JP5267971B2 - 強誘電体材料及び圧電体 - Google Patents
強誘電体材料及び圧電体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5267971B2 JP5267971B2 JP2008074105A JP2008074105A JP5267971B2 JP 5267971 B2 JP5267971 B2 JP 5267971B2 JP 2008074105 A JP2008074105 A JP 2008074105A JP 2008074105 A JP2008074105 A JP 2008074105A JP 5267971 B2 JP5267971 B2 JP 5267971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferroelectric
- ferroelectric material
- site
- bfo
- substitution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
揮発性元素であるBiの欠損防止を目的に融点の高い希土類元素(La、Nd、Sm、Gd、Dy、Ybなど)が主に用いられる。また、希土類元素の中でもLa、Ndはイオン半径がBiに比較的近い事から安定な置換(不純物析出が生じにくい)が可能と考えられている。
遷移金属元素であるFeの価数変化防止を目的に比較的イオン半径の近い遷移金属元素(Ti、Cr、Mn、Co、Ni、Cuなど)が主に用いられる。ただし、置換元素も遷移金属である為に価数変化防止に関する厳密な改善報告等はまだ少ない。
本発明では、各々のサイト置換に対する長所短所が表裏一体である事実(結晶粒径肥大化に伴う影響など)に着目し、両サイトを同時置換する事で各々の短所を互いに補填しあった新材料である強誘電体材料を提供する。すなわち、本発明ではBFOのBiサイト及びFeサイトの各サイトの置換元素は以下の二種をそれぞれ選択することを特徴とするものである。
以下、本発明に係る強誘電体材料の作製方法について図面を参照して説明を行う。
(a)レーザエネルギ:照射するパルスレーザのエネルギ
(b)レーザ周波数:間欠的に照射されるパルスレーザの繰り返し周波数
(c)作製時加熱温度:プロセスin-situにおける薄膜結晶化及び表面平坦等を目的とした基板加熱の温度。尚、実際のプロセスが起こっている場所/時間を意味し、in-situ計測を 「その場計測」と言う場合もある。
(d)作製時圧力:薄膜結晶化及び酸素欠損防止を目的として成膜時に導入したO2ガスの圧力
(e)除冷時圧力:酸素欠損防止を目的としてプロセス終了後に導入したO2ガスの圧力
次に、本発明に係るBNFM薄膜試料の特性評価を行った。
(2)試料の膜厚については、触針式膜厚計を用いて評価を行った。
(3)Au/BNFM/Pt/STO試料を用いた電気特性評価として、強誘電体評価システムRT-66Aによる計測を行った。
(1)構造解析
図2は、試料のXRD計測による構造解析の結果を示す。なお、図2(a)はBFO試料、図2(b)はBNF試料、図2(c)はBFM試料、図2(d)はBNFM試料に対応する構造解析の結果である。
次に、各試料の表面状態評価を行う。
次に、MIMキャパシタを用いた電気特性評価を行う。
1b BFO
1c Pt
1d STO
1e MIMキャパシタ
Claims (11)
- 強誘電体であるBiFeO3のBiサイトの一部が、希土類元素であるNdを用いて元素置換され、前記BiFeO3のFeサイトの一部が、遷移金属元素であるMnを用いて元素置換された(Bi 1-x Nd x )(Fe 1-y Mn y )O 3 の構成を有する
ことを特徴とする強誘電体材料。 - 前記Biに対する前記Ndの元素置換の比率及び前記Feに対する前記Mnの元素置換の比率は、1%以上10%以下である
ことを特徴とする請求項1記載の強誘電体材料。 - さらに、前記Biに対する前記Ndの元素置換の比率及び前記Feに対する前記Mnの元素置換の比率は、3%以上5%以下である
ことを特徴とする請求項2記載の強誘電体材料。 - 強誘電体であるBiFeO3のBiサイトの一部が、希土類元素であるNdを用いて元素置換され、前記BiFeO3のFeサイトの一部が、遷移金属元素であるMnを用いて元素置換された(Bi 1-x Nd x )(Fe 1-y Mn y )O 3 の構成を有する
ことを特徴とする圧電体。 - 前記Biに対する前記Ndの元素置換の比率及び前記Feに対する前記Mnの元素置換比率は、1%以上10%以下である
ことを特徴とする請求項4記載の圧電体。 - さらに、前記Biに対する前記Ndの元素置換の比率及び前記Feに対する前記Mnの元素置換の比率は、3%以上5%以下である
ことを特徴とする請求項5記載の圧電体。 - 焼結ターゲットにパルスレーザを照射することにより、強誘電体であるBiFeO3 のBiサイトの一部を、希土類元素であるNdを用いて元素置換すると共に、前記BiFeO3 のFeサイトの一部を、遷移金属元素であるMnを用いて元素置換することにより、(Bi 1-x Nd x )(Fe 1-y Mn y )O 3 の構成を有する強誘電体材料の薄膜を基板上に堆積するステップを含む
ことを特徴とする強誘電体材料の製造方法。 - 前記ステップにおいて、
前記焼結ターゲットは、Bi:Nd:Fe:Mn=1.0:0.05:0.97:0.03の組成比である
ことを特徴とする請求項7記載の強誘電体材料の製造方法。 - 前記基板として、SrTiO3基板上にPtをPLA(Pulsed Laser Ablation)堆積させたPt/SrTiO3基板を使用し、
前記ステップにおいては、前記Pt/SrTiO3基板上に前記強誘電体材料として前記(Bi1-xNdx)(Fe1-yMny)O3の薄膜を堆積させる
ことを特徴とする請求項8記載の強誘電体材料の製造方法。 - 前記請求項1から3のいずれか1項に記載の強誘電体材料を備える
ことを特徴とするメモリ。 - 前記請求項4から6のいずれか1項に記載の圧電体を備える
ことを特徴とするアクチュエータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008074105A JP5267971B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | 強誘電体材料及び圧電体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008074105A JP5267971B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | 強誘電体材料及び圧電体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009231482A JP2009231482A (ja) | 2009-10-08 |
JP5267971B2 true JP5267971B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=41246566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008074105A Expired - Fee Related JP5267971B2 (ja) | 2008-03-21 | 2008-03-21 | 強誘電体材料及び圧電体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5267971B2 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011207202A (ja) | 2009-11-02 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料 |
JP5621964B2 (ja) | 2009-11-02 | 2014-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに超音波デバイス |
JP5577844B2 (ja) | 2009-11-02 | 2014-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射装置 |
JP5556182B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5641185B2 (ja) | 2010-01-05 | 2014-12-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5660288B2 (ja) * | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
JP5660274B2 (ja) | 2010-01-05 | 2015-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法、圧電素子の製造方法、液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 |
JP2011211143A (ja) | 2010-03-12 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP5885931B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2016-03-16 | キヤノン株式会社 | ビスマス鉄酸化物粉体、その製造方法、誘電体セラミックス、圧電素子、液体吐出ヘッドおよび超音波モータ |
JP2011233813A (ja) | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド、圧電素子、圧電アクチュエーター及び液体噴射装置 |
CN102555478B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-06-17 | 精工爱普生株式会社 | 液体喷射头和液体喷射装置以及压电元件 |
GB201205727D0 (en) * | 2012-03-30 | 2012-05-16 | Sec Dep For Business Innovation & Skills The | High energy density capacitor and dielectric material therefor |
CN102976731B (zh) * | 2012-11-20 | 2014-10-22 | 江苏高博智融科技有限公司 | 一种锰钛铁氧体 |
CN103723770B (zh) * | 2013-12-20 | 2015-07-15 | 陕西科技大学 | 一种高介电常数的Bi0.92Ho0.08Fe1-XMnXO3 铁电薄膜及其制备方法 |
CN103693694B (zh) * | 2013-12-20 | 2015-11-11 | 陕西科技大学 | 一种Bi1-xDyxFeO3低漏电流薄膜及其制备方法 |
JP6356486B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2018-07-11 | 国立大学法人金沢大学 | 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法 |
CN104495944B (zh) * | 2014-12-05 | 2016-08-24 | 华南理工大学 | 一种氮掺杂铁酸铋纳米粉体的制备方法 |
CN105170157A (zh) * | 2015-09-21 | 2015-12-23 | 中国计量学院 | 一种钕掺杂铁酸铋纳米光催化剂及其制备方法 |
CN106517814B (zh) * | 2016-10-12 | 2020-05-05 | 陕西科技大学 | 一种(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法 |
CN106939415B (zh) * | 2017-04-14 | 2019-04-02 | 中国计量大学 | 一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO3薄膜光电极及其制备方法 |
CN107032632B (zh) * | 2017-04-18 | 2019-05-17 | 陕西科技大学 | 一种HoSrMnNi共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 |
CN108525671A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-09-14 | 江苏康润净化科技有限公司 | 一种可见光响应铁系光催化剂的制备方法 |
CN110289352A (zh) * | 2019-05-24 | 2019-09-27 | 华南师范大学 | 低铁电极化翻转电压的四方相铁酸铋薄膜及其制备方法 |
CN110092654A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-06 | 河南大学 | 基于压电材料的互连三维多孔压电骨架、制备方法及其应用 |
CN113493898B (zh) * | 2020-04-08 | 2022-05-24 | 中国科学院物理研究所 | 铁磁绝缘材料及其制备方法和应用 |
CN113371760A (zh) * | 2020-06-29 | 2021-09-10 | 贵州大学 | 类钙钛矿结构铁酸铋材料及其制备方法和应用 |
CN114107901B (zh) * | 2020-08-28 | 2023-06-13 | 中国科学院半导体研究所 | 一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统 |
CN112892550B (zh) * | 2021-01-26 | 2023-01-31 | 暨南大学 | 一种镧锰双掺杂的铁酸铋纳米材料及其制备方法与应用 |
CN114628548B (zh) * | 2022-03-15 | 2023-06-23 | 内蒙古科技大学 | 具有双铁电层复合薄膜的光电探测器及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4165347B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2008-10-15 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
JP2006176366A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Fujitsu Ltd | 強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ |
JP4785187B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-10-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN101389580B (zh) * | 2006-02-28 | 2012-02-22 | 柯尼卡美能达控股株式会社 | 压电陶瓷组合物 |
JP4753028B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ |
JP5041120B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2012-10-03 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ |
JP5546105B2 (ja) * | 2007-01-19 | 2014-07-09 | 富士フイルム株式会社 | ペロブスカイト型酸化物とその製造方法、圧電体膜、圧電素子、液体吐出装置 |
-
2008
- 2008-03-21 JP JP2008074105A patent/JP5267971B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009231482A (ja) | 2009-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5267971B2 (ja) | 強誘電体材料及び圧電体 | |
Jayakrishnan et al. | Are lead-free relaxor ferroelectric materials the most promising candidates for energy storage capacitors? | |
Palneedi et al. | High‐performance dielectric ceramic films for energy storage capacitors: progress and outlook | |
JP6382904B2 (ja) | セラミック多層コンデンサ | |
Samanta et al. | Band gap, piezoelectricity and temperature dependence of differential permittivity and energy storage density of PZT with different Zr/Ti ratios | |
Yan et al. | Identification and effect of secondary phase in MnO2‐doped 0.8 Pb (Zr0. 52Ti0. 48) O3–0.2 Pb (Zn1/3Nb2/3) O3 piezoelectric ceramics | |
JP7124031B2 (ja) | コンデンサ構造体 | |
Kumar et al. | High energy storage properties and electrical field stability of energy efficiency of (Pb 0.89 La 0.11)(Zr 0.70 Ti 0.30) 0.9725 O 3 relaxor ferroelectric ceramics | |
JP5543537B2 (ja) | 圧電素子 | |
Hussain et al. | Dielectric, ferroelectric and field induced strain properties of Nb-modified Pb-free 0.99 Bi0. 5 (Na0. 82K0. 18) 0.5 TiO3–0.01 LiSbO3 ceramics | |
Balaraman et al. | Inorganic dielectric materials for energy storage applications: a review | |
Promsawat et al. | Enhanced dielectric and ferroelectric properties of Pb (Mg 1/3 Nb 2/3) 0.65 Ti 0.35 O 3 ceramics by ZnO modification | |
Yan et al. | Role of secondary phase in high power piezoelectric PMN‐PZT ceramics | |
Nguyen | Ultrahigh energy-storage performance in lead-free BZT thin-films by tuning relaxor behavior | |
US10515760B1 (en) | Multilayer ceramic capacitor with dielectric layers including dielectric grains having a core-shell structure | |
Palneedi et al. | Lead-based and lead-free ferroelectric ceramic capacitors for electrical energy storage | |
JP6044049B2 (ja) | 誘電材料、誘電素子、コンデンサ、積層コンデンサ及び蓄電装置 | |
Singh et al. | Study of structural, dielectric and electrical behavior of (1− x) Ba (Fe0. 5Nb0. 5) O3–xSrTiO3 ceramics | |
Tang et al. | Ultrahigh Energy Storage Performances Induced by Weaker La–O Orbital Hybridization in (Na0. 85K0. 15) 0.5 Bi4. 5–x La x Ti4O15 Relaxor Ferroelectric Films | |
Lee et al. | Atomic-scale origin of piezoelectricity in wurtzite ZnO | |
Zhang et al. | Superior energy-storage properties in Bi0. 5Na0. 5TiO3-based lead-free ceramics via simultaneously manipulating multiscale structure and field-induced structure transition | |
Puli et al. | Review on energy storage in lead‐free ferroelectric films | |
Wang et al. | Enhanced electromechanical properties in MnCO3‐modified Pb (Ni, Nb) O3–PbZrO3–PbTiO3 ceramics via defect and domain engineering | |
JP2013035746A (ja) | セラミック組成物及び該セラミック組成物を含む積層セラミック電子部品 | |
US10186595B2 (en) | Noncentrosymmetric metal electrodes for ferroic devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |