JP5225780B2 - 薄膜の製造方法および薄膜製造装置 - Google Patents
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Description
本発明の効果を確認するために、本発明に従った方法および比較例の方法を用いて、レーザ蒸着法により帯状の基板の表面に超電導薄膜を形成する実験を行なった。
基板:
表面に超電導薄膜を形成するための基板として、長さが100m、幅が10mm、厚みが0.1mmであって、材質がニッケル系合金からなり表面に酸化セリウムの中間層を0.1μm形成した帯状の配向基板を2本(実施例の試料および比較例の試料の合計2本)準備した。
使用装置:
図6に示した構成の薄膜製造装置を用いた。
ターゲット材を構成する材料としてはHoBa2Cu3Oyを用いた。また、ターゲット材に照射するレーザ光の条件については、レーザ光の波長を248nm、出射エネルギーを1000mJ、繰返し周波数を150Hzとした。また、チャンバ中の雰囲気ガスを酸素ガス、雰囲気圧力を200mTorrとした。また、成膜温度(成膜時の基板の加熱温度)を750℃とした。
基本的に、上述した実施例の成膜条件と同様とした。ただし、ターゲット材と基板との間の距離は、成膜開始時に65mmに設定したあと、固定した。この結果、成膜開始時におけるプルームの輝度は4500cd/m2であったが、成膜処理の終了時には3600cd/m2となった。
実施例および比較例の試料について、それぞれ成膜開始時に薄膜が形成された領域と、成膜終了時に薄膜が形成された領域(すなわち帯状の基板の長手方向での両端部)において、試料を切出して超電導薄膜の膜厚および臨界電流値(Ic)を測定した。なお、切出した試料の長さは10cmとした。また、臨界電流値(Ic)の測定方法としては、四端子による通電法を用いた。
実施例:
実施例の試料において、成膜開始時に薄膜が形成された領域では超電導薄膜の厚みが0.20μm、臨界電流値Icが60Aであった。そして、成膜終了時に薄膜が形成された領域では、超電導薄膜の厚みが0.20μm、臨界電流値Icが58Aであった。
比較例の試料において、成膜開始時に薄膜が形成された領域では超電導薄膜の厚みが0.20μm、臨界電流値Icが60Aであった。そして、成膜終了時に薄膜が形成された領域では、超電導薄膜の厚みが0.16μm、臨界電流値Icが45Aであった。
Claims (4)
- 基板を準備する工程と、
前記基板と対向する位置にターゲット材を準備する工程と、
前記ターゲット材にエネルギー線を照射することにより、前記ターゲット材から放出される原子を含むプラズマを形成し、前記プラズマに含まれる前記原子を前記基板表面上に供給することにより薄膜を形成する工程とを備え、
前記薄膜を形成する工程では、前記基板に隣接する領域における前記プラズマの発光強度が、当該発光強度の初期値に対して±10%の範囲に入るように、前記基板と前記ターゲット材との間の距離が調整され、
前記薄膜を形成する工程において、前記プラズマの発光強度は前記プラズマの輝度であり、
前記基板を準備する工程では帯状の基板を準備し、
前記薄膜を形成する工程では、前記帯状の基板を移動させながら前記基板の表面上に前記薄膜が形成され、
前記薄膜を形成する工程では、前記帯状の基板の走行経路を規定するための押圧部材が前記基板に接触し、前記押圧部材が移動することにより前記基板と前記ターゲット材との間の距離が調整される、薄膜の製造方法。 - 前記薄膜を形成する工程では、超電導薄膜が形成される、請求項1に記載の薄膜の製造方法。
- 前記超電導薄膜はRE123系酸化物超電導体からなる、請求項2に記載の薄膜の製造方法。
- 反応室と、
前記反応室の内部に配置されたターゲット材支持部材と、
前記反応室の内部において、前記ターゲット材支持部材に対向するように帯状の基板を支持する基板支持部材と、
前記ターゲット材支持部材に支持されるターゲット材に照射するエネルギー線を発生させるエネルギー線源と、
前記エネルギー線が前記ターゲット材に照射されているとき、前記ターゲット材と前記基板との間の距離を変更する変更部材と、
前記ターゲット材に前記エネルギー線を照射することにより形成される、前記ターゲット材から放出される原子を含むプラズマの発光強度を測定する測定部材と、
前記測定部材により測定された前記プラズマの発光強度のデータに基づいて、前記変更部材を制御する制御部材とを備え、
前記変更部材は、前記ターゲット材支持部材の位置を変更する部材を含み、
前記基板支持部材は、前記ターゲット材の表面に沿った方向に前記基板を移動させる搬送部材と、前記移動される前記基板の走行経路を規定するために前記基板に接触する押圧部材とを含み、
前記変更部材は、前記押圧部材の位置を変更する部材を含む、薄膜製造装置。
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