JP5215676B2 - 可変利得増幅器 - Google Patents
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Description
I=K×(W/L)×(Vgs−Vth)2
gm=2×(I×K×W/L)1/2
先ず、第1実施形態に係る可変利得増幅器について、図2〜図4を参照して説明する。第1実施形態に係る可変利得増幅器1aは、図2に示すように、増幅回路部10が、複数の増幅回路ユニット1i(i=1〜n)を並列に配置して構成されている。各増幅回路ユニット1iは、1対の差動増幅用の増幅トランジスタQ20、Q21と電流制御トランジスタQ30を備えて構成されている。増幅トランジスタQ20、Q21と電流制御トランジスタQ30は、本実施形態では、Nチャネル型MOSFET(NMOS)で構成されているが、Pチャネル型MOSFET(PMOS)であっても構わない。各増幅回路ユニット1iの増幅トランジスタQ20、Q21は、各ドレインが夫々に共通の差動出力端子OUT、OUTBに接続し、各ゲートが夫々に共通のバイアス入力端子BIN、BINBに接続し、各ソースが同じ増幅回路ユニット1iの電流制御トランジスタQ30のドレインに接続している。また、各増幅回路ユニット1iの電流制御トランジスタQ30のゲートには、電流制御電圧調整回路5からゲート電圧である電流制御電圧Vgi(i=1〜n)が各別に入力され、ソースは接地されている。尚、バイアス入力端子BIN、BINBは、夫々、図示しないが、コンデンサを介して1対の差動入力端子に容量結合している。つまり、入力信号のAC成分だけが、バイアス電圧調整回路4からバイアス入力端子BIN、BINBに供給されるバイアス電圧Vbに重畳し、各増幅回路ユニット1iで増幅され、差動出力端子OUT、OUTBから出力される。
次に、第2実施形態に係る可変利得増幅器について、図5〜図7を参照して説明する。第2実施形態に係る可変利得増幅器1bは、図5に示すように、増幅トランジスタ回路2と、1つの電流制御トランジスタQ60とスイッチ素子S6i(i=1〜n)からなる電流経路制御回路6を備えて増幅回路部20が構成されている。また、増幅回路部20は、複数の増幅回路ユニット2i(i=1〜n)を並列に配置し、各増幅回路ユニット2i(i=1〜n)の一端を電流制御トランジスタQ60のドレインと接続した構成となっている。各増幅回路ユニット2iは、1対の差動増幅用の増幅トランジスタQ20、Q21とスイッチ素子S6iを備えて構成されている。本実施形態では、増幅トランジスタQ20、Q21と電流制御トランジスタQ60はNMOSトランジスタで構成されているが、PMOSトランジスタであっても構わない。また、電流制御トランジスタQ60は単体のトランジスタで構成されているが、複数のトランジスタのゲート、ドレイン、ソースを夫々共通に接続して実効的に単体のトランジスタとして機能するようにしても構わない。
次に、第3実施形態に係る可変利得増幅器について、図8を参照して説明する。第3実施形態に係る可変利得増幅器は、上記第1または第2実施形態に係る可変利得増幅器1aまたは1bの変形例で、上記第1または第2実施形態のバイアス電圧調整回路4または8に代えて、簡略化された回路構成のバイアス電圧調整回路90または91を使用する。
〈1〉上記第1実施形態に係る可変利得増幅器において、バイアス電圧調整回路4の各バイアス電圧調整ユニット4iのNMOSトランジスタQ41のゲートは、同じバイアス電圧調整ユニット4i内のNMOSトランジスタQ40のドレイン及びゲートに接続する回路構成であったが、これに代えて、電流制御電圧調整回路5の対応する電流制御電圧調整ユニット5iから各別に出力される電流制御電圧Vgiを入力するようにしても構わない。この場合、各バイアス電圧調整ユニット4iのNMOSトランジスタQ41が、スイッチ素子S4iとして機能するので、スイッチ素子S4iを省略することが可能となる。
2: 増幅トランジスタ回路
3、6: 電流経路制御回路
4、7、90、91: バイアス電圧調整回路
5、8: 電流制御電圧調整回路
10、20: 増幅回路部
11〜1n、21〜2n: 増幅回路ユニット
41〜4n、71〜7n: バイアス電圧調整ユニット
51〜5n、81〜8n: 電流制御電圧調整ユニット
92: 電流制御回路
200: 増幅トランジスタ回路
300: 電流経路制御回路
BIN、BINB:バイアス入力端子
C: 入力コンデンサ
IN: 入力端子
OUT、OUTB:出力端子(差動出力端子)
Q20、Q21: 増幅トランジスタ
Q30、Q60: 電流制御トランジスタ
Q40、Q41: バイアス電圧調整ユニット内のNMOSトランジスタ
Q50、Q51: 電流制御電圧調整ユニット内のNMOSトランジスタ
Q70: バイアス電圧調整回路のNMOSトランジスタ
Q71〜Q7n: バイアス電圧調整ユニット内のNMOSトランジスタ
Q80: 電流制御電圧調整回路のNMOSトランジスタ
Q81〜Q8n: 電流制御電圧調整ユニット内のNMOSトランジスタ
Q90、Q91: バイアス電圧調整回路内のNMOSトランジスタ
R: バイアス電圧入力用の抵抗
R90: 抵抗
R91: 可変抵抗
S41〜S4n: バイアス電圧調整回路のスイッチ素子
S51〜S5n: 電流制御電圧調整回路のスイッチ素子
S61〜S6n: 増幅回路ユニットのスイッチ素子
S71〜S7n: バイアス電圧調整回路のスイッチ素子
S81〜S8n: 電流制御電圧調整回路のスイッチ素子
IS1、IS2: 電流源
Vb: バイアス電圧
Vg、Vg1〜Vgn: 電流制御電圧
Voff: 電流制御トランジスタの遮断電圧
Claims (12)
- ゲートに入力する入力信号を増幅するMOSFETからなる複数の増幅トランジスタと、前記複数の増幅トランジスタに電流を供給可能なMOSFETからなる1または複数の電流制御トランジスタを備え、前記各増幅トランジスタのオンオフを切り替え制御して、前記増幅トランジスタから前記電流制御トランジスタに流れる電流経路を、オン状態の前記増幅トランジスタからオン状態の前記電流制御トランジスタに流れる電流経路に変更することで、利得が可変に構成された可変利得増幅器であって、
前記切り替え制御に応じて、前記増幅トランジスタのゲートに共通に入力するバイアス電圧を調整するバイアス電圧調整回路と、
前記1または複数の電流制御トランジスタのゲートに個別にまたは共通に入力する電流制御電圧を調整する電流制御電圧調整回路を備え、
前記バイアス電圧調整回路が、前記切り替え制御によって生じるオン状態の前記電流制御トランジスタのドレイン・ソース間の第1電圧の絶対値の変化を抑制するように、前記バイアス電圧を調整可能に構成されていることを特徴とする可変利得増幅器。 - 1つの前記増幅トランジスタと当該増幅トランジスタに電流を供給可能な1つの前記電流制御トランジスタを備えた増幅回路ユニットを複数備え、前記各増幅回路ユニットの前記電流制御トランジスタのオンオフまたは電流量を個別に制御して、前記各増幅トランジスタのオンオフを切り替え制御して前記電流経路を変更することで、前記複数の増幅回路ユニットからなる増幅回路の利得が可変に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の可変利得増幅器。
- 前記バイアス電圧調整回路は、前記増幅回路ユニットと同数の前記各増幅回路ユニットと各別に対応付けられたバイアス電圧調整ユニットを備え、前記切り替え制御に応じて活性化された前記増幅回路ユニットに対応する前記バイアス電圧調整ユニットを活性化することで、前記バイアス電圧を調整することを特徴とする請求項2に記載の可変利得増幅器。
- 前記電流制御電圧調整回路は、前記切り替え制御に応じて、前記各電流制御トランジスタのゲートに個別に入力する複数の前記電流制御電圧を各別に調整することを特徴とする請求項2または3に記載の可変利得増幅器。
- 前記電流制御電圧調整回路は、前記増幅回路ユニットと同数の前記各増幅回路ユニットと各別に対応付けられた電流制御電圧調整ユニットを備え、前記切り替え制御に応じて活性化された前記増幅回路ユニットに対応する前記電流制御電圧調整ユニットを活性化することで、活性化された前記電流制御電圧調整ユニットの夫々から対応する前記増幅回路ユニットの前記電流制御トランジスタのゲートに入力する前記電流制御電圧を各別に出力し、活性化されなかった前記電流制御電圧調整ユニットの夫々から対応する前記増幅回路ユニットの前記電流制御トランジスタのゲートに入力してオフさせる前記電流制御電圧を各別に出力することを特徴とする請求項4に記載の可変利得増幅器。
- 前記各増幅回路ユニットの前記電流制御トランジスタと、対応する前記電流制御電圧調整ユニット内のトランジスタが対になってカレントミラー回路を構成していることを特徴とする請求項5に記載の可変利得増幅器。
- 前記電流制御電圧調整回路は、前記切り替え制御の状態に関係なく、前記各電流制御トランジスタの電流値の総和が一定となるように、前記電流制御電圧を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項4〜6の何れか1項に記載の可変利得増幅器。
- 1つの前記増幅トランジスタと、前記1または複数の電流制御トランジスタと前記1つの増幅トランジスタとの間の電気的接続を制御するスイッチ素子を備えた増幅回路ユニットを複数備え、
前記各増幅回路ユニットの前記スイッチ素子のオンオフを個別に制御して、前記各増幅トランジスタのオンオフを切り替え制御して前記電流経路を変更することで、前記複数の増幅回路ユニットと前記1または複数の電流制御トランジスタからなる増幅回路の利得が可変に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の可変利得増幅器。 - 前記バイアス電圧調整回路は、前記増幅回路ユニットと同数の前記各増幅回路ユニットと各別に対応付けられたバイアス電圧調整ユニットと、前記バイアス電圧調整ユニットの夫々に電流供給するMOSFETとを備え、前記切り替え制御に応じて活性化された前記増幅回路ユニットに対応する前記バイアス電圧調整ユニットを活性化することで、前記バイアス電圧を調整することを特徴とする請求項8に記載の可変利得増幅器。
- 前記増幅回路ユニットと同数の前記各増幅回路ユニットと各別に対応付けられた電流制御電圧調整ユニットと、前記電流制御電圧調整ユニットの夫々に電流供給するMOSFETとを備え、前記電流制御電圧調整回路が、前記切り替え制御に応じて活性化された前記増幅回路ユニットに対応する前記電流制御電圧調整ユニットを活性化することで、前記1または複数の電流制御トランジスタのゲートに共通に入力する前記電流制御電圧を調整することを特徴とする請求項8または9に記載の可変利得増幅器。
- 前記1または複数の電流制御トランジスタと、前記電流制御電圧調整回路内の前記電流制御電圧調整ユニットの夫々に電流供給するMOSFETが対になってカレントミラー回路を構成していることを特徴とする請求項10に記載の可変利得増幅器。
- 前記電流制御電圧調整回路は、前記切り替え制御の状態に関係なく、前記1または複数の電流制御トランジスタの電流値の総和が一定となるように、前記電流制御電圧を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項10または11に記載の可変利得増幅器。
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