JP5267652B2 - 角度検出装置及び位置検出装置 - Google Patents
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Description
前記多極セグメント磁石は前記磁石回転子の回転方向に沿って配列されたSNS又はNSNの3極又はNSの2極を有し、
前記磁気センサは、複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子(磁化方向が固定された固定層と、磁化方向が磁束の方向に応じて回転する自由層とを有する)を有する感磁面を有し、
前記磁気センサは、前記感磁面が磁束と交差して前記感磁面内で直交する磁束密度成分同士の振幅の大きさが異なるとともに、前記磁石回転子の限られた回転角範囲で出力が直線性を示すように、前記磁石回転子に対して位置決めされており、
前記磁石回転子は前記磁気センサの出力が直線性を示す範囲内で揺動されることを特徴とする。
前記磁気センサの中心と前記磁石回転子の回転軸線の距離が前記磁石回転子の回転半径(前記磁石回転子の回転軸線と回転する磁石の最外周との距離に相当する)より大きく、
前記複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子がブリッジ接続されたセンサブリッジを構成しており、
前記センサブリッジで電気的に隣り合う辺のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子の固定層磁化方向が反平行であり、
前記磁気センサの感磁面が前記磁石回転子の回転軸線に対して傾いている。
前記磁気センサの感磁面の中心と前記磁石回転子の回転軸線の距離が前記磁石回転子の回転半径以下であり、
前記複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子がブリッジ接続されたセンサブリッジを構成しており、
前記センサブリッジで電気的に隣り合う辺のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子の固定層磁化方向が反平行であり、
前記磁気センサの感磁面が前記磁石回転子の回転軸線に対して傾いている。
前記磁気センサの感磁面の中心と前記磁石回転子の回転軸線の距離が前記磁石回転子の回転半径より大きく、
前記複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子がブリッジ接続されたセンサブリッジを構成しており、
前記センサブリッジで電気的に隣り合う辺のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子の固定層磁化方向が反平行であり、
前記磁気センサの感磁面の中心が前記磁石回転子からその回転軸線方向に離れている。
前記磁気センサの感磁面の中心と前記磁石回転子の回転軸線の距離が前記磁石回転子の回転半径以下であり、
前記複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子がブリッジ接続されたセンサブリッジを構成しており、
前記センサブリッジで電気的に隣り合う辺のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子の固定層磁化方向が反平行であり、
前記磁気センサの感磁面の中心が前記磁石回転子からその回転軸線方向に離れている。
前記多極矩形磁石は前記直線可動子の直線的移動方向に沿ってSNS又はNSNの3極又はNSの2極を有し、
前記磁気センサは、複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子(固定層と自由層を有し、固定層磁化方向が固定されており、自由層磁化方向が磁束の方向に応じて回転する磁気抵抗素子)を有する感磁面を有し、
前記磁気センサは、前記感磁面が磁束と交差して前記感磁面内で直交する磁束密度成分同士の振幅の大きさが異なるとともに、前記多極矩形磁石の限られた直線的移動範囲で出力が直線性を示すように、前記直線可動子に対して位置決めされており、
前記直線可動子は前記磁気センサの出力が直線性を示す範囲内で直線的に移動されることを特徴とする。
図3(a) 及び図3(b) に示すように、永久磁石11aの中心Oを原点とする座標系(X,Y,Z)において、永久磁石11aの外周(X,0,0)に、図2(a)〜図2(c) に示すスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子がブリッジ接続された構造を有する磁気センサ2aを配置する。磁気センサ2aの感磁面は永久磁石11aの回転軸に対して垂直であり、磁気センサ2aの固定層磁化方向はY軸に平行である。永久磁石11aが角度θmだけ回転したときに発生するX,Y及びZ方向の磁束成分BX,BY、BZは式(1) で表される。
参考例1は一周期の機械角に対して一周期の電気角の出力が得られる2極磁石を示したが、微小な角度を高精度に検出するためには磁石を多極化するのが有利である。図8(a) 及び図8(b) は参考例2の角度検出装置を示す。この角度検出装置は、外周面から極異方性の磁場を発生するよう16極に着磁したリング磁石11b及びリング磁石11bの貫通孔に固着されたシャフト13bからなる磁石回転子と、リング磁石11bの外周面から離隔した位置に配置された磁気センサ2aとを具備する。リング磁石11bの半径r0=20 mm、リング磁石11bの外周面から磁気センサ2a中心までの距離r1=4 mm、リング磁石11bの孔の内径r2=15 mm、及びZ方向(磁石回転子の回転軸線方向)におけるリング磁石11bの厚さt=4 mmであった。
図10(a) 及び図10(b) は8極に着磁した多極リング磁石11b’を具備する参考例3の角度検出装置を示す。r0=16 mm、r1=4 mm、r2=10 mm、及びt=8 mmであった。K0が1.3であるため、傾斜及び軸方向変位は行わなかった[図5(b) でh=0、χ=0]。図11(a) に示すように、磁気センサ2aは多極リング磁石11b’の一周期の回転に対して磁石の極数を反映した4周期の信号を出力し、その一方はほぼ三角波であった。図11(b) に示すように、この信号の1周期を使用して角度検出誤差を評価したところ、±15°の領域で±0.2°以内であった。
高精度で小型の本発明の角度検出装置は、リング磁石の一部を切り出した形状を有する多極アークセグメント磁石を有する。図12(a) 及び図12(b) は、N極の両側に一対のS極を有する多極アークセグメント磁石11c(参考例2のリング磁石から切り出した)をシャフト13cに設けた磁石回転子を具備する角度検出装置を示す。多極アークセグメント磁石11cにおける各S極の幅はN極の幅の約半分であり、N極からS極への極異方性の磁束の流れが2つ形成される。磁石回転子の回転円周は多極アークセグメント磁石11cの外周面の曲率半径r0に相当し、r0=20 mm、r1=4 mm、r2=15 mm、及びt=3 mmであった。
図14(a) 及び図14(b) は、同じ幅のN極及びS極を1つずつ有する多極アークセグメント磁石11dをシャフト13dに設けた磁石回転子と、χだけ傾斜した磁気センサ2aとを具備する角度検出装置を示す。Keffを1.3にするため、χ=60°とした。他の条件は実施例1と同じである。図15(a) はセンサ出力を示し、図15(b) は角度検出誤差を示す。図15(b) から明らかなように、実施例2では実施例1と同程度に抑制された角度検出誤差が得られた。実施例1と同様に、実施例2の角度検出装置も小型化されていた。
図16(a) 及び図16(b) は、N極の両側に一対のS極を有する多極アークセグメント磁石11e(12極に着磁したリング磁石から切り出した)をシャフト13eに設けた磁石回転子と、χだけ傾斜した磁気センサ2aとを具備する角度検出装置を示す。多極アークセグメント磁石11eにおける各S極の幅はN極の幅の約半分であり、N極からS極への極異方性の磁束の流れが2つ形成された。Keffを1.3にするため、χ=23°とした。r0=20 mm、r1=4 mm、r2=15 mm、及びt=3 mmであった。図17(a) はセンサ出力を示し、図17(b) は角度検出誤差を示す。図17(b) から明らかなように、±9°の回転角範囲で高精度な検出角度がえられ、リニアリティー領域が広いことが分かる。実施例1と同様に、実施例3の角度検出装置も小型化されていた。
多極アークセグメント磁石の代わりに多極矩形セグメント磁石(単に多極矩形磁石という)を用いた以外実施例1と同様にして、図18(a) 及び図18(b) に示す角度検出装置を作製した。N極の両側に一対のS極を有する多極矩形磁石11fにおいて、各S極の幅はN極の幅の約半分であり、N極からS極への極異方性の磁束の流れが2つ形成された。シャフト13fは一部が平坦に切り欠かれており、その平坦部に多極矩形磁石11fが固着されている。r3=17 mm、d=3 mm、r4=4 mm、w=15 mm、及びt=3 mmであった。r3はシャフトの平坦部と回転中心との距離である。r4は多極矩形磁石11fの外面中心と磁気センサ2aの中心との距離(シャフトの回転中心と磁気センサ2aの中心とを結ぶ線上に多極矩形磁石11fの中心がある場合)である。dは多極矩形磁石11fの短手方向の長さであり、wは多極矩形磁石11fの長手方向の長さである。多極矩形磁石11fは製造が容易であるので、実用的である。
実施例4の多極矩形磁石を微小に直線運動させると、直線変位量を検出できる。図20(a) 及び図20(b) は実施例4と同形状の多極矩形磁石11fと、それに対して直線運動する磁気センサ2aとを具備する位置(移動距離)検出装置を示す。Keffを1.3に調整するために、d=3 mm、w=15 mm、r1=3 mm、h=0 mm、及びt=3 mmとした。図21(a) はセンサ出力を示し、図21(b) は移動距離検出誤差を示す。実施例4では多極矩形磁石の回転により多極矩形磁石と磁気センサとの距離が変化し、磁束密度が僅かに歪んだが、本実施例では直線運動する多極矩形磁石と磁気センサとの距離が一定であるため、歪みの少ない磁束密度分布が得られた。また微小角度検出の際と同様にセンサ出力のリニアリティーも確保されており、3 mmの移動範囲において±50 μmの精度で直線変位量を検出することができた。実施例1と同様に、実施例5の位置検出装置も小型化されていた。
図20(a) 及び図20(b) に示す移動距離検出装置において、Keffを1.4に調整するために、d=3 mm、w=10 mm、r1=3.5 mm、h=0 mm、及びt=3 mmとした。図21(c) はセンサ出力を示し、図21(d) は移動距離検出誤差を示す。実施例6の移動距離検出装置は2 mmの移動範囲において±1 μmの精度で直線変位量を検出することができた。実施例1と同様に、実施例6の位置検出装置も小型化されていた。
実施例5の多極矩形磁石の形状及び磁気センサ2aの軸方向変位量hを図22(a) 及び図22(b) に示すように変更し、同様にセンサ出力及び移動距離検出誤差を解析した。d=3 mm、w=30 mm、r1=5 mm、及びt=10 mmであった。Keffを1.3に調整するために、軸方向変位量hを6 mmとした。解析結果を図23(a) 及び図23(b) に示す。図23(b) から明らかなように、±5 mmの移動距離範囲内で検出距離は高精度であった。実施例1と同様に、実施例7の位置検出装置も小型化されていた。
図24(a) 及び図24(b) は、外周に凹部を有する非磁性円板14aと、凹部に固定された多極矩形磁石11hと、非磁性円板14aを支持する回転シャフト13aとからなる磁石回転子と、多極矩形磁石11hからシャフト13aの軸方向に離隔した磁気センサ2aとを具備する角度検出装置を示す。多極矩形磁石11hはw>d、かつd=tの条件を満たす形状を有し、2極に着磁されている。シャフト13aが一回転すると、磁気センサ2aは多極矩形磁石の極数を反映した1周期の信号を2つ出力し、その一方はほぼ三角波であった。これにより、実施例4と同程度に角度検出誤差を抑制できた。また実施例4と同様に、実施例8の角度検出装置も小型化されていた。
K0=1の場合、固定層磁化方向が直交する2つのセンサブリッジX01、Y02を有する磁気センサ2aから、磁石の1回転により90°位相が異なる1周期のセンサ出力Vx、Vyが得られる。例えば、図12(a) 及び図12(b) に示す角度検出装置から得られるセンサ出力Vx、Vyは図13に示す出力波形を有する。センサ出力Vx、Vyから下記式(5) により得られる値C(T)はVx及びVyによらず一定であるが、磁気センサ2a内に断線等の故障があると出力波形が歪み、C(T)は一定でなくなる。これを利用して、磁気センサ2aの故障を監視する(フェールセーフ機能を持たせる)ことができる。またC(T)は磁気抵抗効果素子の抵抗変化率を変化させる温度の関数であるため、温度補正も可能となる。さらに式(5) を用いて回転角に依存することなく各センサブリッジの出力の振幅を知ることができるので、温度補償を行うこともできる。
Claims (8)
- アーク状又は矩形状の多極セグメント磁石を有する磁石回転子と、前記多極セグメント磁石からの磁束の方向を検出する磁気センサとを具備する角度検出装置であって、
前記多極セグメント磁石は、前記磁石回転子の回転方向に沿ってSNS又はNSNの3極又はNSの2極を有し、
前記磁気センサは、複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子(磁化方向が固定された固定層と、磁化方向が磁束の方向に応じて回転する自由層とを有する)を有する感磁面を有し、
前記磁気センサは、前記感磁面が磁束と交差して前記感磁面内で直交する磁束密度成分同士の振幅の大きさが異なるとともに、前記磁石回転子の限られた回転角範囲で出力が直線性を示すように、前記磁石回転子に対して位置決めされており、
前記磁石回転子は前記磁気センサの出力が直線性を示す範囲内で揺動されることを特徴とする角度検出装置。 - 請求項1に記載の角度検出装置において、前記揺動範囲において、角度検出誤差が0.2°以下であることを特徴とする角度検出装置。
- 請求項1又は2に記載の角度検出装置において、前記感磁面内で直交する実効磁束密度の振幅比Keff=B⊥eff0/B//eff0が0.6〜0.9又は1.1〜1.5であることを特徴とする角度検出装置。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の角度検出装置において、前記磁気センサは複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子をブリッジ接続したセンサブリッジを2個有し、一方のセンサブリッジと他方のセンサブリッジは固定層磁化方向が感磁面内で互いに直交していることを特徴とする角度検出装置。
- 多極矩形磁石を有する直線可動子と、前記多極矩形磁石からの磁束の方向を検知する磁気センサとを具備する位置検出装置であって、
前記多極矩形磁石は前記直線可動子の直線的移動方向に沿ってSNS又はNSNの3極又はNSの2極を有し、
前記磁気センサは、複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子(固定層と自由層を有し、固定層磁化方向が固定されており、自由層磁化方向が磁場の方向に応じて回転する磁気抵抗素子)を有する感磁面を有し、
前記磁気センサは、前記感磁面が磁束と交差して前記感磁面内で直交する磁束密度成分同士の振幅の大きさが異なるとともに、前記多極矩形磁石の限られた直線的移動範囲で出力が直線性を示すように、前記直線可動子に対して位置決めされており、
前記直線可動子は前記磁気センサの出力が直線性を示す範囲内で直線的に移動されることを特徴とする位置検出装置。 - 請求項5に記載の位置検出装置において、前記移動範囲において、位置検出誤差が0.2 mm以下であることを特徴とする位置検出装置。
- 請求項5又は6に記載の位置検出装置において、前記感磁面内で直交する実効磁束密度の振幅比Keff=B⊥eff0/B//eff0が0.5〜0.9又は1.1〜1.6であることを特徴とする位置検出装置。
- 請求項5〜7のいずれかに記載の位置検出装置において、前記磁気センサは複数のスピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子をブリッジ接続したセンサブリッジを2個有し、一方のセンサブリッジと他方のセンサブリッジは固定層磁化方向が感磁面内で互いに直交していることを特徴とする位置検出装置。
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