JP5223879B2 - 送受信モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、送受信モジュールに関するものである。
特許文献1では、光ファイバの先端部に直方体状の実装部材を設け、その実装部材に、面発光素子あるいは面受光素子からなる光素子と、光素子を駆動する(あるいは光素子からの電気信号を増幅する)ICとを実装した光モジュールが提案されている。
この光モジュールでは、実装部材の背面から正面に貫通するように光ファイバを挿入する貫通孔が形成されており、実装部材の背面側から貫通孔に挿入された光ファイバの先端と対向する位置、すなわち実装部材の正面における貫通孔が形成された位置に、光素子が実装される。より正確には、光素子は、実装部材の正面に固定される基板に実装される。実装部材の正面と背面以外の面である側面には、ICが搭載され、ICと光素子とが配線パターンを介して電気的に接続される。
特開2001−281504号公報
しかしながら、特許文献1の光モジュールでは、実装部材の正面に光素子が実装され、実装部材の側面にICが実装されており、光素子を実装する面とICを実装する面が1つの平面を為していない。そのため、光素子やICの実装がしにくく、実装に手間がかかるという問題がある。
また、特許文献1の光モジュールでは、実装部材の正面に光素子が実装され、実装部材の側面にICが実装されるため、正面から側面に回り込むように配線パターンを形成しなければならなかった。この様な構成だと、配線パターンの距離が長くなるため、電気信号の劣化の原因になるという問題がある。さらに配線パターンの形成が困難であるという問題もある。
これらの問題を解決するため、実装部材の正面に光素子とICの両方を実装することも考えられるが、この場合、光素子とICの実装面積を確保するために実装部材が大型化してしまい、光モジュール全体が大型化してしまうといった問題が生じる。
また、特許文献1の光モジュールでは、実装部材に厚みがあるので、カードエッジコネクタを使用することはできない。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、光素子やICの実装が容易であり、かつ小型な送受信モジュールを提供することにある。
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、送信側回路基板と、該送信側回路基板の表面側に実装された発光素子およびドライバICと、前記送信側回路基板の裏面側に形成され、送信側光ファイバと光学的に接続される送信側光導波路と、該送信側光導波路に形成され、前記発光素子から出射された光の光路を90度変換して前記送信側光導波路のコアに入射する送信側ミラーと、を有する送信側基板と、受信側回路基板と、該受信側回路基板の表面側に実装された受光素子およびアンプICと、前記受信側回路基板の裏面側に形成され、受信側光ファイバと光学的に接続される受信側光導波路と、該受信側光導波路に形成され、前記受信側光導波路のコアを伝搬する光の光路を90度変換して前記受光素子に入射する受信側ミラーと、を有する受信側基板と、を備え、前記両基板の裏面同士を向かい合わせた状態で固定してなる送受信モジュールである。
前記両基板の間には、グランド層が形成されてもよい。
前記グランド層は、前記送信側基板の裏面及び/又は前記受信側基板の裏面にスパッタリング又は真空蒸着により形成された金属膜からなってもよい。
前記グランド層は、前記両基板を導電性の接着剤で接着固定して形成される接着層からなってもよい。
前記発光素子および前記送信側光導波路を、前記送信側回路基板の一の側辺側に偏らせて配置すると共に、前記受光素子および前記受信側光導波路を、前記受信側回路基板の一の側辺側に偏らせて配置し、前記両基板の裏面同士を向かい合わせた際に、前記送信側光導波路と前記受信側光導波路とが重ならないようにされてもよい。
前記発光素子および前記送信側ミラーは、前記受光素子および前記受信側ミラーよりも、前記両光ファイバから離れた位置に設けられてもよい。
前記両回路基板の端部に接続端子を形成してなるカードエッジコネクタを備えてもよい。
本発明によれば、光素子やICの実装が容易であり、かつ小型な送受信モジュールを提供できる。
本発明の一実施の形態に係る送受信モジュールを示す図であり、(a)は平面図、(b)はその1B−1B線断面図、(c)はその1C−1C線断面図、(d)はその1D−1D線断面図である。 (a)〜(g)は、図1の送受信モジュールの製造方法を説明する図である。 本発明の一実施の形態に係る送受信モジュールを示す図であり、(a)は平面図、(b)はその3B−3B線断面図、(c)はその3C−3C線断面図である。
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面にしたがって説明する。
図1は、本実施の形態に係る送受信モジュールを示す図であり、(a)は平面図、(b)はその1B−1B線断面図、(c)はその1C−1C線断面図、(d)はその1D−1D線断面図である。
図1(a)〜(d)に示すように、送受信モジュール1は、送信側基板2と受信側基板3とを備え、両基板2,3の裏面R同士を向かい合わせた状態で、両基板2,3を接着固定したものである。
まず、送信側基板2について説明する。
送信側基板2は、送信側回路基板21と、送信側回路基板21の表面F側に実装された発光素子22およびこの発光素子22を駆動するためのドライバIC23と、送信側回路基板21の裏面R側に形成され、送信側光ファイバ24と光学的に接続される送信側光導波路25と、送信側光導波路25に形成された送信側ミラー26と、を有する。
送信側回路基板21は、発光素子22が発光する光に対して透明な材料からなり、例えば、ポリエチレン、アクリル、エポキシ、シリコーンなどの樹脂からなる。本実施の形態では、送信側回路基板21として、フレキシブルプリント基板(FPC(Flexible Printed Circuit))を用いる。
発光素子22は、例えば、VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser)などの面発光素子からなる。発光素子22とドライバIC23とは、送信側回路基板21に形成された図示しない配線パターンにより電気的に接続されている。発光素子22、ドライバIC23、および送信側光導波路25は、送信側回路基板21の一の側辺側(図1(a)では上側)に偏らせて配置される。
送信側光導波路25は、図示していないが、コアとクラッドとからなる。送信側光導波路25の一端部(図1(a)〜(c)では右側)には、送信側光ファイバ24を挿入するための溝25aが形成されており、その溝25aに送信側光ファイバ24を挿入することで、送信側光ファイバ24と送信側光導波路25のコアとが位置合せされ、光学的に接続される。
また、送信側光導波路25には、送信側光導波路25の光軸に対して45度傾いた傾斜面を有する送信側ミラー26が形成される。送信側ミラー26は、発光素子22から出射された光の光路を90度変換して、送信側光導波路25のコアに入射する。送信側ミラー26は、ダイシングにより送信側光導波路25にV溝を形成することにより形成される。
送信側回路基板21の裏面Rには、スパッタリング又は真空蒸着により形成された金属膜からなる送信側グランド層27が形成される。また、図示していないが、送信側回路基板21の他端部(送信側光ファイバ24が接続される側と反対側、図1(a)〜(c)では左側)の表面Fには、接続端子が整列して形成され、カードエッジコネクタ4が形成され、ドライバIC23と電気的に接続されている。
次に、受信側基板3について説明する。
受信側基板3は、受信側回路基板31と、受信側回路基板31の表面F側に実装された受光素子32およびこの受光素子32からの電気信号を増幅するためのアンプIC33と、受信側回路基板31の裏面R側に形成され、受信側光ファイバ34と光学的に接続される受信側光導波路35と、受信側光導波路35に形成された受信側ミラー36と、を有する。
受信側回路基板31は、受光素子32が受光する光に対して透明な材料からなり、例えば、ポリエチレン、アクリル、エポキシ、シリコーンなどの樹脂からなる。本実施の形態では、受信側回路基板31として、フレキシブルプリント基板(FPC(Flexible Printed Circuit))を用いる。
受光素子32は、例えば、PD(Photo Diode)などの面受光素子からなる。受光素子32とアンプIC33とは、受信側回路基板31に形成された図示しない配線パターンにより電気的に接続されている。受光素子32、アンプIC33、および受信側光導波路35は、受信側回路基板31の一の側辺側(図1(a)では下側)に偏らせて配置される。
受信側光導波路35は、図示していないが、コアとクラッドとからなる。受信側光導波路35の一端部(図1(a)〜(c)では右側)には、受信側光ファイバ34を挿入するための溝35aが形成されており、その溝35aに受信側光ファイバ34を挿入することで、受信側光ファイバ34と受信側光導波路35のコアとが位置合せされ、光学的に接続される。
また、受信側光導波路35には、受信側光導波路35の光軸に対して45度傾いた傾斜面を有する受信側ミラー36が形成される。受信側ミラー36は、受信側光導波路35のコアを伝搬する光の光路を90度変換し、受光素子32に入射する。受信側ミラー36は、ダイシングにより受信側光導波路35にV溝を形成することにより形成される。
受光素子32および受信側ミラー36は、発光素子22および送信側ミラー26を形成した位置よりも、光ファイバ24,34側に設けられる。換言すれば、発光素子22および送信側ミラー26は、受光素子32および受信側ミラー36よりも、両光ファイバ24,34から離れた位置にオフセットして設けられる。
受信側回路基板31の裏面Rには、スパッタリング又は真空蒸着により形成された金属膜からなる受信側グランド層37が形成される。また、図示していないが、受信側回路基板31の他端部(受信側光ファイバ34が接続される側と反対側、図1(a)〜(c)では左側)の表面F側には、接続端子が整列して形成され、カードエッジコネクタ4が形成され、アンプIC33と電気的に接続されている。
送受信モジュール1は、送信側基板2と受信側基板3の裏面R同士を向かい合わせた状態で、両基板2,3を接着剤5により接着固定して形成される。
このとき、送信側光導波路25が送信側回路基板21の一の側辺側に偏らせて配置されており、かつ、受信側光導波路35が受信側回路基板31の一の側辺側に偏らせて配置されているため、両光導波路25,35が重なって干渉してしまうことはない。さらに、送受信モジュール1の長手方向(光ファイバ24,34の挿入方向)で両ミラー26,36の位置をずらして両ミラー26,36間の距離をより大きくすることによって、両光導波路25,35間の光のクロストークの影響を小さくすることができる。また、送受信モジュール1の長手方向で両IC23,33の位置をずらして両IC23,33間の距離をより大きくすることによって、両IC23,33間の電気のクロストークの影響を小さくすることができる。
また、両基板2,3の裏面同士を向かい合わせて接着固定すると、両基板2,3の間には、両グランド層27,37が介在することになる。これら両グランド層27,37により、両基板2,3間のクロストーク(送受信間のクロストーク)を抑制することが可能になる。なお、両グランド層27,37は、例えば、スルーホールを介して両回路基板21,31の表面F側の配線パターン(グランドパターン)に電気的に接続され、カードエッジコネクタ4を介して、接続対象の機器のグランドに電気的に接続される。
両基板2,3を接着固定する際に用いる接着剤5としては、特に限定されるものではないが、例えば、UV硬化性樹脂、熱硬化性樹脂などを用いるとよい。
次に、送受信モジュール1の製造方法について図2を用いて説明する。
送受信モジュール1を製造する際には、まず、図2(a)に示すように、送信側回路基板21の裏面Rに送信側光導波路25を形成し、図2(b)に示すように、ダイシングによりV溝を形成して送信側ミラー26を形成する。
その後、図2(c)に示すように、送信側回路基板21の裏面R側に、スパッタリング又は真空蒸着により金属膜を形成して送信側グランド層27を形成する。なお、この送信側グランド層27は、ダイシングにより形成されたV溝内にも形成され、送信側ミラー26における反射膜の役割も兼ねることになる。
送信側グランド層27を形成した後、図2(d)に示すように、送信側回路基板21の表面Fに発光素子22とドライバIC23を実装する。その後、図2(e)に示すように、送信側光導波路25の一端部に溝25aを形成して、その溝25aに送信側光ファイバ24を挿入することで、送信側光ファイバ24を送信側回路基板21に実装する。以上により、送信側基板2が得られる。
送信側基板2を形成した後、図2(a)〜(e)で説明した同様の手順で受信側基板3を形成し、図2(f)に示すように、両基板2,3の裏面R同士を向かい合わせる。その後、図2(g)に示すように、両基板2,3を接着剤5で接着固定すると、送受信モジュール1が得られる。なお、図2(a)〜(f)では断面図を示しているが、図2(g)では側面図を示している。
以上説明したように、本実施の形態に係る送受信モジュール1では、送信側回路基板21の表面F側に、発光素子22およびドライバIC23を実装すると共に、その裏面R側に送信側ミラー26を有する送信側光導波路25を形成した送信側基板2と、受信側回路基板31の表面F側に、受光素子32およびアンプIC33を実装すると共に、その裏面R側に受信側ミラー36を有する受信側光導波路35を形成した受信側基板3とを備え、これら両基板2,3の裏面R同士を向かい合わせた状態で、両基板2,3を接着固定している。
送受信モジュール1では、発光素子22とドライバIC23を同じ平面(送信側回路基板21の表面F)に、受光素子32とアンプIC33を同じ平面(受信側回路基板31の表面F)に実装するため、光素子22,32とIC23,33の実装が容易であり、さらには、特許文献1の光モジュールのように正面から側面に回り込むような配線パターンを形成する必要がないため、製造が容易である。
また、送受信モジュール1では、特許文献1の光モジュールのような直方体状の実装部材を用いておらず、2つの基板2,3を積層した構造であるため、送受信モジュール1全体を薄くすることが可能である。よって、送受信モジュール1を小型化することができる。従来の特許文献1の光モジュールでは、光素子とICの実装を容易とすれば小型化が困難になるという問題があったが、本発明によれば、光素子22,32とIC23,33を容易に実装でき、その上、送受信モジュール1を小型化できることになる。
さらに、特許文献1の光モジュールでは、実装部材に厚みがあるので、カードエッジコネクタを使用することはできなかったが、これに対して、送受信モジュール1では、送受信モジュール1全体を薄くできるので、カードエッジコネクタを使用することが可能となる。
さらにまた、送受信モジュール1では、送信側基板2と受信側基板3を別個に形成して、その後両基板2,3を接着固定するため、ダイシング等によりミラー26,36を容易に形成することが可能である。通常、積層基板などにおいて中間層にミラーを形成することは非常に困難であるが、本実施の形態では送信側基板2と受信側基板3を別々に形成することにより、ミラー26,36を簡便に形成可能としている。
また、送受信モジュール1では、両基板2,3の間にグランド層27,37を形成しているため、両基板2,3間のクロストークを抑制することが可能である。送受信モジュール1では、送信と受信が両基板2,3に完全に分かれているので、両基板2,3間にグランド層27,37を形成することで、送受信間のクロストークを防止できる。なお、本実施の形態では、両基板2,3にグランド層27,37を形成する場合を説明したが、いずれか一方のみを形成するようにしてもよい。
さらに、送受信モジュール1では、発光素子22および送信側光導波路25を、送信側回路基板21の一の側辺側に偏らせて配置すると共に、受光素子32および受信側光導波路35を、受信側回路基板31の一の側辺側に偏らせて配置して、送信側光導波路25と受信側光導波路35とが重ならないようにしているため、送受信モジュール1をさらに薄くし、小型化を図ることが可能となる。
さらにまた、送受信モジュール1では、発光素子22および送信側ミラー26を、受光素子32および受信側ミラー36よりも、両光ファイバ24,34から離れた位置に設けているため、発光素子22からの光が漏れて受光素子32に直接受光されたり、あるいは発光素子22からの光が漏れて受信側光導波路35のコアに光結合してしまうことを防止できる。なお、本実施の形態では、発光素子22と受光素子32とを幅方向(図1(a)では上下方向)にオフセットしているが、この場合でも、オフセット量が少なければ発光素子22からの光が漏れて受光素子32に受光されてしまう場合がある。よって、発光素子22と受光素子32とをさらに長さ方向(図1(a)では左右方向)にもオフセットして、発光素子22からの光が漏れたとしても受光素子32に受光されることがないよう構成することが望ましい。
次に、本発明の他の実施の形態を説明する。
図3(a)〜(c)に示す送受信モジュール30は、図1の送受信モジュール1において、両基板2,3を接着固定した後に、光ファイバ24,34を接続するようにしたものである。
具体的には、送受信モジュール30では、送信側回路基板21の一端部に、受信側光ファイバ34を通すための切欠き28が形成され、かつ、受信側回路基板31の一端部に、送信側光ファイバ24を通すための切欠き38が形成される。
送信側光ファイバ24は、切欠き38を通して溝25a内に挿入され、送信側光導波路25と光学的に接続される。送信側光ファイバ24の上方(受信側回路基板31側、図3(b)では下側)には、送信側光ファイバ24を固定して抜けを防ぐための固定ジグ39が設けられる。
同様に、受信側光ファイバ34は、切欠き28を通して溝35a内に挿入され、受信側光導波路35と光学的に接続される。受信側光ファイバ34の上方(送信側回路基板21側、図3(c)では上側)には、受信側光ファイバ34を固定して抜けを防ぐための固定ジグ29が設けられる。
送受信モジュール30によれば、両基板2,3を接着固定した後に光ファイバ24,34を接続することができるので、両基板2,3を接着固定する際に光ファイバ24,34が邪魔になることがなく、送受信モジュール30をより容易に製造することが可能となる。
上記実施の形態では、グランド層27,37として、スパッタリング又は真空蒸着により形成された金属膜を用いたが、これに限らず、接着剤5に導電性の接着剤を用い、接着剤5が固化して形成される接着層をグランド層としてもよい。導電性の接着剤としては、例えば、銀微粒子を含むエポキシ樹脂などが挙げられる。この場合、接着剤を固化する際に加熱により銀微粒子を焼結させて、導電性を得るようにすればよい。
また、上記実施の形態では、両回路基板21,31として、発光素子22が発光する光、あるいは受光素子32が受光する光に対して透明な材料を用いたが、これに限らず、両回路基板21,31として、発光素子22が発光する光、あるいは受光素子32が受光する光に対して不透明な材料を用い、光が通る部分にスルーホールを形成するようにしてもよい。
このように、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
1 送受信モジュール
2 送信側基板
3 受信側基板
21 送信側回路基板
22 発光素子
23 ドライバIC
24 送信側光ファイバ
25 送信側光導波路
26 送信側ミラー
27 送信側グランド層
31 受信側回路基板
32 受光素子
33 アンプIC
34 受信側光ファイバ
35 受信側光導波路
36 受信側ミラー
37 受信側グランド層

Claims (7)

  1. 送信側回路基板と、該送信側回路基板の表面側に実装された発光素子およびドライバICと、前記送信側回路基板の裏面側に形成され、送信側光ファイバと光学的に接続される送信側光導波路と、該送信側光導波路に形成され、前記発光素子から出射された光の光路を90度変換して前記送信側光導波路のコアに入射する送信側ミラーと、を有する送信側基板と、
    受信側回路基板と、該受信側回路基板の表面側に実装された受光素子およびアンプICと、前記受信側回路基板の裏面側に形成され、受信側光ファイバと光学的に接続される受信側光導波路と、該受信側光導波路に形成され、前記受信側光導波路のコアを伝搬する光の光路を90度変換して前記受光素子に入射する受信側ミラーと、を有する受信側基板と、を備え、
    前記両基板の裏面同士を向かい合わせた状態で固定してなることを特徴とする送受信モジュール。
  2. 前記両基板の間には、グランド層が形成される請求項1記載の送受信モジュール。
  3. 前記グランド層は、前記送信側基板の裏面及び/又は前記受信側基板の裏面にスパッタリング又は真空蒸着により形成された金属膜からなる請求項2記載の送受信モジュール。
  4. 前記グランド層は、前記両基板を導電性の接着剤で接着固定して形成される接着層からなる請求項2記載の送受信モジュール。
  5. 前記発光素子および前記送信側光導波路を、前記送信側回路基板の一の側辺側に偏らせて配置すると共に、
    前記受光素子および前記受信側光導波路を、前記受信側回路基板の一の側辺側に偏らせて配置し、
    前記両基板の裏面同士を向かい合わせた際に、前記送信側光導波路と前記受信側光導波路とが重ならないようにされる請求項1〜4いずれかに記載の送受信モジュール。
  6. 前記発光素子および前記送信側ミラーは、前記受光素子および前記受信側ミラーよりも、前記両光ファイバから離れた位置に設けられる請求項1〜5いずれかに記載の送受信モジュール。
  7. 前記両回路基板の端部に接続端子を形成してなるカードエッジコネクタを備えた請求項1〜6いずれに記載の送受信モジュール。
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