JP5265926B2 - 燃料電池触媒 - Google Patents
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Description
「膜電極アセンブリ」は、電解質、典型的にはポリマー電解質と、膜に隣接する、少なくとも1つの、しかし、より典型的には2つ以上の電極とを含む膜を含む構造を意味し、
「ナノ構造要素」は、その表面の少なくとも一部の上に触媒材料を含む針状の別々の微視的構造を意味し、
「ナノスケール触媒粒子」は、標準2−シータX線回折走査の回折ピーク半値幅から測定されるとき、約15nm以下の少なくとも1つの寸法を有するか、約15nm以下の微結晶サイズを有する触媒材料の粒子を意味し、
「針状」は、長さの平均断面幅に対する比が3以上であることを意味し、
「別々の」は、個別のアイデンティティを有する別個の要素を指すが、要素が互いに接触するのを妨げない、
「微視的」は、約1マイクロメートル以下の少なくとも1つの寸法を有することを意味し、
「非貴金属」は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、金、または銀以外の金属を意味し、
符号「Å」は、いかなる印刷上のまたはコンピュータの誤りにもかかわらず、オングストロームを表す。
触媒を製造するために用いられる方法は、米国特許第6,040,077号明細書「膜電極アセンブリのための触媒、および製造方法(Catalyst for Membrane Electrode Assembly and Method of Making)」に記載されたシステムと本質的に同様であった。チャンバは、回転ドラムDCおよびRFマグネトロンスパッタリングシステムを含んだ。堆積システムは、多源反応性DCマグネトロンスパッタリングシステムからなり、基材を各スパッタリング源の下で順次回転させることができ、層状構造が製造されることをもたらすか、材料の一定の堆積のため、1つの源の下に配置することができる。システムは、直径305cm(12インチ)のドラムを装備した。加熱されたフィルタを有する1段粗引きポンプ(single stage roughing pump)、次いでCTI−8クライオポンプ(CTIカンパニー(CTI company))を使用して、システムをポンピングして、9.2×10-3atm(7×10-6トール)未満のベース圧力を得た。そのような低圧は、低酸化物含有量および高純度の触媒材料を生成するのを助けることがわかった。2つのMKS流量計を使用して、99.99パーセントの純度のArおよびN2のガス流を制御した。
C−Nx−Feyの反応性プラズマ堆積を、パルスカソードアークプラズマ発生設備を窒素ガス源とともに使用することによって行った。パルスカソードアークシステムは、米国特許第5,643,343号明細書および米国特許第5,711,773号明細書に記載されており、炭素および窒素の反応性堆積のためのそのような設備の使用が、アンドレイ・スタニシェフスキー(Andrei Stanishevsky)、「パルスカソードアーク放電のプラズマから堆積されたクアジアモルファス炭素および窒化炭素フィルム(Quaziamorphous Carbon and Carbon Nitride Films Deposited from the Plasma of Pulsed Cathodic Arc Discharge)」、カオス・ソリトンズ・アンド・フラクタルズ(Chaos,Solitons and Fractals)、第10巻、2045〜2066頁(1999年)によって記載されている。「窒化炭素」プロセスを、以下で略述される手順に従って、鉄(Fe)を、堆積された薄いフィルム/コーティングに組入れるように修正した。
膜電極アセンブリ(MEA)を、次のように、製造し、組立て、テストした。触媒コーティング膜(CCM)の両側に配置されたガス拡散層(GDL)を、疎水性のために処理されたバラードカーボン紙(Ballard Carbon Paper)の1つの側にガス拡散微細層をコーティングすることによって製造した。白金分散触媒インクをアノードGDL上にコーティングして、触媒コーティングバッキング(CCB)を製造した。実施例の非白金触媒を、片側触媒コーティング膜(CCM)内にカソードとして組入れた。CCMは、コーティング非白金触媒材料の、キャストされたナフィオン(登録商標)プロトン交換膜(PEM)上への積層転写によって製造した。PEMは、ナフィオン(登録商標)1000(デラウェア州ウィルミントンのデュポン・ケミカル・カンパニー(DuPont Chemical Co., Wilmington, DE))の分散液を、不活性バッキング上に、最終乾燥フィルムが厚さ約30ミクロンであるようなローディングでノッチコーティングすることによって準備した。付加的なキャストされたナフィオン(登録商標)膜を、アノードCCBとカソード片側CCMとの間に配置した。上で説明された構成要素から組立てられたMEAを、クワド−サーペンタイン(quad−serpentine)流れ場を有する50cm2のテスト電池取付具内で、約25〜30%の圧縮で形成した。約150%の相対湿度を有する500SCCMのガス流を、電池のアノード側およびカソード側に導入した。電気化学テストを、75℃で、「AC界面インピーダンス」、「安定性を測定するためのサイクリックボルタンメトリ」、および「触媒活性の分極測定」で説明されるように行った。
新たな触媒材料の抵抗、および新たな触媒と膜との間の界面抵抗を調べるために、主としてAC(交流)インピーダンス方法を適用した。スクリブナー・アソシエーツ(Scribner Associates)Zプロットソフトウェアパッケージおよび周波数応答分析器(ソーラトロン(Solartron)SI 1250)とともにポテンショスタット(ソーラトロン(Solartron)1470)を含む市販の設備およびソフトウェアを使用して、これらの測定を行った。測定を、水素下で、1Hz〜10kHzの周波数範囲内で行った。印加されるac信号の振幅を10mVに保った。触媒抵抗の値を、高周波領域から推定した。
触媒/膜界面の化学的安定性を、サイクリング(cycling)ボルタンメトリ測定を行うことによって調べた。不要な反応を回避するために、触媒を窒素下で保った。サイクリックボルタンメトリを、ポテンショスタット(ソーラトロン1470)およびスクリブナー・アソシエーツ・コーウェア(Scribner Associates Corware)ソフトウェアパッケージを使用することによって行った。このように得られたボルタモグラムは、また、触媒の活性のベースラインとして役立った。サイクリックボルタモグラムを、50、20、10、および5mV/sで、0.01Vから1.1Vで、カソードへの窒素流およびアノードへの水素流下で行って、燃料電池のための電圧ウインドウにおける安定性を測定し、酸素応答のベースラインとして役立った。
新たな材料の触媒活性を、酸素下の分極曲線を記録することによって、および同じ電圧で窒素下で記録された電流と比較することによってテストした。窒素について上で説明された測定のためと同じ計装および方法を、酸素下の測定のために用いた。異なったサンプルの間で触媒活性対ベースラインも比較するために、比較を、「安定性を測定するためのサイクリックボルタンメトリ」で行われたものと同じ電圧だけでなく、また、同じ走査速度で行った。
ESCA分析を、フィジカル・エレクトロニクスPHI5000シリーズESCAシステム(Physical Electronics PHI 5000 Series ESCA System)を使用して行った。Mg Kα光子源を励起のために使用した。ESCA分析ソフトウェアは、RBDエンタープライゼス(RBD Enterprises)からのオージェスキャン(AugerScan)バージョン3.0−ベータ(Beta)Dであった。ピーク面積を、積分バックグラウンド(「シャーリー(Shirley)」)を減じた後、定め、適切なPHI元素感度係数を乗じて、相対濃度量を得た。窒素ピーク(N1s)は、1つが398.5eVにおける、および1つが約400.5eVにおける、2つの成分ピークを有する。398.5eVにおける前者のピークは、酸素還元反応(ORR)触媒作用と関連しており、したがって、これらの2つの成分の相対強度を定めることが有用である。標準曲線/ピーク適合手順を用いて、多成分ピークを個別の成分にデコンボリュートした。398.5eVピークの相対強度を追跡するために、398.5eVのピーク面積と400.5eVのピーク面積との比を計算する。この数をN比と呼ぶ。表2は、元素組成データおよび電気化学的性能データを示す。サンプルを、最初、各々を、3500eVのキセノンイオンを使用し、スパッタイオンビームが1.25マイクロアンペアの電流を有する10分のスパッタクリーニング工程にかけることによって、表面汚染物質を除去することによって、ESCA分析のために準備した。
CNxFey触媒材料を、パルスカソードアーク設備内で、「炭素パルスカソードアークプロセス」で説明されたように、窒素ガスを堆積反応器またはシステム内に加えながら製造した。パルス周波数は4.1Hzであり、ウェブ速度は61cm(24インチ)/分であった。3つのパスを行った。コーティング厚さを、ウェブ速度およびパルス周波数によって制御した。表1は、プロセスパラメータを要約する。堆積後、基材をシステムから取出した。
パルス周波数が5Hzであり、ウェブ速度が91.44cm(36インチ)/分であり、1つのパスを行う以外は、実施例1aと同様に、パルスカソードアーク設備内で、CNxFey触媒材料を製造した。表1は、プロセスパラメータを要約する。堆積後、基材をシステムから取出した。
このC−Fey実施例のための手順は、窒素ガスを堆積に使用せず、パルスアークプロセスを、4Hzで、30.5cm(12インチ)/分のウェブ速度で動作させた以外は、実施例1aのためと同じであった。表1は、プロセスパラメータを要約する。
CNx前駆体材料を、最初、パルスカソードアーク設備内で、表1のパラメータに従って、33mmの黒鉛カソードを使用して製造した。カソードアークシステムからの結果として生じるCNxコーティングナノ構造化触媒担体を、Cおよび鉄の堆積のためにdcマグネトロンスパッタシステムに移送した。316ステンレス鋼の鉄含有ターゲットを使用した。堆積条件は、100W、15.4cm(6インチ)の距離であった。バックグラウンド圧力は、堆積前7×10-8atm(5×10-6トール)であり、スロットルバルブによって制御された作動圧力は、4×10-6atm(3×10-3トール)であった。条件は表2に記載されている。
このサンプルのためのコーティングを、同じシステム内で、しかし、表2に示されているようなパラメータで製造した。コーティングを、ベース基材材料を加熱している間、堆積させた。基材を、ドラムチューブヒータで200℃に加熱した。プロセス条件は表2に記載されている。
以下に、本願発明に関連する発明について、その実施形態を列挙する。
[実施形態1]
ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒を製造する方法であって、窒素の存在下での、少なくとも第1の炭素ターゲットからの材料の真空蒸着の工程a)と、少なくとも1つの遷移金属を含み、貴金属を含まない第2のターゲットからの材料の真空蒸着の工程b)とを含む方法。
[実施形態2]
工程a)が工程b)の前に行われる、実施形態1に記載の方法。
[実施形態3]
工程a)およびb)が同時に行われる、実施形態1に記載の方法。
[実施形態4]
前記少なくとも1つの遷移金属が鉄またはコバルトである、実施形態1に記載の方法。
[実施形態5]
前記少なくとも1つの遷移金属が鉄またはコバルトである、実施形態2に記載の方法。
[実施形態6]
前記少なくとも1つの遷移金属が鉄またはコバルトである、実施形態3に記載の方法。
[実施形態7]
前記少なくとも1つの遷移金属が鉄である、実施形態1に記載の方法。
[実施形態8]
前記少なくとも1つの遷移金属が鉄である、実施形態2に記載の方法。
[実施形態9]
前記少なくとも1つの遷移金属が鉄である、実施形態3に記載の方法。
[実施形態10]
実施形態1に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
[実施形態11]
実施形態10に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
[実施形態12]
実施形態2に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
[実施形態13]
実施形態12に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
[実施形態14]
実施形態3に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
[実施形態15]
実施形態14に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
[実施形態16]
実施形態7に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
[実施形態17]
実施形態16に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
[実施形態18]
実施形態8に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
[実施形態19]
実施形態18に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
[実施形態20]
実施形態9に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
[実施形態21]
実施形態20に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
Claims (1)
- ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む、担持触媒を製造する方法であって、窒素の存在下での、少なくとも第1の炭素ターゲットからの材料の真空蒸着の工程a)と、鉄及びコバルトから選ばれる少なくとも1つの遷移金属を含み、貴金属を含まない第2のターゲットからの材料の真空蒸着の工程b)とを含む方法であって、前記工程a)及び工程b)が、DCマグネトロンスパッターリングシステム及び炭素パルスカソードアークプロセスを用いて実施される、方法。
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