JP4388858B2 - シリコンウエハの加工方法 - Google Patents
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このようなシリコンウエハには、多結晶と単結晶があり、次のような方法で製造されている。多結晶シリコンウエハは、四角形型の多結晶シリコンインゴットを製造し、この多結晶シリコンインゴットからバンドソーなどを用いて多数の四角形型の多結晶シリコンブロックを切り出し、さらにこの多結晶シリコンブロックをスライス加工することにより製造される。
「シリコンスタック」とは、シリコンウエハを2枚以上重ねた円柱状、角柱状などのブロックを意味する。また、「主側面」は、多角柱を構成する側面を意味し、面取り又は円弧面は含まない。「面取り又は円弧面」とは、多角柱の側面の角部に形成される平面又は曲面である。円弧面は、通常、円柱状のシリコンインゴットから断面積の大きい多角柱を切り出すときに、多角柱の角部に形成される。また、面取り面は、例えば、円弧面を平面に研削して得られる。また、多角柱は、好ましくは、実質的に直方柱であり、さらに好ましくは、実質的に正方柱である。直方柱とは、別の言い方をすると、シリコンブロックまたはシリコンスタックの断面形状が、主となる4つの直線により構成され、かつ隣接する各々の2直線の角度が90度近傍で、主となる4つの直線の隣合う2直線を円弧の一部または隣合う2直線を直線で結んだ形状であることである。
図1に示すような単結晶インゴット1(胴体部長さ1m程度)をバンドソーを用いてトップ部1aとテール部1b(インゴットの上下にある円錐状の部分)を切断する(図2参照)。その後、バンドソーで胴体部分1cを250mmの長さに切断する。円筒研削にて胴体部分1cの表面のうねりを削り、所定の外径寸法を得る。そして、バンドソー20やODソーを使用して、図3のように切断し、擬似四角形の角柱ブロック5を製造する。図4において、19はシリコンブロック5の側面、21はシリコンブロック5の円弧面を示す。このとき、シリコンブロック5は、4つの角部に円弧面21を有する正方柱である。この円弧面21を平面に研削することにより、4つの角部に面取り面を有する正方柱が得られる。また、このようにして得られたシリコンブロック5をスライスすることにより、シリコンスタック(シリコンウエハのスタック)63が得られる。
2−1.第1の実施形態
第1の実施形態に係る平坦化は、例えば、シリコンブロックまたはシリコンスタックの平坦化する面上に砥粒と媒体との混合物を散布し、前記平坦化する面上に研磨加工部を近接あるいは接触させ、シリコンブロックまたはシリコンスタックと研磨加工部とを砥粒の存在下で相対運動させることにより、シリコンブロックまたはシリコンスタックの平坦化する面を機械的に研磨することからなる。
125mm角で長さ250mmのシリコンブロック5を、第1の実施の形態の方法により研磨した。研磨加工部13としてスポンジホイールを使用し、スラリー8としてGC砥粒(#800)と研磨用オイルとの混合物を使用した。その結果、研磨加工面9の8面すべてを32分で研磨することができた。研磨前の研磨加工面の表面粗さ(微少な凹凸)Ry=20μmは、研磨後にRy=5.8μmにまで平坦化された。
125mm角で長さ250mmのシリコンブロック5を、第1の実施の形態の方法により研磨した。研磨加工部13としてホイール(直径φ240mm)底面のφ160〜240mmの範囲に、ナイロン製樹脂ブラシ(直径φ0.5mm、毛足20mmのナイロン樹脂を、エポキシ系接着剤を用いて隙間なく植毛したもの)を使用した。また、スラリー8としてGC砥粒(#800)と研磨用オイルとの混合物(重量比1:1.28)を使用した。
第2の実施形態に係る平坦化は、シリコンブロックまたはシリコンスタックの平坦化する面上に媒体を散布し、前記平坦化する面上に砥粒をその表面および/または内部に有する研磨加工部を近接あるいは接触させ、シリコンブロックまたはシリコンスタックと研磨加工部とを相対運動させることにより、シリコンブロックまたはシリコンスタックの平坦化する面を機械的に研磨することからなる。
2−2−1.スポンジホイール、ダイヤモンド砥粒(#800)
125mm角で長さ250mmのシリコンブロック5を、第2の実施の形態の方法により研磨した。砥粒付き研磨加工部17としてダイヤモンド砥粒(#800)を有するスポンジホイールを使用し、砥粒を含まない液体16として研磨用オイルを使用した。その結果、研磨加工面9の8面すべてを28分で研磨することができた。研磨前の研磨加工面の表面粗さ(微少な凹凸)Ry=12μmは、研磨後にRy=5.8μmにまで平坦化された。
125mm角で長さ250mmのシリコンブロック5を、第2の実施の形態の方法により研磨した。研磨加工部17としてホイール(直径φ220mm)底面のφ160〜220mmの範囲に、ダイヤモンド砥粒(#320)を混入したナイロン製樹脂ブラシ(直径φ0.4mm、毛足15mmのナイロン樹脂を、エポキシ系接着剤を用いて隙間なく植毛したもの)を使用した。また、砥粒を含まない液体16として、水が主成分の研磨液を使用した。
研磨加工部17としてホイール(直径φ220mm)底面のφ160〜220mmの範囲に、ダイヤモンド砥粒(#800)を混入したナイロン製樹脂ブラシ(直径φ0.4mm、毛足15mmのナイロン樹脂を、エポキシ系接着剤を用いて隙間なく植毛したもの)を用いた。これ以外は2−2−2と同様にした。
上記の方法によりシリコンブロックまたはシリコンスタックの平坦化する面に存在する微少な凹凸を平坦化した後の面の表面粗さRyは、好ましくは8μm以下であり、さらに好ましくは6μm以下であり、さらに好ましくは4μm以下である。表面粗さRyが8μm以下であれば、得られたシリコンブロックまたはシリコンスタックをスライスしてシリコンウエハを製造し、これを用いて太陽電池パネルを製造した場合に、シリコンウエハの破損が少なくなり、太陽電池パネルの歩留りがより向上するので好ましい。
まず、角部に面取り又は円弧面を有する正方柱のシリコンブロック(125mm角、長さ250mm)を準備した。面取り面の大きさは、C1、C2、C5、C10又はC20である。また、円弧面の大きさは、R10又はR20である。C、Rの定義は、上述した通りである(図5参照。)。
1a トップ部
1b テール部
1c 胴体部分
3 ノズル
4 研磨ホイール
5 シリコンブロック
6 二軸ステージ
7 一軸ステージ
8 スラリー
9 研磨加工面
10 二軸ステージの横移動方向と縦移動方向
11 一軸ステージ移動方向
12 研磨ホイール回転方向
13 研磨加工部
17 砥粒付き研磨加工部
19 シリコンブロックの側面
20 バンドソー
21 シリコンブロックの円弧面
22 研磨ホイール回転用モータ
63 シリコンウエハ
Claims (7)
- 角部に面取寸法が5mm以上の面取り面を有する実質的に直方柱であるシリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの主側面及び面取り面に存在する微少な凹凸を研磨加工部により平坦化することからなり、
前記平坦化は、前記主側面および前記面取り面のうちいずれか1つの面と前記研磨加工部とが対向する状態で研磨することにより行われるシリコンウエハの加工方法。 - 角部に寸法が10mm以上の円弧面を有する実質的に直方柱であるシリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの主側面及び円弧面に存在する微少な凹凸を研磨加工部により平坦化することからなり、
前記シリコンブロックまたはシリコンスタックは、引き上げ法により得られたシリコンインゴットを円筒研削した後、角部に前記シリコンインゴットが有する円弧面が残るように加工したものであり、
前記シリコンブロックまたはシリコンスタックは、回転機構に接続した保持機構により揺動可能に保持され、
前記主側面の前記平坦化は、前記主側面と前記研磨加工部とが対向する状態で研磨することにより行われ、
前記円弧面の前記平坦化は、前記研磨加工部が前記円弧面に沿うように前記シリコンブロックまたはシリコンスタックが揺動する状態で研磨することにより行われるシリコンウエハの加工方法。 - 前記研磨加工部は、研磨ホイールに設置され、
前記平坦化は前記研磨ホイールが回転する状態で行われる請求項1または2に記載のシリコンウエハの加工方法。 - 平坦化が、シリコンブロックまたはシリコンスタックの平坦化する面上に砥粒と媒体との混合物を散布し、前記平坦化する面上に研磨加工部を近接あるいは接触させ、シリコンブロックまたはシリコンスタックと研磨加工部とを砥粒の存在下で相対運動させることにより、シリコンブロックまたはシリコンスタックの平坦化する面を機械的に研磨することからなる請求項1または2に記載のシリコンウエハの加工方法。
- 平坦化が、シリコンブロックまたはシリコンスタックの平坦化する面上に媒体を散布し、前記平坦化する面上に砥粒をその表面および/または内部に有する研磨加工部を近接あるいは接触させ、シリコンブロックまたはシリコンスタックと研磨加工部とを相対運動させることにより、シリコンブロックまたはシリコンスタックの平坦化する面を機械的に研磨することからなる請求項1または2に記載のシリコンウエハの加工方法。
- 平坦化した後の面の表面粗さRyが8μm以下である請求項1または2に記載の加工方法。
- 平坦化した後の全ての面の表面粗さRyが8μm以下である請求項1または2に記載の加工方法。
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