上げることができる。即ち、２回のスキャンにおいて
Ｘ線を通過させるコリメータは第１コリメータＣＭＩと
第２コリメータＣＭ２の位置の調節によって両者を通過
するＸ線ビームを極めて細くすることができ、又、偏角
δを１／８γ、３／８γと変化させることができるため
、再構成領域におけるＸ線ビームの補間が行えるように
なり、総合的なサンプル間隔を小さくし、サンプル・レ
ートを高めることができる。スライス厚を薄くしてもＸ
線管Ｘの放射するＸ線は高密度で強力であるためＳＮ比
は良好である。

尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、次
に示すようにすることができる。

（１）実施例では２回のスキャンを行い、としてデータ
を採取したが、スキャン回数を２回に限らず適当に選ぶ
ことができる。スキャン回数をＮ回（Ｎ−１，２，３，
・・・）にして高解像の画像を得る場合には、各回転に
おいて、 （１−１，２，・・・、　　Ｎ） としてスキャンする。第４図のコリメータＣＭ２の開口
角α。と検出器セルの開口角αｄは次式の関係にある。

（１−）γ＋α、≦α６　≦γ Ｎ ・・・・・・・・・・・・　（１−１）（１−１）式は
必要十分条件である。

（１−１）式はＸｅ検出器のような通常の電離箱型検出
器等に対する条件であるが、開口幅を狭くできる検出器
（固体検出器、電離箱型検出器等）の場合には第１０図
のような構成が可能である。図において第４図と同一の
符号を用いである。この場合にはコリメータの開口角α
。と検出器セルの開口角α、との間には次の関係がある
。

（１−２） （１−２）式は必要十分条件である。第１０図では検出
器りに固定的に（回転によらず固る。

（１−１）式、（１−２）式の条件は、何れも検出器り
が固定されている場合のものである。これらの場合には
、スキャンの各回転毎にコリメータに与えられる異なっ
た偏角δに対し、各コリメータの要素を通過したＸ線ビ
ームが偏角δの値の如何に拘らず各々該当する検出器セ
ルに入射する。

条件（１−２）は検出器りの開口角α、を最小とした場
合の条件であり、条件（１−１）はα、を最大とした場
合の条件であり、この最小値と最大値の間にある任意の
値に開口角α、を設定することも可能である。

（２）第１．第２コリメータＣＭＩ、ＣＭ２は第２図、
第３図に示したものに限らず、その開口は角柱でなく他
の、形状であってもよい。

又、コリメータＣＭＩ、ＣＭ２は第１１図のような構造
のもとであってもよい。即ち、Ｘ線のパス方向に薄い（
バス長の短い）コリメータを（イ）図のように重ねたり
、（ロ）図のように適当な間隔をおいて配置するもので
もよい。又、コリメータ位置制御機構ＣＣ２゜コリメー
タＣＭ２は測定系の条件によってはなくてもよい。又、
コリメータ位置制御機構ＣＣ２はコリメータ位置制御機
構ＣＣ１と一体化されたものであってもよい。更に検出
器りを各回転毎にコリメータＣＭＩ、ＣＭ２と同一偏角
δにしてスキャンすることも可能である。この時検出器
りに対し、検出器位置制御機構ＤＣを設けてそれにより
偏角δを与える。検出器位置制御機構ＤＣはコリメータ
位置制御機構ＣＣＩ、ＣＣ２と一体化して構成すること
もできる。検出器りにも偏角δを与える方法では（１−
１）式、（１−２）式の条件は不要であり、望ましい条
件とじて（３）データ処理装置ＤＰ等についてはその詳
細について示してはいないが、以下に示すような装置に
することができる。

（イ）実施例では記憶装置はデータ処理装置ＤＰ。

データ収集装置ＤＡＳ等に含めであるが、主記憶装置を
別途設けるようにしてもよく、又主記憶装置を速度、経
済性等の面から階層構成にしたものとしてもよい。

（ロ）データ処理装置ＤＰ等を分割したり並列化するこ
とができ、又他の装置と統合することもできる。

（ハ）データ処理装置ＤＰに磁気テープ、フロッピーデ
ィスク装置を付加してもよい。

に）専用の高速データ処理装置、画像処理装置等を付加
することができる。

（ホ）バス、＃Ｊ１１７ライン、信号ライン等を分離し
たり統合したりしてもよい。

（４）スキャンの方法として、２回転スキャンの場合、
第１回目のスキャンで 第２回目のスキャンで としでもよい。Ｎ回転スキャンの場合も同様にその順序
を変更することができる。

（５）又、以下に示すようなＸ線管を用いることができ
る。

（イ）Ｘ線管は電界電子放射型のものを示したが、これ
に限定されるものではなく多くの変形がある。電界電子
放射型のものでもフラッシング・フィラメント、タング
ステン等でできた針状の陰極、対向する陽極、ターゲッ
トで構成するとか、更に複数の陽極で構成する等各種の
変形が考えられる （口）熱電子放射型のものでは、フィラメントで発生し
た熱電子を集束レンズ、必要な場合には偏向コイル等を
含む電子レンズ等で集束し、これをターゲットにあてて
Ｘ線を発生させるものがあり、各種の変形が考えられる
。

又、従来型のＸ線管に近い構造を有し、集束電極の構造
の改良等により高密度の電子ビームを得、これにより高
密度の強力なＸ線を発生させるものも考えられる。

（発明の効果） （１）高解像性を有し、理想的状態で生体等の微細構造
の観測が可能になる。

（２）Ｘ線ＣＴ測定では不可避なパーシャルボリューム
効果によるアーティファクトを完全に除去することがで
きる。

（３）測定上必要な被検体の部分のみにＸ線を照射する
ので、被曝量の少ない高解像性をもつ装置とすることが
できる。

（４）高解像性をもつにも拘わらず、構造がシンプルで
経済性の高いＸ＃ＣＴが実現できる。

（５）開口幅の広い検出器セルを有する検出器を用いて
高解像性を得ることができる。

（６）Ｘｅ検出器のようにダイナミックレンジは広いが
、感度の低い、即ちＸ線変換効率の低い検出器を使用し
て装置を構成することができる。

（７）高解像検出器を直接使用する方法では、歩留まり
等の検出器製造に伴う問題が発生するが、本発明によれ
ばそのような問題は発生しない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図は第１
コリメータの構造図で、（イ）図は平面図（断面図）、
（ロ）図は正面図、第３図は第２コリメータの構造図で
、（イ）図は平面図（断面図）、（ロ）図は正面図、第
４図はＸ線管、第１コリメータ、再構成領域。 第２コリメータ及び検出器のファンビームでの幾何学的
配置を示す模式図、 第５図は本発明の実施例による動作手順のフローチャー
ト、 第６図はファンビームのＸ線照射におけるＸ線ビーム補
間の説明図、 第７図は平行ビームのＸ線照射におけるＸ線ビーム補間
の説明図、 第８図は電界電子放射型Ｘ線管の内部構造説明図で（イ
）は本体の構造図、（ロ）はアタッチメントの図、 第９図は電界電子放射型Ｘ線管を用いたＸ線発生装置の
説明図、 第１０図は開口幅の狭い検出器を用いた他の実施例にお
けるＸ線管、第１−７リメータ、再構成領域、第２コリ
メータ及び検出器のファンビームでの幾何学的配置を示
す模式図、 第１１図はコリメータの他の実施例を示す図で、（イ）
図は薄いコリメータを重ねて用いた場合の図、（ロ）図
は薄いコリメータを間隔を設けて配置した場合の図であ
る。 Ｂ・−・被検体　　　　Ｇ・・・ガントリＴＡ・・・テ
ーブル　　Ｘ・・・Ｘ線管ＲＡ・・・再構成領域 ＲＣ・・・ガントリ回転走査機構 ＣＭＩ・・・第１コリメータ ＣＭ２・・・第２コリメータ ＣＣＩ、ＣＣ２・・・コリメータ位置制御機構Ｄ・・・
検出器 ＸＲ・・・高圧発生・Ｘ線管制御装置 ＸＧＣ・・・Ｘ線発生制御装置 ＤＰ・・・データ処理装置 ＤＡＳ・・・データ収集装置 α、・・・コリメータの開口角 αｄ・・・検出器の開口角 γ・・・サンプル角 δ・・・偏角 第４図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）電界電子放射により又は熱電子放射による電子を
   集束レンズ等の電子レンズ系で集束することにより又は
   集束電極で電子を集束することによる等の手段により高
   密度の電子ビームを得これにより高輝度、高密度の強力
   なＸ線を発生させる事のできるＸ線発生源（Ｘ）と、 複数の検出器セルで構成された検出器（Ｄ）と、 前記Ｘ線発生源（Ｘ）と被検体（Ｂ）を含 む再構成領域（ＲＡ）との間に設けられ、空間的に連続
   に放射されるＸ線を細い多数の離散ビームにする為の複
   数の細い中空の穴を有するＸ線の高吸収物質で作られた
   第１のコリメータ（ＣＭ１）と、 前記再構成領域（ＲＡ）と前記検出器（Ｄ）との間に設
   けられ、測定収集すべき離散Ｘ線ビームを通過させ散乱
   線等のＸ線測定に有害なＸ線を遮蔽する為に設けられ、
   複数の細い中空の穴を有し、Ｘ線の高吸収物質で作られ
   、前記第１のコリメータ（ＣＭ１）と相俟ってＸ線ビー
   ムのスライス方向の幅をＸ線ビームの再構成平面上の幅
   と同等以下若しくはより大きく成し得る第２のコリメー
   タ（ＣＭ２）とを構成要素とし、 前記被検体（Ｂ）を含む前記再構成領域 （ＲＡ）を挟んで前記Ｘ線発生源（Ｘ）と前記検出器（
   Ｄ）とを対向して配置し、前記Ｘ線発生源（Ｘ）と前記
   検出器（Ｄ）とを一体として前記再構成領域（ＲＡ）の
   周りに回転し、各方向でＸ線データを測定収集し、これ
   等のデータを用いて前記被検体（Ｂ）の断面に関する再
   構成画像を得ることを特徴とするＸ線ＣＴ。
2. （２）Ｘ線データを得る為の３６０゜を１回転とする回
   転を少なくとも１回行うにあたり、Ｘ線発生源（Ｘ）の
   焦点位置と画像再構成領域（ＲＡ）の中心（Ｏ）とを結
   ぶ直線に対して前記Ｘ線焦点と検出器（Ｄ）の中央に位
   置する検出器セルの中心とを結ぶ直線がなす角である偏
   角δ＿０を０からγ（γはコリメータ、検出器のサンプ
   ル角）または０から−γの範囲となるように配置して固
   定し、第１のコリメータ（ＣＭ１）と第２のコリメータ
   （ＣＭ２）に偏角δを与え、偏角δを各回転毎にその大
   きさを次式に示すように変化させる１または複数のコリ
   メータ位置制御機構（ＣＣ１、ＣＣ２）を具備すること
   を特徴とする請求項１記載のＸ線ＣＴ。 Ｎ回のスキャンに対して δ＝（２ｉ−１）γ／（４Ｎ） 又は δ＝−（２ｉ−１）γ／（４Ｎ） （但しｉ＝１、２、…、Ｎ；Ｎは整数）
3. （３）Ｘ線発生源（Ｘ）の焦点よりコリメータの隣接す
   るコリメータ要素の中心間を見た角度であるコリメータ
   のサンプル角とＸ線発生源（Ｘ）の焦点より検出器（Ｄ
   ）の隣接する検出器セルの中心間を見た角度である検出
   器のサンプル角が等しく、スキャンの各回転毎に偏角δ
   を変更することによって与えられる各コリメータ要素を
   通過したＸ線ビームが偏角δの値の如何に拘らず各該当
   する検出器セルに入射されることを特徴とする請求項２
   記載のＸ線ＣＴ。