JP5212219B2 - 光導波路構造体、光電気混載基板および電子機器 - Google Patents
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Description
・基板と光導波路とが直接接触しているため、光導波路が基板の表面状態(表面粗さ)の影響を受け、光伝送特性が悪化する。
・基板と光導波路との熱膨張率差に伴って、基板と光導波路との剥離が生じる。
(1) 長尺状のコア部と、該コア部の側面を覆うように設けられたクラッド部とを備える光導波路層と、
該光導波路層の一方の面側に設けられた支持層と、
前記光導波路層と前記支持層との間に設けられた中間層と、を有する光導波路構造体であって、
前記中間層は、ガラス転移温度200℃以上の樹脂材料で構成された平均厚さ10〜300μmの樹脂層と、該樹脂層と前記支持層とを接着する接着層とを有するものであり、
前記中間層は、前記支持層の前記中間層側の面の凹凸を緩和して、前記中間層の前記光導波路側の面を平滑化する機能を有するものであることを特徴とする光導波路構造体。
該光導波路層の一方の面側に設けられた支持層と、
前記光導波路層と前記支持層との間に設けられた中間層と、を有する光導波路構造体であって、
前記中間層は、ガラス転移温度200℃以上の樹脂材料で構成された平均厚さ10〜300μmの樹脂層と、該樹脂層と前記支持層とを接着する接着層とを有するものであり、
前記中間層は、前記支持層が前記接着層から剥離された後、前記接着層を他の支持基板に密着させるよう用いられることにより、前記他の支持基板の前記中間層側の面の凹凸を緩和して、前記中間層の前記光導波路側の面を平滑化する機能を有するものであることを特徴とする光導波路構造体。
該支持基板上に積層された、上記(1)または(2)に記載の光導波路構造体と、を有することを特徴とする光電気混載基板。
該支持基板上に積層された、上記(3)に記載の光導波路構造体から前記支持層を剥離して残る前記光導波路層および前記中間層と、を有することを特徴とする光電気混載基板。
まず、本発明の光導波路構造体および光電気混載基板の第1実施形態について説明する。
光導波路6は、図1中の下側からクラッド層(下部クラッド層)61、コア層63およびクラッド層62(上部クラッド層)62をこの順で積層してなるものであり、コア層63には、長尺状のコア部64と、このコア部64に隣接する側面クラッド部65とが形成されている。図1に示す光導波路6には、並列する2つのコア部64と並列する3つの側面クラッド部65とが交互に設けられている。これにより、各コア部64は、側面クラッド部65および各クラッド層61、62で囲まれた状態となる。なお、図1に示す各コア部64には密なドットを付し、各側面クラッド部65には疎なドットを付している。
屈折率差(%)=|A/B−1|×100
また、図1に示す構成では、コア部64は、平面視で直線状に形成されているが、途中で湾曲、分岐等してもよく、その形状は任意である。
このような接着層5の構成材料は、前述した接着層3の構成材料から選択されるが、これらは互いに同様であっても異なっていてもよい。
カバーフィルム7は、光導波路6を保護するとともに、光導波路6を上方から支持するものである。これにより、汚れや傷などから光導波路6が保護され、光導波路構造体1の信頼性および機械的特性を高めることができる。
次に、本発明の光導波路構造体の第2実施形態について説明する。
次に、本発明の光導波路構造体および光電気混載基板の第3実施形態について説明する。
さらに、カバーフィルム7は、必要に応じて設ければよく、省略することもできる。
2 支持フィルム
3、5、13 接着層
4 中間層
40 樹脂層
6 光導波路
61、62 クラッド層
63 コア層
64 コア部
65 側面クラッド部
66 ミラー
661 凹部
7、8 カバーフィルム
9 導電層
10 光電気混載基板
11 回路基板
12 電気配線パターン
Claims (11)
- 長尺状のコア部と、該コア部の側面を覆うように設けられたクラッド部とを備える光導波路層と、
該光導波路層の一方の面側に設けられた支持層と、
前記光導波路層と前記支持層との間に設けられた中間層と、を有する光導波路構造体であって、
前記中間層は、ガラス転移温度200℃以上の樹脂材料で構成された平均厚さ10〜300μmの樹脂層と、該樹脂層と前記支持層とを接着する接着層とを有するものであり、
前記中間層は、前記支持層の前記中間層側の面の凹凸を緩和して、前記中間層の前記光導波路側の面を平滑化する機能を有するものであることを特徴とする光導波路構造体。 - 前記支持層は、電気配線パターンを構成する導電層である請求項1に記載の光導波路構造体。
- 長尺状のコア部と、該コア部の側面を覆うように設けられたクラッド部とを備える光導波路層と、
該光導波路層の一方の面側に設けられた支持層と、
前記光導波路層と前記支持層との間に設けられた中間層と、を有する光導波路構造体であって、
前記中間層は、ガラス転移温度200℃以上の樹脂材料で構成された平均厚さ10〜300μmの樹脂層と、該樹脂層と前記支持層とを接着する接着層とを有するものであり、
前記中間層は、前記支持層が前記接着層から剥離された後、前記接着層を他の支持基板に密着させるよう用いられることにより、前記他の支持基板の前記中間層側の面の凹凸を緩和して、前記中間層の前記光導波路側の面を平滑化する機能を有するものであることを特徴とする光導波路構造体。 - 前記樹脂材料は、ポリエーテルスルホン、ポリイミドおよびポリフェニレンオキシドのいずれかである請求項1ないし3のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 前記樹脂層の熱膨張係数は、1×10−5〜7×10−5/℃である請求項1ないし4のいずれかに記載の光導波路構造体。
- 電気配線パターンを備える支持基板と、
該支持基板上に積層された、請求項1または2に記載の光導波路構造体と、を有することを特徴とする光電気混載基板。 - 電気配線パターンを備える支持基板と、
該支持基板上に積層された、請求項3に記載の光導波路構造体から前記支持層を剥離して残る前記光導波路層および前記中間層と、を有することを特徴とする光電気混載基板。 - 前記樹脂層の熱膨張係数は、前記支持基板の熱膨張係数より大きく、前記光導波路層の熱膨張係数より小さい請求項6または7に記載の光電気混載基板。
- 前記支持基板は、有機系基材またはセラミックス系基材である請求項6ないし8のいずれかに記載の光電気混載基板。
- 前記中間層の前記光導波路側の面の平均表面粗さRaは、2μm未満である請求項6ないし9のいずれかに記載の光電気混載基板。
- 請求項6ないし10のいずれかに記載の光電気混載基板を備えたことを特徴とする電子機器。
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