JP5197098B2

JP5197098B2 - Ｉｇｂｔの製造方法

Info

Publication number: JP5197098B2
Application number: JP2008088830A
Authority: JP
Inventors: 寿樹松原; 昌弘栗山; 雅人三川
Original assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-03-28
Filing date: 2008-03-28
Publication date: 2013-05-15
Anticipated expiration: 2028-03-28
Also published as: JP2009246050A

Description

本発明は、ＩＧＢＴの製造方法に関する。

ｐｎ接合からホールを注入する代わりにショットキ接合からホールを注入するＩＧＢＴが知られている(例えば、特許文献１参照。)。

図４は、特許文献１に開示されているＩＧＢＴを説明する図である。特許文献１に開示されているＩＧＢＴ８００（第１従来技術によるＩＧＢＴ８００という。）は、図４に示すように、ｎ^＋型半導体基板８１０と、ｎ^＋型半導体基板８１０の表面に形成されたｎ⁻型エピタキシャル層８１２と、ｎ⁻型エピタキシャル層８１２の表面に形成された絶縁ゲートトランジスタ８４０と、ｎ^＋型半導体基板８１０の裏面に形成されたショットキ金属膜を含むコレクタ電極８２６とを備えている。

絶縁ゲートトランジスタ８４０は、図４に示すように、ｎ⁻型エピタキシャル層８１２の表面に形成されたｐ^＋型ベース領域８１４と、ｐ^＋型ベース領域８１４の表面に形成されたｎ^＋型エミッタ領域８１６と、ｎ⁻型エピタキシャル層８１２の上方にゲート絶縁膜８１８を介して形成されたゲート電極８２０と、ｎ^＋型エミッタ領域８１６と電気的に接続され、ゲート電極８２０の上方に層間絶縁膜８２２を介して形成されたエミッタ電極８２４とを有する。

第１従来技術によるＩＧＢＴ８００によれば、ｐｎ接合からホールを注入するＩＧＢＴと比較して、ホールの注入量が少ないため、ターンオフ時間を短縮してスイッチング速度を高速化することが可能となる。

しかしながら、第１従来技術によるＩＧＢＴ８００においては、逆方向の電流駆動能力を高めるための内部転流ダイオードを有しないため、転流用ダイオードを必要とする用途に用いる場合には、ＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間に転流用ダイオードを外付けする必要があるという問題があった。

なお、ｐｎ接合からホールを注入するＩＧＢＴにおいて、コレクタ電極が形成される側に反転マスクを用いてｎ^＋層とｐ^＋層とを交互に配置した、いわゆるアノード・ショート型又はカソード・ショート型のＩＧＢＴが提案されている(例えば、特許文献２参照。)。

図５は、特許文献２に開示されているＩＧＢＴを説明する図である。特許文献２に開示されているＩＧＢＴ９００（第２従来技術によるＩＧＢＴ９００という。）によれば、ＩＧＢＴに対して逆並列の内部転流ダイオードをモノリシックに集積することが可能になる。その結果、ＩＧＢＴのコレクタ・エミッタ間に転流用ダイオードを外付けすることなく、逆方向の電流駆動能力の高いＩＧＢＴとすることができる。

従って、第１従来技術によるＩＧＢＴ８００においても、このようなアノード・ショート型又はカソード・ショート型のＩＧＢＴの技術を転用することにより、ＩＧＢＴに対して逆並列の内部転流ダイオードをモノリシックに集積することが考えられる。

特開２００５-１２９７４７号公報 (図６) 特許第２８６４６２９号公報 (第３図)

しかしながら、第２従来技術によるＩＧＢＴ９００は、ｎ⁻型半導体基板の厚さを薄くした状態で、反転マスクを用いてｎ^＋層とｐ^＋層とを交互に配置するようにして、逆方向の電流駆動能力の高いアノード・ショート型又はカソード・ショート型のＩＧＢＴとしているため、逆方向の電流駆動能力の高いＩＧＢＴを高い生産性で製造することは容易ではないという問題がある。したがって、第１従来技術によるＩＧＢＴ８００を逆方向の電流駆動能力の高いＩＧＢＴとする場合にも、同様に、ｎ⁻型半導体基板の厚さを薄くした状態で、反転マスクを用いてｎ⁻型半導体基板の裏面側に部分的にｎ^＋層を形成する必要があるため、逆方向の電流駆動能力の高いＩＧＢＴを高い生産性で製造することは容易ではないという問題がある。

そこで、本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、逆方向の電流駆動能力の高いＩＧＢＴを高い生産性で製造可能とするＩＧＢＴの製造方法を提供することを目的とする。

（１）本発明のＩＧＢＴの製造方法は、ｎ⁻型半導体基板を準備するｎ⁻型半導体基板準備工程と、前記ｎ⁻型半導体基板の一方の表面に絶縁ゲートトランジスタを形成する絶縁ゲートトランジスタ形成工程と、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面を表面加工することによって前記ｎ⁻型半導体基板を薄化する半導体基板薄化工程と、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面の全面にわたってｎ型不純物を供給するｎ型不純物供給工程と、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面側から部分的にレーザ光を照射して、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面に部分的にｎ^＋型不純物領域を形成するレーザ光照射工程と、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面にバリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程と、前記ｎ⁻型半導体基板の一方の表面に施された縦方向及び横方向のダイシングラインに沿って前記ｎ⁻型半導体基板をダイシングすることにより、チップ化された複数のＩＧＢＴを製造するダイシング工程とをこの順序で含むことを特徴とする。

本発明におけるＩＧＢＴの製造方法は、ｎ⁻型半導体基板の他方の表面側（絶縁ゲートトランジスタが形成される面と反対側の面）にｎ型不純物を供給したあと、ｎ⁻型半導体基板の他方の表面側からレーザ光を部分的に照射して、ｎ⁻型半導体基板の他方の表面に部分的にｎ^＋型不純物領域を形成することにより、逆方向の電流駆動能力の高いＩＧＢＴを製造するようにしている。その結果、本発明におけるＩＧＢＴの製造方法によれば、従来技術のように、半導体基体の厚さを薄くした状態で反転マスクを用いたイオン注入を行うといった工程が不要となるため、逆方向の電流駆動能力の高いＩＧＢＴを高い生産性で製造することができる。

（２）前記（１）に記載の本発明のＩＧＢＴの製造方法においては、前記レーザ照射工程においては、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面側に設定された直線状の複数のレーザ光照射ラインの各レーザ光照射ラインに沿ってレーザ光を照射することが好ましい。

これにより、レーザ光照射工程においては、レーザ光を直線状に照射すればよいので、効率よくレーザ照射を行うことができる。それによって、ｎ^＋型不純物領域をｎ⁻型半導体基板の他方の表面に効率よく形成することが可能となる。なお、「直線状の複数のレーザ光照射ラインの各レーザ光照射ラインに沿ってレーザ光を照射する」というのは、レーザ光を連続的に発振させながら各レーザ光照射ラインに沿って照射することと、レーザ光を断続的に発振させながら各レーザ光照射ラインに沿って照射することの両方を含むものである。また、レーザ光の照射を行う場合、ｎ⁻型半導体基板に対してレーザ光側を走査させるようにしてもよく、レーザ光に対してｎ⁻型半導体基板側を移動させるようにしてもよい。

（３）前記（２）に記載の本発明のＩＧＢＴの製造方法においては、前記各レーザ光照射ラインは、縦方向および横方向のダイシングラインの一方の方向のダイシングラインとのなす角度が１５°〜７５°の範囲のいずれかの角度を有するように設定されることが好ましい。

これは、縦方向及び横方向のダイシングラインに対して斜め方向に各レーザ光照射ラインを設定するというものである。各レーザ光照射ラインをこのように設定することによって、各レーザ光照射ラインは、ダイシングラインに一致することがなくなる。これによって、各レーザ光照射ラインのピッチ（間隔）をダイシングラインのピッチ（間隔）に対して適切に設定することにより、縦方向および横方向のダイシングラインで囲まれる矩形内に、少なくとも一本のレーザ光照射ラインを確実に設定することができ、設定されたレーザ光照射ラインに沿ってレーザ光を照射することによって、縦方向および横方向のダイシングラインで囲まれる矩形内に確実にｎ^＋型不純物領域を形成することができる。

（４）前記（１）〜（３）のいずれかに記載の本発明のＩＧＢＴの製造方法においては、前記ｎ型不純物供給工程は、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面の全面にわたってｎ型不純物を含む液体を塗布する工程であることが好ましい。

ｎ型不純物供給工程をこのよう工程とすることにより、ｎ⁻型半導体基板の他方の表面に適量のｎ型不純物を供給することが可能となる。なお、ｎ型不純物を含む液体としては、例えば、リン化合物（例えば、ピロリン酸）を有機溶媒（例えば、エタノール）に溶解させた液体などを好ましく用いることができる。塗布の方法としては、ディッピング法、スピナー法、スプレー法などの公知の方法を用いることができる。

（５）前記（１）〜（３）のいずれかに記載の本発明のＩＧＢＴの製造方法においては、前記ｎ型不純物供給工程は、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面の全面にわたってｎ型不純物を含むガスを供給する工程であることもまた好ましい。

ｎ型不純物供給工程をこのよう工程とすることによっても、ｎ⁻型半導体基板の他方の表面に適量のｎ型不純物を供給することが可能となる。ｎ型不純物を含むガスとしては、例えばホスフィンと不活性ガスとの混合ガスなどを好ましく用いることができる。供給の方法としては、ｎ⁻型半導体基板を当該ガスにさらす方法などを用いることができる。

以下、本発明のＩＧＢＴ及びＩＧＢＴの製造方法について、図に示す実施形態に基づいて説明する。

図１は、本発明の実施形態に係るＩＧＢＴの製造方法を説明する図である。図１（ａ）〜図（ｅ）は本発明の実施形態に係るＩＧＢＴの製造方法の各工程を示す図である。

（ａ）ｎ⁻型半導体基板準備工程
ｎ⁻型半導体基板準備工程は、ｎ⁻型半導体基板１００を準備する工程である（図１（ａ）参照。）。ｎ⁻型半導体基板１００の不純物濃度は、例えば２×１０^１４／ｃｍ^３とする。また、ｎ⁻型半導体基板１００の厚さは、例えば４００μｍとする。

（ｂ）絶縁ゲートトランジスタ形成工程
絶縁ゲートトランジスタ形成工程は、ｎ⁻型半導体基板の一方の表面（素子形成面１００ａという。）に絶縁ゲートトランジスタ１１０を形成する工程である（図１（ｂ）参照。）。なお、絶縁ゲートトランジスタ１１０の構成は、図１においては図面を簡略化するため、その構成については図示を省略するが、例えば、図４において説明した絶縁ゲートトランジスタ８４０と同様の構成を有している。すなわち、図４に示すように、ｎ⁻型エピタキシャル層８１２の表面に形成されたｐ^＋型ベース領域８１４と、ｐ^＋型ベース領域８１４の表面に形成されたｎ^＋型エミッタ領域８１６と、ｎ⁻型エピタキシャル層８１２の上方にゲート絶縁膜８１８を介して形成されたゲート電極８２０と、ｎ^＋型エミッタ領域８１６と電気的に接続され、ゲート電極８２０の上方に層間絶縁膜を介して形成されたエミッタ電極８２４とを有する。

（ｃ）半導体基板薄化工程
半導体基板薄化工程は、ｎ⁻型半導体基板１００の他方の表面（裏面１００ｂという。）に研磨などの表面加工を施すことによって、ｎ⁻型半導体基板１００を薄化するものである（図１（ｃ）参照。）。半導体薄化工程により、例えば、４００μｍ程度の厚みを有するｎ⁻型半導体基板を５０μｍ程度まで薄化する。

（ｄ）ｎ型不純物供給工程
ｎ型不純物供給工程は、ｎ⁻型半導体基板１００の裏面１００ｂの全面にわたってｎ型不純物（ｎ型不純物を含有した溶液またはｎ型不純物を含むガス）１２０を供給する工程である（図１（ｄ）参照。）。ｎ型不純物を含有した溶液（ｎ型不純物含有溶液）としては、例えば、リン化合物（例えば、ピロリン酸）を有機溶媒（例えば、エタノール）に溶解させた液体などを好ましく用いることができる。ｎ型不純物含有溶液の供給方法としては、ディッピング法、スピナー法、スプレー法などの公知の方法を用いることができ、それによって、ｎ型不純物含有溶液をｎ⁻型半導体基板１００の裏面１００ｂ全面にわたって塗布することができる。

一方、ｎ型不純物を含むガスとしては、例えば、ホスフィンと不活性ガスとの混合ガスなどを好ましく用いることができる。ｎ型不純物を含むガスの供給方法としては、ｎ⁻型半導体基板１００を当該ガスにさらす方法などを用いることができる。

（ｅ）レーザ光照射工程
レーザ光照射工程は、ｎ⁻型半導体基板１００の裏面１００ｂ側から部分的にレーザ光を照射して、ｎ⁻型半導体基板１００の裏面１００ｂに部分的にｎ^＋型不純物領域１３０を形成する（図１（ｅ）参照。）。ｎ型不純物領域１３０におけるｎ型不純物濃度は、例えば、２×１０^１７／ｃｍ^３とする。なお、レーザ光照射工程のあとに、ｎ⁻型半導体基板１００の裏面１００ｂに塗布された余分なｎ型不純物を除去して、ｎ⁻型半導体基板１００の裏面１００ｂを清浄化することが好ましい。

（ｆ）バリアメタル膜形成工程
バリアメタル膜形成工程は、レーザ光照射後のｎ⁻型半導体基板１００の裏面に、ｎ⁻型半導体基板１００との間にショットキ接合を形成するための例えば白金などからなるバリアメタル膜１４０を形成する（図１（ｆ）参照。）。

（ｇ）ダイシング工程
ｎ⁻型半導体基板１００の素子形成面１００ａに格子状に施されたダイシングライン（図１では図示せず）に沿ってｎ⁻型半導体基板１００を図１（ｇ）の一点鎖線で示すように切断することにより、チップ化された複数のＩＧＢＴ（図示せず）を製造する。

以上の各工程を含む本発明の実施形態に係るＩＧＢＴの製造方法において製造されたＩＧＢＴは、ｐｎ接合の代わりにショットキ接合を備えた、いわゆるショットキ接合型ＩＧＢＴとなる。また、上記（ｄ）のｎ型不純物供給工程（図１（ｄ）参照）及び（ｅ）のレーザ光照射工程（図１（ｅ）参照）を行うことにより、ｎ^＋型不純物領域１３０が形成され、ｎ^＋型不純物領域１３０部分がオーミック接合となる。

このように、本発明の実施形態に係るＩＧＢＴの製造方法においては、ショットキ接合を形成するためのバリアメタル膜形成工程の前に、ｎ型不純物供給工程及びレーザ光照射工程を行うことによって、逆方向の電流駆動能力の高いアノード・ショート型のＩＧＢＴを製造するようにしている。したがって、従来のように、アノード・ショート型のＩＧＢＴとするために、ｎ⁻型半導体基板１００の厚さを薄くした状態で反転マスクを用いたイオン注入を行うといった工程を行う必要がなくなるため、逆方向の電流駆動能力の高いアノード・ショート型のＩＧＢＴを高い生産性で製造可能となる。

図２は、レーザ光照射工程におけるレーザ光の照射ラインの設定例を模式的に示す図である。なお、図２（ａ）〜図２（ｃ）はｎ⁻型半導体基板１００を裏面１００ｂ側から見た平面図であり、破線で描かれた格子状のラインは、ｎ⁻型半導体基板１００の素子形成面１００ａ側に施されたダイシングライン（縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０）である。また、図２（ａ）〜図２（ｃ）においては、縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０で囲まれる各矩形は正方形であるとする。

図２（ａ）はレーザ光を照射する前の段階のｎ⁻型半導体基板１００であり、これは、図１（ｄ）に示す工程までが終了したものである。また、図２（ｂ）及び図２（ｃ）はレーザ光の照射ライン（レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・という。）の設定例を示すものであり、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すようなレーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・に沿って、ｎ⁻型半導体基板１００の裏面１００ｂにレーザ光の照射を行う。なお、レーザ光としては、可視光レーザ（例えば、波長５３２ｎｍのグリーンレーザ。）を好ましく用いることができる。また、照射するレーザ光の幅は概ね３０μｍ程度とする。

また、レーザ光の照射を行う方法としては、レーザ光を連続的に発振させながら各レーザ光照射ラインに沿って照射するようにしてもよく、レーザ光を断続的に発振させながら各レーザ光照射ラインに沿って照射するようにしてもよい。このようなレーザ光の照射を行う場合、ｎ⁻型半導体基板に対してレーザ光側を走査させるようにしてもよく、レーザ光に対してｎ⁻型半導体基板側を移動させるようにしてもよい。

本発明の実施形態に係るＩＧＢＴの製造方法においては、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０の一方の方向のダイシングラインに対して斜め方向、すなわち、縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０の一方の方向のダイシングラインとのなす角度θが、１５°≦θ≦７５°の範囲のいずれかの角度を有するようにレーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・を設定する。以下の説明では、ダイシングラインに対するレーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・の角度は、縦方向ダイシングライン２１０との角度として示すものとする。

なお、図２（ｂ）及び図２（ｃ）においては、縦方向ダイシングライン２１０に対するレーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・の角度θを４５°とした場合を例示している。

ところで、縦方向ダイシングライン２１０に対するレーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・の角度及び各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・の間隔は、レーザ光の照射回数をできるだけ少なくし、かつ、チップ化された各ＩＧＢＴにおけるｎ^＋型不純物領域１３０の有無や数などの違いによる各ＩＧＢＴの電気的特性にバラツキが生じないように設定することが好ましい。

例えば、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、縦方向ダイシングライン２１０に対する各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・の角度θを４５°とした場合には、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・のｘ軸に沿ったピッチ（ｘ軸上における間隔ｄ１）を縦方向ダイシングライン２１０のｘ軸に沿ったピッチ（ｘ軸上における間隔ｄ２）と同じとすることにより、レーザ光の照射回数をできるだけ少なくすることができ、また、チップ化された各ＩＧＢＴにおいてｎ^＋型不純物領域１３０が同じように形成されるので、各ＩＧＢＴの電気的特性のバラツキを抑制することができる。

すなわち、図２（ｂ）の場合は、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・が縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０で囲まれる矩形（図２の例では正方形）の対角を通過するように設定された場合であり、この場合は、縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０で囲まれる矩形内に一本のレーザ光照射ラインＬが存在することとなる。

また、図２（ｃ）の場合は、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・が縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０で囲まれる各矩形（図２の例では正方形）の縦方向の辺及び横方向の辺の中点を通過するように設定された場合であり、この場合は、縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０で囲まれる各矩形内に二本のレーザ光照射ラインが存在することとなる。

図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すようにレーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・を設定することにより、レーザ光の照射回数を少なくすることができる。また、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように設定されたレーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・に沿ってレーザ光を照射することにより、縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０で囲まれる各矩形内においては同じようにレーザ光を照射がなされる。このため、チップ化された各ＩＧＢＴにおいてｎ^＋型不純物領域１３０が同じように形成されるので、各ＩＧＢＴの電気的特性のバラツキを抑制することができる。

本発明の実施形態に係るＩＧＢＴの製造方法によれば、高い生産性を維持しながら、どの半導体チップにおいても逆方向の電流駆動能力を高めることができるＩＧＢＴを製造することができる。

また、本発明の実施形態に係るＩＧＢＴの製造方法においては、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・を縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０に対して斜め方向としているので、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・は縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０と一致することがない。このため、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・を有効利用することができる。また、レーザ光の照射を行う際、縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０の位置などを、あまり意識しなくても、レーザ光を照射することができるため、半導体ウエハの位置決めは、それほど高い精度が要求されないので、生産性の向上に寄与できる。

なお、本発明は前述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、前述の実施形態においては、レーザ光照射ラインをダイシングラインに対して斜め方向としたが、ダイシングラインに平行となるように設定してもよい。

図３はレーザ光照射ラインをダイシングラインに平行となるように設定した例を示す図である。図３に示すように、レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・をダイシングラインに平行となるように設定する場合には、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・・・・の間隔を、縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０の間隔と同程度とする場合、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・がダイシングライン（縦方向ダイシングライン２１０）に一致しないように各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・を設定する。このようにレーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・を設定することによって、前述の実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、前述の実施形態においては、縦方向ダイシングライン２１０及び横方向ダイシングライン２２０で囲まれる矩形は正方形としたが、長方形であっても同様に実施することができる。

また、前述の実施形態においては、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・のｘ軸に沿ったピッチ（ｘ軸上における間隔ｄ１）を縦方向ダイシングライン２１０のｘ軸に沿ったピッチ（ｘ軸上における間隔ｄ２）と同じとした場合を例示したが、各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・のｘ軸に沿ったピッチ（ｘ軸上における間隔ｄ１）を縦方向ダイシングライン２１０のｘ軸に沿ったピッチ（ｘ軸上における間隔ｄ２）に対して、より細かく設定してもよい。

また、前述の実施形態においては、縦方向ダイシングラインに対する各レーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・の角度θを４５°とした場合を例示したが、この角度も所定範囲で種々設定可能である。

また、前述の実施形態においては、ダイシングラインに対するレーザ光照射ラインＬ，Ｌ，・・・の角度は、縦方向ダイシングライン２１０に対する角度として説明したが、横方向ダイシングラインに対する角度とした場合にも同様に実施することができる。

また、前述の実施形態では、ｎ⁻型半導体基板を用いたが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、ｎ⁻型半導体基板の一部の層にｎ型半導体層またはｎ^＋型半導体層が形成されたｎ⁻型半導体基板であってもよい。

本発明の実施形態に係るＩＧＢＴの製造方法を説明する図である。レーザ光照射工程におけるレーザ光の照射ラインの設定例を模式的に示す図である。レーザ光照射ラインをダイシングラインに平行となるように設定した例を示す図である。特許文献１に開示されているＩＧＢＴを説明するために示す図である。特許文献２に開示されているＩＧＢＴを説明するために示す図である。

符号の説明

１００・・・ｎ⁻型半導体基板、１００ａ・・・一方の表面（素子形成面）、１００ｂ・・・他方の表面（裏面）、１１０・・・絶縁ゲートトランジスタ、１２０・・・ｎ型不純物、１３０・・・ｎ型不純物領域、１４０・・・バリアメタル膜、２１０・・・縦方向ダイシングライン、２２０・・・横方向ダイシングライン、８００，９００・・・ＩＧＢＴ、８１０・・・ｎ^＋型半導体基板、８１２・・・ｎ⁻型エピタキシャル層、８１４・・・ｐ^＋型ベース領域、８１６・・・ｎ^＋型エミッタ領域、８１８・・・ゲート絶縁膜、８２０，９０１・・・ゲート電極、８２２・・・層間絶縁膜、８２４，９０７・・・エミッタ電極、８２６，９０８・・・コレクタ電極、８２８・・・ｎ^＋型チャネルストッパ領域、８３０・・・絶縁膜、８４０・・・絶縁ゲートトランジスタ、９０２・・・ｐ型ベース領域、９０３・・・ｎ型ソース領域、９０４・・・ｎ⁻型半導体基板、９０５・・・ｎ^＋層、９０６，９２１・・・ｐ^＋層、Ｌ，Ｌ，・・・・・・レーザ光照射ライン

Claims

ｎ⁻型半導体基板を準備するｎ⁻型半導体基板準備工程と、
前記ｎ⁻型半導体基板の一方の表面に絶縁ゲートトランジスタを形成する絶縁ゲートトランジスタ形成工程と、
前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面を表面加工することによって前記ｎ⁻型半導体基板を薄化する半導体基板薄化工程と、
前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面の全面にわたってｎ型不純物を供給するｎ型不純物供給工程と、
前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面側から部分的にレーザ光を照射して、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面に部分的にｎ^＋型不純物領域を形成するレーザ光照射工程と、
前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面にバリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程と、
前記ｎ⁻型半導体基板の一方の表面に施された縦方向及び横方向のダイシングラインに沿って前記ｎ⁻型半導体基板をダイシングすることにより、チップ化された複数のＩＧＢＴを製造するダイシング工程と、
をこの順序で含み、
前記レーザ光照射工程においては、前記ｎ ⁻ 型半導体基板の他方の表面側に設定された直線状の複数のレーザ光照射ラインの各レーザ光照射ラインに沿ってレーザ光を照射し、前記各レーザ光照射ラインは、前記縦方向および横方向のダイシングラインの一方の方向のダイシングラインとのなす角度が１５°〜７５°の範囲のいずれかの角度を有するように設定されることを特徴とするＩＧＢＴの製造方法。
請求項１に記載のＩＧＢＴの製造方法において、
前記ｎ型不純物供給工程は、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面の全面にわたってｎ型不純物を含む液体を塗布する工程であることを特徴とするＩＧＢＴの製造方法。
請求項１に記載のＩＧＢＴの製造方法において、
前記ｎ型不純物供給工程は、前記ｎ⁻型半導体基板の他方の表面の全面にわたってｎ型不純物を含むガスを供給する工程であることを特徴とするＩＧＢＴの製造方法。