JP5252713B2 - 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体 - Google Patents
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Description
本発明は、導電性や帯電防止性等の電気的特性に優れ、アウトガスが少なく、カーボンの脱落が極めて少ない芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及びその成形体に関する。
従来から、電子・電気部材用の容器や、その他の包装材料としては、成形性に優れた樹脂材料が広く用いられている。
しかしながら、このような樹脂材料である高分子材料は、一般的に絶縁特性を有しているため、静電気を帯びやすく、精密電気部材、特に半導体材料の導電回路に、電気放電による切断等の悪影響を及ぼすおそれがあることが知られている。
そのため、電子・電気部材用の容器や包装材料には、導電性や帯電防止性を付与することが必要とされてきた。
しかしながら、このような樹脂材料である高分子材料は、一般的に絶縁特性を有しているため、静電気を帯びやすく、精密電気部材、特に半導体材料の導電回路に、電気放電による切断等の悪影響を及ぼすおそれがあることが知られている。
そのため、電子・電気部材用の容器や包装材料には、導電性や帯電防止性を付与することが必要とされてきた。
樹脂材料に導電性を付与する方法として、金属を添加する方法が挙げられる。
具体的には、金属を金属粉や金属繊維の形態で添加する方法が提案されているが、金属が腐食することにより電気・電気部材に悪影響を及ぼしたり、外観特性や表面平滑性を悪化させたりするという問題があった。
具体的には、金属を金属粉や金属繊維の形態で添加する方法が提案されているが、金属が腐食することにより電気・電気部材に悪影響を及ぼしたり、外観特性や表面平滑性を悪化させたりするという問題があった。
このような問題を解決するべく、カーボン材料を導電材として樹脂材料に混合した樹脂複合材料が提案された。
従来広く使用されているカーボン材料としては、比較的太いカーボン繊維、粒子又はその集合体のカーボンブラック等が挙げられる。
しかし、これらのカーボン材料は、十分な導電特性や帯電防止特性を得るためには、かなり多量に添加することが必要であり、多量に添加することにより分散性が悪化して、脱落を生じたり、導電性にムラが生じたり、放電したりするという問題を生じる。一方において添加量が少なすぎると、不均一性が増して導電性が得られなくなる問題を生じる。
従来広く使用されているカーボン材料としては、比較的太いカーボン繊維、粒子又はその集合体のカーボンブラック等が挙げられる。
しかし、これらのカーボン材料は、十分な導電特性や帯電防止特性を得るためには、かなり多量に添加することが必要であり、多量に添加することにより分散性が悪化して、脱落を生じたり、導電性にムラが生じたり、放電したりするという問題を生じる。一方において添加量が少なすぎると、不均一性が増して導電性が得られなくなる問題を生じる。
特に、従来公知の比較的径の大きいカーボン繊維や、ケッチンブラック、アセチレンブラック等を用いると、十分な導電特性や帯電防止特性を確保しながら同時にカーボン材料の脱落を防止することは困難であった。
カーボン材料の不均一性を解消するための技術として、繊維状炭素フィブリル０．２５〜５０質量部を含有させたポリマー組成物が提案されている。
このポリマー組成物は、強化導電性ポリマー組成物に関するものであり、剛性及び導電性の改善が図られたものである。
このポリマー組成物は、少なくとも一部分は凝集体の形態である炭素フィブリルをポリマー材料と配合し、この配合物を所定のポリマー材料に混合し、当該フィブリルを当該ポリマー材料中に分布させ、次に、この配合物に剪断力を適用して、凝集体の実質的全部が、約３５μｍよりも小さい径を有するまで凝集体を分解させることによって製造されるものである。これにより、炭素フィブリル０．２５〜５０質量％を含有し、約２フィート−ポンド／インチよりも大きいＩＺＯＤノッチ付き衝撃強さを有し、かつ約１×１０11Ω／ｃｍより小さい体積抵抗率を有するポリマー組成物が得られることが示されている（下記特許文献１、２参照。）。
このポリマー組成物は、強化導電性ポリマー組成物に関するものであり、剛性及び導電性の改善が図られたものである。
このポリマー組成物は、少なくとも一部分は凝集体の形態である炭素フィブリルをポリマー材料と配合し、この配合物を所定のポリマー材料に混合し、当該フィブリルを当該ポリマー材料中に分布させ、次に、この配合物に剪断力を適用して、凝集体の実質的全部が、約３５μｍよりも小さい径を有するまで凝集体を分解させることによって製造されるものである。これにより、炭素フィブリル０．２５〜５０質量％を含有し、約２フィート−ポンド／インチよりも大きいＩＺＯＤノッチ付き衝撃強さを有し、かつ約１×１０11Ω／ｃｍより小さい体積抵抗率を有するポリマー組成物が得られることが示されている（下記特許文献１、２参照。）。
また、良好な表面外観及び剛性を有する成型品に加工可能であり、導電性、静電気放電性又は静電気帯電防止性を有するポリマー組成物として、所定のポリマー材料中に炭素フィブリルを０．２５〜５０質量％含有するポリマー組成物であって、前記炭素フィブリルの各々が長軸を有しており、当該フィブリルの一部分が凝集体の形態であって、凝集体中でフィブリルの長軸が実質的に同一の相対配向を有しているポリマー組成物が提案されている。
これにより、２．６７Ｊ／ｃｍ（５フィート−ポンド／インチ）よりも大きいＩＺＯＤノッチ付き衝撃強さを有し、１×１０11Ω／ｃｍよりも小さい体積抵抗率を有するポリマー組成物が得られることが示されている（下記特許文献３参照。）。
これにより、２．６７Ｊ／ｃｍ（５フィート−ポンド／インチ）よりも大きいＩＺＯＤノッチ付き衝撃強さを有し、１×１０11Ω／ｃｍよりも小さい体積抵抗率を有するポリマー組成物が得られることが示されている（下記特許文献３参照。）。
しかしながら、特許文献１〜３においては、ポリマー材料と炭素フィブリルとの密着性、脱落特性についての具体的な検証はなされておらず、さらには、精密電子部品として適用する場合に要求される特性である低アウトガス特性に関しては、何らの開示もなされていない。
低アウトガス特性に関する技術としては、熱可塑性樹脂１００質量部に対して、導電性化合物を１〜１０質量部を含有する導電性樹脂であって、８０℃で６０分放置した際に脱離する揮発性有機ガスの総発生ガス量が０．３ｐｐｍ以下であり、表面抵抗値が１０3 〜１０8Ωである精密容器についての開示がなされている（下記特許文献４参照。）
しかしながら、少なくとも１質量部の導電材料を含有させることが必要であるとされており、導電材料の脱落を防止することはできず、導電短絡の危険性を確実に回避することは実現されていない。これは特に、特に、シリコンウエハー容器として適用する場合には、深刻な問題となる。
しかしながら、少なくとも１質量部の導電材料を含有させることが必要であるとされており、導電材料の脱落を防止することはできず、導電短絡の危険性を確実に回避することは実現されていない。これは特に、特に、シリコンウエハー容器として適用する場合には、深刻な問題となる。
上述した従来技術においては、十分な導電特性を得ながら、導電材料の脱落を確実に防止し、低アウトガス特性をも満足するという樹脂材料や成形体は未だ得られていない。
そこで本発明においては、少量の導電材料で実用上十分な導電性、帯電防止特性を実現し、さらには低アウトガス特性及び低脱落特性をも有する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及びこれを用いた成形体を得ることを目的とする。
そこで本発明においては、少量の導電材料で実用上十分な導電性、帯電防止特性を実現し、さらには低アウトガス特性及び低脱落特性をも有する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及びこれを用いた成形体を得ることを目的とする。
本発明者らは、上記従来技術の問題点に鑑み、鋭意研究をした結果、特定の炭素フィブリルを用いることにより、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明に到達した。
〔１〕
（Ａ）アスペクト比が１０以上１０００以下、平均外径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のカ
ーボンナノチューブ：０．２５質量部を超えて１０質量部以下、
（Ｂ）芳香族ポリカーボネート：１００質量部、
を含む芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体であって、
８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下、
体積抵抗率が、１０-2Ω・ｃｍ以上１．７×１０ 8 Ω・ｃｍ以下、
ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器を用いて測定した時のカーボンナノチューブの
脱落指数が１００を超えている芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
但し、上記において、ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器の鉛筆を挿入する位置
に、前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を固定し、１００ｇの荷重をかけて
前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を白紙面に接触させながら１ｃｍ／秒の
速度で移動させたときに、脱落による黒色線が目視で確認できない場合、これをカーボン
ナノチューブの脱落指数が１００を超えていると定義する。
〔２〕
前記（Ａ）カーボンナノチューブのアスペクト比が５０以上２００以下であり、平均外
径が５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である前記〔１〕に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔３〕
前記（Ａ）カーボンナノチューブが、カーボンナノチューブ１００質量部に対して、金
属成分を０．００１〜１０質量％及び／又は金属酸化物を０．１〜１５質量％含有してい
る前記〔１〕又は〔２〕に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔４〕
前記金属成分及び金属酸化物が、前記カーボンナノチューブの製造工程における触媒に
含有されていたものである前記〔３〕に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔５〕
前記（Ｂ）芳香族ポリカーボネートが、
芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとからエステル交換法にて製造されたものであり、
全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が５モル％以上５０モル％以下である前記〔１〕乃至〔４〕のいずれか一に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔６〕
前記（Ｂ）芳香族ポリカーボネートの重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００〜５００，
０００である前記〔１〕乃至〔５〕のいずれか一に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
（Ａ）アスペクト比が１０以上１０００以下、平均外径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のカ
ーボンナノチューブ：０．２５質量部を超えて１０質量部以下、
（Ｂ）芳香族ポリカーボネート：１００質量部、
を含む芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体であって、
８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下、
体積抵抗率が、１０-2Ω・ｃｍ以上１．７×１０ 8 Ω・ｃｍ以下、
ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器を用いて測定した時のカーボンナノチューブの
脱落指数が１００を超えている芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
但し、上記において、ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器の鉛筆を挿入する位置
に、前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を固定し、１００ｇの荷重をかけて
前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を白紙面に接触させながら１ｃｍ／秒の
速度で移動させたときに、脱落による黒色線が目視で確認できない場合、これをカーボン
ナノチューブの脱落指数が１００を超えていると定義する。
〔２〕
前記（Ａ）カーボンナノチューブのアスペクト比が５０以上２００以下であり、平均外
径が５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である前記〔１〕に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔３〕
前記（Ａ）カーボンナノチューブが、カーボンナノチューブ１００質量部に対して、金
属成分を０．００１〜１０質量％及び／又は金属酸化物を０．１〜１５質量％含有してい
る前記〔１〕又は〔２〕に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔４〕
前記金属成分及び金属酸化物が、前記カーボンナノチューブの製造工程における触媒に
含有されていたものである前記〔３〕に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔５〕
前記（Ｂ）芳香族ポリカーボネートが、
芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとからエステル交換法にて製造されたものであり、
全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が５モル％以上５０モル％以下である前記〔１〕乃至〔４〕のいずれか一に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔６〕
前記（Ｂ）芳香族ポリカーボネートの重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００〜５００，
０００である前記〔１〕乃至〔５〕のいずれか一に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔７〕
８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１ｐｐｍ以下であり、当該アウトガス中の塩素系ガスが５ｐｐｂ以下である前記〔１〕乃至〔６〕のいずれか一に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１ｐｐｍ以下であり、当該アウトガス中の塩素系ガスが５ｐｐｂ以下である前記〔１〕乃至〔６〕のいずれか一に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
〔８〕
半導体部材用の容器である前記〔１〕乃至〔７〕のいずれか一に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
半導体部材用の容器である前記〔１〕乃至〔７〕のいずれか一に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を提供する。
本発明によれば、実用上十分な導電性、帯電防止特性を有し、低脱落特性を有し、かつ低アウトガス特性をも満足する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及びこれを用いた成形体が得られる。
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、本実施の形態）について詳細に説明する。なお、本発明は、以下の記載に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施できる。
〔芳香族ポリカーボネート樹脂組成物〕
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、
（Ａ）アスペクト比１０以上１０００以下、平均外径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のカーボンナノチューブ：０．２５質量部を超えて５０質量部以下、
（Ｂ）芳香族ポリカーボネート：１００質量部、
を含む芳香族ポリカーボネート樹脂組成物であって、
８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下、
表面抵抗が１０-2Ω以上１０13Ω以下、
ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器を用いて測定した時のカーボンナノチューブの脱落指数が１００を超えている芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供する。
但し、上記脱落指数に関しては、ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器の鉛筆を挿入する位置に前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を先端に固定した支持片を設置し、１００ｇの荷重をかけて前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を白紙面に接触させながら１ｃｍ／秒の速度で移動させたときに脱落による黒色線が目視で確認できない場合、これをカーボンナノチューブの脱落指数が１００を超えていると定義する。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、
（Ａ）アスペクト比１０以上１０００以下、平均外径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のカーボンナノチューブ：０．２５質量部を超えて５０質量部以下、
（Ｂ）芳香族ポリカーボネート：１００質量部、
を含む芳香族ポリカーボネート樹脂組成物であって、
８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下、
表面抵抗が１０-2Ω以上１０13Ω以下、
ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器を用いて測定した時のカーボンナノチューブの脱落指数が１００を超えている芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供する。
但し、上記脱落指数に関しては、ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器の鉛筆を挿入する位置に前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を先端に固定した支持片を設置し、１００ｇの荷重をかけて前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を白紙面に接触させながら１ｃｍ／秒の速度で移動させたときに脱落による黒色線が目視で確認できない場合、これをカーボンナノチューブの脱落指数が１００を超えていると定義する。
（（Ａ）カーボンナノチューブ）
カーボンナノチューブとは、グラフェンと呼ばれる炭素六角網面がナノメートルオーダーの直径の円筒に丸まった中空のチューブである。
本実施の形態においては、カーボンナノチューブは、アスペクト比１０〜１０００であるものとし、好ましくはアスペクト比２０〜５００であるものとし、更に好ましくは５０〜２００であるものとする。
カーボンナノチューブのアスペクト比が小さいと、十分な導電特性を得るために多量に含有させなければならず、また、アスペクト比が大きすぎると、樹脂組成物の流動性が低下し成形性が悪化するという問題を生じる。
カーボンナノチューブとは、グラフェンと呼ばれる炭素六角網面がナノメートルオーダーの直径の円筒に丸まった中空のチューブである。
本実施の形態においては、カーボンナノチューブは、アスペクト比１０〜１０００であるものとし、好ましくはアスペクト比２０〜５００であるものとし、更に好ましくは５０〜２００であるものとする。
カーボンナノチューブのアスペクト比が小さいと、十分な導電特性を得るために多量に含有させなければならず、また、アスペクト比が大きすぎると、樹脂組成物の流動性が低下し成形性が悪化するという問題を生じる。
本実施の形態において、カーボンナノチューブは、平均外径が１００ｎｍ（ナノメーター）以下のものであると定義する。
すなわち、本実施の形態において用いるカーボンナノチューブは、平均外経が１〜１００ｎｍであるものとし、好ましくは５〜６０ｎｍ、さらに好ましくは８〜１３ｎｍであるものとする。
カーボンナノチューブの平均外径が１００ｎｍよりも大きいと、上述したアスペクト比を確保することが困難となり、また、基材である芳香族ポリカーボネートから脱落しやすくなる。
アスペクト比とは、カーボンナノチューブの平均外径と平均長さとの比である。すなわちアスペクト比は、（カーボンナノチューブの平均長さ）／（カーボンナノチューブの平均外径）で表される。
カーボンナノチューブの外径と長さは、従来公知の透過型電子顕微鏡を用いて測定できる。
すなわち、本実施の形態において用いるカーボンナノチューブは、平均外経が１〜１００ｎｍであるものとし、好ましくは５〜６０ｎｍ、さらに好ましくは８〜１３ｎｍであるものとする。
カーボンナノチューブの平均外径が１００ｎｍよりも大きいと、上述したアスペクト比を確保することが困難となり、また、基材である芳香族ポリカーボネートから脱落しやすくなる。
アスペクト比とは、カーボンナノチューブの平均外径と平均長さとの比である。すなわちアスペクト比は、（カーボンナノチューブの平均長さ）／（カーボンナノチューブの平均外径）で表される。
カーボンナノチューブの外径と長さは、従来公知の透過型電子顕微鏡を用いて測定できる。
カーボンナノチューブは、アーク放電法、気相成長法（ＣＶＤ法）、レーザー蒸着法等により作製できる。
カーボンナノチューブの種類としては、単層、多層（二層を含む）のいずれも使用できるが、多層構造のカーボンナノチューブが好ましい。
カーボンナノチューブの種類としては、単層、多層（二層を含む）のいずれも使用できるが、多層構造のカーボンナノチューブが好ましい。
単層ナノチューブは、アーク放電、レーザー蒸着、化学気相成長法(ＣＶＤ法)によって作製できる。単層ナノチューブは、単原子層のグラファイトが円筒状に集まって閉じた構造を有しており、直径がナノメーターオーダーの極微の中空チューブ構成となっている。 単層ナノチューブの外径は、一般的に約１ｎｍ〜５０ｎｍである。
単層ナノチューブが２層以上重なったものが多層ナノチューブであるが、特に、２層のものを２層カーボンナノチューブと呼ぶことがある。
単層ナノチューブが２層以上重なったものが多層ナノチューブであるが、特に、２層のものを２層カーボンナノチューブと呼ぶことがある。
多層カーボンナノチューブは、アーク放電法や化学気相法（ＣＶＤ法）によって作製できる。
ＣＶＤ法は、所定のキャリアガス、触媒を用いて、メタン、アセチレン、一酸化炭素等の炭素含有ガスを分解してカーボンナノチューブを合成する方法である。
ＣＶＤ法においては、固体基板上にカーボンナノチューブを成長させる基板成長法や、担体表面にカーボンナノチューブを成長させる担体触媒法、気相中でカーボンナノチューブを成長させる流動触媒法がある。
キャリアガスとなる炭素源としては、例えば、メタン／水素、メタン、メタン／アルゴン、エチレン／アルゴン、エチレン／水素＋アルゴン、エチレン／アルゴン、エタノール等が挙げられる。
触媒としては、例えば、鉄、コバルト、コバルト−モリブデン、酸化鉄、モリブデン／コバルト／アルミニウム多層膜、フェロセン／イオウ混合物、鉄−モリブデン化合物、錫、アルミニウム、モリブデン、タングステン、クロム、マンガン、セリウム等が挙げられる。
担体としては、金属酸化物、例えばアルミナ微粒子、酸化マグネシウム、耐熱性ゼオライト、シリコン基板等が挙げられる。
カーボンナノチューブは、触媒として使用した金属や、触媒を担持する金属酸化物が残留していると、導電性に及ぼす効果がより高くなる。
一般に、カーボンナノチューブは、純度が高い方が導電性に及ぼす効果が高いと考えられ、触媒として用いる金属や金属酸化物の残量は少ない方が良いと考えられてきた。しかしながら、導電性を添加した樹脂内で効率的に発現させるためには、ある一定量の金属や金属酸化物が存在する方が好ましいことを見出した。これは、一定量の金属や金属酸化物が、カーボンナノチューブの分散性やカーボンナノチューブ同士の絡み合う接点における導電性に寄与するためと考えられる。
触媒の残留量は、カーボンナノチューブ１００質量％に対して、０．００１〜１０質量％が好ましく、担体の残留量は、０．１〜１５質量％が好ましく、５〜１２質量％がより好ましい。
ＣＶＤ法は、所定のキャリアガス、触媒を用いて、メタン、アセチレン、一酸化炭素等の炭素含有ガスを分解してカーボンナノチューブを合成する方法である。
ＣＶＤ法においては、固体基板上にカーボンナノチューブを成長させる基板成長法や、担体表面にカーボンナノチューブを成長させる担体触媒法、気相中でカーボンナノチューブを成長させる流動触媒法がある。
キャリアガスとなる炭素源としては、例えば、メタン／水素、メタン、メタン／アルゴン、エチレン／アルゴン、エチレン／水素＋アルゴン、エチレン／アルゴン、エタノール等が挙げられる。
触媒としては、例えば、鉄、コバルト、コバルト−モリブデン、酸化鉄、モリブデン／コバルト／アルミニウム多層膜、フェロセン／イオウ混合物、鉄−モリブデン化合物、錫、アルミニウム、モリブデン、タングステン、クロム、マンガン、セリウム等が挙げられる。
担体としては、金属酸化物、例えばアルミナ微粒子、酸化マグネシウム、耐熱性ゼオライト、シリコン基板等が挙げられる。
カーボンナノチューブは、触媒として使用した金属や、触媒を担持する金属酸化物が残留していると、導電性に及ぼす効果がより高くなる。
一般に、カーボンナノチューブは、純度が高い方が導電性に及ぼす効果が高いと考えられ、触媒として用いる金属や金属酸化物の残量は少ない方が良いと考えられてきた。しかしながら、導電性を添加した樹脂内で効率的に発現させるためには、ある一定量の金属や金属酸化物が存在する方が好ましいことを見出した。これは、一定量の金属や金属酸化物が、カーボンナノチューブの分散性やカーボンナノチューブ同士の絡み合う接点における導電性に寄与するためと考えられる。
触媒の残留量は、カーボンナノチューブ１００質量％に対して、０．００１〜１０質量％が好ましく、担体の残留量は、０．１〜１５質量％が好ましく、５〜１２質量％がより好ましい。
本実施の形態の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物中の（Ａ）カーボンナノチューブの含有量は、後述する（Ｂ）芳香族ポリカーボネート１００質量部に対し、０．２５質量部を超えて５０質量部以下であるものとし、好ましくは０．５〜５質量部であるものとする。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、カーボンナノチューブの含有量によって、導電性、帯電防止特性が異なったものとなるが、所望の導電性、帯電防止性能が確保できる限り、カーボンナノチューブの含有量は少量の方が、低アウトガス性、脱落特性、成形品の外観特性や、その他の物性、例えば伸びの観点からは好ましい。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、カーボンナノチューブの含有量によって、導電性、帯電防止特性が異なったものとなるが、所望の導電性、帯電防止性能が確保できる限り、カーボンナノチューブの含有量は少量の方が、低アウトガス性、脱落特性、成形品の外観特性や、その他の物性、例えば伸びの観点からは好ましい。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の電気特性について説明する。
電気特性は、カーボンナノチューブの含有量によって異なる。
後述する（Ｂ）芳香族ポリカーボネート１００質量部に対し、カーボンナノチューブの含有量が０．２５質量部を超えて５０重量部であると、表面抵抗が１０-2Ω以上１０13Ω以下、０．５〜１０質量部であると表面抵抗が１０-1Ω・ｃｍ以上１０12Ω以下、０．５〜５質量部であると表面抵抗が１０0Ω以上１０13Ω以下となる。
電気特性は、カーボンナノチューブの含有量によって異なる。
後述する（Ｂ）芳香族ポリカーボネート１００質量部に対し、カーボンナノチューブの含有量が０．２５質量部を超えて５０重量部であると、表面抵抗が１０-2Ω以上１０13Ω以下、０．５〜１０質量部であると表面抵抗が１０-1Ω・ｃｍ以上１０12Ω以下、０．５〜５質量部であると表面抵抗が１０0Ω以上１０13Ω以下となる。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の表面抵抗の測定については、表面抵抗が１０7Ω以下である場合、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準じた方法により測定できる。
また、１０6Ω以上の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物については、表面抵抗測定に特に規格は無いが、２ピンタイプのプローブ（例えば、三菱化学製、ＵＡプローブ、ＭＣＰ−ＨＴＰ１１）を用いて測定できる。
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の表面抵抗の測定においては、ストランドを測定対象とする。
具体的には、直径２±１ｍｍの線状の樹脂組成物（ストランド）を、ペレタイズする前段階で、例えば鋏により長さ１００ｍｍに切断し、これを測定対象とする。
１０7Ω以下の表面抵抗を有するストランドの測定を行う場合、測定装置として、例えば、三菱化学製「ロレスタ−ＧＰ装置」を適用できる。
ストランドの表面抵抗の測定用のプローブとしては、三菱化学製の四探針プローブ「ＥＳＰプローブ、ＭＣＰ−ＴＰ０８Ｐ」を適用できる。
また、１０6Ω以上の表面抵抗を有するストランドの測定を行う場合、測定装置として、例えば、三菱化学製「ハイレスタ−ＵＰ装置」を適用できる。
ストランドの表面抵抗の測定用のプローブとしては、三菱化学製の２ピンタイプのプローブ「ＵＡプローブ、ＭＣＰ−ＨＴＰ１１」を適用できる。
また、１０6Ω以上の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物については、表面抵抗測定に特に規格は無いが、２ピンタイプのプローブ（例えば、三菱化学製、ＵＡプローブ、ＭＣＰ−ＨＴＰ１１）を用いて測定できる。
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の表面抵抗の測定においては、ストランドを測定対象とする。
具体的には、直径２±１ｍｍの線状の樹脂組成物（ストランド）を、ペレタイズする前段階で、例えば鋏により長さ１００ｍｍに切断し、これを測定対象とする。
１０7Ω以下の表面抵抗を有するストランドの測定を行う場合、測定装置として、例えば、三菱化学製「ロレスタ−ＧＰ装置」を適用できる。
ストランドの表面抵抗の測定用のプローブとしては、三菱化学製の四探針プローブ「ＥＳＰプローブ、ＭＣＰ−ＴＰ０８Ｐ」を適用できる。
また、１０6Ω以上の表面抵抗を有するストランドの測定を行う場合、測定装置として、例えば、三菱化学製「ハイレスタ−ＵＰ装置」を適用できる。
ストランドの表面抵抗の測定用のプローブとしては、三菱化学製の２ピンタイプのプローブ「ＵＡプローブ、ＭＣＰ−ＨＴＰ１１」を適用できる。
（（Ｂ）芳香族ポリカーボネート）
（Ｂ）芳香族ポリカーボネートとしては、特に、二価フェノール（芳香族ジヒドロキシ化合物）と炭酸ジエステルとを用いて、エステル交換法によって製造された、実質的に塩素原子を含まない芳香族ポリカーボネートが好適である。
すなわち、二酸化炭素、エチレンオキサイド、ビスフェノールＡを原料として、エステル交換法により製造されたものであり、全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が５モル％以上５０モル％以下である芳香族ポリカーボネートが好ましい。
また更には、フェノール性末端基の比率が、全末端基数の１５％以上４０％以下であることが好ましく、２０％以上３０％以下であることがより好ましい。
末端基の比率の測定方法については、一般的に公知の方法が適用可能である。
例えば、ＮＭＲを用いて測定する方法や、チタン法、ＵＶ法、ＩＲ法により直接求めたＯＨ末端量と粘度法又はＧＰＣ法で得られた分子量とから計算して求める方法もある。
（Ｂ）芳香族ポリカーボネートとしては、特に、二価フェノール（芳香族ジヒドロキシ化合物）と炭酸ジエステルとを用いて、エステル交換法によって製造された、実質的に塩素原子を含まない芳香族ポリカーボネートが好適である。
すなわち、二酸化炭素、エチレンオキサイド、ビスフェノールＡを原料として、エステル交換法により製造されたものであり、全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が５モル％以上５０モル％以下である芳香族ポリカーボネートが好ましい。
また更には、フェノール性末端基の比率が、全末端基数の１５％以上４０％以下であることが好ましく、２０％以上３０％以下であることがより好ましい。
末端基の比率の測定方法については、一般的に公知の方法が適用可能である。
例えば、ＮＭＲを用いて測定する方法や、チタン法、ＵＶ法、ＩＲ法により直接求めたＯＨ末端量と粘度法又はＧＰＣ法で得られた分子量とから計算して求める方法もある。
芳香族ポリカーボネートの原料であるジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）に関しては、原料として二酸化炭素とエチレンオキサイドとを用いて合成されたものであることが好ましい。これにより、後述する低アウトガス特性、低溶出イオン特性が良好なものとなる。
すなわち、エステル交換法の中でも、中間原料として用いられるジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）の原料にホスゲンを使用せず、完全に塩素フリーの原料を用いて作製されたものであることが好ましい。
すなわち、エステル交換法の中でも、中間原料として用いられるジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）の原料にホスゲンを使用せず、完全に塩素フリーの原料を用いて作製されたものであることが好ましい。
前記芳香族ポリカーボネートの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００〜５００，０００であることが好ましく、より好ましくは１０，０００〜１００，０００であり、さらに好ましくは１３，０００〜５０，０００であり、さらにより好ましくは１５，０００〜３５，０００であり、最も好ましくは１７，０００〜３０，０００である。
芳香族ポリカーボネートの重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定できる。この場合、テトラヒドロフランを溶媒として、ポリスチレンゲルを使用し、標準単分散ポリスチレンの構成曲線から下式による換算分子量較正曲線を用いて求められる。
ＭPC＝０．３５９１ＭPS 1.0388
（ＭPCは芳香族ポリカーボネートの分子量、ＭPSはポリスチレンの分子量）
芳香族ポリカーボネートの重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定できる。この場合、テトラヒドロフランを溶媒として、ポリスチレンゲルを使用し、標準単分散ポリスチレンの構成曲線から下式による換算分子量較正曲線を用いて求められる。
ＭPC＝０．３５９１ＭPS 1.0388
（ＭPCは芳香族ポリカーボネートの分子量、ＭPSはポリスチレンの分子量）
また、本実施の形態においては、分子量が異なる２種類以上の芳香族ポリカーボネートを組み合わせて使用してもよい。
例えば、Ｍｗが通常１４，０００〜１６，０００の範囲にある光学ディスク用材料の芳香族ポリカーボネートと、Ｍｗが通常２０，０００〜５０，０００の範囲にある射出成形用又は押出成形用の芳香族ポリカーボネートとを組み合わせることができる。
例えば、Ｍｗが通常１４，０００〜１６，０００の範囲にある光学ディスク用材料の芳香族ポリカーボネートと、Ｍｗが通常２０，０００〜５０，０００の範囲にある射出成形用又は押出成形用の芳香族ポリカーボネートとを組み合わせることができる。
（低アウトガス特性）
本実施の形態の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、低アウトガス特性に優れている。
低アウトガス特性を実現するためには、原料として、ホスゲンを用いずにエステル交換法で製造したポリカーボネート樹脂を用いることが好ましい。
但し、ポリカーボネート樹脂としては、低アウトガス特性が確保できれば、公知の方法により製造したものを使用できる。
具体的には、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート前駆体（例えばホスゲン）を水酸化ナトリウム水溶液及び塩化メチレン溶媒の存在下に反応させる界面重合法（例えばホスゲン法）、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステル（例えばジフェニルカーボネート）等を反応させるエステル交換法（溶融法：特開平０７−２９２０９７号公報、特開平０８−２２５６４０号公報、特開平０８−２２５６４１号公報、特開平０８−２２５６４２号公報、特開平０８−２２５６４３号公報参照）等、ホスゲン法又は溶融法で得られた結晶化カーボネートプレポリマーを固相重合する方法（例えば、特開平０１−１５８０３３号公報（米国特許第４，９４８，８７１号明細書に対応）、特開平０１−２７１４２６号公報、特開平０３−６８６２７号公報（米国特許第５，２０４，３７７号明細書に対応））等の方法により製造されたものを用いることができる。
低アウトガス特性とは、８５℃の温度条件下で６０分間放置した際の、トータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下であるものする。好ましくは２ｐｐｍ以下であり、より好ましくは１ｐｐｍ以下である。
また、アウトガスの種類としては、沸点が１５０℃以下の低沸点化合物、沸点が１５０℃〜３００℃の中沸点化合物、沸点が３００℃以上の高沸点化合物があるが、本実施の形態においては、低沸点化合物が１００ｐｐｂ以下であることが好ましく、３０ｐｐｂ以下であることがより好ましく、中沸点化合物が２００ｐｐｂ以下であることが好ましく、１００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、高沸点化合物が１０ｐｐｂ以下であることが好ましく、２ｐｐｂ以下であることがより好ましい。
アウトガスは、測定対象を、８５℃で６０分間放置した際のアウトガスを、吸着剤を充填した吸着管に捕集し、パージ＆トラップ装置を具備するＧＣ−ＭＳ（ガスクロマトグラフ−質量分析計）を用いることにより測定できる。
本実施の形態の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、低アウトガス特性に優れている。
低アウトガス特性を実現するためには、原料として、ホスゲンを用いずにエステル交換法で製造したポリカーボネート樹脂を用いることが好ましい。
但し、ポリカーボネート樹脂としては、低アウトガス特性が確保できれば、公知の方法により製造したものを使用できる。
具体的には、芳香族ジヒドロキシ化合物とカーボネート前駆体（例えばホスゲン）を水酸化ナトリウム水溶液及び塩化メチレン溶媒の存在下に反応させる界面重合法（例えばホスゲン法）、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステル（例えばジフェニルカーボネート）等を反応させるエステル交換法（溶融法：特開平０７−２９２０９７号公報、特開平０８−２２５６４０号公報、特開平０８−２２５６４１号公報、特開平０８−２２５６４２号公報、特開平０８−２２５６４３号公報参照）等、ホスゲン法又は溶融法で得られた結晶化カーボネートプレポリマーを固相重合する方法（例えば、特開平０１−１５８０３３号公報（米国特許第４，９４８，８７１号明細書に対応）、特開平０１−２７１４２６号公報、特開平０３−６８６２７号公報（米国特許第５，２０４，３７７号明細書に対応））等の方法により製造されたものを用いることができる。
低アウトガス特性とは、８５℃の温度条件下で６０分間放置した際の、トータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下であるものする。好ましくは２ｐｐｍ以下であり、より好ましくは１ｐｐｍ以下である。
また、アウトガスの種類としては、沸点が１５０℃以下の低沸点化合物、沸点が１５０℃〜３００℃の中沸点化合物、沸点が３００℃以上の高沸点化合物があるが、本実施の形態においては、低沸点化合物が１００ｐｐｂ以下であることが好ましく、３０ｐｐｂ以下であることがより好ましく、中沸点化合物が２００ｐｐｂ以下であることが好ましく、１００ｐｐｂ以下であることがより好ましく、高沸点化合物が１０ｐｐｂ以下であることが好ましく、２ｐｐｂ以下であることがより好ましい。
アウトガスは、測定対象を、８５℃で６０分間放置した際のアウトガスを、吸着剤を充填した吸着管に捕集し、パージ＆トラップ装置を具備するＧＣ−ＭＳ（ガスクロマトグラフ−質量分析計）を用いることにより測定できる。
（低脱落特性）
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、カーボンナノチューブの低脱落特性に優れている。
低脱落特性に関しては、図１に概略構成図を示す、ＪＩＳ Ｋ ５４００ における「硬度評価機器」による測定で定義づけられる。
なお、図１（ａ）は、硬度評価機器の概略構成図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の円で囲まれた領域の拡大図を示す。
評価対象は、コンパウンド時のストランドを用いる。
具体的には、ＪＩＳ Ｋ ５４００の「硬度評価機器」の鉛筆挿入位置に、鉛筆に替えて、支持片１を挿入する。この支持片１の先端部には、評価対象である芳香族ポリカーボネート樹脂組成物のコンパウンド時のストランド１１を、図１（ｂ）に示すように折り曲げ固定する。
ストランド１１の先端を、硬度評価機器の白紙４の面上に接地させる。
おもり６によりホルダー２を介してストランド１１に所定の荷重をかけた状態で１ｃｍ／秒の速度で白紙面上を移動させる。このときのストランド１１からのカーボンナノチューブの脱落状態を、白紙面上に黒線が付くか否かで評価する。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、荷重１００ｇの場合でも白紙面上に黒線が付かず、カーボンナノチューブが脱落しないものである。これを脱落指数が１００を超えるものであると定義する。すなわち、本実施の形態における樹脂組成物は、脱落指数が１００を超えている。
なお、上記脱落指数が５００以上であることが好ましく、１０００以上であることがより好ましく、５０００以上であることがさらに好ましい。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、カーボンナノチューブの低脱落特性に優れている。
低脱落特性に関しては、図１に概略構成図を示す、ＪＩＳ Ｋ ５４００ における「硬度評価機器」による測定で定義づけられる。
なお、図１（ａ）は、硬度評価機器の概略構成図を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の円で囲まれた領域の拡大図を示す。
評価対象は、コンパウンド時のストランドを用いる。
具体的には、ＪＩＳ Ｋ ５４００の「硬度評価機器」の鉛筆挿入位置に、鉛筆に替えて、支持片１を挿入する。この支持片１の先端部には、評価対象である芳香族ポリカーボネート樹脂組成物のコンパウンド時のストランド１１を、図１（ｂ）に示すように折り曲げ固定する。
ストランド１１の先端を、硬度評価機器の白紙４の面上に接地させる。
おもり６によりホルダー２を介してストランド１１に所定の荷重をかけた状態で１ｃｍ／秒の速度で白紙面上を移動させる。このときのストランド１１からのカーボンナノチューブの脱落状態を、白紙面上に黒線が付くか否かで評価する。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、荷重１００ｇの場合でも白紙面上に黒線が付かず、カーボンナノチューブが脱落しないものである。これを脱落指数が１００を超えるものであると定義する。すなわち、本実施の形態における樹脂組成物は、脱落指数が１００を超えている。
なお、上記脱落指数が５００以上であることが好ましく、１０００以上であることがより好ましく、５０００以上であることがさらに好ましい。
（低溶出イオン特性）
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、及び後述する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を用いた成形体は、溶出イオンが少ないことが好ましい。
具体的には、純水を用いて、２３℃、３０分間のイオン抽出を行った後に、その抽出イオンをイオンクロマト分析したときに、イオン抽出総量が１００ｐｐｂ以下であり、さらに抽出イオン中での塩素イオン（Ｃｌ-）が１０ｐｐｂ以下であることが好ましく、５ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１ｐｐｂ以下であることがさらに好ましい。
またさらに、抽出イオン中の亜硝酸イオン（ＮＯ2 -）が５ｐｐｂ以下、臭素イオン（Ｂｒ-）、硝酸イオン（ＮＯ3 -）、硫酸イオン（ＳＯ4 2-）、フッ素イオン（Ｆ-）がそれぞれ１ｐｐｂ以下、燐酸イオン（ＰＯ4 3-）が１０ｐｐｂ以下であることが好ましい。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、及び後述する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を用いた成形体は、溶出イオンが少ないことが好ましい。
具体的には、純水を用いて、２３℃、３０分間のイオン抽出を行った後に、その抽出イオンをイオンクロマト分析したときに、イオン抽出総量が１００ｐｐｂ以下であり、さらに抽出イオン中での塩素イオン（Ｃｌ-）が１０ｐｐｂ以下であることが好ましく、５ｐｐｂ以下であることがより好ましく、１ｐｐｂ以下であることがさらに好ましい。
またさらに、抽出イオン中の亜硝酸イオン（ＮＯ2 -）が５ｐｐｂ以下、臭素イオン（Ｂｒ-）、硝酸イオン（ＮＯ3 -）、硫酸イオン（ＳＯ4 2-）、フッ素イオン（Ｆ-）がそれぞれ１ｐｐｂ以下、燐酸イオン（ＰＯ4 3-）が１０ｐｐｂ以下であることが好ましい。
低溶出イオン特性を実現するためには、（Ｂ）芳香族ポリカーボネートとして、溶融法によって作製した芳香族ポリカーボネートを用いることが好ましい。
さらには、炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロキシ化合物とからエステル交換法によって、溶融法により作製された芳香族ポリカーボネートを用いることが好ましい。
他方、溶媒法（ホスゲン法）においては、製造工程中、塩化メチレン等の溶媒を用いるため、水溶性含有物、例えば塩素化合物が、ポリカーボネート材料中にｐｐｍオーダーで残存することになり、低溶出イオン特性や上述した低アウトガス特性を損ねる。
塩素化合物の含有量に関しては、ｐｐｂオーダーまで除去することが望ましく、このためには、溶媒中で重合したポリカーボネートを純水で十分に洗浄する工程が必要になり、生産コスト上望ましくない。
これに対して、溶融法により製造した芳香族ポリカーボネート樹脂は、重合工程中、溶媒を用いないために塩素系化合物や溶媒に由来する水溶性含有物が極めて少なくなるという利点を有している。
また、溶融法においては、溶媒法で用いるｔ−ブチルフェノール等の重合停止剤を用いないため、全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が、５モル％以上５０モル％以下とすることができる。
（Ｂ）芳香族ポリカーボネートにおいて全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が５モル％以上であると、優れた成形加工性が実現できる。かかる観点から、末端ヒドロキシ基の割合は１０モル％以上が好ましく、１５モル％以上がさらに好ましい。
また、全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が５０％以下であると、本実施の形態における樹脂組成物及び成形体は、機械的特性に優れたものとなる。かかる観点から、より好ましくは３５％以下、さらに好ましくは３０モル％以下である。
さらには、炭酸ジエステルと芳香族ジヒドロキシ化合物とからエステル交換法によって、溶融法により作製された芳香族ポリカーボネートを用いることが好ましい。
他方、溶媒法（ホスゲン法）においては、製造工程中、塩化メチレン等の溶媒を用いるため、水溶性含有物、例えば塩素化合物が、ポリカーボネート材料中にｐｐｍオーダーで残存することになり、低溶出イオン特性や上述した低アウトガス特性を損ねる。
塩素化合物の含有量に関しては、ｐｐｂオーダーまで除去することが望ましく、このためには、溶媒中で重合したポリカーボネートを純水で十分に洗浄する工程が必要になり、生産コスト上望ましくない。
これに対して、溶融法により製造した芳香族ポリカーボネート樹脂は、重合工程中、溶媒を用いないために塩素系化合物や溶媒に由来する水溶性含有物が極めて少なくなるという利点を有している。
また、溶融法においては、溶媒法で用いるｔ−ブチルフェノール等の重合停止剤を用いないため、全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が、５モル％以上５０モル％以下とすることができる。
（Ｂ）芳香族ポリカーボネートにおいて全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が５モル％以上であると、優れた成形加工性が実現できる。かかる観点から、末端ヒドロキシ基の割合は１０モル％以上が好ましく、１５モル％以上がさらに好ましい。
また、全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が５０％以下であると、本実施の形態における樹脂組成物及び成形体は、機械的特性に優れたものとなる。かかる観点から、より好ましくは３５％以下、さらに好ましくは３０モル％以下である。
〔成形体〕
本実施の形態における樹脂組成物の成形体は、
（Ａ）アスペクト比が１０以上１０００以下、平均外径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のカーボンナノチューブ：０．２５質量部を超えて５０質量部以下、
（Ｂ）芳香族ポリカーボネート：１００質量部、
を含む芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体であって、
８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下、
体積抵抗率が、１０-2Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下、
ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器を用いて測定した時のカーボンナノチューブの脱落指数が１００を超えている芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体である。
但し、上記において、ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器の鉛筆を挿入する位置に、前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を固定し、１００ｇの荷重をかけて前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を白紙面に接触させながら１ｃｍ／秒の速度で移動させたときに、脱落による黒色線が目視で確認できない場合、これをカーボンナノチューブの脱落指数が１００を超えていると定義する。
本実施の形態における樹脂組成物の成形体は、
（Ａ）アスペクト比が１０以上１０００以下、平均外径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のカーボンナノチューブ：０．２５質量部を超えて５０質量部以下、
（Ｂ）芳香族ポリカーボネート：１００質量部、
を含む芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体であって、
８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下、
体積抵抗率が、１０-2Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下、
ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器を用いて測定した時のカーボンナノチューブの脱落指数が１００を超えている芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体である。
但し、上記において、ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器の鉛筆を挿入する位置に、前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を固定し、１００ｇの荷重をかけて前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を白紙面に接触させながら１ｃｍ／秒の速度で移動させたときに、脱落による黒色線が目視で確認できない場合、これをカーボンナノチューブの脱落指数が１００を超えていると定義する。
（電気特性）
本実施の形態における成形体の電気特性は、カーボンナノチューブの含有量によって異なる。
（Ｂ）芳香族ポリカーボネート１００質量部に対し、カーボンナノチューブの含有量が０．２５質量部を超えて５０質量部であると、体積抵抗率が１０-2Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下、０．５〜１０質量部であると、体積抵抗率が１０-1Ω・ｃｍ以上１０12Ω・ｃｍ以下、０．５〜３質量部であると体積抵抗率が１０0Ω・ｃｍ以上１０12Ω・ｃｍ以下となる。
成形体の体積抵抗率は、材料抵抗の領域によって、下記の二つの方法によって測定する。
低抵抗領域である１０7Ω・ｃｍ以下の場合、ＪＩＳ ７１９４に準拠した四端子法を用いて測定できる。
また、高抵抗領域である１０6Ω・ｃｍ以上の場合、ＪＩＳ ６９１１に準拠した方法である二重リング方式により測定できる。
本実施の形態における成形体の電気特性は、カーボンナノチューブの含有量によって異なる。
（Ｂ）芳香族ポリカーボネート１００質量部に対し、カーボンナノチューブの含有量が０．２５質量部を超えて５０質量部であると、体積抵抗率が１０-2Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下、０．５〜１０質量部であると、体積抵抗率が１０-1Ω・ｃｍ以上１０12Ω・ｃｍ以下、０．５〜３質量部であると体積抵抗率が１０0Ω・ｃｍ以上１０12Ω・ｃｍ以下となる。
成形体の体積抵抗率は、材料抵抗の領域によって、下記の二つの方法によって測定する。
低抵抗領域である１０7Ω・ｃｍ以下の場合、ＪＩＳ ７１９４に準拠した四端子法を用いて測定できる。
また、高抵抗領域である１０6Ω・ｃｍ以上の場合、ＪＩＳ ６９１１に準拠した方法である二重リング方式により測定できる。
（外観特性）
本実施の形態における成形体は、外観特性が良好であることが好ましく、カーボンナノチューブの成形品表面への露出による外観不良が少ないものが好ましい。
具体的には、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、成形体の断面の観察を行ったとき、表面へのカーボンナノチューブの露出が、全面積に対して１０％以下であることが好ましい。
本実施の形態における成形体は、外観特性が良好であることが好ましく、カーボンナノチューブの成形品表面への露出による外観不良が少ないものが好ましい。
具体的には、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、成形体の断面の観察を行ったとき、表面へのカーボンナノチューブの露出が、全面積に対して１０％以下であることが好ましい。
（低脱落特性）
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体は、カーボンナノチューブの低脱落特性に優れている。
低脱落特性に関しては、図２に概略構成図を示す、ＪＩＳ Ｋ ５４００ における「硬度評価機器」による測定で定義づけられる。
なお、図２（ａ）は、硬度評価機器の概略構成図を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）中に示す円で囲まれた領域の拡大図を示す。
評価対象は、所定の形状に切り出した成形体を用いる。
なお、評価用成形体は、切り出した任意の一部分であってもよいし、ＪＩＳやＩＳＯに規定（ＪＩＳ Ｋ７１５２−１、ＩＳＯ ２９４−１）されている物性評価用の短冊片（ＩＳＯ金型タイプＢによる成形品）やダンベル片（ＩＳＯ金型タイプＡによる成形片）から切り出したものでもよい。
具体的には、ＪＩＳ Ｋ ５４００の「硬度評価機器」の鉛筆挿入位置に、鉛筆に替えて成形体２１を挿入し、ホルダーで固定する。
成形体２１の切削部分ではないコーナー部分を、硬度評価機器の白紙４の面上に接地させる。
おもり６によりホルダー２を介して成形体２１に所定の荷重をかけた状態で１ｃｍ／秒の速度で白紙面上を移動させる。
さらに具体的には、ＩＳＯ規定の短冊成形片を作製し、長さ５０ｍｍ、幅７ｍｍに切断し、切断面ではない短冊成形片のコーナー部分が白紙４の面上に接地するようにセットし、任意の荷重をかけて、１ｃｍ／秒の速度で成形体を白色紙上に接地させたまま移動させる。
このときの、成形体からのカーボンナノチューブの脱落の有無を、白紙面上に黒線が付くか否かで評価する。
本実施の形態における成形体は、荷重１００ｇの場合でも白紙面上に黒線が付かず、カーボンナノチューブが脱落しないものである。これを脱落指数が１００を超えるものであると定義する。すなわち、本実施の形態における樹脂組成物は、脱落指数が１００を超えている。
ここでカーボンの脱落判定に用いる白色紙に特に制限は無いが、白色度７０％以上、好ましくは白色度８０％以上の市販のコピー用やプリンター用の白色紙を用いることができる。
なお、本実施の形態における成形体は、上記脱落指数が５００以上であることが好ましく、１０００以上であることがさらに好ましい。
本実施の形態における芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体は、カーボンナノチューブの低脱落特性に優れている。
低脱落特性に関しては、図２に概略構成図を示す、ＪＩＳ Ｋ ５４００ における「硬度評価機器」による測定で定義づけられる。
なお、図２（ａ）は、硬度評価機器の概略構成図を示し、図２（ｂ）は、図２（ａ）中に示す円で囲まれた領域の拡大図を示す。
評価対象は、所定の形状に切り出した成形体を用いる。
なお、評価用成形体は、切り出した任意の一部分であってもよいし、ＪＩＳやＩＳＯに規定（ＪＩＳ Ｋ７１５２−１、ＩＳＯ ２９４−１）されている物性評価用の短冊片（ＩＳＯ金型タイプＢによる成形品）やダンベル片（ＩＳＯ金型タイプＡによる成形片）から切り出したものでもよい。
具体的には、ＪＩＳ Ｋ ５４００の「硬度評価機器」の鉛筆挿入位置に、鉛筆に替えて成形体２１を挿入し、ホルダーで固定する。
成形体２１の切削部分ではないコーナー部分を、硬度評価機器の白紙４の面上に接地させる。
おもり６によりホルダー２を介して成形体２１に所定の荷重をかけた状態で１ｃｍ／秒の速度で白紙面上を移動させる。
さらに具体的には、ＩＳＯ規定の短冊成形片を作製し、長さ５０ｍｍ、幅７ｍｍに切断し、切断面ではない短冊成形片のコーナー部分が白紙４の面上に接地するようにセットし、任意の荷重をかけて、１ｃｍ／秒の速度で成形体を白色紙上に接地させたまま移動させる。
このときの、成形体からのカーボンナノチューブの脱落の有無を、白紙面上に黒線が付くか否かで評価する。
本実施の形態における成形体は、荷重１００ｇの場合でも白紙面上に黒線が付かず、カーボンナノチューブが脱落しないものである。これを脱落指数が１００を超えるものであると定義する。すなわち、本実施の形態における樹脂組成物は、脱落指数が１００を超えている。
ここでカーボンの脱落判定に用いる白色紙に特に制限は無いが、白色度７０％以上、好ましくは白色度８０％以上の市販のコピー用やプリンター用の白色紙を用いることができる。
なお、本実施の形態における成形体は、上記脱落指数が５００以上であることが好ましく、１０００以上であることがさらに好ましい。
また、上述した脱落特性の評価としては、切削部分に対する評価を行ってもよく、もっとも好ましい形態としては、切削部で低脱落特性が実現されることである。
成形体の脱落特性は、カーボンナノチューブの種類、芳香族ポリカーボネートの種類や、これらの配合比に影響される。
しかしながら、一般に表面の樹脂スキン層が形成しやすい組成や成形条件を選択すると導電性が大きく損なわれるといった問題が発生するため、両特性のバランスを図って組成や成形条件を選択することが必要である。
また、脱落は、カーボンナノチューブの含量が少ないほど起こりにくい。従って、カーボンナノチューブの含量を調整することによってカーボンナノチューブの脱落を制御できる。
さらに、成形体のカーボンナノチューブの脱落は、コンプレッション成形においては、金型の温度によって制御でき、射出成形においては、金型温度や射出速度によって制御できる。
成形体の脱落特性は、カーボンナノチューブの種類、芳香族ポリカーボネートの種類や、これらの配合比に影響される。
しかしながら、一般に表面の樹脂スキン層が形成しやすい組成や成形条件を選択すると導電性が大きく損なわれるといった問題が発生するため、両特性のバランスを図って組成や成形条件を選択することが必要である。
また、脱落は、カーボンナノチューブの含量が少ないほど起こりにくい。従って、カーボンナノチューブの含量を調整することによってカーボンナノチューブの脱落を制御できる。
さらに、成形体のカーボンナノチューブの脱落は、コンプレッション成形においては、金型の温度によって制御でき、射出成形においては、金型温度や射出速度によって制御できる。
（低アウトガス特性）
本実施の形態の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体は、低アウトガス特性に優れている。
成形体の低アウトガス特性とは、微量の不純物が放出されにくい特性を示す。
半導体部材、特に半導体チップやシリコンウエハーに接触する容器やトレー部材等には、優れた低アウトガス特性が要求される。
半導体チップやシリコンウエハーは、有機物性のガスや特に塩素原子を含む化合物による汚染によって欠陥を生じることが知られており、高価な半導体材料に極めて大きな悪影響を及ぼすからである。すなわち、低アウトガス特性が高いほど、半導体部材に及ぼす悪影響を低減化できる。
本実施の形態の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体は、低アウトガス特性に優れている。
成形体の低アウトガス特性とは、微量の不純物が放出されにくい特性を示す。
半導体部材、特に半導体チップやシリコンウエハーに接触する容器やトレー部材等には、優れた低アウトガス特性が要求される。
半導体チップやシリコンウエハーは、有機物性のガスや特に塩素原子を含む化合物による汚染によって欠陥を生じることが知られており、高価な半導体材料に極めて大きな悪影響を及ぼすからである。すなわち、低アウトガス特性が高いほど、半導体部材に及ぼす悪影響を低減化できる。
低アウトガス特性の測定法としては、一般にヘッドスペース法が用いられる。成形体又はその一部を試料とし、それを一定温度、一定圧力（一般に真空系）の密閉容器内に一定時間放置し、放出された揮発成分を定量分析し、用いた試料の重量から放出ガスの濃度を算出する。
具体的には、測定対象を８５℃で６０分間熱処理した時に発生するガスを、吸着剤を充填した吸着管に捕集し、パージ＆トラップ装置を具備するＧＣ−ＭＳ（ガスクロマトグラフ−質量分析計）を用いることにより測定できる。
具体的な装置例としては、Agilent社製のAgilent Technologies G1888ヘッドスペースサンプラーとAgilent 7890A GC システムを組み合わせた装置等が使用できる。
カラムの例としては、Agilent製のDB-５等が使用できる。
アウトガス濃縮装置としては、ジーエルサイエンス製ＭＳＴＤ−２５８Ｍが使用できる。
具体的には、測定対象を８５℃で６０分間熱処理した時に発生するガスを、吸着剤を充填した吸着管に捕集し、パージ＆トラップ装置を具備するＧＣ−ＭＳ（ガスクロマトグラフ−質量分析計）を用いることにより測定できる。
具体的な装置例としては、Agilent社製のAgilent Technologies G1888ヘッドスペースサンプラーとAgilent 7890A GC システムを組み合わせた装置等が使用できる。
カラムの例としては、Agilent製のDB-５等が使用できる。
アウトガス濃縮装置としては、ジーエルサイエンス製ＭＳＴＤ−２５８Ｍが使用できる。
本実施の形態における成形体においては、８５℃６０分間放置におけるトータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下である。トータルアウトガスは１ｐｐｍ以下が好ましい。さらにかかるアウトガス中の塩素化合物によるアウトガスは５ｐｐｂ以下であることが好ましく、さらには、１ｐｐｂ以下であることが好ましい。
塩素化合物とは、例えば塩素を化合物中に含む有機系塩素化合物である。具体的には、四塩化炭素、塩化メチレン、クロロホルム、クロルベンゼン、ジクロロベンゼン等が挙げられる。
塩素化合物とは、例えば塩素を化合物中に含む有機系塩素化合物である。具体的には、四塩化炭素、塩化メチレン、クロロホルム、クロルベンゼン、ジクロロベンゼン等が挙げられる。
塩素化合物によるアウトガス量を５ｐｐｂ以下に低減化するためには、下記の点に注意が必要である。
すなわち、溶媒に塩素系化合物が含有されている溶媒法によって芳香族ポリカーボネートを製造し、これを用いて成形体を作製した場合は実現困難である。
これに対して、溶融法で芳香族ポリカーボネートを製造した場合には、成形体は、塩素ガスの低アウトガス特性が良好になるが、更に下記のような工夫が必要である。
具体的には、芳香族ポリカーボネートのペレットの造粒時に使用するストランドの冷却用水として、塩素を予め除去したものを用いたり、導電材料と芳香族ポリカーボネート樹脂とのコンパウンド時に、塩素を予め除去した冷却水を用いたりすることが有効である。
また、ペレット作製後から包装工程までの環境を塩素フリーなクリーン環境とすることが好ましい。
ここでいうクリーン環境とは、クリーン度が、好ましくはISO１４６４４−１規定でＣｌａｓｓ７より優れること、更に好ましくはＣｌａｓｓ６より優れること、最も好ましくはＣｌａｓｓ５より優れることである。
さらに、ペレット材料を収容する包装袋も、アウトガス低減や塩素フリーを実現することが好ましい。具体的には、紙製の紙袋やフレコンの内装袋としてポリエチレン製のフィルムを用いることが一般的であるが、このポリエチレン袋は、アウトガス発生の原因となる添加剤等が塗布されていないものとすることが好ましい。
すなわち、溶媒に塩素系化合物が含有されている溶媒法によって芳香族ポリカーボネートを製造し、これを用いて成形体を作製した場合は実現困難である。
これに対して、溶融法で芳香族ポリカーボネートを製造した場合には、成形体は、塩素ガスの低アウトガス特性が良好になるが、更に下記のような工夫が必要である。
具体的には、芳香族ポリカーボネートのペレットの造粒時に使用するストランドの冷却用水として、塩素を予め除去したものを用いたり、導電材料と芳香族ポリカーボネート樹脂とのコンパウンド時に、塩素を予め除去した冷却水を用いたりすることが有効である。
また、ペレット作製後から包装工程までの環境を塩素フリーなクリーン環境とすることが好ましい。
ここでいうクリーン環境とは、クリーン度が、好ましくはISO１４６４４−１規定でＣｌａｓｓ７より優れること、更に好ましくはＣｌａｓｓ６より優れること、最も好ましくはＣｌａｓｓ５より優れることである。
さらに、ペレット材料を収容する包装袋も、アウトガス低減や塩素フリーを実現することが好ましい。具体的には、紙製の紙袋やフレコンの内装袋としてポリエチレン製のフィルムを用いることが一般的であるが、このポリエチレン袋は、アウトガス発生の原因となる添加剤等が塗布されていないものとすることが好ましい。
本実施の形態における成形体は、実用上良好な導電性、帯電防止特性を有し、低脱落特性を有し、かつ低アウトガス特性をも満足するものであるから、半導体部材用の容器として好適である。
具体的には、ＩＣチップ用のトレー、シリコンウエハー用のケース、シリコンウエハーケース用のホスブ、シリコンウエハーケース用のフープ、半導体製造時に用いる防塵カバーであるペリクルの搬送用カバーとして利用可能である。
具体的には、ＩＣチップ用のトレー、シリコンウエハー用のケース、シリコンウエハーケース用のホスブ、シリコンウエハーケース用のフープ、半導体製造時に用いる防塵カバーであるペリクルの搬送用カバーとして利用可能である。
以下、具体的な実施例と比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例及び比較例においては、以下の成分（Ａ）、（Ｂ）を使用して、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及びこれを用いた成形体を作製した。
（成分（Ａ））カーボン
（Ａ）−１：平均外径９．５ｎｍ、平均長１．５μｍ、アスペクト比：約１５０、カーボン純度９０質量％、金属酸化物１０％のカーボンナノチューブ（ナノシル製Nanocyl-7000）
（Ａ）−２：平均外径５５ｎｍ、平均長４０μｍ、アスペクト比 約７００、カーボン純度９５質量％のＣＣＶＤ法（Catalytic Chemical Vapor Deposition）法によって作成されたカーボンナノチューブ
（Ａ）−３：炭素繊維；繊維長６ｍｍ、繊維径７μｍ炭素繊維２４０００本からなるマスターペレット（東邦テナックス社製、HTA-C6-UEL1）
（Ａ）−４：ケッチンブラック（ライオン製、ケッチンブラックEC-600JD）
（Ａ）−５：アセチレンブラック（電気化学工業製、デンカブラック）
（Ａ）−１：平均外径９．５ｎｍ、平均長１．５μｍ、アスペクト比：約１５０、カーボン純度９０質量％、金属酸化物１０％のカーボンナノチューブ（ナノシル製Nanocyl-7000）
（Ａ）−２：平均外径５５ｎｍ、平均長４０μｍ、アスペクト比 約７００、カーボン純度９５質量％のＣＣＶＤ法（Catalytic Chemical Vapor Deposition）法によって作成されたカーボンナノチューブ
（Ａ）−３：炭素繊維；繊維長６ｍｍ、繊維径７μｍ炭素繊維２４０００本からなるマスターペレット（東邦テナックス社製、HTA-C6-UEL1）
（Ａ）−４：ケッチンブラック（ライオン製、ケッチンブラックEC-600JD）
（Ａ）−５：アセチレンブラック（電気化学工業製、デンカブラック）
（成分（Ｂ））芳香族ポリカーボネート
（Ｂ）−１：ビスフェノールＡと実質的に塩素を含有しないジフェニルカーボネートから、溶融エステル交換法により製造された、ＩＳＯ １１３３に規定（測定条件３００℃、荷重１．２ｋｇ）されたメルトフローレートが２２ｇ／１０分である溶融法によるビスフェノールＡ系ポリカーボネート
重量平均分子量（Ｍｗ）＝２２，０００
フェノール性末端基比率（フェノール性末端基が全末端基数に占める割合）＝２０モル％
フェノール性末端基比率は核基磁気共鳴法（ＮＭＲ法）で測定した。
（Ｂ）−２：ホスゲンを原料とする界面重合法により製造されたビスフェノールＡ系ポリカーボネート
ＭＶＲ（メルトボリュームレート）が２２ｃｍ3／１０分である住友ダウ株式会社製 カリバー ３０１−２２を用いた。
（Ｂ）−１：ビスフェノールＡと実質的に塩素を含有しないジフェニルカーボネートから、溶融エステル交換法により製造された、ＩＳＯ １１３３に規定（測定条件３００℃、荷重１．２ｋｇ）されたメルトフローレートが２２ｇ／１０分である溶融法によるビスフェノールＡ系ポリカーボネート
重量平均分子量（Ｍｗ）＝２２，０００
フェノール性末端基比率（フェノール性末端基が全末端基数に占める割合）＝２０モル％
フェノール性末端基比率は核基磁気共鳴法（ＮＭＲ法）で測定した。
（Ｂ）−２：ホスゲンを原料とする界面重合法により製造されたビスフェノールＡ系ポリカーボネート
ＭＶＲ（メルトボリュームレート）が２２ｃｍ3／１０分である住友ダウ株式会社製 カリバー ３０１−２２を用いた。
〔実施例１〜６、比較例１〜７、参考例１〜５、比較参考例１〕
上述した成分（Ａ）及び成分（Ｂ）について、それぞれ任意の材料を組み合わせて芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物、及び成形体を作製した。
（表１に示すサンプル）
実施例１〜４：コンプレッション成形体
実施例５、６：射出成形体
比較例１ ：コンプレッション成形体
比較例２ ：射出成形体
（表２に示すサンプル）
比較例３〜７：射出成形体
（表３に示すサンプル）
参考例１〜５：芳香族ポリカーボネート樹脂組成物（ストランド）
比較参考例１：芳香族ポリカーボネート樹脂組成物（ストランド）
上述した成分（Ａ）及び成分（Ｂ）について、それぞれ任意の材料を組み合わせて芳香
族ポリカーボネート樹脂組成物、及び成形体を作製した。
（表１に示すサンプル）
実施例１〜４：コンプレッション成形体
実施例５、６：射出成形体
比較例１ ：コンプレッション成形体
比較例２ ：射出成形体
（表２に示すサンプル）
比較例３〜７：射出成形体
（表３に示すサンプル）
参考例１〜５：芳香族ポリカーボネート樹脂組成物（ストランド）
比較参考例１：芳香族ポリカーボネート樹脂組成物（ストランド）
（１）芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の作製
上記成分（Ａ）、成分（Ｂ）から、それぞれ材料を選択して組み合わせて、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を作製した。
先ず、２軸押出機に材料を投入する前処理として、ドライブレンド法により上記成分（Ａ）と成分（Ｂ）とをブレンドした。このとき予め展着剤として、グリセリントリオレートを成分（Ｂ）に対して０．３質量部混合しておき、さらに成分（Ａ）を加えて５分間ドライブレンドした。
成分（Ａ）、成分（Ｂ）をドライブレンドした後、下記のように溶融混練を行った。
フィーダーを用いて材料を溶融混練装置（２軸押出機（ＫＺＷ１５、Ｌ／Ｄ＝４５、ＴＥＣＨＮＯＶＥＬ製））に投入し、シリンダー設定温度２８０℃、スクリュー回転数１５０ｒｐｍ、混練樹脂の吐出速度３ｋｇ／ｈｒの条件で溶融混練を行った。
溶融混練中に押出機ダイ部において熱電対を用いて測定した溶融樹脂の温度は２６０〜２７０℃であった。
また、２軸押出機の後段部分にベント口を設けて減圧脱揮（絶対圧０．０８ＭＰａ）を行った。
コンパウンドされたストランドは、ペレタイザーにてペレット化した。
後述するカーボンナノチューブ脱落特性試験用の測定サンプルは、ペレタイズされる前のストランドを鋏で切断して作製した。
上記成分（Ａ）、成分（Ｂ）から、それぞれ材料を選択して組み合わせて、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を作製した。
先ず、２軸押出機に材料を投入する前処理として、ドライブレンド法により上記成分（Ａ）と成分（Ｂ）とをブレンドした。このとき予め展着剤として、グリセリントリオレートを成分（Ｂ）に対して０．３質量部混合しておき、さらに成分（Ａ）を加えて５分間ドライブレンドした。
成分（Ａ）、成分（Ｂ）をドライブレンドした後、下記のように溶融混練を行った。
フィーダーを用いて材料を溶融混練装置（２軸押出機（ＫＺＷ１５、Ｌ／Ｄ＝４５、ＴＥＣＨＮＯＶＥＬ製））に投入し、シリンダー設定温度２８０℃、スクリュー回転数１５０ｒｐｍ、混練樹脂の吐出速度３ｋｇ／ｈｒの条件で溶融混練を行った。
溶融混練中に押出機ダイ部において熱電対を用いて測定した溶融樹脂の温度は２６０〜２７０℃であった。
また、２軸押出機の後段部分にベント口を設けて減圧脱揮（絶対圧０．０８ＭＰａ）を行った。
コンパウンドされたストランドは、ペレタイザーにてペレット化した。
後述するカーボンナノチューブ脱落特性試験用の測定サンプルは、ペレタイズされる前のストランドを鋏で切断して作製した。
（２）射出成形体の作製
上記（１）で作製した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物のペレットに対し、１２０℃で４時間の乾燥処理を施し、射出成形機を用いて、ＩＳＯ規定の射出成形体（肉厚４ｍｍの短冊片）を作製した。
射出成形条件は、シリンダー温度２８０℃、金型温度８０℃、射出速度３０ｍｍ／秒、射出時間５秒、冷却時間２０秒とし、シリコンウエハー用容器を成形した。
上記（１）で作製した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物のペレットに対し、１２０℃で４時間の乾燥処理を施し、射出成形機を用いて、ＩＳＯ規定の射出成形体（肉厚４ｍｍの短冊片）を作製した。
射出成形条件は、シリンダー温度２８０℃、金型温度８０℃、射出速度３０ｍｍ／秒、射出時間５秒、冷却時間２０秒とし、シリコンウエハー用容器を成形した。
（３）コンプレッション成形体の作製
上記（１）で作製した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物のペレットに対し、１２０℃で４時間の乾燥処理を施し、コンプレッション成形を行った。
コンプレッション成形条件は、荷重５ｋｇ重で２８０℃として３分間加熱し、更に荷重１００ｋｇ重にて２分間保持し、更にそのまま荷重を１５０ｋｇ重にして１分間保持した後に圧力を０ｋｇ重にし、続いて、複合材料の入ったコンプレッション用の板を冷却用のコンプレッション装置に移動し、２５℃荷重１００ｋｇ重で３分間冷却し、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの平板成形体を作製し、試験片をバンドソーにて切り出した。
上記（１）で作製した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物のペレットに対し、１２０℃で４時間の乾燥処理を施し、コンプレッション成形を行った。
コンプレッション成形条件は、荷重５ｋｇ重で２８０℃として３分間加熱し、更に荷重１００ｋｇ重にて２分間保持し、更にそのまま荷重を１５０ｋｇ重にして１分間保持した後に圧力を０ｋｇ重にし、続いて、複合材料の入ったコンプレッション用の板を冷却用のコンプレッション装置に移動し、２５℃荷重１００ｋｇ重で３分間冷却し、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの平板成形体を作製し、試験片をバンドソーにて切り出した。
（４）特性の評価
上述のようにして作製した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及び成形体について、以下の方法により評価を行った。
上述のようにして作製した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及び成形体について、以下の方法により評価を行った。
＜カーボンナノチューブ（導電材料）脱落特性＞
（ａ）評価機器：ＪＩＳ Ｋ５４００に準拠した「鉛筆引っかき試験機（硬度測定機器）」を用いた。
（ｂ）試験片
（ｂ）−１ 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物（ストランド）
上記のように成分（Ａ）と成分（Ｂ）のコンパウンド押出成形時に作製した。
評価用としては、ペレット化（ペレタイズ）する前のストランドを用いた。
ストランドは、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、支持片１の先端部に、折り曲げた状態で固定し、この支持片１をホルダー２に固定した。
（ｂ）−２ 成形体
上記のように、コンプレッション成形体、射出成形体から切り出した試験片を、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ホルダー２に固定した。
（ａ）評価機器：ＪＩＳ Ｋ５４００に準拠した「鉛筆引っかき試験機（硬度測定機器）」を用いた。
（ｂ）試験片
（ｂ）−１ 芳香族ポリカーボネート樹脂組成物（ストランド）
上記のように成分（Ａ）と成分（Ｂ）のコンパウンド押出成形時に作製した。
評価用としては、ペレット化（ペレタイズ）する前のストランドを用いた。
ストランドは、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、支持片１の先端部に、折り曲げた状態で固定し、この支持片１をホルダー２に固定した。
（ｂ）−２ 成形体
上記のように、コンプレッション成形体、射出成形体から切り出した試験片を、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、ホルダー２に固定した。
（ｃ）試験操作
（ｃ−１） ストランド（芳香族ポリカーボネート樹脂組成物）の脱落特性評価
(i)図１（ａ）に示すように、ホルダー２に、上記（ｂ−１）で説明したように、支持片１を取り付けた。
(ii)ストランド１１が接する部分に白紙４を固定した。白色紙としては、コクヨＳ＆Ｔ株式会社製 ＰＰＣ用紙 ＫＢ−Ｋ３９Ｎ （白色度８０％、紙厚 ６４ｇ／ｍ2、０．０９２ｍｍ）のものを使用した。
(iii)おもり６の重心を通る鉛直線が、白紙と交わる点に試験片１１の先端が触れるように、試験片１１をホルダー２に取り付けた。
(iv)白紙４にかかる試験片１１の荷重が、正にも負にもならないようにバランスおもり８で調整し、その後、止めねじ９を締めて、試験片１１を白紙４から離してさお１０を固定し、おもり台に任意のおもり（１００ｇ±１０ｇ、２００ｇ±２０ｇ、１０００ｇ±５０ｇ）６を載せ、止めねじ９を緩めて試験片１１先端が白紙面に触れ、おもり６の荷重が先端にかかるようにした。
(v)ハンドル３を一定の速さで回して、試験片１１の移動速度が、１±０．３ｃｍ／秒になるように動かした。
(vi)カーボンナノチューブの脱落の有無は、白紙面上に残った黒色線の有無を目視にて判定した。
（ｃ−２） 成形体の脱落特性評価
(i)図２（ａ）に示すように、ホルダー２に、上記（ｂ−２）で説明したように、試験片（成形体）２１を取り付けた。
(ii)成形体２１が接する部分に白紙４を固定した。
(iii)おもり６の重心を通る鉛直線が、白紙と交わる点に試験片２１の先端が触れるように、試験片２１を鉛筆ホルダー２に取り付けた。
(iv)白紙２にかかる試験片２１の荷重が、正にも負にもならないようにバランスおもり８で調整し、その後、止めねじ９を締めて、試験片２１を白紙４から離してさお１０を固定し、任意のおもり（１００ｇ±１０ｇ、２００ｇ±２０ｇ、１０００ｇ±５０ｇ）６を載せ、止めねじ９を緩めて、試験片２１先端が白紙面に触れ、おもり６の荷重が先端にかかるようにした。
(v)ハンドル３を一定の速さで回して、試験片２１の移動速度が１±０．３ｃｍ／秒になるように試料を動かした。
(vi)カーボンナノチューブの脱落の有無は、白紙面上に残った黒色線の有無を目視にて判定した。
（ｃ−１） ストランド（芳香族ポリカーボネート樹脂組成物）の脱落特性評価
(i)図１（ａ）に示すように、ホルダー２に、上記（ｂ−１）で説明したように、支持片１を取り付けた。
(ii)ストランド１１が接する部分に白紙４を固定した。白色紙としては、コクヨＳ＆Ｔ株式会社製 ＰＰＣ用紙 ＫＢ−Ｋ３９Ｎ （白色度８０％、紙厚 ６４ｇ／ｍ2、０．０９２ｍｍ）のものを使用した。
(iii)おもり６の重心を通る鉛直線が、白紙と交わる点に試験片１１の先端が触れるように、試験片１１をホルダー２に取り付けた。
(iv)白紙４にかかる試験片１１の荷重が、正にも負にもならないようにバランスおもり８で調整し、その後、止めねじ９を締めて、試験片１１を白紙４から離してさお１０を固定し、おもり台に任意のおもり（１００ｇ±１０ｇ、２００ｇ±２０ｇ、１０００ｇ±５０ｇ）６を載せ、止めねじ９を緩めて試験片１１先端が白紙面に触れ、おもり６の荷重が先端にかかるようにした。
(v)ハンドル３を一定の速さで回して、試験片１１の移動速度が、１±０．３ｃｍ／秒になるように動かした。
(vi)カーボンナノチューブの脱落の有無は、白紙面上に残った黒色線の有無を目視にて判定した。
（ｃ−２） 成形体の脱落特性評価
(i)図２（ａ）に示すように、ホルダー２に、上記（ｂ−２）で説明したように、試験片（成形体）２１を取り付けた。
(ii)成形体２１が接する部分に白紙４を固定した。
(iii)おもり６の重心を通る鉛直線が、白紙と交わる点に試験片２１の先端が触れるように、試験片２１を鉛筆ホルダー２に取り付けた。
(iv)白紙２にかかる試験片２１の荷重が、正にも負にもならないようにバランスおもり８で調整し、その後、止めねじ９を締めて、試験片２１を白紙４から離してさお１０を固定し、任意のおもり（１００ｇ±１０ｇ、２００ｇ±２０ｇ、１０００ｇ±５０ｇ）６を載せ、止めねじ９を緩めて、試験片２１先端が白紙面に触れ、おもり６の荷重が先端にかかるようにした。
(v)ハンドル３を一定の速さで回して、試験片２１の移動速度が１±０．３ｃｍ／秒になるように試料を動かした。
(vi)カーボンナノチューブの脱落の有無は、白紙面上に残った黒色線の有無を目視にて判定した。
＜ストランドの表面抵抗＞
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の表面抵抗の測定には、ストランドを用いる。
ストランドとは、直径２±１ｍｍの線状のものをペレタイズする前工程で、鋏により長さ１００ｍｍに切断したものである。
表面抵抗は、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠し、三菱化学製「ロレスタ−ＧＰ装置」を用いて測定した。
測定用プローブとしては、三菱化学製の四探針プローブ（ＥＳＰプローブ、ＭＣＰ−ＴＰ０８Ｐ）を用いた。
表面抵抗が高く、上記三菱化学製「ロレスタ−ＧＰ装置」により測定不能なストランドについては、三菱化学製「ハイレスタ−ＵＰ装置」を用いて測定した。
測定用プローブとしては、２ピンタイプのＵＶプローブ（ＭＣＰ−ＨＴＰ１１）を用いた。
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の表面抵抗の測定には、ストランドを用いる。
ストランドとは、直径２±１ｍｍの線状のものをペレタイズする前工程で、鋏により長さ１００ｍｍに切断したものである。
表面抵抗は、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠し、三菱化学製「ロレスタ−ＧＰ装置」を用いて測定した。
測定用プローブとしては、三菱化学製の四探針プローブ（ＥＳＰプローブ、ＭＣＰ−ＴＰ０８Ｐ）を用いた。
表面抵抗が高く、上記三菱化学製「ロレスタ−ＧＰ装置」により測定不能なストランドについては、三菱化学製「ハイレスタ−ＵＰ装置」を用いて測定した。
測定用プローブとしては、２ピンタイプのＵＶプローブ（ＭＣＰ−ＨＴＰ１１）を用いた。
＜成形体の体積抵抗率＞
成形品は、体積抵抗率が１０6Ω・ｃｍ以上のものは、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの平板をコンプレッション又は射出成形にて成形し、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に示された方法にて体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を算出した。
また、体積抵抗率１０7Ω・ｃｍ以下のものについては、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの平板をコンプレッション又は射出成形にて成形し、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に示された方法にて体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を算出した。
体積抵抗率の測定には、１５０×１５０ｍｍの平板から試験片寸法１００ｍｍ×１００ｍｍに切り出して使用した。このときの成形品の肉厚は、３ｍｍであった。
抵抗が１０6Ω以上の成形体の測定は、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に準拠した三菱化学製 ハイレスタ−ＵＰを用いた。電極形状は、主電極φ５０ｍｍ、環状電極内径φ７０ｍｍ 外径φ８０ｍｍのもので、ＪボックスＵタイプ（ＭＣＰ−ＪＢ０３）を使用した。
また、抵抗が１０7Ω以下の成形体の体積抵抗率の測定は、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠した三菱化学製 ロレスタ−ＧＰを用いた。プローブは三菱化学製の四探針プローブ（ＡＳＰプローブ、ＭＣＰ−ＴＰ０３Ｐ）を用いた。
成形品は、体積抵抗率が１０6Ω・ｃｍ以上のものは、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの平板をコンプレッション又は射出成形にて成形し、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に示された方法にて体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を算出した。
また、体積抵抗率１０7Ω・ｃｍ以下のものについては、１５０ｍｍ×１５０ｍｍの平板をコンプレッション又は射出成形にて成形し、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に示された方法にて体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を算出した。
体積抵抗率の測定には、１５０×１５０ｍｍの平板から試験片寸法１００ｍｍ×１００ｍｍに切り出して使用した。このときの成形品の肉厚は、３ｍｍであった。
抵抗が１０6Ω以上の成形体の測定は、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に準拠した三菱化学製 ハイレスタ−ＵＰを用いた。電極形状は、主電極φ５０ｍｍ、環状電極内径φ７０ｍｍ 外径φ８０ｍｍのもので、ＪボックスＵタイプ（ＭＣＰ−ＪＢ０３）を使用した。
また、抵抗が１０7Ω以下の成形体の体積抵抗率の測定は、ＪＩＳ Ｋ ７１９４に準拠した三菱化学製 ロレスタ−ＧＰを用いた。プローブは三菱化学製の四探針プローブ（ＡＳＰプローブ、ＭＣＰ−ＴＰ０３Ｐ）を用いた。
＜アウトガス特性評価＞
アウトガス特性の測定方法としては、８５℃で６０分間熱処理した時に発生するアウトガスを、吸着剤を充填した吸着管に捕集し、パージ＆トラップ装置を具備するＧＣ−ＭＳを用いて測定した。
アウトガス濃縮装置としては、ジーエルサイエンス製ＭＳＴＤ−２５８Ｍを用いた。
アウトガスの捕集条件としては、チャンバーパージガス流量は、Ｎ2ガス３４０ｍＬ／ｍｉｎ、捕集時間３０分間として実施した。
分析方法としては、分析装置のＧＣ―ＭＳを用い、分析条件としては、カラムにＪ＆ＷキャピラリーカラムＤＢ−５ＭＳを用い、カラム温度は、４０℃とし、３分間ホールド後、２２０℃までは昇温速度９℃／分で２０分間昇温し、更に３００℃まで昇温速度１０℃／分で８分間昇温し、３００℃で３分間保持した。
注入口の温度は２８０℃とした。
キャリアガスはＨｅを用い、流速１．５ｍＬ／ｍｉｎで、スプリット比を１：１０とした。
ＭＳ分析（質量分析）は、分析装置（Agilent社製 HP6890/5973-GC/MS）を用いて、エレクトロンイオン化法により行った。
検出器の温度は２５０℃とした。
アウトガス特性の測定方法としては、８５℃で６０分間熱処理した時に発生するアウトガスを、吸着剤を充填した吸着管に捕集し、パージ＆トラップ装置を具備するＧＣ−ＭＳを用いて測定した。
アウトガス濃縮装置としては、ジーエルサイエンス製ＭＳＴＤ−２５８Ｍを用いた。
アウトガスの捕集条件としては、チャンバーパージガス流量は、Ｎ2ガス３４０ｍＬ／ｍｉｎ、捕集時間３０分間として実施した。
分析方法としては、分析装置のＧＣ―ＭＳを用い、分析条件としては、カラムにＪ＆ＷキャピラリーカラムＤＢ−５ＭＳを用い、カラム温度は、４０℃とし、３分間ホールド後、２２０℃までは昇温速度９℃／分で２０分間昇温し、更に３００℃まで昇温速度１０℃／分で８分間昇温し、３００℃で３分間保持した。
注入口の温度は２８０℃とした。
キャリアガスはＨｅを用い、流速１．５ｍＬ／ｍｉｎで、スプリット比を１：１０とした。
ＭＳ分析（質量分析）は、分析装置（Agilent社製 HP6890/5973-GC/MS）を用いて、エレクトロンイオン化法により行った。
検出器の温度は２５０℃とした。
＜イオン溶出特性、塩素イオン溶出特性＞
サンプルの重量を測定し、その後、ポリプロピレン袋に入れ、これに純水３０ｍＬを加え、封入し、密閉状態で３０分間イオン溶出させた。
上記イオン溶出後の水に対しイオンクロマト分析を行うことにより溶出イオンの検出を行った。
陰イオン分析は、ダイオネクス社製イオンクロマトグラフ（ＤＸ−５００）を用いた。分離カラムとしては、Ｉｏｎ Ｐａｃ ＡＳ１７（ダイオネクス社製、商品名）を用い、溶離液としては、Ａ液として水、Ｂ液として５ｍＭ−ＮａＯＨ、Ｃ液として１００ｍＭ−ＮａＯＨを用いた。検出器としては、電気伝導度検出器を用いた。
フッ素（Ｆ）と有機酸の分析は、ダイオネクス社製イオンクロマトグラフ（ＤＸ−５００）を用いた。分離カラムとしては、ＡＳ４Ａ−ＳＣ（ダイオネクス社製、商品名）を用い、溶離液としては、５ｍＭ−四ホウ酸ナトリウムを用いた。検出器としては電気伝導度検出器を用いた。
サンプルの重量を測定し、その後、ポリプロピレン袋に入れ、これに純水３０ｍＬを加え、封入し、密閉状態で３０分間イオン溶出させた。
上記イオン溶出後の水に対しイオンクロマト分析を行うことにより溶出イオンの検出を行った。
陰イオン分析は、ダイオネクス社製イオンクロマトグラフ（ＤＸ−５００）を用いた。分離カラムとしては、Ｉｏｎ Ｐａｃ ＡＳ１７（ダイオネクス社製、商品名）を用い、溶離液としては、Ａ液として水、Ｂ液として５ｍＭ−ＮａＯＨ、Ｃ液として１００ｍＭ−ＮａＯＨを用いた。検出器としては、電気伝導度検出器を用いた。
フッ素（Ｆ）と有機酸の分析は、ダイオネクス社製イオンクロマトグラフ（ＤＸ−５００）を用いた。分離カラムとしては、ＡＳ４Ａ−ＳＣ（ダイオネクス社製、商品名）を用い、溶離液としては、５ｍＭ−四ホウ酸ナトリウムを用いた。検出器としては電気伝導度検出器を用いた。
上述した実施例１〜６、比較例１〜７、参考例１〜５、比較参考例１の構成成分、及び評価結果を下記表１〜表３に示す。
表１に示すように、実施例１〜６の成形体は、いずれも導電性や帯電防止性等の電気的
特性に優れ、アウトガスが少なく、カーボンナノチューブの脱落が極めて少ないものであ
ることがわかった。また、実施例１〜６の成形体は、溶融エステル交換法で作製した芳香
族ポリカーボネートを用いたため、イオン溶出量が少なく、特に塩素イオンの溶出量が極
めて少なかった。
一方、導電性材料としてカーボンナノチューブを用いなかった比較例１、２においては
、いずれも脱落を生じ、成形体として実用上良好な特性が得られなかった。
また、表２に示すように、比較例３においては、カーボンナノチューブの含有量が多す
ぎるため、脱落を生じ、成形体として実用上良好な特性が得られなかった。
比較例４〜７においては、導電性材料としてカーボンナノチューブを用いなかったため
、いずれも脱落を生じ、成形体として実用上良好な特性が得られなかった。
表３に示すように、参考例１〜５の樹脂組成物は、いずれも導電性や帯電防止性等の電気的特性に優れ、アウトガスが少なく、低脱落特性を有するものであったが、特に、成分（Ｂ）として、溶融エステル交換法で作製した芳香族ポリカーボネートを使用した参考例１、２、４、５は、低アウトガス特性に優れていた。
比較参考例１は、導電性材料としてカーボンナノチューブを用いなかったため、脱落を生じ、実用上良好な特性が得られなかった。また、ホスゲン法により作製した芳香族ポリカーボネートを使用したため、アウトガスも多かった。
特性に優れ、アウトガスが少なく、カーボンナノチューブの脱落が極めて少ないものであ
ることがわかった。また、実施例１〜６の成形体は、溶融エステル交換法で作製した芳香
族ポリカーボネートを用いたため、イオン溶出量が少なく、特に塩素イオンの溶出量が極
めて少なかった。
一方、導電性材料としてカーボンナノチューブを用いなかった比較例１、２においては
、いずれも脱落を生じ、成形体として実用上良好な特性が得られなかった。
また、表２に示すように、比較例３においては、カーボンナノチューブの含有量が多す
ぎるため、脱落を生じ、成形体として実用上良好な特性が得られなかった。
比較例４〜７においては、導電性材料としてカーボンナノチューブを用いなかったため
、いずれも脱落を生じ、成形体として実用上良好な特性が得られなかった。
表３に示すように、参考例１〜５の樹脂組成物は、いずれも導電性や帯電防止性等の電気的特性に優れ、アウトガスが少なく、低脱落特性を有するものであったが、特に、成分（Ｂ）として、溶融エステル交換法で作製した芳香族ポリカーボネートを使用した参考例１、２、４、５は、低アウトガス特性に優れていた。
比較参考例１は、導電性材料としてカーボンナノチューブを用いなかったため、脱落を生じ、実用上良好な特性が得られなかった。また、ホスゲン法により作製した芳香族ポリカーボネートを使用したため、アウトガスも多かった。
本発明の複合材料組成物及びその成形体は、ＩＣチップ用のトレー、シリコンウエハー用のケース、半導体製造時に用いる防塵カバーであるペリクルの搬送用容器、シリコンウエハー用の容器として産業上の利用可能性がある。
１ 支持片
２ ホルダー
３ ハンドル
４ 白紙
６ おもり
８ バランスおもり
９ 止めねじ
１０ さお
１１ ストランド（試験片）
２１ 成形体（試験片）
２ ホルダー
３ ハンドル
４ 白紙
６ おもり
８ バランスおもり
９ 止めねじ
１０ さお
１１ ストランド（試験片）
２１ 成形体（試験片）
Claims (8)
- （Ａ）アスペクト比が１０以上１０００以下、平均外径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のカ
ーボンナノチューブ：０．２５質量部を超えて１０質量部以下、
（Ｂ）芳香族ポリカーボネート：１００質量部、
を含む芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体であって、
８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１０ｐｐｍ以下、
体積抵抗率が、１０-2Ω・ｃｍ以上１．７×１０ 8 Ω・ｃｍ以下、
ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器を用いて測定した時のカーボンナノチューブの
脱落指数が１００を超えている芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体。
（上記において、ＪＩＳ Ｋ ５４００による硬度評価機器の鉛筆を挿入する位置に、前
記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を固定し、１００ｇの荷重をかけて前記芳
香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体を白紙面に接触させながら１ｃｍ／秒の速度で
移動させたときに、脱落による黒色線が目視で確認できないとき、カーボンナノチューブ
の脱落指数が１００を超えていると定義する。） - 前記（Ａ）カーボンナノチューブのアスペクト比が５０以上２００以下であり、平均外
径が５ｎｍ以上６０ｎｍ以下である請求項１に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体。 - 前記（Ａ）カーボンナノチューブが、カーボンナノチューブ１００質量部に対して、金
属成分を０．００１〜１０質量％及び／又は金属酸化物を０．１〜１５質量％含有してい
る請求項１又は２記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体。 - 前記金属成分及び金属酸化物が、前記カーボンナノチューブの製造工程における触媒に
含有されていたものである請求項３に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体。 - 前記（Ｂ）芳香族ポリカーボネートが、
芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとからエステル交換法にて製造されたもの
であり、
全末端に占める末端ヒドロキシ基の割合が５モル％以上５０モル％以下である請求項１
乃至４のいずれか一項に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体。 - 前記（Ｂ）芳香族ポリカーボネートの重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００〜５００，
０００である請求項１乃至５のいずれか一項に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体。 - ８５℃、６０分間放置におけるトータルアウトガスが１ｐｐｍ以下であり、
当該アウトガス中の塩素系ガスが５ｐｐｂ以下である請求項１乃至６のいずれか一項に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体。 - 半導体部材用の容器である請求項１乃至７のいずれか一項に記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形体。
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-
2008
- 2008-12-26 JP JP2008335159A patent/JP5252713B2/ja active Active
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