JP5211072B2 - 固体撮像装置の駆動方法 - Google Patents
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Description
図1は本実施の形態の固体撮像装置の概略構成を示す図である。
本実施の形態の固体撮像装置は、転送電極V1〜V6に駆動パルスを供給する配線がシャント配線構造を有するという点で第1の実施の形態と異なる。すなわち、本実施の形態の固体撮像装置では、垂直CCD上に設けられ、垂直CCDの垂直電荷転送路(VCCD)への光の入射を防止する遮光膜が導電性遮光膜とされ、垂直CCDの転送電極に駆動パルスを供給するための配線として機能している。
上述した実施の形態では、垂直CCDの転送電極(垂直転送電極)が6相構造の固体撮像素子の場合について説明したが、垂直転送電極が12相構造の固体撮像素子でも6相構造の固体撮像素子と同様の効果を得ることが出来る。
110 クロックドライバ(VDr)
120 前処理部(CDS/AGC)
130 デジタル信号処理部(DSP)
140 タイミングジェネレータ(TG)
210、460、524 フォトダイオード
220、470、525 垂直CCD
230 水平CCD
240 出力アンプ
300a、300b、300c、440、473a、473b、473c 導電性遮光膜
320、450、474 コンタクト
330、473 遮光膜
400 周辺配線
410 φV電極
430 撮像領域
471、471a、471b、471c、523C 転送電極
472 ゲート絶縁膜
528 チャネルストップ
Claims (16)
- 行列状に配置された複数のフォトダイオードと、前記複数のフォトダイオードの列毎に設けられ、複数の転送電極を有する複数の垂直転送手段とを備える固体撮像装置の駆動方法であって、
前記複数の転送電極のうちの、前記フォトダイオードからの信号電荷の読み出しと、前記読み出された信号電荷の列方向への転送とを行う読み出し電極のうちの所定の読み出し電極を第1電位とすることにより、前記フォトダイオードから信号電荷を読み出す読み出しステップと、
前記第1電位よりも低い第2電位と前記第2電位よりも低い第3電位とを持つ駆動パルスを前記複数の転送電極に印加することにより、前記読み出された信号電荷を列方向に転送する転送ステップとを含み、
前記読み出しステップでは、前記所定の読み出し電極に前記第1電位が印加されている間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極、及び前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を変化させる
ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 前記転送ステップでは、前記複数の転送電極に5相以上の駆動パルスが印加される
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記転送電極が12相の垂直CCDで構成されており、
前記転送ステップでは、静止画を撮影する駆動モードでは12相の駆動パルスを印加することにより前記転送電極を駆動し、画素混合を行う一部のモードでは6相の駆動パルスを印加することにより前記転送電極を駆動する
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出しステップでは、前記信号電荷が読み出される間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極、及び前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を前記第1電位の逆極性の電位に変化させる
ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出しステップでは、前記信号電荷が読み出される間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を変化させた後、前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極の電位を変化させる
ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出しステップでは、前記信号電荷が読み出される間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極、及び前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を同時に前記第1電位の逆極性に変化させる
ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出しステップでは、前記信号電荷が読み出される間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極、及び前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を前記第1電位の逆極性の電位に変化させる
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出しステップでは、前記信号電荷が読み出される間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を変化させた後、前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極の電位を変化させる
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出しステップでは、前記信号電荷が読み出される間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極、及び前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を同時に前記第1電位の逆極性に変化させる
ことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記転送電極が12相の垂直CCDで構成されており、
前記転送ステップでは、静止画を撮影する駆動モードでは12相の駆動パルスを印加することにより前記転送電極を駆動し、画素混合を行う一部のモードでは6相の駆動パルスを印加することにより前記転送電極を駆動する
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出しステップでは、前記信号電荷が読み出される間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極、及び前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を前記第1電位の逆極性の電位に変化させる
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出しステップでは、前記信号電荷が読み出される間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を変化させた後、前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極の電位を変化させる
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出しステップでは、前記信号電荷が読み出される間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2電位とし、かつ前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極、及び前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を同時に前記第1電位の逆極性に変化させる
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 前記読み出し電極は、該読み出し電極に隣接する2つの転送電極よりも大きな面積を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置の駆動方法。 - 行列状に配置された複数のフォトダイオードと、
前記複数のフォトダイオードの列毎に設けられ、複数の転送電極を有する複数の垂直転送手段と、
前記複数の転送電極のうちの、前記フォトダイオードからの信号電荷の読み出しと、前記読み出された信号電荷の列方向への転送とを行う読み出し電極のうちの所定の読み出し電極を第1電位とすることにより、前記フォトダイオードから信号電荷を読み出し、前記第1電位よりも低い第2電位と前記第2電位よりも低い第3電位とを持つ駆動パルスを前記複数の転送電極に印加することにより、前記読み出された信号電荷を列方向に転送し、前記信号電荷の読み出しでは、前記所定の読み出し電極に第1電位が印加されている間は、前記所定の読み出し電極に隣接する転送電極の一方は前記第2の電位とし、かつ前記所定の読み出し電極に隣接する他方の転送電極、及び前記所定の読み出し電極以外の読み出し電極の電位を第2電位から第3電位又は第3電位から第2電位に変化させる転送制御手段とを備える
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記読み出し電極は、該読み出し電極に隣接する2つの転送電極よりも大きな面積を有する
ことを特徴とする請求項15に記載の固体撮像装置。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001016510A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置とその駆動方法、およびこれを用いたカメラ |
JP2003179813A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置とそのスミア補正方法並びにデジタルスチルカメラ |
JP2006324907A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像装置 |
JP2008311970A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Panasonic Corp | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2950317B2 (ja) * | 1998-02-18 | 1999-09-20 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
JPH11330448A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-11-30 | Nec Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001016510A (ja) * | 1999-04-26 | 2001-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置とその駆動方法、およびこれを用いたカメラ |
JP2003179813A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置とそのスミア補正方法並びにデジタルスチルカメラ |
JP2006324907A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像装置 |
JP2008311970A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Panasonic Corp | 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置 |
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