JP5210484B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
12…半導体基板 14…カソード電極
16…ゲート電極 18…アノード電極
20…ランド 22…グルーブ
24…カソード領域 26…ゲート領域
28…絶縁膜 30…層間絶縁膜
32…接続電極 36…チャネル領域
Claims (2)
- 一主面に2以上のランドと1以上のグルーブとを有し、且つ、各前記ランドの表面部に第1導電型半導体領域が形成され、前記グルーブの底部に第2導電型半導体領域が形成された半導体基板と、
前記グルーブの底部から前記ランドの上面にかけて形成された絶縁膜と、
前記グルーブに形成され、前記絶縁膜のうち、前記グルーブの底部に形成された第1窓を通じて前記第2導電型半導体領域と接続される第1の電極と、
各前記ランドの上面に形成され、前記絶縁膜のうち、各前記ランドの上面に形成された第2窓を通じて前記第1導電型半導体領域と接続される2以上の第2の電極と、
前記第2の電極の側面及び上面と前記第1の電極と前記絶縁膜とを覆うように形成された層間絶縁膜と、
各前記第2の電極の上面と前記層間絶縁膜とを覆うように形成され、前記層間絶縁膜のうち、各前記第2の電極の上面に形成された第3窓を通じて各前記第2の電極を電気的に接続する第3の電極とを有し、
前記グルーブの側壁と前記第1の電極との間に前記絶縁膜のみが介在し、
前記層間絶縁膜は同一材料で形成され、
前記第1の電極の上面の位置が前記ランドの上面の位置と一致していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第1の電極が静電誘導形サイリスタのゲート電極であり、
前記第2の電極がカソード電極であり、
前記第3の電極が2以上の前記カソード電極を電気的に接続する接続電極であり、
さらに、前記半導体基板の他主面にアノード電極が形成され、
前記半導体基板のうち、前記ランドに形成された前記カソード電極と前記アノード電極間の領域がチャンネル領域を形成することを特徴とする半導体装置。
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