JP5266472B2 - 無接点マイクロリレー - Google Patents
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Description
近年のデバイスの小型化ニーズに対応するためにMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を利用して、機械要素部品、センサー、アクチュエータ、電子回路を一つのシリコン基板上に集積化したデバイスが開発されている。その場合には機械接点リレーも可能な限り小型化する必要がある。半導体製造技術を用いたマイクロ加工技術による接点の撓み梁の工夫(例えば特開2003−203549)や固体素子を並列に組み込むことにより感度アップする工夫(例えば、特開2003−217423、特開2006−228717)等により、例えば 2.5×4.0×1.3mmのMEMSリレーが開発され、携帯電話の小型化を可能にした。しかし、微細加工による製造コストの上昇と機械式接点であるための基本的弱点(接点のばたつき、寿命)を解消するのは限界に達している。
発明1の無接点マイクロリレーは、入力端子における電圧変化によって生じるリレー素子のON−OFFにより出力端子からの電力をON−OFFし、10ミリアンペア以上の電流が流れる無接点マイクロリレーであって、前記リレー素子が、一個の下部電極である導電性基板上に絶縁性材料により形成された、複数のナノホールが前記導電性基板に対して垂直に存在し、隔壁が配列した垂直ナノ構造を有する絶縁性膜と、その絶縁性膜表面に形成した一個の上部電極とにより構成されたリレー素子であって、前記隔壁が内層と外層とからなり、前記内層と前記外層の境界に酸素配位欠陥が形成されていることを特徴とする。 発明2の無接点マイクロリレーは、発明1の無接点マイクロリレーにおいて、前記リレー素子は、アルミニウムを導電性基板とし、その表面に酸化アルミニウムの垂直ナノ構造を有する絶縁性膜が形成され、その絶縁性膜の表面に蒸着電極が設けられてなることを特徴とする。
また、垂直ナノ構造は、化学的な処理により得られるものであるから、MEMSリレーのような微細加工は全く不要であり、これらに比べて生産性が桁違いに高い。さらに、材料としてアルミを用いることにより、生産性がMEMSリレーの100倍以上に見込むことが可能である。
図2は、リレー素子に用いたアルミニウム陽極酸化膜の表面写真(走査型電子顕微鏡写真)である。
図3は、リレー素子の断面模式図である
図4は、リレー素子の外観を示す写真である
図5は、リレー素子の電流―電圧特性を示すグラフである。
図6は、電流―電圧特性の測定回路を示す回路図である。
図7は、自己保持型電磁リレーの回路図である。
図8は、素子リレーの実施例を示す回路図である。
図9は、アルミニウム酸化膜厚とオン電圧の関係を示すグラフである。
図10は、比較例1の電流―電圧特性を示すグラフである。
図11は、比較例2の電流―電圧特性を示すグラフである。
図12は、リレー素子の断面模式図(オフ状態)である。
図13は、ポーラスアルミニウム酸化膜の平面スライス透過型電子顕微鏡写真である。
図14は、リレー素子の断面模式図(オン状態)である。
図15は、電荷がチャージされた状態のアルミニウム酸化膜表面(走査型電顕写真)である。
図16は、2ステップ陽極酸化法を示す系統図である。
(4)地金 (5)蒸着電極側リード線 (6)地金側リード線
(31)ナノホール (32)隔壁
(32A)隔壁内層 (32B)隔壁外層
(40)素子リレー (41A)入力端子A (41B)入力端子B
(42)出力端子
(50)電磁リレー (51)オン・コイル (52)リレー接点
(53A)入力端子A (53B)入力端子B (53C)入力端子C
(54)オフ・コイル (55)出力端子
(H)陽極酸化膜の厚さ
(L)ナノホールのピッチ
(G)高密度の酸素配位欠陥が形成された境界層
(E)酸素配位欠陥に捕捉された電子 (CH)導通チャンネル
(F1)オフ電位 (F2)オフ範囲
(N1)オン電位 (N2)オン範囲
(RV)リレー使用電圧範囲
材質に関する条件としては、▲1▼酸化膜が絶縁性であること、▲2▼基板は導電性があり、▲3▼陽極酸化によって形成されるナノホールが基板に対して垂直であれば、アルミニウム以外の金属も利用可能である。例えば錫やインジュウムは、酸化物が絶縁性でないために利用できないが、チタンは▲1▼、▲2▼、▲3▼の条件を満たしており、利用可能である。
酸化膜を上記の好ましい膜厚にする手段は、陽極酸化の処理時間と電解液の温度で制御でき、実施例を表1に示す。
陽極酸化に使用する電解液は、下記の実施例に示した蓚酸以外に、0.2〜0.5モル%の濃度であれば硫酸や燐酸でもよい。
なお、本実施例では、オン電流25ミリアンペア、オフ電流(リーク電流)4ナノアンペアのスイッチング特性が得られるか否かを目安に評価したが、必ずしもこれに限定されるものではない。要は、従来の機械式接点リレーでしか達成できないとされていた特性を本発明の無接点マイクロリレーが発揮するものは、いずれも本発明の範疇に含まれるものである。
(ST1):厚さ1mm、純度99.99%のアルミニウム(Al)を0.3モル%蓚酸(純水500mlに蓚酸13.6gを溶かす)の電解液の陽極とし、カーボン電極を陰極として、20℃、40Vの定温・定電圧下で、スタラーで攪拌しながら陽極酸化を行う。開始直後は、アルミニウム表面全面に均一にトンネル電流が流れ、均一に酸化膜が形成される。しかし膜厚が30nm程度以上に増加するとトンネル電流が流れ難くなり、局所的に電流が流れてその部分の酸化膜の温度が上昇し、その表面が蓚酸によって溶解され凹んだ状態になる。その後は凹み部分の酸化膜は薄いので、選択的に電流がその部分を流れてアルミニウムの酸化と酸化アルミニウムの溶解が同時進行して凹みが深くなる。最初の凹みはランダムに発生するが時間の経過と共に、凹みが淘汰され、電圧40Vの場合には、30分程度経過すると、凹みのピッチはほぼ100nmに揃ってくる。
(ST2):この状態(20℃、40Vの定温・定電圧下)で6時間、スタラーで攪拌しながら陽極酸化して表面に陽極酸化膜(Al1)を形成する。
(ST3):クロム酸と燐酸の混合液(純水500mlに酸化クロム7.8gを溶かし、燐酸17.5ml.を混合した溶解液)に上記の陽極酸化したアルミニウム板を浸漬してスタラーで攪拌しながら1時間、液温を60℃に保って溶解処理を行う。この処理によって陽極酸化膜(Al1)は全て溶解除去され、残ったアルミニウム表面には、ほぼ100nmの等ピッチで深さ20nmの凹が規則的に配列した状態になる。
(ST4):このアルミニウム板を純水中で超音波洗浄したのち、再び、最初と同じ条件で60秒間、陽極酸化して目的厚さのナノ構造を有するアルミ酸化膜(Al2)を得た。この酸化膜断面の透過型電子顕微鏡写真を図1に、酸化膜表面の走査型電子顕微鏡写真を図2に示す。
アルミニウム酸化膜(Al2)は、直径40nmのナノホール(31)がアルミニウム地金(4)に対して垂直に存在し、巾60nmの隔壁(32)が100nmピッチに配列した垂直ナノ構造になっていることが判る。この陽極酸化アルミ板を10mm角に切断し、酸化膜(3)の表面に厚さ50nmの金を蒸着して上部電極(2)とし、アルミニウム地金をそのまま下部電極にして3層構造の2電極素子を作成した。図3に断面構造図と図4に外観を示す。
前記隔壁(32)は、図12で示すように、内層(32A)と外層(32B)からなり、内層(32A)はAlO4+AlO5からなり、外層(32B)はAlO6からなるものである。
この素子(1)は、図5の電流―電圧特性を示し、図6のような回路を用いて、印可電圧によってオン状態とオフ状態を切替えることができる。例えば、オン電圧(N1)である電圧5.5Vを印加すればA点の導通状態になり、オフ電圧(F1)である−2Vの電圧を印加すればB点の非導通状態になる。リレー素子(1)の回路電圧が3Vの場合には、導通時には25mA(C点)が流れ、非導通状態のリーク電流は4nA(D点)となり、オン・オフ電流比(25mA/4nA=6×106)である。
そして、このようなオン・オフ電流比を示す範囲をリレー使用電圧範囲(RV)とすることで、電気回路のスイッチとして使用できる。なお、オフ状態に変化する範囲をオフ範囲(F2)、オン状態に変化する範囲をオン範囲(N2)とする。
このリレー素子(1)を利用したリレー(40)の実施例(図8)を従来の自己保持型電磁リレー(50)(図7)と対比してリレー動作を説明する。図7の電磁リレー(50)では、AC端子間(53A)(53C)に6Vを印可すると、オン・コイル(52)が励磁し、リレー接点(52)が接触して出力端子間が導通状態になる。BC端子間(53B)(53C)に6Vを印可すると、オフ・コイル(54)が励磁し、リレー接点(52)が切れて出力端子間(55)が遮断される。
図8の素子リレー(40)では、AB端子間(41A)(41B)に5.5Vのパルス電圧を印可するとリレー素子(1)が導通状態になり出力端子間(42)が導通状態になる。また、AB端子間(41A)(41B)に−2Vのパルス電圧を印可すると、リレー素子(1)が遮断状態になり出力端子間(42)が遮断される。従来の自己保持型電磁リレー(50)の出力端子(55)には、リレー接点の耐電圧等で決まる電圧(例えば±12V)を加えることができるが、素子リレー(40)の出力端子(42)には、図5の電流―電圧特性に示されたリレー使用電圧(実施例では−1〜4V)の範囲内に制限する必要がある。
その範囲を超えた電圧が出力端子に加わると、そのことにより素子リレー(40)のオン・オフが切替わる特性を考慮した回路設計が必要になる。電気回路の小型化と共に低電圧化が進んでおり、例えば駆動電圧1.5Vが標準仕様になればこの問題はなくなる。素子リレー(40)をパルス電圧で切替える方法は、従来の直流回路ではパルス電圧を発生するための制御が必要になるが、デジタル化された電気回路では問題はなくなる。オン電圧(N1)はアルミニウム酸化膜(3)の厚さ(H)によって調整することができる。
例えば、陽極酸化時間を変えてアルミニウム酸化膜(3)の厚さ(H)を変えたサンプルを用いた素子のオン電圧(N1)は図9のようになる。この関係式は金を蒸着して上部電極(2)を形成した場合のものであり、電極の種類、蒸着の方法によっても変化するが、酸化膜厚(H)の影響が圧倒的に大きいので、オン電圧(N1)の実質的な制御は酸化膜厚(H)で行うことができる。
図13は、図12の酸化膜隔壁模式図の内層(32A)・外層(32B)の実態を示す酸化膜を平面スライスした透過型電子顕微鏡写真であり、内層(暗い部分)と外層(明るい部分)の境界に高密度の酸素配位欠陥(G)が形成されている。オン電圧(N1)の印加により電極から注入された電子(E)が、上記の配位欠陥にトラップ(捕捉)され、隔壁(32)中央の電位ポテンシャルが低下して導通チャネル(CH)が形成された模式図を図14に示す。
図14の模式図の実態に近い状態に相当する表面の走査型電子顕微鏡写真を図15に示す。図2はオフ状態に相当する表面の走査型電子顕微鏡写真であり、図15と比べるとオン状態とオフ状態で表面の電子状態が異なることが明確である。
図1に示すアルミニウム陽極酸化膜(3)が特異な機能性を発揮する理由は、垂直ナノ構造をした2次元の層状電子準位が存在することである。そのようなアルミニウム陽極酸化膜を製造する方法は、建材等に使用される通常のアルマイト加工(陽極酸化)とは異なる方法であり、詳細は実施例の冒頭に、図16を用いて記載した通りである。
Claims (2)
- 入力端子における電圧変化によって生じるリレー素子のON−OFFにより出力端子からの電力をON−OFFし、10ミリアンペア以上の電流が流れる無接点マイクロリレーであって、
前記リレー素子が、一個の下部電極である導電性基板上に絶縁性材料により形成された、複数のナノホールが前記導電性基板に対して垂直に存在し、隔壁が配列した垂直ナノ構造を有する絶縁性膜と、その絶縁性膜表面に形成した一個の上部電極とにより構成されたリレー素子であって、
前記隔壁が内層と外層とからなり、前記内層と前記外層の境界に酸素配位欠陥が形成されていることを特徴とする無接点マイクロリレー。 - 請求の範囲第1項に記載の無接点マイクロリレーにおいて、前記リレー素子は、アルミニウムを導電性基板とし、その表面に酸化アルミニウムの垂直ナノ構造を有する絶縁性膜が形成され、その絶縁性膜の表面に蒸着電極が設けられてなることを特徴とする無接点マイクロリレー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008538721A JP5266472B2 (ja) | 2006-10-03 | 2007-10-02 | 無接点マイクロリレー |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006272115 | 2006-10-03 | ||
JP2006272115 | 2006-10-03 | ||
JP2008538721A JP5266472B2 (ja) | 2006-10-03 | 2007-10-02 | 無接点マイクロリレー |
PCT/JP2007/069634 WO2008044665A1 (fr) | 2006-10-03 | 2007-10-02 | Microrelais sans contact |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008044665A1 JPWO2008044665A1 (ja) | 2010-02-12 |
JP5266472B2 true JP5266472B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=39282859
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008538721A Expired - Fee Related JP5266472B2 (ja) | 2006-10-03 | 2007-10-02 | 無接点マイクロリレー |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5266472B2 (ja) |
WO (1) | WO2008044665A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013222784A (ja) * | 2012-04-16 | 2013-10-28 | Nihon Univ | 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001009800A (ja) * | 1999-04-27 | 2001-01-16 | Canon Inc | ナノ構造体及びその製造方法 |
JP2002076325A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Japan Science & Technology Corp | コンダクタンスの制御が可能な電子素子 |
JP2005183570A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Misuzu R & D:Kk | ショットキー接合型不揮発性メモリ |
-
2007
- 2007-10-02 WO PCT/JP2007/069634 patent/WO2008044665A1/ja active Search and Examination
- 2007-10-02 JP JP2008538721A patent/JP5266472B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001009800A (ja) * | 1999-04-27 | 2001-01-16 | Canon Inc | ナノ構造体及びその製造方法 |
JP2002076325A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-15 | Japan Science & Technology Corp | コンダクタンスの制御が可能な電子素子 |
JP2005183570A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Misuzu R & D:Kk | ショットキー接合型不揮発性メモリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2008044665A1 (ja) | 2010-02-12 |
WO2008044665A1 (fr) | 2008-04-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100809 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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