JP5231502B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5231502B2 JP5231502B2 JP2010208798A JP2010208798A JP5231502B2 JP 5231502 B2 JP5231502 B2 JP 5231502B2 JP 2010208798 A JP2010208798 A JP 2010208798A JP 2010208798 A JP2010208798 A JP 2010208798A JP 5231502 B2 JP5231502 B2 JP 5231502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- gas knife
- gas
- projection system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 333
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 216
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 44
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 38
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 28
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 16
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 claims description 6
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 206
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 43
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 13
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 11
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
(付記)
(付記1)
パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
前記投影システムと前記基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記空間を少なくとも部分的に取り囲むように配置された第1のガスナイフと、
前記ガスナイフの一部分に隣接し且つこれに沿って位置付けられた液体除去デバイスと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記基板が、前記基板の面上のいずれかの方向であって、前記装置の光軸を通る方向に、少なくとも36°の弧状に移動する際、前記基板の面に対して垂直な面であって、前記方向を含む面内の前記基板上の液体が、前記ガスナイフと、前記方向での前記基板のさらなる移動との複合効果によって、前記ガスナイフに沿って前記液体除去デバイスへ移されるように、前記ガスナイフが形成されている、リソグラフィ装置。
(付記2)
前記液体除去デバイスが、前記ガスナイフの0.05未満に沿って延在する、付記1に記載の装置。
(付記3)
面内の前記ガスナイフの形状がスキャン方向に細長い、付記1に記載の装置。
(付記4)
前記ガスナイフが前記液体供給システムに対して静止している、付記1に記載の装置。
(付記5)
前記ガスナイフが複数のセグメントを備え、前記液体除去デバイスが、隣接するセグメント同士が一緒になる領域に位置している、付記1に記載の装置。
(付記6)
4つのセグメントを備え、各セグメントがほぼ真っ直ぐである、付記5に記載の装置。
(付記7)
前記光軸に対して前記第1のガスナイフの半径方向外側に位置付けられた第2のガスナイフをさらに備えた、付記1に記載の装置。
(付記8)
前記第2ガスナイフが、前記光軸と前記液体除去デバイスとを通る線と交差するように位置付けられた、付記7に記載の装置。
(付記9)
前記第2のガスナイフからのガスが衝突する液体を除去するための他の液体除去デバイスをさらに備える、付記7に記載の装置。
(付記10)
パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
前記投影システムと基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記液体供給システムによって前記基板上に残された液体を収容するように、前記空間を少なくとも部分的に取り囲むガスナイフと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
面内の前記ガスナイフは、少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも大きい局所半径を有するように、または少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも小さい局所半径を有するように、またはその両方であるように、形成されている、リソグラフィ装置。
(付記11)
前記ガスナイフの面内の少なくともいくつかの部分が、ほぼ真っ直ぐである、付記10に記載の装置。
(付記12)
少なくともいくつかの部分が、平均半径の0.9より小さい局所半径または平均半径の
1.1より大きい局所半径を有する、付記10に記載の装置。
(付記13)
前記基板が前記ガスナイフに対して移動された時に液体が集まる前記ガスナイフに沿った位置に位置付けられた液体エキストラクタをさらに備える、付記10に記載の装置。
(付記14)
前記液体エキストラクタが前記ガスナイフの外周全体の周りに延在していない、付記13に記載の装置。
(付記15)
局所半径が平均半径よりも少なくとも10倍大きい、付記10に記載の装置。
(付記16)
平均半径に描かれる虚円の外に位置する液体エキストラクタをさらに備える、付記10に記載の装置。
(付記17)
前記ガスナイフの外周が複数の部分に分割され、液体エキストラクタが、所定の局所半径の隣接する部分同士の間の少なくともいくつかの境界に位置する、付記10に記載の装置。
(付記18)
パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
前記投影システムと基板との間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記液体供給システムの下で、且つ前記ガスナイフの下で前記基板が移動する際に、前記液体供給システムの下を前記基板が通過した後に前記基板上に残っている液体が、前記ガスナイフに沿って液体除去領域まで移されるようにする、サイズ、形状および配向のガスナイフと、
を備えるリソグラフィ装置。
(付記19)
前記液体除去領域が、前記基板を保持するように構成された基板テーブル内のドレインである、付記18に記載の装置。
(付記20)
前記ドレインが、前記基板を囲むように構成されている、付記19に記載の装置。
(付記21)
前記ガスナイフが、前記液体供給システムに取り付けられている、付記18に記載の装置。
(付記22)
前記ガスナイフが、前記液体供給システムとは独立して可動である、付記18に記載の装置。
(付記23)
前記ガスナイフが、前記基板と一致してステップ方向に動くように実質的に配置される、付記22に記載の装置。
(付記24)
前記ガスナイフが、リソグラフィ装置のベースフレームによって支持され、前記投影システム、または液体供給システム、または両方が、前記ベースフレームから動的に隔離されている、付記18に記載の装置。
(付記25)
前記ガスナイフが、装置のステップ方向に対して斜めに配置される、付記18に記載の装置。
(付記26)
前記ガスナイフが、装置のスキャン方向ではなくステップ方向に前記基板の全幅に沿って延在するように配置され、
前記スキャン方向と前記ステップ方向とがほぼ直交する、付記18に記載の装置。
(付記27)
2つのガスナイフを備えており、各ガスナイフが、前記液体供給システムの反対側に位置する、付記18に記載の装置。
(付記28)
前記ガスナイフがV型であり、Vの先端が、装置のスキャン方向で前記基板を半分に分割する対称線にほぼ位置合わせされている、付記18に記載の装置。
(付記29)
前記ガスナイフの一部が、液体除去領域の両側に位置している、付記18に記載の装置。
(付記30)
前記液体除去領域に向かい、前記液体除去領域の両側のガスナイフの部分に沿って、液体を移すことができる、付記29に記載の装置。
(付記31)
前記基板上に残った液体が自由上面を有する、付記18に記載の装置。
(付記32)
前記ガスナイフがほぼ真っ直ぐであるか、又は複数のほぼ真っ直ぐな部分から成る、付記18に記載の装置。
(付記33)
液体抽出デバイスが、前記ガスナイフの真っ直ぐな部分間の合流点に位置付けられる、付記32に記載の装置。
(付記34)
パターニングデバイスから基板へパターンを転写するように構成された投影システムと、
投影システムと基板との間の空間を少なくとも部分的に囲むとともに、当該空間内の液体を少なくとも部分的に拘束するように構成されたバリア構造と、
前記バリア構造から離れて位置付けられたガスナイフと、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記バリア構造から流出した前記基板上の液体が、前記バリア構造と前記ガスナイフと
の間に自由表面を有する、リソグラフィ装置。
(付記35)
パターニングデバイスから液体を介して基板にパターンを転写するように構成された投影システムと、
前記基板の表面から液体を除去するように構成された液体除去デバイスであって、低圧力に接続された複数の抽出管を備え、使用中にその一端部が前記基板に向けられ、且つそれぞれの最大管端部平面寸法の10倍以内に位置付けられる、液体除去デバイスと、
を備える液浸リソグラフィ装置。
(付記36)
前記管端部の面内のアスペクト比が20:1未満である、付記35に記載の装置。
(付記37)
前記管端部の面内の最大寸法が5mm未満である、付記35に記載の装置。
(付記38)
前記管端部が直線状に並べられている、付記35に記載の装置。
(付記39)
前記直線がほぼV型である、付記38に記載の装置。
(付記40)
前記Vの二つの辺部が45°未満の鋭角で交わる、付記39に記載の装置。
(付記41)
前記液体除去デバイスに隣接するように位置付けられたガスナイフをさらに備える、付記35に記載の装置。
(付記42)
前記ガスナイフが前記液体除去デバイスを越えて延在している、付記41に記載の装
置。
(付記43)
前記抽出管から半径方向外側に位置付けられた少なくとも1つの開口部をさらに備える装置であって、前記開口部が使用中には、前記開口部の外へ、且つ前記複数の抽出管のうちの少なくとも1つに向かってガスが引き出されるように、前記開口部がガス源と流体連通している、付記35に記載の装置。
(付記44)
前記複数の抽出管の前記端部が、前記液体が供給される領域の外周全体に平面上に位置している、付記35に記載の装置。
(付記45)
パターニングデバイスから液体を通して基板にパターンを転写するように構成された投影システムと、
第1のガスナイフと、
低圧力に接続された管を備え、当該管の一端部が、前記ガスナイフに隣接するとともに、前記ガスナイフの平面形状の凹部内に位置付けられる、液体除去デバイスと、
を備える液浸リソグラフィ装置。
(付記46)
前記管端部のアスペクト比が5:1未満である、付記45に記載の装置。
(付記47)
前記管端部の最大寸法が5mm以下である、付記45に記載の装置。
(付記48)
前記第1のガスナイフの前記液体除去デバイスとは反対側で、且つ前記凹部と隣接して位置付けられた第2のガスナイフをさらに備える、付記45に記載の装置。
(付記49)
前記2つのガスナイフの間から液体を抽出するように位置付けられた液体エキストラクタをさらに備える、付記48に記載の装置。
(付記50)
投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することを有する、デバイス製造方法であって、
空間を少なくとも部分的に囲んでいるガスナイフによって液体が収容され、且つ
面内の前記ガスナイフが、少なくともいくつかの部分が前記ガスナイフの平均半径よりも大きい局所半径を有するように、または少なくともいくつかの部分がガスナイフの平均半径よりも小さい局所半径を有するように、またはその両方であるように、形成される、
デバイス製造方法。
(付記51)
投影システムを用いて、液体供給システムによって供給された液体を介して、基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
前記液体供給システムの下を前記基板が通過した後に前記基板上に残っている液体を、ガスナイフに沿って液体除去領域に移すことと
を有する、デバイス製造方法。
(付記52)
投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
ガスナイフを用いて液体を除去する前に、自由表面を有する基板上に液体があるように、液体収容デバイスから、液体を流出させることと、
を有する、デバイス製造方法。
(付記53)
投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
低圧力に接続され、且つ前記基板に向けられた端部を有し、且つそれぞれの最大管端部平面寸法の10倍以内に位置付けられた複数の抽出管を用いて、前記基板の表面から液体を除去することと、
を有する、デバイス製造方法。
Claims (10)
- パターニングデバイスから液体を介して基板にパターンを転写するように構成された投影システムと、
前記基板の表面から液体を除去するように構成された液体除去デバイスであって、低圧力に接続された複数の抽出管を備え、使用中にその一端部が前記基板に向けられ、前記抽出管の管端部がほぼV型の直線状に並べられている、液体除去デバイスと、
を備える液浸リソグラフィ装置。 - 前記複数の抽出管が、管の間隔が管の最大管端部平面寸法の10倍未満となるように位置付けられている、請求項1に記載の装置。
- 前記管端部の面内のアスペクト比が20:1未満である、請求項1又は2に記載の装置。
- 前記管端部の面内の最大寸法が5mm未満である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記Vの二つの辺部が45°未満の鋭角で交わる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の装置。
- 前記液体除去デバイスに隣接するように位置付けられたガスナイフをさらに備える、請求項1〜5のいずれか1項に記載の装置。
- 前記ガスナイフが前記液体除去デバイスを越えて延在している、請求項6に記載の装置。
- 前記抽出管から半径方向外側に位置付けられた少なくとも1つの開口部をさらに備える装置であって、前記開口部が使用中には、前記開口部の外へ、且つ前記複数の抽出管のうちの少なくとも1つに向かってガスが引き出されるように、前記開口部がガス源と流体連通している、請求項1〜7のいずれか1項に記載の装置。
- 前記複数の抽出管の前記端部が、前記液体が供給される領域の外周全体に平面上に位置している、請求項1〜8のいずれか1項に記載の装置。
- 投影システムを用いて、液体を介して基板にパターン付き放射ビームを投影することと、
低圧力に接続され、且つ前記基板に向けられた端部を有し、管端部がほぼV型の直線状に並べられている複数の抽出管を用いて、前記基板の表面から液体を除去することと、
を有する、デバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/436,057 US8144305B2 (en) | 2006-05-18 | 2006-05-18 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11/436,057 | 2006-05-18 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007120671A Division JP4668235B2 (ja) | 2006-05-18 | 2007-05-01 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029650A JP2011029650A (ja) | 2011-02-10 |
JP5231502B2 true JP5231502B2 (ja) | 2013-07-10 |
Family
ID=38711664
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007120671A Active JP4668235B2 (ja) | 2006-05-18 | 2007-05-01 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010208797A Pending JP2011040767A (ja) | 2006-05-18 | 2010-09-17 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010208798A Active JP5231502B2 (ja) | 2006-05-18 | 2010-09-17 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2011001477A Active JP5102375B2 (ja) | 2006-05-18 | 2011-01-06 | リソグラフィ装置 |
JP2013142688A Active JP5576537B2 (ja) | 2006-05-18 | 2013-07-08 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007120671A Active JP4668235B2 (ja) | 2006-05-18 | 2007-05-01 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2010208797A Pending JP2011040767A (ja) | 2006-05-18 | 2010-09-17 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011001477A Active JP5102375B2 (ja) | 2006-05-18 | 2011-01-06 | リソグラフィ装置 |
JP2013142688A Active JP5576537B2 (ja) | 2006-05-18 | 2013-07-08 | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8144305B2 (ja) |
JP (5) | JP4668235B2 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008066341A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-21 | Canon Inc | 搬送装置、露光装置及び方法 |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7692765B2 (en) * | 2007-02-21 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of removing liquid |
NL1036253A1 (nl) * | 2007-12-10 | 2009-06-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL1036306A1 (nl) | 2007-12-20 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus. |
JP2009174043A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-08-06 | Toshigoro Sato | 水電解ガス発生装置 |
JP2009188241A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Toshiba Corp | 液浸露光装置及び液浸露光方法 |
EP2131241B1 (en) * | 2008-05-08 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8421993B2 (en) * | 2008-05-08 | 2013-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
ATE548679T1 (de) | 2008-05-08 | 2012-03-15 | Asml Netherlands Bv | Lithografische immersionsvorrichtung, trocknungsvorrichtung, immersionsmetrologievorrichtung und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
NL2003225A1 (nl) | 2008-07-25 | 2010-01-26 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003226A (en) * | 2008-08-19 | 2010-03-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method. |
NL2003333A (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-26 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5199982B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2013-05-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
NL2004523A (en) * | 2009-05-08 | 2010-11-09 | Asml Netherlands Bv | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method. |
EP2256553B1 (en) * | 2009-05-26 | 2016-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
NL2005717A (en) | 2009-12-18 | 2011-06-21 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2005951A (en) * | 2010-02-02 | 2011-08-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2006076A (en) * | 2010-03-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
NL2006203A (en) * | 2010-03-16 | 2011-09-19 | Asml Netherlands Bv | Cover for a substrate table, substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
NL2006244A (en) | 2010-03-16 | 2011-09-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, cover for use in a lithographic apparatus and method for designing a cover for use in a lithographic apparatus. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
JP5313293B2 (ja) * | 2010-05-19 | 2013-10-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、リソグラフィ装置で使用する流体ハンドリング構造およびデバイス製造方法 |
US20120162619A1 (en) * | 2010-12-27 | 2012-06-28 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, exposing method, device fabricating method, program, and storage medium |
NL2008979A (en) | 2011-07-11 | 2013-01-14 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
ES2877855T3 (es) | 2013-12-13 | 2021-11-17 | Ventana Med Syst Inc | Reactivos de tinción y otros líquidos para el procesamiento histológico de muestras biológicas y tecnología asociada |
WO2015086484A1 (en) * | 2013-12-13 | 2015-06-18 | Ventana Medical Systems, Inc. | Automated histological processing of biological specimens and associated technology |
JP6465900B2 (ja) | 2014-07-24 | 2019-02-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体ハンドリング構造、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US6072779A (en) | 1997-06-12 | 2000-06-06 | Aware, Inc. | Adaptive allocation for variable bandwidth multicarrier communication |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
SG2010050110A (en) * | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121819A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
CN1771463A (zh) | 2003-04-10 | 2006-05-10 | 株式会社尼康 | 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道 |
KR20180089562A (ko) | 2003-04-10 | 2018-08-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7133114B2 (en) | 2004-09-20 | 2006-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006120889A (ja) | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法及びその方法に用いられる半導体ウェハホルダ |
JP5040646B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2012-10-03 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7411654B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411658B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8477283B2 (en) * | 2006-05-10 | 2013-07-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7692765B2 (en) * | 2007-02-21 | 2010-04-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method of removing liquid |
-
2006
- 2006-05-18 US US11/436,057 patent/US8144305B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-01 JP JP2007120671A patent/JP4668235B2/ja active Active
- 2007-05-17 US US11/798,928 patent/US8023101B2/en active Active
-
2010
- 2010-09-17 JP JP2010208797A patent/JP2011040767A/ja active Pending
- 2010-09-17 JP JP2010208798A patent/JP5231502B2/ja active Active
-
2011
- 2011-01-06 JP JP2011001477A patent/JP5102375B2/ja active Active
- 2011-06-06 US US13/154,008 patent/US8681311B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-07-08 JP JP2013142688A patent/JP5576537B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8023101B2 (en) | 2011-09-20 |
US8681311B2 (en) | 2014-03-25 |
US8144305B2 (en) | 2012-03-27 |
JP2011040767A (ja) | 2011-02-24 |
JP5102375B2 (ja) | 2012-12-19 |
JP2007318117A (ja) | 2007-12-06 |
JP2013232673A (ja) | 2013-11-14 |
JP2011029650A (ja) | 2011-02-10 |
US20110235008A1 (en) | 2011-09-29 |
JP2011097081A (ja) | 2011-05-12 |
JP5576537B2 (ja) | 2014-08-20 |
US20080007704A1 (en) | 2008-01-10 |
US20070268466A1 (en) | 2007-11-22 |
JP4668235B2 (ja) | 2011-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5231502B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US8634053B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5437761B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
US8421993B2 (en) | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5167307B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
TWI408512B (zh) | 浸潤式微影裝置、乾燥器件、浸潤式度量裝置及器件製造方法 | |
EP2267538A1 (en) | Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method | |
JP5383739B2 (ja) | 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5065432B2 (ja) | 流体ハンドリングデバイス、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5139460B2 (ja) | 基板テーブル、液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2007288185A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2011018915A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
KR20060051387A (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP5412399B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2011171760A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2010147466A (ja) | 流体ハンドリング構造、テーブル、リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120910 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121206 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130306 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130321 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5231502 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |