CN1496333A - 硅微机械结构的制造 - Google Patents

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Abstract

一种在制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层(8)。

Description

硅微机械结构的制造
技术领域
本发明涉及硅微机械结构。具体地，本发明涉及使用湿腐蚀操作制造这种结构。更具体地，本发明涉及保护这种结构不受到不需要的电腐蚀。
背景技术
硅用在半导体领域中以制造集成电路(IC)，特别是超大规模(VLSI)器件等。制造这种器件的许多步骤包括使用如氢氟酸(HF)的侵蚀性的腐蚀液的湿腐蚀操作。
然而，当硅浸在HF中时发生硅的腐蚀。通常，这种影响很小，但当硅高度掺杂有如Al、As、C、Ga、P、Sb等的元素(用于制造VLSI组件的硅通常是这样)时，腐蚀会增强。存在紫外线(UV)光或通过外部电位阳极极化硅结构时，也会增强硅的腐蚀。
HF溶液中硅腐蚀的例子为在UV光存在的情况下腐蚀高度掺杂的硅结构，UV光用于检测pn二极管的结深、电抛光硅和制造多孔硅。
在不使用外部电压或照射的情况下也可能会增强这种腐蚀。如果在器件中一些硅部分与如金线的贵金属电连接，那么当器件浸泡在HF溶液中同时电位足够大以显著腐蚀硅部分时，形成自发电池。在该结构中，贵金属起阴极的作用，硅作为阳极。在阴极发生质子到氢分子的还原，将导致硅腐蚀。硅的这种腐蚀增加了溶液的酸性，这是由于在酸性更强的溶液中可以得到更多的质子。
图1中示出了分别使用硅和金作为阳极和阴极在HF溶液中形成自发电池。图中示出了电流(logi)与电压(V)的变化。硅n+和金之间的腐蚀电位显示为表示Sin+电流(阳极侧)和金电流(阴极侧)的两个曲线的交点。硅表面氧化还原电位取决于它的反应化学组成。不同的掺杂剂类型和浓度(n，n+，p，p+)以不同的速率氧化，因此得到不同的电流。
在许多硅电机械微系统(MEMS)器件中，例如化学传感器、微机械器件以及集成的光学元件中，通常使用贵金属布线和硅的组合。贵金属用在MEMS制造中，以便使用如氢氧化钾的强侵蚀性的腐蚀液制备独立的结构。通过这种溶液腐蚀掉如A1的标准金属。应该注意必须在制备结构之前进行布线是由于此后的处理更困难。
在这种器件中，氧化硅膜广泛地用做电隔离层、钝化、或作为掩模膜。为了构图这些膜或者在工艺结束时除去它们，基于HF的溶液为有效且广泛使用的湿腐蚀液。
在存在HF情况下，当贵金属和硅部分电连接时，硅被电腐蚀。为了避免这种不需要的效果，直接方案是在HF腐蚀期间保护贵金属或硅或者这两者。然而，在许多MEMS器件中，这种包护不总是能够实现的。这种MEMS器件的例子包括具有限制了保护膜的淀积和构图的独立结构的器件。
另一公知技术是通过在硅结构和金属部分之间施加电压，用硅的阴极极化抑制任何硅腐蚀。然而，为了采用这种技术，所有的金属和硅结构必须一起连接到两个接触区，以便施加电位。这对于具有许多隔离结构的器件是个问题，因为这需要很复杂和占用空间的额外布线。对熟练的工人来说，很明显，在已经是很复杂的工艺中还需要额外的腐蚀步骤，在完成器件之后除去额外的布线。
希望提供一种保护硅微机械结构不受不希望的电腐蚀的方法，克服了以上提到的现有技术的不足之处。还需要一种能够容易合并入现有工艺的方法。
发明概述
根据本发明，现在提供一种制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层，该牺牲金属层电连接到所述贵金属层。
本发明有利地提供了保护硅微结构不受不希望的电腐蚀的方法，克服了以上提到的现有技术的不足之处。这种方法可以容易地合并到现有的工艺中。
牺牲金属层可以由铝形成。材料可以包括硅。本发明的优选实施例包括在所述结构的一侧上形成牺牲金属层，并随后连接到所述贵金属层。牺牲金属层可以形成在贵金属层上。制造微结构之后，牺牲金属层可以用腐蚀溶液除去。制备之后，牺牲金属层可以留在所述微结构上。牺牲金属层可以形成在多个焊盘中，每个连接到贵金属层的不同部分。
根据本发明的另一方案，提供一种微结构包括：材料；贵金属层；以及，牺牲金属层，电连接到贵金属层并且具有的氧化还原电位比所述材料低。
附图简介
参考附图借助例子简要地介绍本发明的优选实施例，其中：
图1示出了HF溶液中硅和金之间电流与电压的变化曲线图；
图2示出了采用本发明的方法与图1中所示变化类型相同的曲线图；
图3示意性地示出了根据现有技术制造的悬臂；
图4示意性地示出了根据本发明制造的悬臂。
优选实施例的详细说明
在本发明的优选实施例中，提供一种保护硅不受不希望的电腐蚀的新方法。虽然本发明可以适用于不同的腐蚀溶液，但下文仅参考HF腐蚀液介绍。
如上所述，图1中示出了分别使用硅和金作为阳极和阴极在HF溶液中形成自发电池。图1示出了电流(logi)与电压(V)的变化关系。硅n+和金之间的腐蚀电位显示为表示硅n+电流(曲线1，阳极侧)和金电流(曲线2，阴极侧)的两个曲线的交叉点。
基于用形成一整体阳极电极的牺牲层阴极保护硅实现保护。通过淀积具有的氧化还原电位比硅低的牺牲金属层并电连接到使用的贵金属，腐蚀电位可以移动到硅电源腐蚀可以忽略不计的电压。
该效果显示在图2中，示出了分别使用铝和金作为阳极和阴极在HF溶液中形成自发电池。与图1的自发电池相比，连接附加的铝焊盘作为整体阳极电极。由表示铝腐蚀电流(曲线3，阳极侧)和金电流(曲线4，阴极侧)的两个曲线的交点限定腐蚀。通过Al-Au电池固定腐蚀电位，在该电位，硅的腐蚀电流降低。
从图2中可以看出，通过腐蚀电位移动到log i的较高值可以显著减少硅腐蚀电流。应该理解图1中的“硅n+动电电流”和图2中的“硅n+腐蚀电流”是指相同的电流。Al是移位腐蚀电位的优选材料，因为它具有相对较低的氧化还原电位。然而，也可以使用其它材料，例如Cr、Zn和Mg。
通常，当浸泡在溶液(电解液)中时为保护电连接到材料B的材料A(其中A的氧化还原电位＜B的氧化还原电位)不受到腐蚀，具有的氧化还原电位比A低的材料C应附着到B。
具有较低和较高氧化还原电位的材料限定了腐蚀电位，从该电位，所有其它材料的腐蚀电流连接到它们。这就是当各腐蚀电位移动到log i的较高值时硅腐蚀电流减少的原因。
通过采用金属的牺牲层作为整体阳极电极的该阴极保护具有不需要包埋或密封结构以保护它不受HF溶液侵蚀并且不需要额外布线的优点。
需要做的唯一的事情在结构上添加焊盘层或牺牲材料膜。牺牲材料可以放置在要保护的结构一侧上然后连接到贵金属，或者可以施加在结构的顶上，由此节约了空间。牺牲焊盘具有足够大的面积接触腐蚀溶液，以便它的效率不受腐蚀溶液/牺牲焊盘界面处的最大电流密度限制。
一旦完成了腐蚀，留下了可以使用合适的腐蚀溶液可以腐蚀掉的部分牺牲材料层，或者实际上可以留下来。然而，在最后一种情况中，剩余的牺牲层不应使功能性的电连接短路。为此，可以形成牺牲膜结构以避免短路。例如，可以在淀积贵金属层并同时形成结构之后立即淀积牺牲层。
图3和4示出了应用本发明制造用在磁存储技术中的悬臂/尖端结构6。这里，金布线8连接到重掺杂的硅悬臂10，制造工艺结束时，需要基于HF的最终腐蚀以除去存在的所有氧化硅保护，特别是重掺杂部分。在图3中，不需要添加附加的牺牲铝焊盘并且可以看出HF腐蚀之后，腐蚀硅悬臂6，而图4显示当使用连接到金布线8的附加的铝层12时，不会发生可见的腐蚀。
在以上介绍的本发明的一个例子中，施加牺牲铝层作为整体的阳极电极。然而，应该理解本发明可以普遍适用作为集成系统制造中的补充手段，以保护不受到不希望的电腐蚀。可以用不同的材料和腐蚀溶液形成不同类型的自发电池。本发明特别但不仅限用于MEMS应用中，因为它克服了与以上介绍的常规保护技术有关的困难。本发明也适用于CMOS应用，其中使用铜布线(具有高氧化还原电位)和绝缘体上硅晶片(晶体管基本上被完全隔离)的工业趋势带来电湿腐蚀问题。
本发明也适合于MEMS器件与微电子电路集成一体的情况，例如形成RF机械过滤器设计。
本发明适合于多孔硅应用，因为它对多孔和无孔区的制造增加了更多的灵活性，而与硅掺杂类型和浓度无关。

Claims (13)

1.一种制造期间保护微结构材料不受不希望的电腐蚀的方法，所述结构包括所述材料和贵金属层(8)，该方法包括在结构上形成具有的氧化还原电位比所述材料低的牺牲金属层(12)，该牺牲金属层(12)电连接到所述贵金属层(8)。
2.根据权利要求1的方法，其中牺牲金属层(12)由铝形成。
3.根据权利要求1的方法，其中所述材料包括硅。
4.根据任何一个权利要求的方法，包括在所述结构的一侧上形成牺牲金属层(12)，并随后连接到所述贵金属层(8)。
5.根据权利要求1到3中任何一个的方法，包括在贵金属层(8)上形成牺牲金属层(12)。
6.根据任何一个权利要求的方法，包括制造微结构之后用腐蚀溶液除去牺牲金属层(12)。
7.根据权利要求1到5中任何一个的方法，包括制造之后在所述微结构上留下牺牲金属层(12)。
8.根据权利要求7的方法，包括牺牲金属层(12)可以形成在多个焊盘中，每个焊盘连接到贵金属层(8)的不同部分。
9.一种微结构包括：材料；贵金属层(8)；以及牺牲金属层(12)，电连接到贵金属层(8)并且具有的氧化还原电位比所述材料低。
10.根据权利要求9的微结构，其中牺牲金属层(12)是铝。
11.根据权利要求9或10的微结构，其中牺牲金属层(12)设置在贵金属层(8)上。
12.根据权利要求9或10的微结构，其中牺牲金属层(12)设置在结构的一侧上，并连接到贵金属层(8)。
13.根据权利要求12的微结构，其中牺牲金属层(12)包括多个焊盘，每个焊盘连接到贵金属层(8)的不同部分。
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TW (1) TWI224578B (zh)
WO (1) WO2002057179A2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1309040C (zh) * 2004-06-29 2007-04-04 北京大学 一种将cmos电路与体硅mems单片集成的方法
CN100397616C (zh) * 2006-11-10 2008-06-25 北京大学 一种可去除残余硅的体硅mems与cmos电路集成的方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7153440B2 (en) * 2002-09-12 2006-12-26 Pts Corporation Surfactant-enhanced protection of micromechanical components from galvanic degradation
US6667457B1 (en) * 2002-09-17 2003-12-23 Hitachi Global Storage Technologies System and method for a sacrificial anode in a kerf for corrosion protection during slider fabrication
US7597819B1 (en) * 2004-12-20 2009-10-06 Sandia Corporation Redox buffered hydrofluoric acid etchant for the reduction of galvanic attack during release etching of MEMS devices having noble material films
US20070228667A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Northrop Grumman Corporation Apparatus for preventing seal extrusion
EP2079099B1 (en) * 2008-01-11 2015-09-16 Imec Method and apparatus for preventing galvanic corrosion in semiconductor processing
US7851975B2 (en) * 2008-09-02 2010-12-14 United Microelectronics Corp. MEMS structure with metal protection rings
US8535966B2 (en) 2010-07-27 2013-09-17 International Business Machines Corporation Horizontal coplanar switches and methods of manufacture
GB2505467A (en) 2012-08-31 2014-03-05 Ibm Dynamic logic gate comprising a nano-electro-mechanical switch
GB201215512D0 (en) 2012-08-31 2012-10-17 Ibm Four terminal nano-electromechanical switch with a single mechanical contact
KR20140089650A (ko) 2013-01-03 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US11149921B2 (en) * 2020-03-23 2021-10-19 AeroLEDS, LLC Aircraft light collimation and redirection apparatus and method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62241363A (ja) * 1986-04-11 1987-10-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5059556A (en) * 1988-09-28 1991-10-22 Siemens-Bendix Automotive Electronics, L.P. Low stress polysilicon microstructures
US5164339A (en) * 1988-09-30 1992-11-17 Siemens-Bendix Automotive Electronics L.P. Fabrication of oxynitride frontside microstructures
US5914507A (en) * 1994-05-11 1999-06-22 Regents Of The University Of Minnesota PZT microdevice
JP3182301B2 (ja) * 1994-11-07 2001-07-03 キヤノン株式会社 マイクロ構造体及びその形成法
KR0152558B1 (ko) * 1995-10-12 1998-10-01 김광호 부식 방지용 리드 프레임 및 그 제조방법
TW322635B (zh) * 1996-04-19 1997-12-11 Matsushita Electron Co Ltd
AU3073797A (en) * 1996-05-17 1997-12-05 Formfactor, Inc. Wafer-level burn-in and test
US5903380A (en) * 1997-05-01 1999-05-11 Rockwell International Corp. Micro-electromechanical (MEM) optical resonator and method
US6647766B2 (en) * 1999-12-31 2003-11-18 International Business Machines Corporation Device for contacting and/or modifying a surface having a cantilever and a method for production of said cantilever
US6580138B1 (en) * 2000-08-01 2003-06-17 Hrl Laboratories, Llc Single crystal, dual wafer, tunneling sensor or switch with silicon on insulator substrate and a method of making same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1309040C (zh) * 2004-06-29 2007-04-04 北京大学 一种将cmos电路与体硅mems单片集成的方法
CN100397616C (zh) * 2006-11-10 2008-06-25 北京大学 一种可去除残余硅的体硅mems与cmos电路集成的方法

Also Published As

Publication number Publication date
AU2002225276A1 (en) 2002-07-30
JP2004521753A (ja) 2004-07-22
WO2002057179A3 (en) 2003-11-20
KR20030088424A (ko) 2003-11-19
EP1383707B1 (en) 2011-04-13
JP3940362B2 (ja) 2007-07-04
US7566939B2 (en) 2009-07-28
US20040135219A1 (en) 2004-07-15
US6949397B2 (en) 2005-09-27
DE60239734D1 (de) 2011-05-26
CN1215968C (zh) 2005-08-24
WO2002057179A2 (en) 2002-07-25
US20050230839A1 (en) 2005-10-20
TWI224578B (en) 2004-12-01
EP1383707A2 (en) 2004-01-28
KR100495603B1 (ko) 2005-06-16

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