JP5236912B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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「特許文献1」には、プロセスが複雑になるのを防止するために、poly−Siを用いたTFTにおいてもボトムゲートを用いる構成が記載されている。この構成はゲート電極の上に形成されたゲート絶縁膜の上に、先ず、チャンネルとなるpoly−Si層を形成し、その上にa−Si層を形成する。a−Siの上にはn+Si層のコンタクト層が形成され、その上にソース/ドレイン電極(SD電極)が形成される。poly−Siをチャンネルに用いたTFTをこのような構成とすることによって、a−Siをチャンネルに用いたTFTとで共通のプロセスが多くなり、プロセスが単純化する。
Claims (7)
- 画素電極と画素用TFTがマトリクス状に形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に駆動回路用TFTを含む駆動回路が形成され、
前記画素用TFTはチャネル部がa−Si層で形成されたボトムゲート型TFTであり、
前記駆動回路用TFTはボトムゲート型TFTであり、前記駆動回路用TFTは、チャネル部にpoly−Si層が形成され、前記poly−Si層を覆ってa−Si層が形成され、前記a−Si層の上にはn+Si層が形成され、前記n+Si層の上にはソース電極およびドレイン電極が形成されている表示装置の製造方法であって、
前記poly−Si層は第2のa−Si層の一部をレーザ照射によって第2のpoly−Si層に変換し、前記第2のa−Si層と前記第2のpoly−Si層を同時にエッチングすることによって形成されていることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第2のa−Si層の一部をレーザ照射によって第2のpoly−Si層に変換する際、前記第2のpoly−Si層の表面に酸化膜を形成し、前記第2のa−Si層と表面に酸化膜が形成された前記第2のpoly−Si層を同時にエッチングすることによって形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記表示装置は有機EL表示装置であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 画素電極と画素用TFTがマトリクス状に形成された表示領域と、前記表示領域の周辺に駆動回路用TFTを含む駆動回路が形成された表示装置であって、
前記画素用TFTはチャネル部がa−Si層で形成されたボトムゲート型TFTであり、
前記駆動回路用TFTはボトムゲート型TFTであり、前記駆動回路用TFTは、チャネル部にpoly−Si層が形成され、前記poly−Si層を覆ってa−Si層が形成され、前記a−Si層の上にはn+Si層が形成され、前記n+Si層の上にはソース電極およびドレイン電極が形成されており、
前記poly−Si層の表面はエッチングされた面であり、
前記poly−Si層の側部は前記a−Si層によって覆われていることを特徴とする表示装置。 - 前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記表示装置は有機EL表示装置であることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
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