JP5225699B2 - サーマルヘッド、サーマルヘッドの製造方法及び印画装置 - Google Patents
サーマルヘッド、サーマルヘッドの製造方法及び印画装置 Download PDFInfo
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Description
た発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体に電力を印加するための配線パターンと、前記配線パタ
ーン及び前記発熱抵抗体上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された保護層と、
前記配線パターンの一部であって前記絶縁層から露出したボンディングパッド部を有する
サーマルヘッドであって、前記保護層の端部から前記ボンディングパッド部までの距離は
、90μmより大きく、前記保護層の表面抵抗は1×10 11 Ω/□以下である。
また、前記保護層は、前記基板が固定される金属製のマウントと電気的に接続されても
よい。
本発明の別の態様は、印画装置に関する。この印画装置は、上記のサーマルヘッドを用
いている。
本発明の別の態様は、サーマルヘッドの製造方法に関する。この製造方法は、基板に発
熱抵抗体を形成する工程と、前記発熱抵抗体に電力を印加するための配線パターンをボン
ディングバッド部とともに形成する工程と、前記配線パターンとボンディングパッド部を
絶縁層で覆う工程と、前記ボンディングパッド部を覆う絶縁層を除去する工程と、前記ボ
ンディングパット部との距離が90μm以上離間するように、前記発熱抵抗体を保護層で
覆う保護層被覆工程と、を含み、前記保護層の表面抵抗は1×10 11 Ω/□以下である。
実験条件は以下の通りである。
絶縁層50: 材料・・・SiON 膜厚・・・1μm(保護層51形成領域)
保護層51: 材料・・・SiBP 膜厚・・・7μm
表面抵抗・・・9×109Ω/□
評価方法:印画中の保護層51の帯電状態を再現するために、保護層51に一定電圧(DC300V)を印加して擬似的に帯電させ、発熱ドットを通常条件で駆動させて、ボンディングパッド部52における静電腐蝕発生率(以下、単に「発生率」という)を測定した。
11 ケーシング
12 表示パネル
13 入力キー
14 排紙口
15 感熱紙
16 搬送ローラ
20 サーマルヘッドユニット
21 マウント
22 ヒートシンク
23 コネクタ
24 発熱抵抗体
25 基板
26 集積回路(IC)
27 配線パターン
28 ボンディングワイヤ
29 保護樹脂
30 段差
31 ICカバー
40 個別電極
41 共通電極
50 絶縁層
51 保護層
52 ボンディングパッド部
53 樹脂層
60 絶縁層被覆基板
Claims (4)
- 基板に設けられた発熱抵抗体と、前記発熱抵抗体に電力を印加するための配線パターンと、前記配線パターン及び前記発熱抵抗体上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された保護層と、前記配線パターンの一部であって前記絶縁層から露出したボンディングパッド部を有するサーマルヘッドであって、
前記保護層の端部から前記ボンディングパッド部までの距離は、90μmより大きく、
前記保護層の表面抵抗は1×10 11 Ω/□以下であることを特徴とするサーマルヘッド。 - 前記保護層は、前記基板が固定される金属製のマウントと電気的に接続されていること
を特徴とする請求項1に記載のサーマルヘッド。 - 請求項1または2に記載のサーマルヘッドを用いたことを特徴とする印画装置。
- 基板に発熱抵抗体を形成する工程と、
前記発熱抵抗体に電力を印加するための配線パターンをボンディングパット部とともに形成する工程と、
前記配線パターンとボンディングパッド部を絶縁層で覆う工程と、
前記ボンディングパッド部を覆う絶縁層を除去する工程と、
前記ボンディングパット部との距離が90μm以上離間するように、前記発熱抵抗体を保護層で覆う保護層被覆工程と、
を含み、
前記保護層の表面抵抗は1×10 11 Ω/□以下である
ことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
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JP2001232836A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-28 | Toshiba Corp | サーマルヘッド |
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