JP5201431B1 - 圧延銅箔 - Google Patents

Abstract

【課題】高い耐屈曲性とともに優れた耐折り曲げ性を具備させる。
【解決手段】主表面に平行な複数の結晶面には｛０２２｝面、｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面が含まれ、主表面に対する２θ／θ法を用いたＸ線回折測定から求められ、合計値が１００となるように換算された各結晶面の回折ピーク強度比が、Ｉ_{｛０２２｝}＋Ｉ_{｛００２｝}≧７５であり、｛０２２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、｛１３３｝面、及び｛００２｝面を有する粉末銅の、合計値が１００となるように換算された回折ピーク強度比に対する各結晶面の回折ピーク強度比、および回折ピークの半価幅が、［（Ｉ_{｛１１３｝}／Ｉ_{０｛１１３｝}）×ＦＷＨＭ_{｛１１３｝}］＋［（Ｉ_{｛１１１｝}／Ｉ_{０｛１１１｝}）×ＦＷＨＭ_{｛１１１｝}］＋［（Ｉ_{｛１３３｝}／Ｉ_{０｛１３３｝}）×ＦＷＨＭ_{｛１３３｝}］≦１．５であり、主表面の十点平均粗さ≦１．２μｍである。
【選択図】図１

Description

本発明は、圧延銅箔に関し、特に、フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔に関する。

フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）は、薄くて可撓性に優れることから、電子機器等への実装形態における自由度が高い。そのため、ＦＰＣは、折り畳み式携帯電話の折り曲げ部やデジタルカメラ、プリンタヘッド等の可動部、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ：Hard Disk Drive）等のほか、デジタルバーサタイルディ
スク（ＤＶＤ：Digital Versatile Disk）やコンパクトディスク（ＣＤ：Compact Disk）等のディスク関連機器の可動部の配線等に用いられることが多い。したがって、ＦＰＣやその配線材として用いられる圧延銅箔には、高屈曲特性、つまり、繰り返しの曲げに耐える優れた耐屈曲性が要求されてきた。

ＦＰＣ用の圧延銅箔は、熱間圧延、冷間圧延等の工程を経て製造される。圧延銅箔は、その後のＦＰＣの製造工程において、接着剤を介し或いは直接的に、ポリイミド等の樹脂からなるＦＰＣのベースフィルム（基材）と加熱等により貼り合わされる。基材上の圧延銅箔は、エッチング等の表面加工を施されて配線となる。圧延銅箔の耐屈曲性は、圧延されて硬化した冷間圧延後の硬質な状態よりも、再結晶により軟化した焼鈍後の状態の方が著しく向上する。そこで、例えば上述のＦＰＣの製造工程においては、冷間圧延後の圧延銅箔を用いて伸びやしわ等の変形を避けつつ圧延銅箔を裁断し、基材上に重ね合わせる。その後、圧延銅箔の再結晶焼鈍も兼ねて加熱することにより、圧延銅箔と基材とを密着させ一体化する。

上述のＦＰＣの製造工程を前提として、耐屈曲性に優れた圧延銅箔やその製造方法についてこれまでに種々の研究がなされ、圧延銅箔の表面に立方体方位である｛００２｝面（{２００}面）が発達するほど耐屈曲性が向上することが数多く報告されている。

そこで、例えば、特許文献１では、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、再結晶粒の平均粒径が５μｍ〜２０μｍになる条件下で行う。また、最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とする。これにより、再結晶組織となるよう調質された状態において、圧延面のＸ線回折で求めた｛２００｝面の強度をＩとし、微粉末銅のＸ線回折で求めた｛２００｝面の強度をＩ_０としたとき、Ｉ／Ｉ_０＞２０である立方体集合組織を得る。

また、例えば、特許文献２では、最終冷間圧延前の立方体集合組織の発達度を高め、最終冷間圧延での加工度を９３％以上とする。更に再結晶焼鈍を施すことにより、｛２００｝面の積分強度がＩ／Ｉ_０≧４０の、立方体集合組織が著しく発達した圧延銅箔を得る。

また、例えば、特許文献３では、最終冷間圧延工程における総加工度を９４％以上とし、かつ１パスあたりの加工度を１５％〜５０％に制御する。これにより、再結晶焼鈍後には、所定の結晶粒配向状態が得られる。つまり、Ｘ線回折極点図測定により得られる圧延面の{２００}面に対する{１１１}面の面内配向度Δβが１０°以下となる。また、圧延面における立方体集合組織である{２００}面の規格化した回折ピーク強度［ａ］と{２００}面の双晶関係にある結晶領域の規格化した回折ピーク強度［ｂ］との比が、［ａ］/［ｂ
］≧３となる。

このように、従来技術では、最終冷間圧延工程の総加工度を高くすることで、再結晶焼
鈍工程後に圧延銅箔の立方体集合組織を発達させて耐屈曲性の向上を図っている。

特許第３００９３８３号公報 特許第３８５６６１６号公報 特許第４２８５５２６号公報

一方、近年では、電子機器の小型化や薄型化に伴い、小スペースへＦＰＣを折り曲げて組み込むことが多くなってきている。特に、スマートフォン等のパネル部分では、配線の形成されたＦＰＣが１８０°に折り曲げられて組み込まれることもある。このため、圧延銅箔に対し、小さな曲げ半径を許容する耐折り曲げ性の要求が高まってきている。

このように、用途等の違いに応じて、繰り返しの曲げに耐える耐屈曲性と、小さな曲げ半径に耐える耐折り曲げ性と、の異なる要求が生じ得る。これらの異なる要求に応えるため、従来は、それぞれの用途ごとに、異なる特性の圧延銅箔を分けて製造していた。しかしながら、このような状況は生産性の面から効率的とはいえず、採算性が悪いという課題があった。

本発明の目的は、再結晶焼鈍工程後に、高い耐屈曲性とともに優れた耐折り曲げ性を具備させることが可能な圧延銅箔を提供することである。このように、両特性を兼ね備える圧延銅箔が実現可能となれば、耐屈曲性を重視する用途と耐折り曲げ性を重視する用途とのどちらへも適用可能となる。よって、生産効率を著しく向上させることができる。

本発明の第１の態様によれば、
主表面を備え、前記主表面に平行な複数の結晶面を有する最終冷間圧延工程後、再結晶焼鈍工程前の圧延銅箔であって、
前記圧延銅箔は、純銅又は希薄銅合金からなり、
前記複数の結晶面には｛０２２｝面、｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面が含まれ、
前記主表面に対する２θ／θ法を用いたＸ線回折測定から求められ、合計値が１００となるように換算された前記各結晶面の回折ピーク強度比をそれぞれＩ_[022]、Ｉ_[002]、Ｉ_[113]、Ｉ_[111]、及びＩ_[133]としたとき、
Ｉ_[022]＋Ｉ_[002]≧７５であり、
｛０２２｝面、｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面を有する粉末銅についてのＪＣＰＤＳカード又はＩＣＤＤカードに記載の前記各結晶面の標準的な回折ピークの相対強度から求められ、合計値が１００となるように換算された前記各結晶面の回折ピーク強度比のうち、前記｛１１３｝面、前記｛１１１｝面、及び前記｛１３３｝面の回折ピーク強度比をそれぞれＩ_0[113]、Ｉ_0[111]、及びＩ_0[133]とし、
前記主表面に対する前記Ｘ線回折測定から求められる前記｛１１３｝面、前記｛１１１｝面、及び前記｛１３３｝面の回折ピークの半価幅をそれぞれＦＷＨＭ_[113]、ＦＷＨＭ_[111]、及びＦＷＨＭ_[133]としたとき、
［（Ｉ_[113]／Ｉ_0[113]）×ＦＷＨＭ_[113]］＋［（Ｉ_[111]／Ｉ_0[111]）×ＦＷＨＭ_[111]］＋［（Ｉ_[133]／Ｉ_0[133]）×ＦＷＨＭ_[133]］≦１．５であり、
前記主表面の十点平均粗さによる表面粗さが、
十点平均粗さ≦１．２μｍである
圧延銅箔が提供される。

本発明の第２の態様によれば、
ＪＩＳ Ｃ１０２０に規定の無酸素銅、又はＪＩＳ Ｃ１１００に規定のタフピッチ銅を主成分とする
第１の態様に記載の圧延銅箔が提供される。

本発明の第３の態様によれば、
銀、硼素、チタン、錫の少なくともいずれかが添加されている
第１又は第２の態様に記載の圧延銅箔が提供される。

本発明の第４の態様によれば、
総加工度が９０％以上の前記最終冷間圧延工程により厚さが２０μｍ以下となっている第１〜第３の態様のいずれかに記載の圧延銅箔が提供される。

本発明の第５の態様によれば、
フレキシブルプリント配線板用である
第１〜第４の態様のいずれかに記載の圧延銅箔が提供される。

本発明によれば、再結晶焼鈍工程後に、高い耐屈曲性とともに優れた耐折り曲げ性を具備させることが可能な圧延銅箔が提供される。

本発明の一実施形態に係る圧延銅箔の製造工程を示すフロー図である。 ２θ／θ法を用いたＸ線回折の測定結果であって、（ａ）は本発明の実施例２に係る圧延銅箔のＸ線回折チャートであり、（ｂ）は比較例２に係る圧延銅箔のＸ線回折チャートであり、（ｃ）は比較例１１に係る圧延銅箔のＸ線回折チャートである。 本発明の実施例に係る圧延銅箔の耐屈曲性を測定する摺動屈曲試験装置の模式図である。 本発明の実施例に係る圧延銅箔の耐折り曲げ性の試験方法の概要を示す図である。 純銅型金属の逆極点図であって、（ａ）は引張変形による結晶回転方向を示す逆極点図であり、（ｂ）は圧縮変形による結晶回転方向を示す逆極点図である。 最終冷間圧延工程後、再結晶焼鈍工程前の圧延銅箔の結晶方位を示す逆極点図である。

＜本発明者等が得た知見＞
上述のように、ＦＰＣ用途で求められる優れた耐屈曲性の圧延銅箔を得るには、圧延面の立方体方位を発達させるほど良い。本発明者等も、立方体方位の占有率を増大させるべく種々の実験を行ってきた。そして、それまでの実験結果から、最終冷間圧延工程後に存在していた｛０２２｝面が、その後の再結晶焼鈍工程によって再結晶に調質されると、｛００２｝面、すなわち立方体方位となることを確認した。つまり、最終冷間圧延工程後、再結晶焼鈍工程前においては、｛０２２｝面が主方位となっていることが好ましい。

一方、上述の特許文献１〜３に記載があるように、また、本発明者等が試みたように、立方体集合組織を多く発現させたとしても、多結晶構造をとる圧延銅箔において立方体集合組織である｛００２｝面が１００％を占めることはない。これは再結晶焼鈍工程前でも同じであり、再結晶焼鈍工程前の状態では主方位である｛０２２｝面や、再結晶前後に結
晶方位の保たれる｛００２｝面以外にも、｛１１３｝面、｛１１１｝面、｛１３３｝面等の副方位の結晶面が制御されることなく複数混在する。そして、これらの複数の結晶面を有する結晶粒は、圧延銅箔の諸特性に種々の影響を及ぼすと考えられる。そこで、本発明者等は、これまで不要とされてきた副方位の結晶面に着目し、主方位の占有率を減少させることなく高い耐屈曲性を維持しながら、これら副方位の結晶面によって圧延銅箔の特性を更に高めることができないかを検討してきた。

係る検討において、本発明者等は、｛１１３｝面、｛１１１｝面、｛１３３｝面等の副方位を含む各結晶面の、圧延銅箔の主表面における回折ピークの解析を進めた。回折ピークは各副方位の存在を示し、その強度比から各副方位の占有率を知ることができる。このような鋭意研究の結果、本発明者等は、係る回折ピークの状態を様々に規定し、これらを制御することで、主方位の｛０２２｝面の制御によって所定の耐屈曲性が既に得られている状況下であっても、耐屈曲性を更に向上させることができることを見いだした。

また、これと併せて、本発明者等は、ＦＰＣ用途で求められる耐折り曲げ性の高い圧延銅箔を得るべく、鋭意研究を行った。その結果、耐折り曲げ性には、圧延銅箔の主表面の結晶方位のみならず、凹凸の状態が大きく影響していることを見いだした。

本発明は、発明者等が見いだしたこれらの知見に基づくものである。

＜本発明の一実施形態＞
（１）圧延銅箔の構成
まずは、本発明の一実施形態に係る圧延銅箔の結晶構造等の構成について説明する。

（圧延銅箔の概要）
本実施形態に係る圧延銅箔は、例えば主表面としての圧延面を備える板状に構成されている。この圧延銅箔は、例えば無酸素銅（ＯＦＣ：Oxygen-Free Copper）やタフピッチ銅等の純銅を原材料とする鋳塊に、後述の熱間圧延工程や冷間圧延工程等を施し所定厚さとした、最終冷間圧延工程後、再結晶焼鈍工程前の圧延銅箔である。

本実施形態に係る圧延銅箔は、例えばＦＰＣの可撓性の配線材用途に用いられるよう構成されている。すなわち、総加工度が９０％以上、より好ましくは９４％以上の最終冷間圧延工程により厚さが２０μｍ以下に構成されている。係る圧延銅箔は、この後、上述のように、例えばＦＰＣの基材との貼り合わせの工程を兼ねて再結晶焼鈍工程が施され、再結晶することにより優れた耐屈曲性を具備させることが企図されている。

原材料となる無酸素銅は、例えばＪＩＳ Ｃ１０２０，Ｈ３１００等に規定の純度が９９．９６％以上の銅材である。酸素含有量は完全にゼロでなくともよく、例えば数ｐｐｍ程度の酸素が含まれていてもよい。また、タフピッチ銅は、例えばＪＩＳ Ｃ１１００，Ｈ３１００等に規定の純度が９９．９％以上の銅材である。タフピッチ銅の場合、酸素含有量は例えば１００ｐｐｍ〜６００ｐｐｍ程度である。これらの銅材に銀（Ａｇ）等の所定の添加材を微量に加えて希薄銅合金とし、耐熱性等の諸特性が調整された圧延銅箔とする場合もある。本実施形態に係る圧延銅箔には純銅と希薄銅合金との両方を含むことができ、原材料の銅材質や添加材による本実施形態の効果への影響はほとんど生じない。

最終冷間圧延工程における総加工度は、最終冷間圧延工程前の加工対象物（銅の板材）の厚さをＴ_Ｂとし、最終冷間圧延工程後の加工対象物の厚さをＴ_Ａとすると、総加工度（％）＝［（Ｔ_Ｂ−Ｔ_Ａ）／Ｔ_Ｂ］×１００で表わされる。総加工度を９０％以上、より好ましくは９４％以上とすることで、耐屈曲性に優れる圧延銅箔が得られる。

（圧延面の結晶構造）
また、本実施形態に係る圧延銅箔は、圧延面に平行な複数の結晶面を有している。具体的には、最終冷間圧延工程後、再結晶焼鈍工程前の状態で、複数の結晶面には、｛０２２｝面、｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面が含まれる。｛０２２｝面は圧延面における主方位となっており、その他の各結晶面は副方位である。

上述のように、係る各結晶面の状態は、各結晶面について測定される回折ピーク強度等の状態を様々に規定した比例関係式によって制御される。各結晶面の回折ピーク強度は、圧延銅箔の圧延面に対する２θ／θ法を用いたＸ線回折測定から求めることができる。

このＸ線回折により測定した上述の５つの結晶面の回折ピーク強度を合計値が１００となるような比に換算したものが、各結晶面の回折ピーク強度比である。係る回折ピーク強度比は、圧延面における各結晶面の占有率に略等しい。

各結晶面の回折ピーク強度から、代表として｛０２２｝面の回折ピーク強度比を求める換算式（Ａ）を以下に示す。ここで、各結晶面の回折ピーク強度比をそれぞれＩ_{｛０２２｝}、Ｉ_{｛００２｝}、Ｉ_{｛１１３｝}、Ｉ_{｛１１１｝}、及びＩ_{｛１３３｝}とし、各結晶面の回折ピーク強度をそれぞれＩ’_{｛０２２｝}、Ｉ’_{｛００２｝}、Ｉ’_{｛１１３｝}、Ｉ’_{｛１１１｝}、及びＩ’_{｛１３３｝}とする。

本実施形態に係る圧延銅箔において、｛０２２｝面および｛００２｝面の回折ピーク強度比は、例えば以下の式（１）が成り立つ関係にある。

Ｉ_{｛０２２｝}＋Ｉ_{｛００２｝}≧７５・・・（１）

また、他の結晶面である｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面の各回折ピークの状態については、以下のように、銅の標準的な回折ピーク強度比および各回折ピークの半価幅を用いて規定することができる。

銅の標準的な回折ピークとしては、例えば、｛０２２｝面、｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面を有する粉末銅の回折ピークが挙げられる。例えばＪＣＰＤＳ（Joint Committee for Powder Diffraction Standards）カード（カード番号：４０８３６）、又はＩＣＤＤ（International Center for Diffraction Data）カード
には、係る回折ピークの相対強度が記載されている。

これら５つの結晶面の標準的な回折ピークの相対強度を合計値が１００となるような比に換算し直し、粉末銅について各結晶面の回折ピーク強度比を求め、これを上述の圧延銅箔の各結晶面の回折ピーク強度比に対する基準値とすることができる。

粉末銅の各結晶面の回折ピークの相対強度から、代表として｛１１３｝面の回折ピーク強度比を求める換算式（Ｂ）を以下に示す。ここで、粉末銅における各結晶面の回折ピーク強度比をそれぞれＩ_{０｛０２２｝}、Ｉ_{０｛００２｝}、Ｉ_{０｛１１３｝}、Ｉ_{０｛１１１｝}、及びＩ_{０｛１３３｝}とし、各結晶面の回折ピーク強度をそれぞれＩ_０’_{｛０２２｝}、Ｉ_０’_{｛００２｝}、Ｉ_０’_{｛１１３｝}、Ｉ_０’_{｛１１１｝}、及びＩ_０’_{｛１３３｝}とする。

更に上述の圧延銅箔の｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面の回折ピークの半価幅（半値幅ともいう：Full Width at Half Maximum）をそれぞれＦＷＨＭ_{｛１１３｝}、ＦＷＨＭ_{｛１１１｝}、及びＦＷＨＭ_{｛１３３｝}とした場合、上述の式（１）を満たしたうえで、更に、例えば以下の式（２）が成り立つ関係にある。

［（Ｉ_{｛１１３｝}／Ｉ_{０｛１１３｝}）×ＦＷＨＭ_{｛１１３｝}］＋［（Ｉ_{｛１１１｝}／Ｉ_{０｛１１１｝}）×ＦＷＨＭ_{｛１１１｝}］＋［（Ｉ_{｛１３３｝}／Ｉ_{０｛１３３｝}）×ＦＷＨＭ_{｛１３３｝}］≦１．５・・・（２）

以上により、本実施形態に係る圧延銅箔は、再結晶焼鈍工程後には、繰り返しの曲げに耐える高い耐屈曲性を具備するよう構成される。

（圧延面の表面粗さ）
本実施形態に係る圧延銅箔は、上述の構成に加え、更に以下の構成を備える。すなわち、本実施形態に係る圧延銅箔の圧延面は、十点平均粗さで以下の表面粗さを備える。

十点平均粗さ≦１．２μｍ・・・（３）

なお、ここでいう十点平均粗さとは、ＪＩＳ規格により規定される表面粗さの１つであり、粗さ測定によって得られた粗さ曲線から求められる。つまり、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜き取る。この抜き取り部分の平均線から縦倍率の方向に所定数の山頂と谷底とを測定する。このとき、最も高い山頂から５番目までの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番目までの谷底の標高の絶対値の平均値との和を求める。これらの平均値の和をマイクロメートル（μｍ）で表わしたものが十点平均粗さである。

つまり、ここでいう十点平均粗さとは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１の規定によれば、十点平均粗さＲｚｊｉｓのことである。但し、ＪＩＳ規格で各々定義される表面粗さの表示記号には変遷がみられ、いささか混同が生じ易い。よって、本明細書においては、Ｒｚｊｉｓの表示記号は用いず、単に「十点平均粗さ」とだけ記す。

以上により、本実施形態に係る圧延銅箔は、再結晶焼鈍工程後には、繰り返しの曲げに耐える高い耐屈曲性とともに、小さな曲げ半径に耐える優れた耐折り曲げ性を具備するよう構成される。

（圧延銅箔が備える特性）
以上のような結晶構造や表面粗さを備えることで、圧延銅箔が備えることとなる特性について以下に説明する。

上述のように、再結晶焼鈍工程前の｛０２２｝面は再結晶焼鈍工程後に｛００２｝面へと変化し、再結晶焼鈍工程前の｛００２｝面は再結晶焼鈍工程後もそのまま残存することで、圧延銅箔の耐屈曲性を向上させる。また、再結晶焼鈍工程の際、｛００２｝面は、自身の結晶方位は変化しないものの、種結晶となって、｛０２２｝面が｛００２｝面へと変化し成長することを促進する。したがって、再結晶焼鈍工程前において上述の式（１）を満たすことで、このような効果を充分に得ることができる。

一方で、これ以外の副方位の｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面は、耐屈曲性には寄与しない不要な結晶面である。すなわち、結晶中に混在する｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面は｛０２２｝面の再結晶の妨げとなる。上述の式（２）における各結晶面についてのＩ／Ｉ_０の部分は、基準値となる銅の標準的な回折ピーク強度比からの各結晶面の回折強度ピーク比のズレをみている。つまり、粉末銅を基準として、圧延銅箔における各結晶面の占有率の多寡を表わしている。Ｉ／Ｉ_０の数値が所定値以下であれば、これらの不要な結晶面が少ない状態を表わしており、耐屈曲性の向上に有利な状態となっているといえる。

また、本発明者等は、再結晶前における副方位の各結晶面の加工ひずみにも着目し、係る加工ひずみを上述の式（２）における各結晶面の回折ピークの半価幅により規定した。

結晶中に混在する｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面に加工ひずみが蓄積していると、｛０２２｝面の再結晶をいっそう妨げてしまう。これら各結晶面の半価幅ＦＷＨＭ_{｛１１３｝}、ＦＷＨＭ_{｛１１１｝}、及びＦＷＨＭ_{｛１３３｝}が所定値以下であれば、再結晶前の状態で加工ひずみが小さい（あまり蓄積されていない）状態を表わし、｛０２２｝面の再結晶が阻害され難い状態となっているといえる。

半価幅のような回折ピークのピーク幅は、その回折ピークに対応する結晶面（格子面）の間隔のバラツキを示す。これは、ブラッグの式２ｄ・ｓｉｎθ＝ｎλにより説明することができる。ここで、ｎは正の整数、λは波長、ｄは格子面の間隔、θは視射角（入射角）である。回折ピークに幅があるということは、２θ、ひいては、視射角θそのものに幅、つまり、バラツキがあることを意味する。一方、ブラッグの式において、正の整数ｎと、Ｘ線発生装置の管球の波長である波長λとは、一定の条件でＸ線回折測定を行えばともに一定となる。視射角θにバラツキがあるにも関わらず、２ｄ・ｓｉｎθが一定ということは、格子面の間隔ｄにもバラツキがあることを意味する。

このように、同じ結晶面（結晶方位）の銅結晶であっても、視射角θが異なれば格子面の間隔ｄが異なる。格子面の間隔ｄの違い（バラツキ）は、例えば圧延銅箔を製造する際に蓄積される加工ひずみからくる。したがって、回折ピークの半価幅が狭いほど、その格子面の間隔ｄのバラツキが小さく、その格子面の結晶中に蓄積される加工ひずみが小さいこととなる。一方、回折ピークの半価幅が広いほど、その格子面の結晶中に蓄積される加工ひずみが大きいこととなる。

よって、上述の式（２）を満たした状態とすること、つまり、｛１１３｝面、｛１１１｝面、｛１３３｝面等の副方位の結晶面の比率を低く抑えることに加え、これらの３つの結晶面の加工ひずみを小さく抑えることで、既に高い耐屈特性が得られている状況下でも、圧延銅箔の耐屈特性を更に向上させることができる。

以上のように、各結晶面の回折ピーク強度比、つまり、回折ピーク強度のバランスが、圧延銅箔の耐屈特性や耐折り曲げ性に多大な影響を及ぼす。係る各結晶面の回折ピーク強度のバランスは、後述するように、主に最終冷間圧延工程時の圧縮応力と引張応力との応力バランスにより決まる。

次に、圧延銅箔の表面粗さについて説明する。

本発明者等は、各結晶面の回折ピーク強度比の制御に加え、圧延銅箔の圧延面の表面粗さが所定値以下であるとき、つまり、上述の式（３）を満たすとき、圧延銅箔の耐折り曲げ性を向上させることができることを見いだした。これは、圧延銅箔の圧延面の凹凸差が
大きいと、圧延銅箔を折り曲げたときに凹部が開く方向に変形し、ここを起点に割れが発生し易くなるためと考えられる。

ここで、圧延面の表面粗さを山頂、谷底それぞれの標高の絶対値の平均値の和である十点平均粗さ、つまり、圧延面の凹凸の高低差の平均値で規定しているので、圧延面の凹凸差を正しく評価することができる。すなわち、十点平均粗さが大きいほど圧延面の凹凸差も大きく、押し広げられた凹部を起点に割れが発生して耐折り曲げ性が低下する。また、十点平均粗さが小さいほど圧延面の凹凸差も小さく、耐折り曲げ性に優れた圧延銅箔とすることができる。

（２）圧延銅箔の製造方法
次に、本発明の一実施形態に係る圧延銅箔の製造方法について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る圧延銅箔の製造工程を示すフロー図である。

（鋳塊の準備工程Ｓ１０）
図１に示すように、まずは、無酸素銅（ＯＦＣ：Oxygen-Free Copper）やタフピッチ銅等の純銅を原材料として鋳造を行って鋳塊（インゴット）を準備する。鋳塊は、例えば所定厚さ、所定幅を備える板状に形成する。原材料となる無酸素銅やタフピッチ銅等の純銅は、圧延銅箔の諸特性を調整するため、所定の添加材が添加された希薄銅合金となっていてもよい。

添加材で調整可能な諸特性には、例えば耐熱性がある。上述のように、ＦＰＣ用の圧延銅箔では、高い耐屈特性を得るための再結晶焼鈍工程は、例えばＦＰＣの基材との貼り合わせの工程を兼ねて行われる。貼り合わせの際の加熱温度は、例えばＦＰＣの樹脂等からなる基材の硬化温度や、使用する接着剤の硬化温度等に併せて設定され、温度条件の範囲は広く多種多様である。このように設定された加熱温度に圧延銅箔の軟化温度を合わせるべく、圧延銅箔の耐熱性を調整可能な添加材が添加される場合がある。

本実施形態に使用される鋳塊として、添加材が無添加の鋳塊や、幾種類かの添加材を添加した鋳塊を以下の表１に例示する。

また、表１に示す添加材やその他の添加材として、耐熱性を上昇又は降下させる添加材には、例えば１０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍ程度の硼素（Ｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、及びカルシウム（Ｃａ）のいずれか１つ又は複数の元素を添加した例がある。或いは、第１の添加元素としてＡｇを添加し、第２の添加元素として代表例に挙げたこれらの元素のいずれか１つ又は複数の元素を添加した例がある。そのほか、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、砒素（Ａｓ）、Ｃｄ（カドミウム）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、金（Ａｕ）等を微量添加することも可能である。

なお、鋳塊の組成は、後述の最終冷間圧延工程Ｓ４０を経た後の圧延銅箔においても略そのまま維持され、鋳塊中に添加材を加えた場合には、鋳塊と圧延銅箔とは略同じ添加材濃度となる。

また、後述の焼鈍工程Ｓ３２における温度条件は、銅材質や添加材による耐熱性に応じて適宜変更する。但し、このような銅材質や添加材、これに応じた焼鈍工程Ｓ３２の温度条件の変更等は、本実施形態の効果に対してほとんど影響を与えない。

（熱間圧延工程Ｓ２０）
次に、準備した鋳塊に熱間圧延を施して、鋳造後の所定厚さよりも薄い板厚の板材とする。

（繰り返し工程Ｓ３０）
続いて、冷間圧延工程Ｓ３１と焼鈍工程Ｓ３２とを所定回数繰り返し実施する繰り返し工程Ｓ３０を行う。すなわち、冷間圧延を施して加工硬化させた板材に、焼鈍処理を施して板材を焼き鈍すことにより加工硬化を緩和する。これを所定回数繰り返すことで、「生地」と称される銅条が得られる。銅材に耐熱性を調整する添加材等が加えられている場合は、銅材の耐熱性に応じて焼鈍処理の温度条件を適宜変更する。

なお、繰り返し工程Ｓ３０中、繰り返し途中の焼鈍工程Ｓ３２を「中間焼鈍工程」と呼ぶ。中間焼鈍工程の繰り返し回数によって、後述の最終圧延工程Ｓ４０後の各結晶の格子面の間隔、すなわち、各結晶面の回折ピークの半価幅を制御することができる。

また、繰り返しの最後、つまり、後述の最終冷間圧延工程Ｓ４０の直前に行われる焼鈍工程Ｓ３２を「最終焼鈍工程」又は「生地焼鈍工程」と呼ぶ。生地焼鈍工程では、銅条（生地）に生地焼鈍処理を施し、焼鈍生地を得る。生地焼鈍工程においても、銅材の耐熱性に応じて温度条件を適宜変更する。このとき、生地焼鈍工程は、上述の各工程に起因する加工歪みを充分に緩和することのできる温度条件、例えば完全焼鈍処理と略同等の温度条件で実施することが好ましい。

（最終冷間圧延工程Ｓ４０）
次に、最終冷間圧延工程Ｓ４０を実施する。最終冷間圧延は仕上げ冷間圧延とも呼ばれ、仕上げとなる冷間圧延を複数回に亘って焼鈍生地に施して薄い銅箔状とする。このとき、高い耐屈特性を有する圧延銅箔が得られるよう、総加工度を９０％以上、より好ましくは９４％以上とする。これにより、再結晶焼鈍工程後において、いっそう優れた耐屈曲特性が得られ易い圧延銅箔となる。

また、冷間圧延を複数回繰り返すごとに焼鈍生地が薄くなるのに応じて、１回（１パス）あたりの加工度を徐々に小さくしていくことが好ましい。ここで、１パスあたりの加工度は、上述の総加工度の例に倣い、ｎパス目の圧延前の加工対象物の厚さをＴ_Ｂｎとし、圧延後の加工対象物の厚さをＴ_Ａｎとすると、１パスあたりの加工度（％）＝［（Ｔ_Ｂｎ−Ｔ_Ａｎ）／Ｔ_Ｂｎ］×１００で表わされる。

このように、１パスあたりの加工度を変化させることで、圧延銅箔の各結晶面の回折ピーク強度比を制御することができる。

すなわち、圧延加工時、焼鈍生地等の加工対象物は、例えば互いに対向する１対のロール間の間隙に引き込まれ、反対側に引き出されることで減厚される。加工対象物の速度は、ロールに引き込まれる前の入り口側ではロールの回転速度より遅く、ロールから引き出された後の出口側ではロールの回転速度より速い。したがって、加工対象物には、入り口側では圧縮応力が、出口側では引張応力がかかる。加工対象物を薄く加工するためには、圧縮応力＞引張応力でなければならない。１パスあたりの加工度を調整することで、圧縮応力＞引張応力であることを前提として、それぞれの応力成分（圧縮成分と引張成分）の比を調整することができる。

また、最終冷間圧延工程Ｓ４０では、応力成分（圧縮成分と引張成分）の比の調整を、以下に説明する中立点の位置移動の制御という観点から行うことも可能である。すなわち、上述のように、ロールの回転速度に対して入り口側と出口側とで大小関係が逆転する加工対象物の速度は、入り口側及び出口側の間のどこかの位置でロールの回転速度と等しくなる。この両者の速度が等しい位置を中立点といい、中立点では加工対象物にかかる圧力が最大となる。

中立点の位置は、前方張力、後方張力、圧延速度（ロールの回転速度）、ロール径、加工度、圧延荷重等の組み合わせを調整することで制御することができる。つまり、中立点の位置を制御することによっても、圧縮応力及び引張応力の比を調整することができる。

各結晶面の回折ピーク強度のバランスは、主に最終冷間圧延工程時の圧縮応力と引張応力との応力バランスにより決まる。

具体的には、最終冷間圧延工程Ｓ４０等の圧延加工時、銅材中の銅結晶は、圧延加工時の応力により回転現象を起こし、いくつかの経路で｛０２２｝面へと変化する。圧縮応力が大きくなるほど｛００２｝面や｛１１３｝面を経由し易く、引張応力が大きくなるほど｛１１１｝面や｛１３３｝面を経由し易い。そして、それぞれが｛０２２｝面へと変化する。｛０２２｝面まで到達しなかった結晶や、｛０２２｝面に到達したものの引張応力によって｛１１１｝面や｛１３３｝面へと回転してしまった結晶が副方位となる。

このように、圧縮応力と引張応力との応力バランスを変えることで、副方位の結晶面の回折ピーク強度のバランスを調整することができる。係る結晶面の回折ピーク強度のバランスは、上述の通り、圧延銅箔の耐屈曲性や耐折り曲げ性に多大な影響を与える。

また、最終冷間圧延工程Ｓ４０においては、表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０７５μｍ以下の圧延ロールを用いることが好ましい。

圧延ロールの表面粗さは、上述の圧縮応力と引張応力との応力バランスや圧延銅箔の表面粗さに影響を与える。よって、圧延ロールの表面粗さを所定値に制御することで、各結晶面の比率を制御することができる。また、表面粗さが上述の式（３）を満たす圧延銅箔を得ることができる。なお、ここでいう算術平均粗さＲａとは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１により規定される表面粗さの１つである。具体的には、粗さ曲線から、その平均線の方向に基準長さだけ抜き取り、この抜き取り部分の平均線から測定曲線までの偏差の絶対値を合計し、平均した値である。

このように、各パスにおける加工度の大きさ制御や中立点の位置制御、圧延ロールの表面粗さの制御等を行いつつ、最終冷間圧延工程Ｓ４０を施すことで、上述の式（１）〜（３）を満たす圧延銅箔を得ることができる。よって、再結晶焼鈍工程後には、繰り返しの曲げに耐える高い耐屈曲性とともに、小さな曲げ半径に耐える優れた耐折り曲げ性を具備する圧延銅箔が得られる。

（表面処理工程Ｓ５０）
以上の工程を経た銅箔に所定の表面処理を施す。以上により、本実施形態に係る圧延銅箔が製造される。

（３）フレキシブルプリント配線板の製造方法
次に、本発明の一実施形態に係る圧延銅箔を用いたフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）の製造方法について説明する。

（再結晶焼鈍工程（ＣＣＬ工程））
まずは、本実施形態に係る圧延銅箔を所定のサイズに裁断し、例えばポリイミド等の樹脂からなるＦＰＣの基材と貼り合わせてＣＣＬ（Copper Clad Laminate）を形成する。このとき、接着剤を介して貼り合わせを行う３層材ＣＣＬを形成する方法と、接着剤を介さず直接貼り合わせを行う２層材ＣＣＬを形成する方法のいずれを用いてもよい。接着剤を用いる場合には、加熱処理により接着剤を硬化させて圧延銅箔と基材とを密着させ一体化する。接着剤を用いない場合には、加熱・加圧により圧延銅箔と基材とを直接密着させる。加熱温度や時間は、接着剤や基材の硬化温度等に合わせて適宜選択することができ、例えば１５０℃以上４００℃以下の温度で、１分以上１２０分以下とすることができる。

上述のように、圧延銅箔の耐熱性は、このときの加熱温度に合わせて調整されている。したがって、ＣＣＬ工程での加熱により圧延銅箔が軟化し再結晶される。つまり、基材に圧延銅箔を貼り合わせるＣＣＬ工程が、圧延銅箔に対する再結晶焼鈍工程を兼ねている。圧延銅箔に対し再結晶焼鈍工程が施されることにより、再結晶組織を有する圧延銅箔が得られる。つまり、高い耐屈曲性とともに優れた耐折り曲げ性を備えた圧延銅箔となる。

また、このように、ＣＣＬ工程が再結晶焼鈍工程を兼ねることで、圧延銅箔を基材に貼り合わせるまでの工程では、冷間圧延工程後の加工硬化した状態で圧延銅箔を取り扱うことができ、圧延銅箔を基材に貼り合わせる際の、伸び、しわ、折れ等の変形を起こり難くすることができる。

また、副方位の各結晶面は再結晶焼鈍工程前後でほとんど変化しない。したがって、耐屈曲性及び耐折り曲げ性を得るには、最終冷間圧延工程後、再結晶焼鈍工程前の圧延銅箔について、上述の関係式を満たすように副方位を制御しておけばよい。

（表面加工工程）
次に、基材に貼り合わせた圧延銅箔に表面加工工程を施す。表面加工工程では、圧延銅箔に例えばエッチング等の手法を用いて銅配線等を形成する配線形成工程と、銅配線と他の電子部材との接続信頼性を向上させるためメッキ処理等の表面処理を施す表面処理工程と、銅配線等を保護するため銅配線上の一部を覆うようにソルダレジスト等の保護膜を形成する保護膜形成工程とを行う。

以上により、本実施形態に係る圧延銅箔を用いたＦＰＣが製造される。

＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、上述の実施形態においては、圧延銅箔の耐熱性を調整する添加材として主にＡｇを用いることとしたが、添加材は、Ａｇや上述の代表例等に挙げたものに限られない。また、添加材により調整可能な諸特性は耐熱性に限られず、調整を必要とする諸特性に応じて添加材を適宜選択してもよい。

また、上述の実施形態においては、ＦＰＣの製造工程におけるＣＣＬ工程は圧延銅箔に対する再結晶焼鈍工程を兼ねることとしたが、再結晶焼鈍工程は、ＣＣＬ工程とは別工程として行ってもよい。

また、上述の実施形態においては、圧延銅箔はＦＰＣ用途に用いられることとしたが、圧延銅箔の用途はこれに限られず、耐屈曲性及び耐折り曲げ性を必要とする用途に用いる
ことができる。圧延銅箔の厚さについても、ＦＰＣ用途をはじめとする各種用途に応じて２０μｍ超などとしてもよい。

なお、本発明の効果を奏するために、上述した工程のすべてが必須であるとは限らない。上述の実施形態や後述の実施例で挙げる種々の条件もあくまで例示であって、適宜変更可能である。

次に、本発明に係る実施例について比較例とともに説明する。

（１）無酸素銅を用いた圧延銅箔
まずは、無酸素銅を用いた実施例１〜７および比較例１〜１５に係る圧延銅箔を以下のとおり製作し、それぞれについて各種評価を行った。

（圧延銅箔の製作）
目標濃度を２００ｐｐｍとするＡｇを添加した無酸素銅を用い、上述の実施形態と同様の手順及び手法で、実施例１〜７および比較例１〜１５に係る圧延銅箔を製作した。但し、比較例１〜１５については構成を外れる処理等が含まれる。

具体的には、無酸素銅に所定量のＡｇを溶解して鋳造した厚さ１５０ｍｍ、幅５００ｍｍの鋳塊を準備した。以下の表２に、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）発光分光分析法により分析した、鋳塊中のＡｇ濃度の分析値を示す。

表２に示すように、目標濃度の２００ｐｐｍに対し、分析値は１８０ｐｐｍ〜２１８ｐｐｍと、いずれも２００ｐｐｍ±２０ｐｐｍ（１０％）程度内のバラツキに抑えられている。Ａｇは元々、主原材料である無酸素銅に不可避不純物として数ｐｐｍ〜十数ｐｐｍ程度含有されている場合があるほか、鋳塊を鋳造する際のバラツキ等の種々の原因により、±２０ｐｐｍ程度内のバラツキは金属材料分野では一般的なものである。

次に、上述の実施形態と同様の手順及び手法で、熱間圧延工程にて厚さ８ｍｍの板材を得た後、冷間圧延工程と、７５０℃〜８５０℃の温度で約２分間保持する中間焼鈍工程とを繰り返し実施し、厚さ０．６ｍｍの銅条（生地）を製作した。続いて、約７５０℃の温度で約２分間保持する生地焼鈍工程にて焼鈍生地を得た。

ここで、各焼鈍工程の温度条件等は、Ａｇを１８０ｐｐｍ〜２１８ｐｐｍ含有する無酸
素銅材の耐熱性に合わせた。なお、組成が同じ銅材に対して各焼鈍工程で異なる温度条件を用いたのは、銅材の厚さに応じて耐熱性が変化するためであり、銅材が薄いときは温度を下げることができる。

最後に、上述の実施形態と同様の手順及び手法で最終冷間圧延工程を行い、実施例１〜７および比較例１〜１５に係る圧延銅箔を得た。最終冷間圧延工程での条件を以下の表３に示す。

表３に示すように、各表の上段から下段へと順次板厚が薄くなるのに応じて、右欄のように条件を切り替えて、最終冷間圧延を行った。つまり、厚さが２００μｍ以下における冷間圧延加工の、１パスあたりの加工度を変化させた。すなわち、このとき、中立点の位置も変化させていることになる。また、表面粗さ、つまり、算術平均粗さＲａの小さい圧延ロールを実施例１〜７に使用し、算術平均粗さＲａの大きい圧延ロールを比較例１〜１５に使用した。

また、優れた耐屈曲性を得るため、実施例１〜７および比較例１〜１５の全てにおいて、最終冷間圧延工程での総加工度が９４％となるように条件を設定した。具体的には、実施例１〜７および比較例１〜１５ともに、総加工度を９８％とした。以上により、厚さが１２μｍの実施例１〜７および比較例１〜１５に係る圧延銅箔を製作した。

次に、以上のように製作した各圧延銅箔について次の評価を行った。

（２θ／θ法によるＸ線回折測定）
まずは、実施例１〜７および比較例１〜１５に係る圧延銅箔に対し、２θ／θ法によるＸ線回折測定を行った。係る測定は、株式会社リガク製のＸ線回折装置（型式：Ｕｌｔｉｍａ IV）を用い、以下の表４に示す条件で行った。代表として、図２（ａ）に実施例２のＸ線回折チャートを、図２（ｂ），（ｃ）に比較例２，１１のＸ線回折チャートをそれぞれ示す。

次に、２θ／θ法により測定した銅結晶の｛０２２｝面、｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面の回折ピーク強度を合計値が１００となるような比に換算し、各結晶面の回折ピーク強度比を求めた。また、上述の式（１）に係る値、つまり、（Ｉ_{｛０２２｝}＋Ｉ_{｛００２｝}）の値を求めた。以下の表５に、実施例１〜７および比較例１〜１５に係る圧延銅箔について、上述のように求めた各結晶面の回折ピーク強度比Ｉ_{｛０２２｝}、Ｉ_{｛００２｝}、Ｉ_{｛１１３｝}、Ｉ_{｛１１１｝}、Ｉ_{｛１３３｝}の値、および、式（１）の値を示す。

また、粉末銅について、カード番号：４０８３６のＪＣＰＤＳカードの記載から、上述の各結晶面と同様の各結晶面の標準的な回折ピークの相対強度を取得した。すなわち、{
１１１}面を１００とする各結晶面{０２２}面、{００２}面、{１１３}面、{１３３}面の
それぞれの相対強度２０，４６，１７，９を得た。

係る５つの回折ピークの相対強度を合計値が１００となるような比に換算し直し、粉末銅について各結晶面の回折ピーク強度比を求めた。

さらに、表５に示す圧延銅箔に係る回折ピーク強度比と、粉末銅に係る回折ピーク強度比とを用い、上述の式（２）に係る各Ｉ／Ｉ_０の数値を求めた。以下の表６の上段に、粉末銅の各結晶面の回折ピーク強度比Ｉ_{０｛０２２｝}、Ｉ_{０｛００２｝}、Ｉ_{０｛１１３｝}、Ｉ_{０｛１１１｝}、及びＩ_{０｛１３３｝}の値を示す。また、下段に、上述のように求めた式（２）に係る各Ｉ／Ｉ_０の数値を示す。

また、実施例１〜７および比較例１〜１５のＸ線回折チャートから、各結晶面の回折ピークの半価幅を求めた。以下の表７に、係る半価幅ＦＷＨＭ_{｛１１３｝}、ＦＷＨＭ_{｛１１１｝}、及びＦＷＨＭ_{｛１３３｝}の値を示す。また、表７の右端に、上述の式（２）に係る数値を示す。

上述のように、本実施例及び比較例では、最終冷間圧延工程での１パスあたりの加工度や中立点の位置を変化させている。また、実施例と比較例とで圧延ロールの表面粗さを変えている。これにより、冷間圧延加工時に、加工対象物にかかる圧縮成分と引張成分との応力成分の比が変化する。その結果、各結晶面の比率が変わり、表５に示す各結晶面の回折ピーク強度比や、表６に示す各Ｉ／Ｉ_０の数値、表７に示す半価幅、ひいては式（２）に係る値も変化している。

また、表５，７に示すように、実施例１〜７の各条件の組み合わせでは、式（１），（２）の各値はいずれも上述の所定範囲内にあった。

一方、比較例１〜１５の各条件の組み合わせでは、いくつかの圧延銅箔において、式（１），（２）の各値のうち、１つ、または、両方の値が上述の所定範囲外となった。表５，７中、上述の所定範囲を外れた値を下線付きの太字で示した。

（十点平均粗さ測定）
続いて、実施例１〜７および比較例１〜１５に係る圧延銅箔の表面粗さをみるため、十点平均粗さ測定を行った。係る測定には、株式会社小坂研究所製の表面粗さ測定機（型式：ＳＥ５００）を用いた。測定条件としては、触針径が２μｍ、測定速度が０．２ｍｍ／ｓｅｃ、測定長が４ｍｍ、抜き取り基準長さが０．８ｍｍ、荷重が０．７５ｍＮ以下とした。測定結果を、以下の表８に示す。

上述のように、本実施例及び比較例では、最終冷間圧延工程において、表面粗さ、つまり、算術平均粗さＲａの異なる圧延ロールをそれぞれ用いている。よって、表８に示すように、実施例１〜７の各条件の組み合わせでは、圧延銅箔の表面は比較的平坦化され、式（３）の値は上述の所定範囲内となった。

一方、比較例１〜１５の各条件の組み合わせでは、いくつかの圧延銅箔において、式（３）の値が上述の所定範囲外となった。表８中、上述の所定範囲を外れた値を下線付きの太字で示した。

以下の表９に、各圧延銅箔における式（１）〜（３）の値を示す。

上述のように、再結晶焼鈍工程後の圧延銅箔について、元々高い耐屈曲性を更に向上させると共に、優れた耐折り曲げ性を得るには、上述の式（１）〜（３）までを満たしている必要がある。実施例１〜７においては、いずれの圧延銅箔においても、上述の式（１）〜（３）の値の全てを満たしている。一方、比較例１〜１５においては、いずれの圧延銅箔においても、上述の式（１）〜（３）のいずれか１つ、または複数の値が所定範囲外となった。

（屈曲疲労寿命試験）
次に、各圧延銅箔の耐屈曲性を調べるため、各圧延銅箔が破断するまでの繰返し曲げ回数（屈曲回数）を測定する屈曲疲労寿命試験を行った。係る試験は、信越エンジニアリング株式会社製のＦＰＣ高速屈曲試験機（型式：ＳＥＫ−３１Ｂ２Ｓ）を用い、ＩＰＣ（米国プリント回路工業会）規格に準拠して行った。図３には、信越エンジニアリング株式会社製のＦＰＣ高速屈曲試験機等も含む、一般的な摺動屈曲試験装置１０の模式図を示す。

まずは、実施例１〜７および比較例１〜１５に係る圧延銅箔を幅１２．５ｍｍ、長さ２
２０ｍｍに切り取った、厚さが１２μｍの試料片Ｆに、上述の再結晶焼鈍工程に倣い、３００℃、６０分間の再結晶焼鈍を施した。係る条件は、フレキシブルプリント配線板のＣＣＬ工程で、基材との密着の際に圧延銅箔が実際に受ける熱量の一例を模している。

次に、図３に示すように、圧延銅箔の試料片Ｆを、摺動屈曲試験装置１０の試料固定板１１にネジ１２で固定した。続いて、試料片Ｆを振動伝達部１３に接触させて貼り付け、発振駆動体１４により振動伝達部１３を上下方向に振動させて試料片Ｆに振動を伝達し、屈曲疲労寿命試験を実施した。屈曲疲労寿命の測定条件としては、曲げ半径Ｒを１．５ｍｍとし、ストロークＳを１０ｍｍとし、振幅数を２５Ｈｚとした。係る条件下、各圧延銅箔から切り取った試料片Ｆを５枚ずつ測定し、破断が発生するまでの屈曲回数の平均値を比較した。以下の表１０に結果を示す。

表１０に示すように、実施例１〜７および比較例１〜３においては、上述の式（１），（２）を共に満たすので、屈曲回数が２００万回以上の高い耐屈曲性が得られた。一方、上述の式（１），（２）のいずれか若しくは両方を満たさない比較例４〜１５においては
、いずれも屈曲回数が２００万回を下回る結果となってしまった。

ここで、着目すべきは、比較例４〜１５であっても、もともと比較的高水準の耐屈曲性を備えている点である。これは、例えば上述の特許文献３等で実績が得られている総加工度が９４％以上、具体的には、総加工度が９８％の最終冷間圧延工程を経ているためである。実施例１〜７においては、更に、上述の式（１），（２）を満たすこととすることにより、耐屈曲性の更なる向上が可能となった。

（耐折り曲げ性の評価）
続いて、各圧延銅箔の耐折り曲げ性を調査した。耐折り曲げ性についての一般的な試験の規格では、例えばＦＰＣ用途等で要求される１８０°の折り曲げについての標準化がなされていない。そこで、図４に示す手法により、各圧延銅箔に割れが生じるまでの折り曲げ回数を測定する折り曲げ試験を行った。

すなわち、まずは、実施例１〜７および比較例１〜１５に係る圧延銅箔を圧延方向に対し、幅１５ｍｍ、長さ１００ｍｍに切り取った試料片Ｆに、３００℃、６０分間の再結晶焼鈍を施した。次に、図４に示すように、厚さが０．２５ｍｍのスペーサ２０を挟み込むように試料片Ｆを１８０°折り曲げ、この状態で折り曲げ部分を金属顕微鏡で観察して割れの有無を確認した。割れがなければ、圧延銅箔を折り曲げた状態から元の伸ばした状態に戻した。これを１サイクルとして、各圧延銅箔から切り取った試料片Ｆの５枚ずつについて、１サイクル毎に折り曲げ部分の観察をしつつ、割れが発生するまでサイクルを繰り返し、折り曲げ回数を測定した。以下の表１１に、割れが発生するまでの折り曲げ回数の平均値を比較した結果を示す。

表１１に示すように、実施例１〜７のいずれにおいても、折り曲げ回数は９０回近く、或いはそれ以上となり、優れた耐折り曲げ性が得られた。

一方、優れた耐屈曲性を示した比較例１〜３のいずれにおいても式（３）は満たしておらず、折り曲げ回数は５０回未満となって、充分な耐折り曲げ性は得られなかった。ここで、特に、実施例４，７や比較例２等を比較すると、式（３）において定めた数値範囲（≦１．２μｍ）の内側と外側とで、耐折り曲げ性について量的に顕著な差異が存在することがわかる。

また、式（１），（２）の少なくともいずれか及び式（３）を満たさない比較例４〜６，１０〜１２においては、耐折り曲げ性においても充分な値を得ることはできなかった。また、比較例７〜９，１３〜１５においては、式（３）を満たすにも関わらず、充分な耐折り曲げ性を得ることはできなかった。比較例７〜９，１３〜１５においては、式（１），（２）の少なくともいずれかを満たしておらず、耐折り曲げ性を向上させるには、高水準の耐屈曲性が得られていることが前提であることがわかる。

（２）タフピッチ銅を用いた圧延銅箔
次に、目標濃度を２００ｐｐｍとするＡｇを添加したタフピッチ銅を用い、上述の実施例と同様の手順及び手法で、厚さが１２μｍの実施例８および比較例１６，１７に係る圧延銅箔を製作した。但し、比較例１６，１７については構成を外れる処理等が含まれる。

実施例８および比較例１６，１７の鋳塊中におけるＡｇ濃度は、ＩＰＣ発光分光分析法により得た分析値で、それぞれ２１０ｐｐｍ、２０５ｐｐｍおよび１９５ｐｐｍであった。全て±１０％程度内のバラツキであって、金属材料の分野では一般的なものである。なお、係る濃度のＡｇを含有するタフピッチ銅材の耐熱性に合わせ、中間焼鈍工程および生地焼鈍工程では、上述の条件とは異なる条件を用いた。具体的には、中間焼鈍工程では６５０℃〜７５０℃の温度で約２分〜４分の間保持し、生地焼鈍工程では約７００℃の温度で約２分間保持した。

以上のように製作した実施例８および比較例１６，１７に係る圧延銅箔について、上述の実施例と同様の手法及び手順で２θ／θ法によるＸ線回折測定を行い、上述の式（１），（２）を求めた。その結果、実施例８に係る圧延銅箔については、各結晶面の回折ピーク強度の関係が各式の所定範囲内となった。一方、比較例１６に係る圧延銅箔については、式（１）の所定範囲を外れてしまった。また、比較例１７に係る圧延銅箔については、式（１），（２）いずれについても所定範囲を外れてしまった。

また、実施例８および比較例１６，１７に係る圧延銅箔の十点平均粗さを測定したところ、実施例８については、式（３）の所定範囲内となった。一方、比較例１６，１７については、いずれも式（３）の所定範囲を外れてしまった。

また、実施例８および比較例１６，１７に係る圧延銅箔に対し、上述の実施例と同様の手法及び手順で屈曲疲労寿命試験を行った。その結果、上述の式（１），（２）を共に満たす実施例８については、屈曲回数が２，０９６，０００回と、２００万回以上の高い耐屈曲性が得られた。一方、上述の式（１），（２）のいずれか若しくは両方を満たさない比較例１６，１７においては、屈曲回数がそれぞれ１，５７１，０００回、１，５７８，０００回と、いずれも２００万回を下回る結果となってしまった。

また、実施例８および比較例１６，１７に係る圧延銅箔に対し、上述の実施例と同様の手法及び手順で折り曲げ試験を行った。その結果、実施例８については折り曲げ回数が９４回と良好であったのに対し、比較例１６，１７については、それぞれ３９回、４０回と、劣った結果であった。

以上のことから、各結晶面が所定範囲内であれば、タフピッチ銅を主原材料とする圧延銅箔についても、良好な耐折り曲げ性を得て、更に耐屈曲性の向上を図ることができることがわかった。

（３）異なる添加材を用いた圧延銅箔
次に、目標濃度を１２０ｐｐｍとするＡｇおよび目標濃度を４０ｐｐｍとするチタン（Ｔｉ）を添加材として加えた無酸素銅を用い、上述の実施例と同様の手順及び手法で、厚さが１２μｍの実施例９および比較例１８，１９に係る圧延銅箔を製作した。但し、比較例１８，１９については構成を外れる処理等が含まれる。

実施例９および比較例１８，１９の鋳塊中におけるＡｇ濃度は、ＩＰＣ発光分光分析法により得た分析値で、それぞれ１２１ｐｐｍ、１１９ｐｐｍおよび１２４ｐｐｍであった。また、Ｔｉ濃度は、それぞれ４１ｐｐｍ、４１ｐｐｍおよび４４ｐｐｍであった。全て±１０％程度内のバラツキであって、金属材料の分野では一般的なものである。

また、このような濃度のＡｇおよびＴｉを含有する無酸素銅材の耐熱性に合わせ、中間焼鈍工程および生地焼鈍工程には、上述の条件とは異なる条件を用いた。具体的には、中間焼鈍工程では温度６５０℃〜７５０℃で約１分〜３分の間保持し、生地焼鈍工程では約７００℃の温度で約１分間保持した。

以上のように製作した実施例９および比較例１８，１９に係る圧延銅箔について、上述の実施例と同様の手法及び手順で２θ／θ法によるＸ線回折測定を行い、上述の式（１），（２）を求めた。その結果、実施例９に係る圧延銅箔については、各結晶面の回折ピーク強度の関係が式（１），（２）の所定範囲内となった。一方、比較例１８に係る圧延銅箔については、式（１），（２）いずれも所定範囲を外れてしまった。また、比較例１９に係る圧延銅箔については、式（２）の所定範囲を外れてしまった。

また、実施例９および比較例１８，１９に係る圧延銅箔に対し、上述の実施例と同様の手法及び手順で屈曲疲労寿命試験を行った。その結果、上述の式（１），（２）を共に満たす実施例９については、屈曲回数が２，１０９，０００回と、２００万回以上の高い耐屈曲性が得られた。一方、上述の式（１），（２）のいずれか若しくは両方を満たさない比較例１８、１９においては、屈曲回数がそれぞれ１，５４４，０００回、１，５３８，０００回と、いずれも２００万回を下回る結果となってしまった。

また、実施例９および比較例１８，１９に係る圧延銅箔に対し、上述の実施例と同様の手法及び手順で折り曲げ試験を行った。その結果、実施例９については折り曲げ回数が９５回と良好であったのに対し、比較例１８，１９については、それぞれ４１回、４３回と、劣った結果であった。

以上のことから、各結晶面が所定範囲内であれば、ＡｇとＴｉとのような異なる添加材を添加した圧延銅箔についても、良好な耐屈曲性及び耐折り曲げ性が得られることがわかった。

＜本発明者等による考察＞
本発明における副方位の結晶面の制御および圧延銅箔の表面粗さの制御について、本発明者等の考察を以下に述べる。

（１）耐屈曲性について
まずは、副方位の結晶面を制御することで圧延銅箔に更に優れた耐屈曲性が付与される原理、及び、上述の圧延銅箔の製造工程における副方位の結晶面の制御の仕組みについて、本発明者等の考察を交えて以下に説明する。

（更に優れた耐屈曲性付与の原理）
本発明者等は、結晶方位学の知見と金属学の知見とこれまでの実験経験とから、副方位の結晶面を制御することで更に優れた耐屈曲性が得られる原理について以下の考察を行った。

本発明者等によれば、本発明にて得られる高い耐屈曲性には、再結晶焼鈍工程前後での主方位の変化や副方位の不変化、また、各結晶面の加工ひずみの大きさが関係していると考えられる。上述のように、再結晶焼鈍工程において、主方位である｛０２２｝面は再結晶後に｛００２｝面となる。また、再結晶焼鈍工程前の｛００２｝面は、｛０２２｝面が｛００２｝面へと変化するのを促進させる。一方、他の副方位である｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面は、再結晶後も略変化しないままであり、これら副方位と、再結晶後の主方位の結晶面である｛００２｝面とのなす角度が、圧延銅箔
の耐屈曲性に関与していると考えられる。

再結晶｛００２｝面∠｛１１３｝面 ： ２５．２°
再結晶｛００２｝面∠｛１１１｝面 ： ５４．７°
再結晶｛００２｝面∠｛１３３｝面 ： ４６．５°

このように、｛１１３｝面は｛００２｝面と２５．２°の角度関係にあり、｛１１１｝面は｛００２｝面と５４．７°の角度関係にあり、｛１３３｝面は｛００２｝面と４６．５°の角度関係にある。つまり、いずれも再結晶後の｛００２｝面とのなす角度は大きい。このことから、これら副方位と、再結晶後の主方位の結晶面である｛００２｝面とのなす角度が、更に優れた耐屈曲性の向上に関与していると考えられる。

これらの余分な３つの結晶面は、排除することができればそれに越したことはない。しかし、圧延銅箔は多結晶体であり、少なからず副方位が存在してしまう。そこで、これら３つの副方位をできるだけ少なくすると同時に、圧延加工でこれらの３つの結晶面に蓄積する加工ひずみをできるだけ小さくすることが重要である。一方、主方位である｛０２２｝面には、圧延銅箔による加工ひずみをできるだけ蓄積させることが重要である。これは、再結晶焼鈍工程においては、加熱処理による熱と共に、加工ひずみも再結晶の駆動力になるためである。

このとき、加熱処理による熱は主方位と副方位とに対して一定であるので、加工ひずみの大きさの違いによって各結晶面の再結晶の駆動力に違いが生じる。主方位の｛０２２｝面については、加工ひずみが｛００２｝面へと変化する駆動力として有効に働くが、副方位の｛１１３｝面、｛１１１｝面、｛１３３｝面は余分な方位であるので、加工ひずみが大きいほど余計な挙動をしてしまう。つまり、これらの副方位は、再結晶後も結晶面は変わらないが、再結晶焼鈍工程の際、加工ひずみを解放して再結晶となる。副方位から加工ひずみが解放されるということは、副方位からエネルギーが放出されるということであり、これは不要なエネルギーである。よって、主方位である｛０２２｝面が｛００２｝面に変わる際の障害となってしまうおそれがある。

このため、上述のように、これらの副方位の結晶面の回折ピーク強度比、つまり、占有率を低減するとともに、副方位の加工ひずみを小さくすることで、主方位の再結晶成長における障害が減り、結果的に耐屈曲性が向上したと考えられる。

（副方位の結晶面の制御の仕組）
上述のように、最終冷間圧延工程等の圧延加工時、銅材には圧縮応力と、圧縮応力よりも弱い引張応力とがかかっている。圧延される銅材中の銅結晶は、圧延加工時の応力によって｛０２２｝面への回転現象を起こし、圧延加工の進展とともに、圧延面に平行な結晶面の方位が主に｛０２２｝面である圧延集合組織を形成する。このとき、上述のように、圧縮応力と引張応力との比により、｛０２２｝面へと向かって回転する経路が変わる。これについて、図５を用いて説明する。

図５は、下記の技術文献（イ）から引用した純銅型金属の逆極点図であって、（ａ）は引張変形による結晶回転方向を示す逆極点図であり、（ｂ）は圧縮変形による結晶回転方向を示す逆極点図である。なお、逆極点図では、｛００２｝面を｛００１｝面と表記し、｛０２２｝面を｛０１１｝面と表記することになっている。つまり、｛００２｝面は、｛００２｝面に平行な面の最小数値である｛００１｝面で表わし、｛０２２｝面は、｛０２２｝面に平行な面の最小数値である｛０１１｝面で表わす。

（イ）編著者 長嶋晋一、“集合組織”、丸善株式会社、昭和５９年１月２０日、ｐ９
６の図２．５２（ａ），（ｃ）

図５に示すように、銅材中の銅結晶は、引張変形のみでは｛１１１｝面へと向かって回転し、圧縮変形のみでは｛０１１｝面へと向かって回転する。圧延加工では、圧縮成分と引張成分とが合わさった変形をするため、結晶回転方向はこれほど単純ではない。ただし、引張成分より圧縮成分が優勢となって変形し、圧延加工がされるので、総じて｛０１１｝面へと向かう結晶回転を起こしつつ、圧縮成分と引張成分との割合によって｛１１１｝面へも一部回転しようとする。このとき、圧縮成分の方が優勢であるので、｛１１１｝面へと回転しかけた結晶が｛０１１｝面へと戻される結晶回転も起きる。また、これとは逆に、｛０１１｝面へと向かって回転している結晶や｛０１１｝面に到達した結晶が、引張成分によって｛１３３｝面や｛１１１｝面へ向かって回転する場合もある。

このように、圧縮成分と引張成分とが、圧縮成分＞引張成分の関係を保ちながら混在する中で結晶回転が起こると、最終的には図６の逆極点図に示すような主方位および副方位の結晶面の分布になると考えられる。圧縮成分＞引張成分であるから、最終的な主方位の結晶面は｛０１１｝面となり、また、圧縮成分と引張成分との混合による結晶回転の結果、副方位の結晶面は、｛００１｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、｛１３３｝面になると考えられる。

ここで、図６には、これらの特定方位の結晶面のみが分布しているように示したが、これは以下の理由による。銅は面心立方構造の結晶なので、２θ／θ法によるＸ線回折測定では、｛ｈｋｌ｝面のｈ，ｋ，ｌが全て奇数値または全て偶数値でなければ回折ピークとして現れない。ｈ，ｋ，ｌが奇数値と偶数値との混在となっていると、消滅則によって回折ピークが消失し、測定できないためである。したがって、上述の実施形態等に係る圧延銅箔の構成を示すにあたっては、回折ピークとして現れる｛００１｝面（｛００２｝面）、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面の副方位で規定した。上述の実施例等の結果からも本構成の効果は明白であるから、上述した副方位の結晶面を考えれば充分であるといえる。

（加工度による制御）
以上のことから、圧縮応力＞引張応力であることを前提として、圧縮成分と引張成分との比を調整すると、｛０２２｝面へと向かって回転する経路が変わる。具体的には、圧縮成分が大きくなるほど｛００２｝面や｛１１３｝面を経由し易く、引張成分が大きくなるほど｛１１１｝面や｛１３３｝面を経由し易い。主な副方位の結晶面が｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面となるのは、｛０２２｝面へと回転しきれなかった結晶面が銅材中に残るためであり、最終冷間圧延工程での圧縮成分と引張成分との調整により、銅材中に残る各副方位の結晶面の割合を調整することができる。

具体的には、圧縮成分と引張成分とは、圧延加工時の１パスあたりの圧延条件を変化させることで制御することができる。具体的には、上述の実施形態や実施例にて試みたように、例えば１パスあたりの加工度の変化に着目することができる。

１パスあたりの加工度を高くするには、例えば圧延荷重（ロール荷重）を大きくして圧延対象である銅材を押しつぶす方法があり、この場合、圧縮応力が大きくなる。よって、結晶の回転経路は｛００２｝面や｛１１３｝面となって、｛０２２｝面へと向かって回転する。

一方、圧縮応力＞引張応力を前提とし、引張成分を大きくして銅材を薄くすることで加工度を高くする方法もある。引張成分を大きくしているので、結晶の回転経路は｛１１１｝面や｛１３３｝面となって、｛０２２｝面へと向かって回転する。なお、圧延後、銅材
中に残る｛１３３｝面には、引張成分により結晶の回転途中で得られたものと、圧縮成分により一旦、｛０２２｝面へと到達した結晶が、引張成分により｛１３３｝面へと再び回転したものとが含まれると考えられる。また、引張応力による加工度の変化は、圧縮荷重を大きくした場合に比べると小さい。つまり、加工度への寄与は、圧縮応力の方が大きい。

（圧延ロールの表面粗さによる制御）
ここで、圧延ロールの表面粗さも圧縮応力と引張応力とのバランスに影響する。例えば、圧延ロールの表面粗さが小さくなると、圧延ロールと、圧延対象である銅材とが接する面積が増え、この接触面にかかる圧力が大きくなる。これは、圧延ロールから銅材への荷重が大きくなったことを意味しており、銅材は圧延ロール間の間隙を通りぬけ難くなる。これにより、銅材にかかる応力が圧縮応力＞引張応力であることを前提に、圧縮応力がより大きく優勢な状態で、圧延加工が施される。よって、この場合、結晶は｛００２｝面や｛１１３｝面を通って｛０２２｝面へと回転する。

一方、例えば、圧延ロールの表面粗さが大きくなると、圧延ロールと銅材とが接する面積が減り、この接触面にかかる圧力が小さくなる。これは、圧延ロールから銅材への荷重が小さくなったことを意味しており、銅材は圧延ロール間の間隙を通りぬけ易くなる。これにより、銅材にかかる応力が圧縮応力＞引張応力であることを前提に、引張応力が大きくなった状態で、圧延加工が施される。よって、この場合、結晶は｛１１１｝面や｛１３３｝面を通って｛０２２｝面へと回転する。

（他の制御因子）
なお、上述の実施形態や実施例においては、１パスあたりの加工度や圧延ロールの表面粗さによって結晶回転を制御することとしたが、結晶回転の制御因子はこれらに限られない。すなわち、１パスあたりの加工度や圧延ロールの表面粗さに加えて、或いは替えて、他の制御因子を用いてもよい。このように、どのような制御因子を用いても、圧縮応力と引張応力とを制御できればよい。実際、制御因子をどのように選択するかで、結晶回転については複数の制御方法が考えられる。

また、圧延銅箔の結晶回転に影響を与える制御因子は圧延機の構成に関わるところであり、それぞれの制御因子の具体的な条件や数値等は、圧延機の仕様に依存するところが大きい。具体的には、ロールの段数、ロールの総数、ロールの組み合わせ配置、各ロールの径や材質や表面状態（表面粗さ）等のロールの構成などの違いにより、銅材への圧縮応力のかかり方に違いが生じる。つまり、圧延機が異なれば、上述の実施例で挙げた条件に係る各制御因子もその絶対値が異なるため、圧延機ごとに適宜調整することができる。また、同じ圧延機においても、圧延ロールの表面状態や圧延ロールの材質が異なれば、各制御因子の絶対値が異なる。よって、同じ圧延機であっても、それぞれの状態に応じて適宜調整することができる。

（２）耐折り曲げ性について
（表面粗さの制御による耐折り曲げ性付与）
上述のように、圧延銅箔の耐折り曲げ性は圧延銅箔の表面粗さを所定値以下に抑えることで付与される。圧延銅箔の表面粗さを制御する因子としては、主に、圧延油の粘度η、圧延ロールの回転速度Ｕ_０、圧延時の銅材の速度Ｕ_１、噛み込み角α、平均圧延圧力ｐ、圧延ロールの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）等がある。これらの因子のうち、圧延ロールの算術平均粗さＲａ以外の諸因子は、油膜の厚みに対応する油膜当量ｔｄとして、下記の技術文献（ロ）を参考とする次式（Ｃ）のように１つにまとめることができる。

ｔｄ＝｛η（Ｕ_０＋Ｕ_１）｝／αｐ・・・（Ｃ）

（ロ）小豆島明、“圧延中の油膜厚み及びロールと材料の表面あらさについて”、日本機械学会論文集（第３部）、４４巻３７７号、昭和５３年１月、ｐ３３２−３３９

圧延ロールの算術平均粗さＲａ以外の諸因子により規定される油膜当量ｔｄを一定に保つことができれば、これら諸因子の影響を軽減して、主に圧延ロールの算術平均粗さＲａのみによって、圧延銅箔の表面粗さを制御することができる。

ここで、上述の式（Ｃ）に係る圧延ロールの回転速度Ｕ_０、圧延時の銅材の速度Ｕ_１、平均圧延圧力ｐは、圧延条件での１パスあたりの加工度や中立点を制御する制御因子でもある。１パスあたりの加工度や中立点を制御するため、これらの制御因子を変化させた場合、油膜当量ｔｄを一定に保つには、例えば以下の手法がある。つまり、例えば圧延油の粘度ηを３×１０^−３Ｎ／ｍ^２・ｓ〜５×１０^−３Ｎ／ｍ^２・ｓの範囲で一定に制御すると、噛み込み角αが一定となる。よって、油膜当量ｔｄを一定に制御することができる。油膜当量をｔｄ一定に制御できれば、圧延ロールの算術平均粗さＲａを変化させることで、圧延銅箔の表面粗さを種々に制御することができる。

なお、耐折り曲げ性を向上させる圧延銅箔の表面粗さは、他の制御因子を用いて制御してもよい。

（表面粗さの補足説明）
また、本明細書においては、圧延銅箔の表面粗さと圧延ロールの表面粗さとを、それぞれ十点平均粗さと算術平均粗さＲａとの異なる規定に基づき定めている。これら表面粗さの使い分けについて、以下に説明する。

十点平均粗さと算術平均粗さＲａとは、いずれもＪＩＳ規格に則って表面の粗さ具合を数値化したものである。ＪＩＳ規格により表面粗さを数値化した規定は他にもいくつかある。表面の粗さ具合によっては、それぞれの数値が大きく異なることがあり、個々の状況や目的に応じてどの規定を用いるか使い分けが必要である。

例えば、最凸部と最凹部との差が重要であるようなときは、最大高さＲｚ（ＪＩＳ Ｂ
０６０１：２００１）を用いるのが好適である。圧延銅箔の表面粗さの規定に用いた十点平均粗さは、このような最凸部と最凹部とを含むそれぞれ５点ずつの差を抜き出して数値化したものである。つまり、山頂と谷底との合計１０点を用いて数値化するため、上述の最大高さＲｚのように１つの凹凸差だけでなく、平均的にどれくらいの凹凸差があるかの情報が得られる。

圧延銅箔では折り曲げられた際に凹部が開く方向に変形し、この部分から割れが発生することを踏まえると、耐折り曲げ性の向上を狙って圧延銅箔の表面粗さを規定するに際しては、表面の凹凸差を捉えることが重要である。それも、局所的な１点の凹凸差をみるのではなく、十点平均粗さを用いていくつかの凹凸差の平均値をみることで、圧延銅箔の耐折り曲げ性をより正確に把握することができる。

一方、圧延ロールの表面粗さの規定に用いた算術平均粗さＲａは、凹凸差に着目する十点平均粗さ等とは異なり、測定箇所全体でどれだけうねりがあるか、に着目する。つまり、中心となる直線状の平均線に対して、粗さ曲線がどれだけ外れているかであり、全体の平均である平均線と粗さ曲線の凹凸との間の面積をみていることになる。

表面粗さを規定した圧延ロールは、最終冷間圧延工程Ｓ４０で使用され、銅材の変形加工に係る重要な工具である。よって、圧延ロール全体の状態をできるだけ隈なく捉えるこ
とが重要となる。したがって、凹凸差を点で捉えるのではなく、面または線で捉える算術平均粗さＲａを用いることで、圧延ロールの全体的な表面粗さを把握することができる。

１０ 摺動屈曲試験装置
１１ 試料固定板
１２ ネジ
１３ 振動伝達部
１４ 発振駆動体
２０ スペーサ
Ｆ 試料片

Claims (5)

1. 主表面を備え、前記主表面に平行な複数の結晶面を有する最終冷間圧延工程後、再結晶焼鈍工程前の圧延銅箔であって、
   前記圧延銅箔は、純銅又は希薄銅合金からなり、
   前記複数の結晶面には｛０２２｝面、｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面が含まれ、
   前記主表面に対する２θ／θ法を用いたＸ線回折測定から求められ、合計値が１００となるように換算された前記各結晶面の回折ピーク強度比をそれぞれＩ_[022]、Ｉ_[002]、Ｉ_[113]、Ｉ_[111]、及びＩ_[133]としたとき、
   Ｉ_[022]＋Ｉ_[002]≧７５であり、
   ｛０２２｝面、｛００２｝面、｛１１３｝面、｛１１１｝面、及び｛１３３｝面を有する粉末銅についてのＪＣＰＤＳカード又はＩＣＤＤカードに記載の前記各結晶面の標準的な回折ピークの相対強度から求められ、合計値が１００となるように換算された前記各結晶面の回折ピーク強度比のうち、前記｛１１３｝面、前記｛１１１｝面、及び前記｛１３３｝面の回折ピーク強度比をそれぞれＩ_0[113]、Ｉ_0[111]、及びＩ_0[133]とし、
   前記主表面に対する前記Ｘ線回折測定から求められる前記｛１１３｝面、前記｛１１１｝面、及び前記｛１３３｝面の回折ピークの半価幅をそれぞれＦＷＨＭ_[113]、ＦＷＨＭ_[111]、及びＦＷＨＭ_[133]としたとき、
   ［（Ｉ_[113]／Ｉ_0[113]）×ＦＷＨＭ_[113]］＋［（Ｉ_[111]／Ｉ_0[111]）×ＦＷＨＭ_[111]］＋［（Ｉ_[133]／Ｉ_0[133]）×ＦＷＨＭ_[133]］≦１．５であり、
   前記主表面の十点平均粗さによる表面粗さが、
   十点平均粗さ≦１．２μｍである
   ことを特徴とする圧延銅箔。
2. ＪＩＳ Ｃ１０２０に規定の無酸素銅、又はＪＩＳ Ｃ１１００に規定のタフピッチ銅を主成分とする
   ことを特徴とする請求項１に記載の圧延銅箔。
3. 銀、硼素、チタン、錫の少なくともいずれかが添加されている
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の圧延銅箔。
4. 総加工度が９０％以上の前記最終冷間圧延工程により厚さが２０μｍ以下となっている
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の圧延銅箔。
5. フレキシブルプリント配線板用である
   ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の圧延銅箔。