JP2014044121A - 開度検出装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】スロットル弁の開度が全閉の場合の検出精度の低下が抑制された開度検出装置を提供する。
【解決手段】スロットル弁(60)に設けられた磁石(10)と、磁束の変動を電気信号に変換する磁電変換部(20)と、を有し、磁電変換部の電気信号に基づいて、スロットル弁の開度を検出する開度検出装置であって、磁電変換部は、第1方向と第2方向とによって規定される規定平面に沿う第1検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号若しくは最も強度の低い電気信号を出力する第1磁電変換部(21)と、第1検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号と最も強度の低い電気信号の中間の強度の電気信号を出力する第2磁電変換部(22)と、を有し、角度θが0°の場合、第1磁電変換部及び第2磁電変換部それぞれに印加される磁束の方向は、第1検出方向の近傍である。
【選択図】図3
【解決手段】スロットル弁(60)に設けられた磁石(10)と、磁束の変動を電気信号に変換する磁電変換部(20)と、を有し、磁電変換部の電気信号に基づいて、スロットル弁の開度を検出する開度検出装置であって、磁電変換部は、第1方向と第2方向とによって規定される規定平面に沿う第1検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号若しくは最も強度の低い電気信号を出力する第1磁電変換部(21)と、第1検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号と最も強度の低い電気信号の中間の強度の電気信号を出力する第2磁電変換部(22)と、を有し、角度θが0°の場合、第1磁電変換部及び第2磁電変換部それぞれに印加される磁束の方向は、第1検出方向の近傍である。
【選択図】図3
Description
本発明は、スロットル弁に設けられた磁石と、スロットル弁の回転による磁束の変動を電気信号に変換する磁電変換部と、を有する開度検出装置に関するものである。
従来、例えば特許文献1に示されるように、駆動軸と一緒に回転し、磁石が取り付けられた回転体の回転角度を検出するための磁気抵抗素子を少なくとも2つ以上備えたセンサモジュールが提案されている。磁気抵抗素子は、少なくとも磁化方向が一方向に固定されたピン層と、ピン層に非磁性材料層を介して対向し磁石からの外部磁界を受けて磁化方向が変動するフリー層と、を有する。各ピン層の磁化方向は、基本状態において、駆動軸の軸心と交差する外部磁界の方向に対し45°傾いている。
上記した基本状態とは、通常、時間的にもっとも長い姿勢状態をいう。このような基本状態で、複数の磁気抵抗効果素子の各ピン層の磁化方向と、磁石からの外部磁界方向とを45°ずらす。こうすることで、すべてのピン層における外部磁界の影響を一律に弱くし、ピン層の磁化が外部磁界の影響を受けて揺らぐ現象をすべてのピン層にて同じにしている。
上記したように、従来、磁気抵抗効果素子に印加される磁界の方向について記述された発明はある。しかしながら、そのような発明において、磁石の取り付けられるスロットル弁の開度、特に、スロットル弁の設けられた管の連通量がゼロになる、開度が全閉の場合の検出精度について記述された発明はなかった。
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、スロットル弁の開度が全閉の場合の検出精度の低下が抑制された開度検出装置を提供することを目的とする。
上記した目的を達成するために、本発明は、第1方向から、該第1方向に直交する第2方向へと角度θ回転することで、開度が大きくなるスロットル弁(60)に設けられた磁石(10)と、スロットル弁の回転による磁束の変動を電気信号に変換する磁電変換部(20)と、を有し、磁電変換部の電気信号に基づいて、スロットル弁の開度を検出する開度検出装置であって、磁電変換部は、第1方向と第2方向とによって規定される規定平面に沿う第1検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号若しくは最も強度の低い電気信号を出力する第1磁電変換部(21)と、第1検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号と最も強度の低い電気信号の中間の強度の電気信号を出力する第2磁電変換部(22)と、を有し、角度θが0°の場合、第1磁電変換部及び第2磁電変換部それぞれに印加される磁束の方向は、第1検出方向の近傍であることを特徴とする。
詳しくは、後述する実施形態にて説明するが、磁電変換部(20)に印加される磁束の方向(以下、印加方向と示す)が、第1検出方向の近傍である場合、第1磁電変換部(21)及び第2磁電変換部(22)それぞれの電気信号に含まれる誤差が少なくなる。これに対して、本発明では、角度θが0°の場合、印加方向が第1検出方向の近傍となっている。これにより、角度θが0°の場合、すなわち、スロットル弁(60)の開き具合である開度が全閉の場合、磁電変換部(20)の電気信号に含まれる誤差が少なくなる。そのため、スロットル弁(60)の開度が全閉の場合の検出精度の低下が抑制される。
更に、本発明において、第1磁電変換部は、規定平面に沿い、第1検出方向に直交する第2検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号と最も強度の低い電気信号の中間の強度の電気信号を出力し、第2磁電変換部は、第2検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号若しくは最も強度の低い電気信号を出力する構成が好ましい。
本発明の構成によれば、角度θが90°の場合、印加方向が第2検出方向の近傍となる。これに対して、第2検出方向に磁束が沿う場合、第1磁電変換部(21)と第2磁電変換部(22)それぞれから出力される電気信号は、第1検出方向に磁束が沿う場合とは反対の関係になっている。したがって、角度θが90°の場合、すなわち、スロットル弁(60)の開度が最大の場合においても、第1磁電変換部(21)及び第2磁電変換部(22)それぞれの電気信号に含まれる誤差が少なくなる。そのため、スロットル弁(60)の開度が最大の場合の検出精度の低下が抑制される。
ちなみに、角度θが0°の場合、印加方向は、第1磁電変換部及び第2磁電変換部それぞれの電気信号に含まれる誤差が、最大誤差の最大値と最小値の中間値以下となる方向に決定される。この条件を満たす方向は、第1検出方向が、規定平面に直交する軸周りに13°以下回転した方向である。なお、誤差が最も少なくなるのは、印加方向が、第1検出方向の時である。
以下、本発明を、エンジンの吸入管内に設けられるスロットル弁の開度を検出するのに適用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1〜図8に基づいて、本実施形態に係る開度検出装置を説明する。以下においては、互いに直交の関係にある3方向を、x方向、y方向、z方向と示す。x方向が、特許請求の範囲に記載の第1方向に相当し、y方向が、特許請求の範囲に記載の第2方向に相当する。また、x方向とy方向とによって規定される規定平面が、特許請求の範囲に記載の規定平面に相当し、z方向が、特許請求の範囲に記載の規定平面に直交する軸に沿う方向である。
(第1実施形態)
図1〜図8に基づいて、本実施形態に係る開度検出装置を説明する。以下においては、互いに直交の関係にある3方向を、x方向、y方向、z方向と示す。x方向が、特許請求の範囲に記載の第1方向に相当し、y方向が、特許請求の範囲に記載の第2方向に相当する。また、x方向とy方向とによって規定される規定平面が、特許請求の範囲に記載の規定平面に相当し、z方向が、特許請求の範囲に記載の規定平面に直交する軸に沿う方向である。
図1に示すように、開度検出装置100は、要部として、磁石10と、磁電変換部20と、収納部40と、を有する。磁石10及び磁電変換部20それぞれは、収納部40に収納され、収納部40は、吸入管50の外壁に設けられている。吸入管50の内部には、スロットル弁60が設けられ、スロットル弁60は、z方向に軸が沿う回転軸70によって、規定平面にて90°回転可能となっている。磁石10は、上記した回転軸70を介してスロットル弁60に固定されており、スロットル弁60とともに回転可能となっている。したがって、磁石10から発せられる磁界は、スロットル弁60の回転によって変動し、磁電変換部20に印加される磁束の方向も変動する。これにより、磁電変換部20から出力される電気信号も変動する。この電気信号の変動に基づくことで、スロットル弁60の開度が検出される。
磁石10は、永久磁石であり、本実施形態では、円形を成している。そして、磁石10は、N極とS極とに2分割されており、スロットル弁60の開度が全閉の場合、図1に示すように、N極とS極とがy方向に並び、スロットル弁60の開度が全開の場合、図2に示すように、N極とS極とがx方向に並ぶようになっている。したがって、スロットル弁60の開度が全閉の場合、磁束はy方向に沿い、スロットル弁60の開度が全開の場合、磁束の方向はx方向に沿うこととなる。また、スロットル弁60がx方向からy方向へと角度θだけ回転すると、磁石10もスロットル弁60とともに回転し、磁電変換部20に印加される磁束の方向も、角度θだけ回転する。
磁電変換部20は、規定平面に沿う第1検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号若しくは最も強度の低い電気信号を出力する第1磁電変換部21と、第1検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号と最も強度の低い電気信号の中間の強度の電気信号を出力する第2磁電変換部22と、を有する。また、本実施形態に係る第1磁電変換部21は、規定平面に沿い、第1検出方向に直交する第2検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号と最も強度の低い電気信号の中間の強度の電気信号を出力する性質を有し、第2磁電変換部22は、第2検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号若しくは最も強度の低い電気信号を出力する性質を有する。
スロットル弁60の開度が全閉(θ=0°)の場合、図3に実線矢印で示す、y方向に沿う磁束が磁電変換部20に印加され、スロットル弁60の開度が全開(θ=90°)の場合、図3に破線矢印で示す、x方向に沿う磁束が磁電変換部20に印加される。図3に示す2つの矢印の交点P1のz方向に、上記した回転軸70の軸方向が沿っており、磁石10の磁束は、交点P1を中心に回転する。
図3及び図4に示すように、第1磁電変換部21は、4つの磁電変換素子23〜26を有し、第2磁電変換部22は、4つの磁電変換素子27〜30を有する。磁電変換素子23〜30は、印加磁界を電気信号に変換するものであり、本実施形態では、印加磁界によって抵抗値が変動する磁気抵抗効果素子である。磁電変換素子23〜30は、図示しないが、印加磁界に応じて磁化方向が変化する自由層と、非磁性の中間層と、磁化方向が固定されたピン層と、ピン層の磁化方向を固定する磁石層と、が順次積層されて成る。本実施形態に係る中間層は、絶縁性を有しており、磁電変換素子23〜30は、トンネル磁気抵抗効果素子である。自由層とピン層との間に電圧が印加されると、トンネル効果によって、自由層とピン層との間の中間層に電流(トンネル電流)が流れる。トンネル電流の流れ易さは、自由層とピン層の磁化方向に依存しており、自由層とピン層それぞれの磁化方向が平行の場合に最も流れ易く、反平行の場合に最も流れ難い。したがって、自由層とピン層それぞれの磁化方向が平行の場合に磁電変換素子23〜30の抵抗値が最も小さく変化し、反平行の場合に抵抗値が最も大きく変化する。
第1磁電変換部21が有する磁電変換素子23〜26それぞれのピン層の磁化方向が、上記した第1検出方向であり、本実施形態では、y方向である。また、第2磁電変換部22が有する磁電変換素子27〜30それぞれのピン層の磁化方向が、上記した第2検出方向であり、本実施形態では、x方向である。このように、磁電変換素子23〜26それぞれの磁化方向と、磁電変換素子27〜30それぞれの磁化方向とは、直交している。そのため、磁電変換素子23〜26それぞれの抵抗の変化し易さと、磁電変換素子27〜30それぞれの抵抗の変化し易さとが、反対の関係になっている。すなわち、磁電変換部20に印加される磁束の方向(以下、印加方向と示す)がx方向に沿う場合、磁電変換素子23〜26それぞれの抵抗が最も変化し易く、印加方向がy方向に沿う場合、磁電変換素子27〜30それぞれの抵抗が最も変化し易くなっている。
図3及び図4に示すように、磁化方向が反平行の関係にある2つの磁電変換素子によって、ハーフブリッジ回路が構成され、2つのハーフブリッジ回路によって、フルブリッジ回路が構成されている。詳しく言えば、磁電変換素子23,24、磁電変換素子25,26、磁電変換素子27,28、及び、磁電変換素子29,30それぞれによって、ハーフブリッジ回路が構成され、磁電変換素子23〜26によってフルブリッジ回路が構成され、磁電変換素子27〜30によってフルブリッジ回路が構成されている。
上記したように、ハーフブリッジ回路を構成する2つの磁電変換素子の磁化方向は反平行となっている。そのため、2つの磁電変換素子の抵抗値の変化は、反対になっている。すなわち、2つの磁電変換素子の内の一方の抵抗値が小さくなる場合、他方の抵抗値が大きくなっている。フルブリッジ回路を構成する、2つのハーフブリッジ回路の中点電位の差分が、電気信号として出力される。
図5に、磁電変換部21,22の出力信号の角度θ依存性を示す。スロットル弁60の開度が全閉(θ=0°)の場合、図3に実線矢印で示す、y方向に沿う磁束が磁電変換部20に印加される。これにより、第1磁電変換部21から、最も強度の高い電気信号が出力され、第2磁電変換部22から、中間の強度の電気信号が出力される。スロットル弁60の開度が徐々に大きくなり、角度θが徐々に大きくなると、第1磁電変換部21の出力信号の強度が低減し、第2磁電変換部22の出力信号の強度が増加する。そして、スロットル弁60の開度が全開(θ=90°)になると、図3に破線矢印で示す、x方向に沿う磁束が磁電変換部20に印加される。これにより、第1磁電変換部21から、中間の強度の電気信号が出力され、第2磁電変換部22から、最も強度の高い電気信号が出力される。このように、第1磁電変換部21からは、cosθに依存する電気信号が出力され、第2磁電変換部22からは、sinθに依存する電気信号が出力される。
スロットル弁60の開度(角度θ)は、これら、磁電変換部21,22の電気信号に基づいて、検出される。具体的に言えば、第1磁電変換部21のcosθに依存する電気信号と、第2磁電変換部22のsinθに依存する電気信号との比からtanθを求めることで、角度θが求められる。この結果、開度が求められる。
次に、本実施形態に係る開度検出装置100の作用効果を説明する。磁電変換部21,22の出力信号I1,I2の振幅をA1,A2、出力信号I1,I2に乗るノイズをα1、α2とすると、I1=A1cosθ+α1、I2=A2sinθ+α2とあらわされる。ここで、磁電変換部21,22の出力信号の強度をあわせるために、振幅によって出力信号を割ると、第1磁電変換部21の出力信号は、I3=cosθ+α3、第2磁電変換部22の出力信号は、I4=sinθ+α4とあらわされる。この規格化により、ノイズα1、α2は、ノイズα3、α4となるわけだが、ノイズα3、α4の強度は、0.01ほどになる。ちなみに、ノイズα1、α2は、全周波数領域で同一の強度を有するホワイトノイズである。そのため、ノイズα3、α4の強度は、全周波数領域で0.01ほどになる。
磁電変換部21,22それぞれの出力信号にノイズが含まれない場合に検出される角度θをθ1とすると、θ1=arctan(I3/I4)=arctan(sinθ1/cosθ1)とあらわされる。しかしながら、磁電変換部21,22それぞれの出力信号にノイズが含まる場合に検出される角度θをθ2とすると、θ2=arctan(I4/I3)=arctan{(sinθ1+α3)/(cosθ1+α4)}とあらわされる。
このθ2−θ1=εが、角度の検出誤差に相当し、この値εが小さくなればなるほど、角度の検出精度が高い、ということになる。図6に、誤差εの角度θ依存性を示す。上記したように、ノイズα3、α4の強度は、全周波数領域で0.01ほどである。図6に示す実線は、α3=0.01,α4=−0.01の時の誤差εを示し、破線は、α3=0.01,α4=0.01の時の誤差εを示している。また、一点差線は、α3=−0.01,α4=0.01の時の誤差εを示し、二点差線は、α3=−0.01,α4=−0.01の時の誤差εを示している。
ここで、誤差εが最大値及び最小値をとる場合のグラフ(最大誤差εMの角度θ依存性)を、図7に示す。これによれば、nを0以上の整数とすると、角度θ=90°×nの時に、最大誤差εMが最小になることがわかる。図5に基づいて換言すれば、磁電変換部21,22の一方が、最も強度の高い電気信号若しくは最も強度の低い電気信号を出力し、他方が、最も強度の高い電気信号と最も強度の低い電気信号の中間の強度の電気信号を出力する時に、最大誤差εMが最小になることがわかる。
これに対して、本実施形態では、第1磁電変換部21が有する磁電変換素子23〜26それぞれのピン層の磁化方向が第1検出方向であり、y方向である。また、第2磁電変換部22が有する磁電変換素子27〜30それぞれのピン層の磁化方向が第2検出方向であり、x方向である。これにより、スロットル弁60の開度が全閉(θ=0°)の場合、第1磁電変換部21から、最も強度の高い電気信号が出力され、第2磁電変換部22から、中間の強度の電気信号が出力される。そのため、スロットル弁60の開度が全閉(θ=0°)の場合、最大誤差εMが最小になっている。これにより、角度θが0°の場合、すなわち、スロットル弁60の開き具合である開度が全閉の場合、磁電変換部20の電気信号に含まれる誤差が最も少なくなる。そのため、スロットル弁60の開度が全閉の場合の検出精度の低下が抑制される。
また、本実施形態では、スロットル弁60の開度が全開(θ=90°)の場合、第1磁電変換部21から、中間の強度の電気信号が出力され、第2磁電変換部22から、最も強度の高い電気信号が出力される。そのため、スロットル弁60の開度が全開(θ=90°)の場合、最大誤差εMが最小になっている。これにより、角度θが90°の場合、すなわち、スロットル弁60の開度が最大の場合においても、磁電変換部20の電気信号に含まれる誤差が少なくなる。そのため、スロットル弁60の開度が最大の場合の検出精度の低下が抑制される。
本実施形態では、第1検出方向がy方向であり、第2検出方向がx方向である例を示した。しかしながら、検出方向としては、上記例に限定されず、第1検出方向がy方向の近傍であり、第2検出方向がx方向の近傍であれば良い。この近傍とは、具体的に言えば、最大誤差εMの最大値と最小値の中間値以下となる範囲である。図8に示すように、最大誤差εMは、だいたい、0.58〜0.81の値をとる。したがって、最大誤差εMの中間値は、0.695であり、最大誤差εMが0.695以下の値をとるのは、90°×n±13°以下の時である。したがって、第1検出方向がy方向からz軸周りで13°以下回転した方向であり、第2検出方向がx方向からz軸周りで13°以下回転した方向であれば良い。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
本実施形態では、磁電変換素子23〜30は、トンネル磁気抵抗効果素子である例を示した。しかしながら、磁電変換素子23〜30としては、上記例に限定されず、例えば、中間層が絶縁性を有する巨大磁気抵抗効果素子を採用することもできる。更には、磁電変換素子23〜30としては、AMRやホール素子を採用することもできる。
10・・・磁石
20・・・磁電変換素部
21・・・第1磁電変換部
22・・・第2磁電変換部
100・・・開度検出装置
20・・・磁電変換素部
21・・・第1磁電変換部
22・・・第2磁電変換部
100・・・開度検出装置
Claims (7)
- 第1方向から、該第1方向に直交する第2方向へと角度θ回転することで、開度が大きくなるスロットル弁(60)に設けられた磁石(10)と、
前記スロットル弁の回転による前記磁束の変動を電気信号に変換する磁電変換部(20)と、を有し、前記磁電変換部の電気信号に基づいて、前記スロットル弁の開度を検出する開度検出装置であって、
前記磁電変換部は、前記第1方向と前記第2方向とによって規定される規定平面に沿う第1検出方向に前記磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号若しくは最も強度の低い電気信号を出力する第1磁電変換部(21)と、前記第1検出方向に前記磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号と最も強度の低い電気信号の中間の強度の電気信号を出力する第2磁電変換部(22)と、を有し、
前記角度θが0°の場合、前記第1磁電変換部及び前記第2磁電変換部それぞれに印加される磁束の方向は、前記第1検出方向の近傍であることを特徴とする開度検出装置。 - 前記第1磁電変換部は、前記規定平面に沿い、前記第1検出方向に直交する第2検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号と最も強度の低い電気信号の中間の強度の電気信号を出力し、
前記第2磁電変換部は、前記第2検出方向に磁束が沿う場合、最も強度の高い電気信号若しくは最も強度の低い電気信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の開度検出装置。 - 前記角度θが0°の場合、前記磁電変換部に印加される磁束の方向は、前記第1磁電変換部及び前記第2磁電変換部それぞれの電気信号に含まれる誤差が、最大誤差の最大値と最小値の中間値以下となる方向であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の開度検出装置。
- 前記角度θが0°の場合、前記磁電変換部に印加される磁束の方向は、前記第1検出方向が、前記規定平面に直交する軸周りに13°以下回転した方向であることを特徴とする請求項3に記載の開度検出装置。
- 前記角度θが0°の場合、前記磁電変換部に印加される磁束の方向は、前記第1検出方向であることを特徴とする請求項3に記載の開度検出装置。
- 前記第1磁電変換部、及び、前記第2磁電変換部それぞれは、複数の磁電変換素子を有し、
該磁電変換素子は、磁化方向が固定されたピン層と、印加される磁束に応じて磁化方向が変化する自由層と、該自由層と前記ピン層との間に設けられた非磁性の中間層と、を有することを特徴とする請求項1〜5いずれか1項に記載の開度検出装置。 - 前記第1磁電変換部の磁電変換素子が有するピン層の磁化方向は、前記第1検出方向の近傍であり、
前記第2磁電変換部の磁電変換素子が有するピン層の磁化方向は、前記規定平面に沿い、前記第1検出方向に直交する第2検出方向の近傍であることを特徴とする請求項6に記載の開度検出装置。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006145323A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Tdk Corp | 回転角度検出装置 |
JP2006317203A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Alps Electric Co Ltd | センサモジュール及びそれを用いた角度検出装置 |
JP2007263585A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Denso Corp | 回転角度検出装置 |
WO2010098472A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 日立金属株式会社 | 角度検出装置及び位置検出装置 |
JP2012127736A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Tdk Corp | 磁気センサ |
JP2012145425A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Tdk Corp | 回転角度センサ |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006145323A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Tdk Corp | 回転角度検出装置 |
JP2006317203A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Alps Electric Co Ltd | センサモジュール及びそれを用いた角度検出装置 |
JP2007263585A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Denso Corp | 回転角度検出装置 |
WO2010098472A1 (ja) * | 2009-02-26 | 2010-09-02 | 日立金属株式会社 | 角度検出装置及び位置検出装置 |
JP2012127736A (ja) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Tdk Corp | 磁気センサ |
JP2012145425A (ja) * | 2011-01-12 | 2012-08-02 | Tdk Corp | 回転角度センサ |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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