JP5193691B2 - 単結晶の研磨方法 - Google Patents
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上述した実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
Claims (4)
- 一方の面が切断面で他方の面が未加工の成長面である半導体種結晶の、前記切断面を露出させた状態で前記成長面側に、樹脂を被覆して支持部を形成すると共に、前記支持部に前記切断面と対向する面を形成する工程と、
前記切断面を研磨する工程と、
前記支持部を剥離する工程と、
を備えることを特徴とする単結晶の研磨方法。 - 前記半導体種結晶は、炭化ケイ素のインゴットの端部であることを特徴とする請求項1に記載の単結晶の研磨方法。
- 前記樹脂は、体積収縮率が6%以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶の研磨方法。
- 前記樹脂は、ボール硬度試験値が100N/mm2以上であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の単結晶の研磨方法。
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