JP5190461B2 - 実質的に表面欠陥のない押出フィルムの製造に関するポリカーボネート - Google Patents

Description

本発明は、ポリカーボネート樹脂、特に実質的に表面欠陥がない押出品の製造に好適なポリカーボネートに関する。

これらのポリカーボネート製品としては、ポリカーボネートベースの特に質的に高いグレードの押出品、例えばフィルム、シートまたはケーブルシースが挙げられる。これらの物品は、常套の技術、例えば押出法、吹込成形法またはプレス成形法、によって製造されうる。本発明は、更に、そのような基材の製造方法も提供する。

ポリカーボネート、ポリエステルカーボネートまたは更にＰＣとポリエステル（例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートもしくはポリシクロヘキサンジメタノールシクロへキサンジカルボキシレート（ＰＣＣＤ））とのブレンドの押出フィルム、例えば登録商標ＳＯＬＬＸ^{（登録商標）}またはＸＹＬＥＸ^{（登録商標）}（どちらも米国のＧｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ製）の押出フィルムは、特にエレクトロニクス分野において、屋内電気器具の分野における装飾および機能ブレンドに、シーリングフィルム（ｓｅａｌｉｎｇ ｆｉｌｍｓ）として（例えばスポーツ用品、ＩＤカードおよびブリスターパッケージ用に）使用される。別の応用分野は、自動車製造分野、例えば車体部品もしくは外部ミラー、または電気通信分野、例えば携帯電話ケースおよびキーパッド、である。これらのフィルムは、高い透明性、衝撃強さおよび熱安定性を特徴とする。更に重要な品質特性は、フィルムの表面品質である。特に高いグレードのハウジングおよびディスプレーカバーに、表面欠陥が容易に生じ、このことが不良品発生率を増加させる。

高品質押出フィルムは、更に、光学データ記憶媒体用のカバー層としても重要である。ここでは、フィルムの品質に関する要求は特に厳格である。なぜなら光を通過させるカバー層材料における欠陥が読み取りプロセスにおけるエラーを引き起こすからである。従って、特に、読み取りシステムのレーザービームと相互作用する欠陥がエラーのない読み取りプロセスに関して特に関連がある。そのような欠陥としては、既知であるように、レーザービームを吸収および／または散乱しうる異物、例えばダスト粒子または金属粒子、が挙げられる。読み取りレーザーの波長の減少のために、更に、吸収が用いられるレーザーの波長の範囲内にある粒子も更に有害である。例えば、カバー層を備えるブルーレイディスクでは、これらの波長は例えば４００ｎｍ〜４１０ｎｍである。

異物がポリカーボネートマトリックスに欠陥を引き起こすことが知られている。表面の欠陥は、例えば押出フィルムにおいて、異物の特定の位置によって引き起こされうる。これらの異物は、炭素粒子、いわゆる「ブラックスポット（ｂｌａｃｋ ｓｐｏｔｓ）」、ダスト、金属粒子、別のポリマー不純物（使用されるベース樹脂と異なる。）、例えばポリアミド、またはコットンファイバーなどである。

更に、表面の不完全性は、押出法それ自体によっても引き起こされうる。押出条件、例えばカレンダーの設定、に依存して、欠陥、例えば空気の混入、が引き起こされうる。これらの欠陥は、製造条件の最適化によって最小化されうる。

押出フィルム中の異物の数が、特にクリーンな周囲条件、例えば濾過空気を使用することによるクリーンルーム条件、を保証することによって削減されうることが知られている。このことは、例えばＤＥ １９９５２８５２に記述されている。

更に、異物含量が低い基材および良好な表面特性を提供する基材が、例えば特開２００３−２３１１４１に記述されている。特開２００３−２３１１４１に記述されているこれらの基材は、本発明の範囲外である。なぜなら、本発明は特定のタイプの粒子の濃度が低い基材に関するからである。

ＤＥ １９９ ５２ ８５０において、成形コンパウンドおよび高い表面品質を有するフィルムの製造に好適なポリカーボネート基材が記述されている。特に、これらの材料は、ツインウォールシート（ｔｗｉｎ−ｗａｌｌ ｓｈｅｅｔｓ）およびソリッドシート（ｓｏｌｉｄ ｓｈｅｅｔｓ）の製造に好適である。この基材は、特定の製造プロセスによって製造され、その出発原料は、ある元素、例えば、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃａ、ＭｇまたはＡｌの濃度が低い。しかしながら、本発明によってカバーされる粒子の形成、および従って、表面欠陥は、これらの元素の濃度を削減することによって抑制されない。

ＵＳ ６２８８２０４において、欠陥をもたらしうる分枝ポリカーボネート中のゲル粒子が記述されている。原理的には、分枝ポリカーボネートが欠陥部位を含むことが知られている。これらはここではカバーされていない。本発明は、直鎖ポリカーボネートに関する。

意外なことに、フィルムの表面における欠陥は、通常のダスト粒子または別の異物によって引き起こされるだけでなく、特に特定の機械的特性を有する蛍光粒子によっても引き起こされることがわかった。これらの粒子は、常套の濾過によっては分離されない。本発明において記述される異物であって、過度の表面欠陥をもたらす異物は、基材が可溶である溶媒中では検出されない。なぜなら、それらはポリカーボネートと類似の屈折率を有するからである。従って、これらの粒子は、例えば対応する先行技術のＨｉａｃ Ｒｏｙｃｏ試験によって検出されない。

従って、先行技術で知られている通常濾過可能な粒子、例えば「ブラックスポット」は、本発明によってカバーされない。

代わりに、例えば、表面欠陥を起こす粒子の４０〜８０％が蛍光コアを含むことがわかった。更に、これらの蛍光粒子のサイズが１５〜２５０μｍであることもわかった。

加えて、これらの蛍光粒子の多くがポリマーマトリックス（ポリカーボネート）自体と異なる機械的特性を有することもわかった。粒子の機械特性の特定の測定は、マトリックス材料（ポリカーボネート）と比較して高いモジュラス並びに高い硬度を示す。これらの蛍光粒子は、欠陥部位、例えばくぼみ、ピットまたは丸い歪もしくは凹面、をフィルム表面上に引き起こし、このことがフィルムの品質を大きく低下させる。従って、これらの欠陥部位は、特にフィルムが別の材料で被覆または金属化される場合に、問題をもたらす。従って、フィルムの表面における欠陥は、被覆フィルムに更なる欠陥をもたらす。

本発明による成形コンパウンドベースのプレス成形法によって製造される押出品（フィルム、シートおよびケーブルシース）および成形コンパウンドが欠陥部位の少ない表面を有することがわかった。本発明の更なる利点は、熱可塑性成形コンパウンドが、例えば押出、吹込成形、ケーブル引き抜き成形（ｃａｂｌｅ ｐｕｌｔｒｕｓｉｏｎ）によって、押出品に、プレス成形法によって成形物品に、容易に加工されうることである。本発明による押出品およびプレス成形法によって製造される成形物品を、次に、常套の技術、例えば熱成形、によって更に加工、プリントおよび／またはレーザー刻印してもよい。

本発明の目的は、蛍光粒子カウントが低く、熱可塑性成形コンパウンドから常套の技術、例えば押出、吹込成形またはプレス成形法、によって製造される改良された表面品質を有する押出品、例えばフィルム、シートおよびケーブルシース、に好適である、直鎖ポリカーボネート樹脂を提供することである。

要求する光学用途への樹脂の好適性を損なう表面欠陥を実質的に含まない直鎖ポリカーボネート樹脂を開示する。更に、この樹脂の製造方法も開示する。樹脂に含まれる表面欠陥は、透明蛍光粒子の形態であり、サイズ１５〜２５０μｍの部分の粒子カウントが１．８カウント／ｇ以下であり、このカウントは前記ポリカーボネートの塩化メチレン溶液を孔サイズ５μｍのＴｅｆｌｏｎフィルターを通して濾過した後に残る残留物を、波長４００〜４４０ｎｍにおいて、総合倍率２５倍かつ照明時間４０ミリ秒で励起することによって決定される。このポリカーボネートは、光学特性が改良されたフィルムの製造に好適である。

用語フィルムは、通常、巻かれ／曲げられていてもよい材料を示し、シートは一般的に硬質であり、従って巻いたり曲げたりできない。フィルムの厚さは、好ましくは５０〜１００μｍ、特に好ましくは１５０〜８００μｍ、最も特に好ましくは２５０〜６００μｍである。本発明によるフィルムが多層フィルムである場合、上記厚さの数値は、本発明によるポリカーボネートの複数の層についていう。

本発明の関連の中でのシートの厚さは、一般的に１．０ｍｍ〜数ｃｍ、好ましくは１．０ｍｍ〜４ｃｍ、特に１．０ｍｍ〜２．５ｃｍである。

ポリマーグラニュール中の特定のサイズの蛍光粒子の数が多くなればなるほど、それらから製造される押出フィルムまたはシートの表面上の欠陥部位の発生率が大きくなる。従って、表面品質が大きく低下するので、製品の品質が損なわれる。意外なことに、全ての蛍光粒子がフローディフェクト（ｆｌｏｗ ｄｅｆｅｃｔｓ）をもたらすわけではなく、特性のサイズの粒子のみがフローディフェクトをもたらすことがわかった。直径１５μｍ超の粒子が押出フィルムまたはシートの表面上に過度に多く欠陥部位をもたらす。これに関連して、直径は、蛍光粒子の優位な、すなわち最も大きい寸法を意味する。特に、直径が１２０μｍよりも大きい粒子が、押出フィルムまたはシートの表面上に欠陥部位をもたらす。

このことは、先行技術に照らして明らかでなく、従って、本発明の目的は、これらの粒子の臨界サイズの特定およびこれらの粒子の検出方法の提供に起因し、従って、究極的には、品質的にグレードの高い押しフィルムの製造に好適な基材の提供に起因する。

従って、本発明は、一態様において、ポリカーボネートであって、その塩化メチレン溶液を濾過した後に残る残留物に対して測定されるサイズ１５〜２５０μｍの透明蛍光粒子の粒子カウントが０．１〜１．８カウント／ｇ（単位グラムは、ポリカーボネート、例えば樹脂、フィルムまたはシート、の量を意味する。）であることを特徴とするポリカーボネートに関する（濾過は孔サイズ５μｍのＴｅｆｌｏｎフィルターを通して行われ、蛍光は励起波長４００〜４４０ｎｍかつ総合倍率２５倍で照明時間４０ミリ秒における蛍光である。）。

本発明は、更に、ポリカーボネートが分枝されていないそのようなポリカーボネートにも関する。本明細書を通じて使用される用語ポリカーボネートは、任意のポリカーボネート、コポリカーボネートおよびポリエステルカーボネートをいう。

更に、本発明は、粒径１２０超の粒子の粒子カウントが０．０２カウント／ｇ以下であることを特徴とするポリカーボネートに関する。

更に、本発明は、サイズ１５〜２５０μｍの透明蛍光粒子の粒子カウントが０．１〜１．５カウント／ｇであることを特徴とするポリカーボネートにも関する。

更に、本発明は、上記方法の一つによって得られるポリカーボネート、そのようなポリカーボネートの押出フィルムの製造への使用、並びにそのようなポリカーボネートを含む押出フィルムにも関する。

更に、本発明は、
ａ）そのようなポリカーボネートを溶融する工程、
ｂ）溶融物をフィルムにカレンダリング工程
ｃ）溶融物を冷却する工程
を包含する押出フィルムの製造方法並びにこの方法によって得られる押出品（フィルム、シートおよびケーブルシース）にも関する。

更に、本発明は、ビスフェノールＡベースのポリカーボネート（ＢＰＡ−ＰＣ）、ＢＰＡとＢＰＴＭＣとベースのコポリカーボネート（ドイツ連邦共和国レーフェルクーゼンのＢａｙｅｒ ＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅ ＡＧの製品であるＡｐｅｃ^{（登録商標）}ポリカーボネート）、芳香族ポリステルカーボネートまたはポリエステルブロックカーボネートが基材として使用される少なくとも一つの層を備えることを特徴とし、特にＢＰＡ−ＰＣとポリエステルシロキサンまたはポリシロキサンとのブレンドが基材として使用されたことを特徴とする押出フィルム、およびブレンド、シーリングフィルム、車体部品、外部ミラー、携帯電話のケーシング、携帯電話のキーパッドまたは光学データ記憶媒体用カバー層の製造へのそのような押出フィルムの使用にも関する。

更に、本発明は、サイズ１５〜２５０μｍの蛍光粒子の粒子カウントが０．１〜１．８カウント／ｇであるポリカーボネートを得る方法であって、
ａ）直鎖ポリカーボネートを製造し、
ｂ）工程ａ）において製造されるポリカーボネートをサイズ１５〜２５０μｍの蛍光粒子の粒子カウントに関して分析し、
ｃ）サイズ１５〜２５０μｍの蛍光粒子の粒子カウント０．１〜１．８カウント／ｇが工程ｂ）において得られるまで滞留時間、圧力または温度の処理パラメータを変えながら工程ａ）およびｂ）を繰り返す、
方法、並びに工程ｃ）において粒径１２０μｍ超の粒子の粒子カウントが０．０２カウント／ｇ以下であるか、または粒子カウントが０．１〜１．５カウント／ｇであるそのような方法にも関する。

更に、本発明は、工程ｂ）において、材料を塩化メチレン中に溶解し、孔サイズ５μｍのＴｅｆｌｏｎフィルターを通して濾過し、励起波長４００〜４４０ｎｍにおいて、総合倍率２５倍かつ照明時間４０ミリ秒で粒子カウントを行う方法にも関する。

この関連で、Ｔｅｆｌｏｎフィルター上の連続蛍光領域（励起波長４００〜４４０ｎｍかつ総合倍率２５倍において照明時間４０ミリ秒）を「１」カウントしてカウントする（言い換えると、カウントされる粒子は、それ自体一つの粒子であるかまたは一つの領域の連続クラスター化粒子である−どちらも一カウントとしてカウントされる。）。一態様において、カウントプロセスは、自動検出によって行われる。

本発明は、更に、ポリカーボネートの製造に関する界面重合法の改良にも関する。従って、ポリカーボネートは、複数のフラッシュ蒸発段階と蒸発押出機によって単離され、第一蒸発段階が０．３５〜０．４５ｂａｒ過剰圧力において温度７０℃〜８０℃であり、かつ、第二蒸発段階が０．７５〜０．８５ｂａｒ過剰圧力において温度１２５℃〜１３５℃であり、かつ、第三蒸発段階が１．８５〜１．９５ｂａｒ過剰圧力において温度１７５℃〜１８５℃であることを特徴とする。この方法の一態様において、任意の二つの連続フラッシュ段階間の温度差は９０℃を越えない。好ましい態様において、この差は６０℃を超えない。より好ましい態様において、この差は５５℃を超えない。更に別の態様において、第一蒸発段階において０．３５〜０．４５ｂａｒ過剰圧力において温度は約７５℃であり、第二蒸発段階において０．７５〜０．８５ｂａｒ過剰圧力において温度は約１３０℃であり、第三蒸発段階において１．８５〜１．９５ｂａｒ過剰圧力において温度は約１８０℃である。

更なる態様において、本発明は、蛍光粒子を単離し、それらをサイズの順に分類する自動評価と一体となった濾過方法が用いられるような方法に関する。この製造方法は、蛍光粒子のカウントが低い基材であって、質的に高いグレードの押出フィルムの製造に好適である基材が製造されるように、この測定方法によってコントロールされうる。

上で言及されるように、既知のＨｉａｃ／Ｒｏｙｃｏ測定と対照的に、本発明のケースでは、不透明な粒子、例えばダストもしくは金属粒子、ではなく、透明蛍光粒子を検出し、サイズによって分類する。本発明の方法は、常套の測定によって検出されない不純物を検出する。

フィルムに表面欠陥をもたらしうる更なる蛍光粒子をフィルム押出法それ自体が導入することが更にわかった。これらの数またはこれらの追加の粒子は、押出法のパラメータ、例えば押出機におけるカレンダリング速度および温度、を調節することによって最小化されうる。

押出フィルムへの上記蛍光粒子の混入は、反応におけるある処理パラメータ、例えば滞留時間、圧力、温度または更に使用される複数の出発原料、例えば使用されるビスフェノールもしくは溶媒の純度、特に温度に関する上記処理パラメータ、に起因すると考えられうる。更に、汚染物、例えば重金属もしくは塩、ができるだけない原料を使用することも重要である。更に、処理工程、例えばポリマー溶液の洗浄、を最適化することによって、イオン、例えばアルカリ金属およびアルカリ土類金属イオン、での汚染も減らされうる。各種のこれらの影響因子または更にこれらの影響因子の組み合わせの全てが、最終製品、すなわち押出フィルム、中の蛍光体の粒子カウントを上昇させうる。

本発明のポリカーボネートを得るために、多くの更なる工程が行われうる。例えば、上記パラメータが最適化されうる。更に、種々の製造バッチが上記方法によってチェックされうる。本発明による範囲外に属する粒子カウントを有するポリカーボネートは排除され、別の目的に使用されるかまたは精製されうる。更に、臨界サイズの粒子を保持するために特定の濾媒を使用してもよい。この場合、上記方法を用いて粒子カウントが本発明による範囲にあることを保証するために、さまざまなパラメータ、例えば圧力、濃度および温度を調節しなければならない。全体として、これらの製造方法は、この方法を用いて最適化され、従って、低蛍光グラニュール材料の入手しやすさが達成されうる。

しかしながら、レオロジー特性のために、これらの透明蛍光粒子は基材からの分離が困難である。これらの粒子は、よくても常套のフィルターによる保持が不充分である。このことは、例えば、常套の薄層金属スクリーンに当てはまる。更に、このことは、フィルターの孔サイズが蛍光粒子の平均粒径よりも著しく小さい場合にも当てはまる。高圧かつ／または高温において、粒子の変形性が増加し、その結果、これらの粒子は孔径の小さい常套のフィルターファブリックを容易に通り抜ける。従って、常套のフラットフィルター、例えば孔サイズが５０〜１５０μｍのフラットフィルター、はこれらの粒子を保持しない。

従って、本発明は、本発明による特性を有するポリカーボネートを提供すること、およびそのようなポリカーボネートを本発明による押出フィルムの製造に使用することに基づく。

本発明は、更に、本発明によるポリカーボネートを含む押出フィルム、並びにＢＰＡ−ＰＣ、ＢＰＡとＢＰＴＭＣとをベースとするコポリカーボネート（ドイツ連邦共和国レーフェルクーゼンのＢａｙｅｒ ＭａｔｅｒｉａｌＳｃｉｅｎｃｅ ＡＧの製品であるＡｐｅｃ^{（登録商標）}ポリカーボネート）、芳香族ポリエステルカーボネートまたはポリエステルブロックカーボネートが基材として使用される少なくとも一つの層を備えることを特徴とする本発明によるポリカーボネートを含む押出フィルムにも関する。

本発明によるポリカーボネートの製造は、特に、界面重合法によって行われる。このポリカーボネート合成に関する方法は、文献に多く記述されている（例えば、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌ，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｒｅｖｉｅｗｓ，第９巻，Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ，ニューヨーク １９６４年３３頁以降、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｒｅｖｉｅｗｓ，第１０巻，“Ｃｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｂｙ Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ ａｎｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄｓ”，Ｐａｕｌ Ｗ．Ｍｏｒｇａｎ，Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ，ニューヨーク １９６５年，第ＶＩＩＩ，３２５頁、Ｄｒｓ．Ｕ．Ｇｒｉｇｏ，Ｋ．Ｋｉｒｃｈｅｒ ａｎｄ Ｐ．Ｒ−Ｍｕｅｌｌｅｒ“Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ”ｉｎ Ｂｅｃｋｅｒ／Ｂｒａｕｎ，Ｋｕｎｓｔｓｔｏｆｆ−Ｈａｎｄｂｕｃｈ，第３／１巻，Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ，Ｐｏｌｙａｃｅｔａｌｅ，Ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ，Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅｅｓｔｅｒ，Ｃａｒｌ Ｈａｎｓｅｒ Ｖｅｒｌａｇ Ｍｕｎｉｃｈ，ウィーン１９９２年，１１８〜１４５頁並びにＥＰ−Ａ ０ ５１７ ０４４参照。）。

この方法によると、水−アルコール溶液（またはサスペンション）中のビスフェノール（または種々のビスフェノールの混合物）の二ナトリウム塩のホスゲン化は、第二の相を形成する不活性有機溶媒または溶媒混合物の存在下において行われる。形成され、主に有機相中に存在するオリゴカーボネートを、好適な触媒を用いて縮合して有機相中に溶解された高分子量ポリカーボネートを形成する。最後に有機相を分離し、そこから種々のワークアップ（ｗｏｒｋｉｎｇ−ｕｐ）工程によってポリカーボネートを単離する。

界面重合法によるポリカーボネートの連続製造方法が本発明による基材の製造に特に好適である。ホスゲン化リアクターとしてのポンプ循環リアクターおよび下流に接続されるチューブ状リアクターを用いる連続反応が特に好ましい。

本発明による基材の製造に関して、次のポリカーボネートの性質および単離方法も更に特に好適である。

好ましくは、ポリカーボネート溶液の蒸発は、クロロベンゼン含量２０〜７０ｗｔ．％、好ましくは４０〜６０ｗｔ．％のクロロベンゼン−ジクロロメタン混合物から行われる。特に、熱処理によるポリカーボネート溶液の蒸発、いわゆるフラッシュ法、が好適である。この場合、ポリマー溶液の濃縮および要すれば更にポリマーの単離は、溶媒の留去によって行われ、そこでは溶媒が過熱および溶媒の圧力の解放によって除去される（フラッシュ）。この方法は、当業者によく知られている。更に“Ｔｈｅｒｍａｉｓｃｈｅ Ｔｒｅｎｎｖｅｒｆａｈｒｅｎ”（熱分離法），ＶＣＨ Ｖｅｒｌａｇｓａｎｓｔａｌｔ １９８８年，１１４頁参照。既知のフラッシュプロセスにおいて、ポリマー溶液をわずかに過剰の圧力のもとで、常圧における沸点より高い温度に繰り返し加熱し、次に、これらの常圧に対して過熱された溶液を低圧（例えば常圧）容器にフラッシュする。これに関連して、異なる濃度段階の間において温度に関して二つの大きな工程を行うのではなく、むしろ濃縮工程から濃縮工程までの小さい温度差に関して二段階〜四段階濃縮法を選択することが有利である。次の蒸発押出機によるポリカーボネートの単離を伴う三段階の蒸発プロセスが特に好ましい。本発明による基材の製造に関して、蒸発段階間の温度差が９０℃以下、特に好ましくは６０℃以下である多段階蒸発法を用いることが有利である。加えて、高品質の材料を得るために最終的な蒸発工程において効率的な濃縮蒸発を確実にすることが重要であり、この目的に関して蒸発押出機が好ましく使用される。これに関連して、第一蒸発工程において０．３５〜０．４５ｂａｒ過剰圧力において温度が７０℃〜８０℃であり、第二蒸発工程において０．７５〜０．８５ｂａｒ過剰圧力において温度が１２５℃〜１３５℃であり、第三蒸発工程において１．８５〜１．９５ｂａｒ過剰圧力において１７５〜１８５℃であることが好ましい。

溶媒残留物は、このようにして得られる高濃縮ポリマー溶融物から、蒸発押出機（ＢＥ−Ａ ８６６ ９９１、ＥＰ−Ａ ０ ４１１ ５１０、ＵＳ−Ａ ４ ９８０ １０５、ＤＥ−Ａ ３３ ３２ ０６５）、薄膜式蒸発器（ＥＰ−Ａ ０ ２６７ ０２５）、流下膜式蒸発器、押出蒸発器または 摩擦圧縮（ＥＰ−Ａ ０ ４６０ ４５０）、要すれば更に共留剤、例えば窒素もしくは二酸化炭素、の添加を伴うか、または真空の適用のもとで（ＥＰ−Ａ ０ ０３９ ９６、ＥＰ−Ａ ０ ２５６ ００３、ＵＳ−Ａ ４ ４２３ ２０７）、を用いて溶融物から直接除去されても、代わりに更に次の結晶化（ＤＥ−Ａ ３４ ２９ ９６０）および固相における溶媒残留物の加熱（ＵＳ−Ａ ３ ９８６ ２６９、ＤＥ−Ａ ２０ ５３ ８７６）によって除去されてもよい。これに関連して、蒸発押出機を用いる単離が好ましい。

可能であれば、グラニュール材料は、次にグラニュール化が続く溶融物の直接紡糸によって、または材料を空気中もしくは液体（通常、水）の下で紡糸する排出押出機（ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｅｘｔｒｕｄｅｒｓ）の使用によって得られる。押出機が使用される場合、この押出機の上流において、要すればスタティックミキサーを使用して、または押出機中のサイド押出機（ｓｉｄｅ ｅｘｔｒｕｄｅｒｓ）によって、添加剤を溶融物に添加してもよい。

本発明によって使用されるポリカーボネートの製造に好適な芳香族ジヒドロキシ化合物（本明細書中ジフェノールという。）としては、例えばヒドロキノン、レソルシノール、ジヒドロキシジフェニル、ビス−（ヒドロキシフェニル）−アルカン、（ビス−ヒドロキシフェニル）−シクロアルカン、ビス−（ヒドロキシフェニル）−スルフィド、ビス−（ヒドロキシフェニル）−エーテル、ビス−（ヒドロキシフェニル）−ケトン、ビス−（ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス−（ヒドロキシフェニル）−スルホキシド、α，α’−ビス−（ヒドロキシフェニル）−ジイソプロピルベンゼン、並びにそれらのアルキル化、核アルキル化およびカルハロゲン化化合物が挙げられる。

好ましいジフェノールは、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルプロパン、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルエタン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，４−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，３−ビス−［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン（ビスフェノールＭ）、２，２−ビス−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−メタン、２，２−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−スルホン、２４−ビス−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、１，３−ビス−［２−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］−ベンゼン、１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサンおよび１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）並びにそれらの混合物である。

特に好ましいジフェノールは、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−フェニルエタン、２，２−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−シクロヘキサンおよび１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ビスフェノールＴＭＣ）並びにそれらの混合物である。

これらおよび更なる好適なジフェノールは、例えばＵＳ−Ａ−ＰＳ ２ ９９９ ８３５、３ １４８ １７２、２ ９９１ ２７３、３ ２７１ ３６７、４ ９８２ ０１４および２ ９９９ ８４６、ドイツ連邦共和国公開明細書１ ５７０ ７０３、２ ０６３ ０５０、２ ０３６ ０５２、２ ２１１ ９５６および３ ８３２ ３９６、フランス共和国特許明細書１ ５６１ ５１８、モノグラフ“Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌ，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ，Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ，ニューヨーク １９６４年，２８頁以降；１０２頁以降”、および“Ｄ．Ｇ．Ｌｅｇｒａｎｄ，Ｊ．Ｔ．Ｂｅｎｄｌｅｒ，Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ ニューヨーク ２０００年，７２頁以降”に記述されている。

ホモポリカーボネートの場合、一種類のジフェノールのみが使用され、コポリカーボネートの場合複数種のジフェノールが使用され、使用されるビスフェノールは、別の全ての化学物質および合成に添加される助剤と同様、それらの実際の合成、取り扱いおよび貯蔵に由来する不純物が混入していてもよいが、もちろん、できるだけ純粋な原料の使用が望ましい。

分子量を調節するのに必要とされる単官能性連鎖停止剤、例えばフェノールまたはアルキルフェノール、特にフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ．ブチルフェノール、ｉｓｏ−オクチルフェノール、クミルフェノール、それらのクロロ炭酸エステルまたはモノカルボン酸の酸塩化物またはこれらの連鎖停止剤の混合物、は、ビスフェノレートと共に反応に添加されても、ホスゲンもしくはクロロ炭酸末端基が反応混合物中に存在する限り、または酸塩化物およびクロロ炭酸エステルが連鎖停止剤として使用される場合、形成されるポリマーの十分なフェノール性末端基が有効である限り、合成中の任意の好適な時間に添加されてもよい。しかしながら、好ましくは、連鎖停止剤は、ホスゲン化後、ホスゲンが存在しないが触媒がまだ計量添加されていない場所もしくは時点において添加されるか、または触媒の前に、触媒と共に、もしくは触媒と平行して添加される。

界面重合法において使用される触媒は、第三級アミン、特にトリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−ｉ／ｎ−プロピルピペリジン；第四級アンモニウム塩、例えばテトラブチルアンモニウム−／トリブチルベンジルアンモニウム−／テトラエチルアンモニウム−水酸化物／−塩化物／−臭化物／−硫酸水素塩／−テトラフルオロボレート；並びにこれらのアンモニウム化合物に対応するホスホニウム化合物である。これらの化合物は、文献に典型的な界面重合触媒として記述されており、市販されており、かつ、当業者によく知られている。触媒は、単独で添加されても、混合物として添加されても、更に一種類ずつ連続して合成に計量添加されてもよく、オニウム化合物またはオニウム化合物の混合物が触媒として使用されない場合、要すれば更にホスゲン化の前に、好ましくはホスゲンの添加後に、オニウム化合物またはオニウム化合物の混合物が触媒として使用される場合、触媒は好ましくはホスゲンが計量添加される前に添加される。触媒の添加は、バルクで、不活性溶媒、好ましくはポリカーボネート合成の溶媒、中で、または更に水溶液として、行われ、第三級アミンの場合、それらの酸、好ましくは鉱酸、特に塩化水素酸、とのアンモニウム塩として行われうる。数種類の触媒を使用するかまたは触媒の総量の部分量を計量添加する場合、もちろん異なる場所または異なる時間において異なる計量添加手順を採用してもよい。使用される触媒の総量は、用いられるビスフェノールのモルに対して、０．００１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは０．０１〜８ｍｏｌ％、特に好ましくは０．０５〜５ｍｏｌ％である。

ホモポリカーボネート並びにコポリカーボネートが好適である。本発明によるコポリカーボネートの製造に関して、更に、ヒドロキシル−アリールオキシ末端基を有するポリジオルガノシロキサン１〜２５ｗｔ．％、好ましくは２．５〜２５ｗｔ．％（用いられるジフェノールの総量に対する。）を使用してもよい。これらは既知（例えば米国特許第３ ４１９ ６３４号参照。）であるかまたは文献で既知の方法によって製造されうる。ポリジオルガノシロキサン含有コポリカーボネートの製造は、例えばＤＥ−ＯＳ ３３ ３４ ７８２に記述されている。

好ましいポリカーボネートは、ビスフェノールＡホモポリカーボネートに加えて、更に、ビスフェノールＡとジフェノールのモルの合計に対して１５ｍｏｌ％以下の好ましいかまたは特に好ましいジフェノール以外のジフェノール、特に２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）−プロパンおよび１，３−ジヒドロキシベンゼンとのコポリマーである。

更に、ポリエステルカーボネートおよびブロックコポリエステルカーボネートが好適であり、特にＷＯ ２０００／２６２７５に記述されているものが好適である。芳香族ポリエステルカーボネートの製造に関する芳香族ジカルボン酸二ハロゲン化物は、好ましくはイソフタル酸、テレフタル酸、ジフェニルエーテル−４，４’−ジカルボン酸およびナフタレン−２，６−ジカルボン酸の二酸塩化物である。

イソフタル酸とテレフタル酸との二酸二塩化物の１：２０〜２０：１の比の混合物が特に好ましい。

ポリエステルカーボネートの製造において、加えて、炭酸ハロゲン化物、好ましくはホスゲンが二官能性酸誘導体として共使用される。

芳香族ポリエステルカーボネートの製造に好適な連鎖停止剤としては、既に言及したモノフェノール以外に、更に、それらのクロロ炭酸エステル並びに任意にＣ１〜Ｃ２２アルキル基またはハロゲン原子によって置換されていてもよい芳香族カルボン酸の酸塩化物、並びに脂肪族Ｃ２〜Ｃ２２モノカルボン酸塩化物が挙げられる。

連鎖停止剤の量は、フェノール性連鎖停止剤の場合ジフェノールのモルに対して、モノカルボン酸塩化物連鎖停止剤の場合ジカルボン酸二塩化物のモルに対して、それぞれ、０．１〜１０ｍｏｌ％である。

芳香族ポリエステルカーボネートは、更に、組み込まれる芳香族ヒドロキシカルボン酸、すなわち言い換えると組み込まれる芳香族ヒドロキシカルボン酸から誘導される構造ユニットを含んでいてもよい。

熱可塑性芳香族ポリエステルカーボネートにおいて、カーボネート構造ユニットの割合は任意に変化しうる。

好ましくは、カーボネート基の割合は、全エステル基とカーボネート基の合計に対して、１００ｍｏｌ％以下、特に８０ｍｏｌ％以下、特に好ましくは５０ｍｏｌ％以下である。

芳香族ポリエステルカーボネートのエステル部分並びにカーボネート部分は、重縮合物中にブロックの形態で存在してもランダムに分布していてもよい。

芳香族ポリエステルカーボネートの相対溶液粘度（ηｒｅｌ）は、１．１８〜１．４、好ましくは１．２２〜１．３の範囲内（ポリエステルカーボネート０．５ｇの塩化メチレン溶液１００ｍｌの溶液において２５℃において測定。）である。

熱可塑性芳香族ポリカーボネートおよびポリエステルカーボネートは、単独で用いられても互いの任意の混合物中で用いられてもよい。

本発明との関連でコポリカーボネートは、特に重量平均分子量（Ｍｗ）約１０，０００〜２００，０００、好ましくは２０，０００〜８０，０００（事前の較正後にゲルクロマトグラフィーによって決定。）かつ芳香族カーボネート構造ユニット含量約７５〜９７．５ｗｔ．％、好ましくは８５〜９７ｗｔ．％、かつポリジオルガノシロキサン構造ユニットの含量約２５〜２．５ｗｔ．％、好ましくは１５〜３ｗｔ．％のポリジオルガノシロキサン−ポリカーボネートブロックコポリマーであり、このブロックコポリマーは、重合度Ｐｎ５〜１００、好ましくは２０〜８０のα−，ω−ビスヒドロキシアリールオキシ末端基含有ポリジオルガノシロキサンから製造される。

このポリジオルガノシロキサン−ポリカーボネートブロックコポリマーは、更に、ポリジオルガノシロキサン−ポリカーボネートブロックコポリマーと常套のポリシロキサンフリーの熱可塑性ポリカーボネートとの混合物であってもよく、この混合物中のポリジオルガノシロキサン構造ユニットの総含量は約２．５〜２５ｗｔ．％である。

そのようなポリジオルガノシロキサン−ポリカーボネートブロックコポリマーは、ポリマー鎖中に一方で芳香族カーボネート構造ユニット（１）を含み、他方でアリールオキシ末端基含有ポリジオルガノシロキサン（２）を含むことを特徴とする。

そのようなポリジオルガノシロキサン−ポリカーボネートブロックコポリマーは、例えば、ＵＳ−ＰＳ ３ １８９ ６６２、ＵＳ−ＰＳ ３ ８２１ ３２５およびＵＳ−ＰＳ ３ ８３２ ４１９で知られている。

好ましいポリジオルガノシロキサン−ポリカーボネートブロックコポリマーは、 α−，ω−ビスヒドロキシアリールオキシ末端基含有ポリジオルガノシロキサンと別のジフェノールとを常套の量で、例えば二界面重合法（ｄｏｕｂｌｅ ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）（これに関してＨ．Ｓｃｈｎｅｌｌ，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｒｅｖ．第ＩＸ巻，２７頁以降，Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １９６４年参照。）によって、反応させることによって製造され、二官能性フェノール性反応物の比は、それぞれ本発明による芳香族カーボネート構造ユニットとジオルガノシロキシユニットとの含量がそれらから生じるように選択される。

そのようなα−，ω−ビスヒドロキシアリールオキシ末端基含有ポリジオルガノシロキサンは、例えばＵＳ ３ ４１９ ６３４で知られている。

種々の添加剤が上記基材に添加されうる。

添加剤の添加は、耐用年数もしくは色を長くすること（安定剤）、処理を平易にすること（例えば離型剤、流動助剤、帯電防止剤）またはポリマーの特性を特定のストレスに適合させること（耐衝撃強化剤、例えばゴム；難燃剤、着色剤、ガラス繊維）に役立つ。

これらの添加剤は単独でまたは任意の混合物でまたは複数の異なる混合物でポリマー溶融物に、より具体的には、ポリマーの単離中、または更にグラニュール材料の溶融後、いわゆる配合工程において直接、添加されうる。これに関連して、添加剤またはそれらの混合物は、固体として、すなわちパウダーとして、または溶融物として、ポリマーの溶融物に添加されうる。別のタイプの計量添加は、添加剤または添加剤混合物のマスターバッチまたはマスターバッチ混合物の使用である。

好適な添加剤は、例えば“Ａｄｄｉｔｉｖｅｓ ｆｏｒ Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，Ｊｏｈｎ Ｍｕｒｐｈｙ，Ｅｌｓｅｖｉｅｒ，Ｏｘｆｏｒｄ １９９９年”、および“Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ａｄｄｉｔｉｖｅｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，Ｈａｎｓ Ｚｗｅｉｆｅｌ，Ｈａｎｓｅｒ，ミュンヘン ２００１年”に記述されている。

好適な酸化防止剤および熱安定剤は、例えば、
アルキル化モノフェノール、アルキルチオメチルフェノール、ヒドロキノンおよびアルキル化ヒドロキノン、トコフェロール、ヒドロキシル化チオジフェニルエーテル、アルキリデンビスフェノール、Ｏ−、Ｎ−およびＳ−ベンジル化合物、ヒドロキシベンジル化マロネート、芳香族ヒドロキシベンジル化合物、トリアジン化合物、アシルアミノフェノール、β−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のエステル、β−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロピオン酸のエステル、β−（３，５−ジシクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のエステル、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル酢酸のエステル、β−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のアミド、チオ相乗剤、二次酸化防止剤、ホスファイトおよびホスホナイト、ベンゾフラノンおよびインドリノンである。

有機ホスファイト、ホスホネートおよびホスファンが好ましく、通常、有機基が完全にまたは部分的に任意に置換されていてもよい芳香族基からなるものである。

上記リン酸、および完全にまたは部分的にエステル化されたホスフェートまたはホスファイトが重金属および微量のアルカリの中和に錯生成剤として好適である。

好適な光安定剤（紫外線吸収剤）は、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−ヒドロキシベンゾフェノン、置換および非置換安息香酸のエステル、アクリレート、立体的に込み合ったアミン、オキサミド、および２．８．２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリアジンであり、置換ベンゾトリアゾールが好ましい。

ポリプロピレングリコール単独または例えばスルホンもしくはスルホンアミドとの組み合わせがガンマ線によってもたらされるダメージに対する安定剤として使用されうる。これらおよび別の安定剤は、単独で使用されても組み合わせで使用されてもよく、上記形態でポリマーに添加されうる。

加えて、加工助剤物質、例えば離型剤（通常長鎖脂肪酸の誘導体）、が添加されてもよい。例えば、ペンタエリトリトールテトラステアレートおよびグリセロールモノステアレートが好ましい。それらは単独で使用されても混合物として使用されてもよく、好ましくは組成物の質量に対して０．０２〜１ｗｔ．％の量で使用される。

好適な火炎抑制添加剤は、ホスフェートエステル、すなわちトリフェニルホスフェート、レソルシノール二リン酸エステル、臭素含有化合物、例えば臭化リン酸エステル、臭化オリゴカーボネートおよびポリカーボネート、並びに好ましくはフッ化有機スルホン酸の塩である。

好適な衝撃改良剤は、グラフトスチレン−アクリロニトリルまたはメチルメタクリレートを有するブタジエンゴム、グラフトマレイン酸無水物を有するエチレン−プロピレンゴム、グラフトメチルメタクリレートまたはスチレンアクリロニトリルを有するエチルアクリレートおよびブチルアクリレートゴム、グラフトメチルメタクリレートまたはスチレン−アクリロニトリルを有する相互浸透シロキサンとアクリレートとのネットワークである。

更に、着色剤、例えば有機染料もしくは顔料または無機顔料、またはＩＲ吸収剤が、単独で、混合物としてまたは更に安定剤、ガラス繊維、（中空）ガラス球および無機充填剤との組み合わせで添加されうる。

フィルム、シートおよびケーブルシースを製造するために、これらの成分を混合し、押出機を用いて、通常、温度約２６０℃〜３２０℃において配合する。

フィルムは片面もしくは両面が滑らかであるか、片面もしくは両面がマットであるか、または構造化されている。

本発明によるポリカーボネートフィルムは厚さ５０μｍ〜１，０００μｍである。適用のエリアに依存して、それらはより厚くてもよい。ポリカーボネートフィルムは、更に、少なくとも二つのソリッド成形品（ｓｏｌｉｄ ｍｏｌｄｉｎｇｓ）、例えば押し出しによって製造されたフィルム、を含有する多層フィルムも含む。この場合、本発明によるフィルムは、少なくとも二つのポリマー層から形成される。

押し出しによってフィルムを製造するために、ポリカーボネートグラニュール材料を押出機の充填漏斗（ｆｉｌｌｉｎｇ ｆｕｎｎｅｌ）に供給し、後者を通してスクリューおおよびシリンダーからなる可塑化システムに入れる。

この材料の運搬および溶融は、可塑化システムにおいて行われる。プラスチック溶融物をスロットダイ（ｓｌｏｔ ｄｉｅ）に通す。濾過デバイス、溶融ポンプ、静的混合エレメントおよび更なる構造部品が可塑化システムとスロットダイとの間に配置されうる。ノズルを出る溶融物は平滑カレンダーに移動する。最終形成は平滑カレンダーのローラーギャップにおいて行われる。最後に冷却することによって、特に平滑ローラーと周囲雰囲気とにおいて交互に冷却することによって、形状を固定する。更なるデバイスおよび装置は、輸送、保護フィルムの適用および押し出しフィルムを巻き付けることに役立つ。

同時押出の場合、同時押出される材料を一以上の別の押出機において同じ方法で可塑化する。同時押出溶融物は、ノズルの上流の特別な同時押出アダプターにおいて組み合わされるかまたは主な材料と共に特別な同時押出ノズルにおいて組み合わされる。同時押出層は、ベース層の片側並びに両側に適用されうる。次のフィルムの処理は、熱成形または熱変形または表面処理、例えば耐引掻き性コーティング、撥水層および別の機能層の適用、によって行われうる。

以下の実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、これらに限定されるわけではない。

概要
蛍光粒子の粒子カウントの分析を、ジクロロメタン中に溶解された関連ポリカーボネートサンプルを孔サイズ５μｍのＴｅｆｌｏｎフィルターを通して濾過することによって行う。フィルターディスクを真空中で乾燥し、周囲ダストに対するカバーを用いて保護する。濾過後、フィルター表面を、ドイツ連邦共和国のＺｅｉｓｓ ＡＧ製のＡｘｉｏｐｌａｎ ２蛍光顕微鏡によってスキャンする。スキャンニングを励起波長４００〜４４０ｎｍにおいてスキャン１回あたり照明時間４０ミリ秒、並びに総合倍率２５倍で行う。蛍光粒子を検出し、画像処理ソフトウェア（Ｚｅｉｓｓ ＡＧ製のＫＳ ３００ ３．０）を使用してデータを評価する。特徴的な色を有する粒子（以下参照。）のみをカウントする。言い換えると、別の粒子、例えばダスト、を無視する。フィルム上に見つかる粒子の表面欠陥のパラメータと同じになるように、蛍光粒子の記録に関するカラーパラメータ（ｃｏｌｏｒ ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ）を調節する。粒子の色の特性（特徴的な色）を、Ｚｅｉｓｓ ＡＧ製のＡｘｉｏｐｌａｎ ２顕微鏡に組み込まれたＺｅｉｓｓ ＡＧ製のＡｘｉｏｃａｍ ＨＲｃデジタルカラーカメラを用いてＨＳＩ（色相、彩度、明度）カラーモデルによって決定する。このカラーモデルは、例えばＨａｎｓ−Ｊｕｅｒｇｅｎ Ｓｃｈｌｉｃｈｔによって“Ｄｉｇｉｔａｌｅ Ｂｉｌｄｖｅｒａｒｂｅｉｔｕｎｇ ｍｉｔ ｄｅｍ ＰＣ”（ＰＣを用いるデジタル画像処理），Ａｄｄｉｓｏｎ−Ｗｅｓｌｅｙ，１９９３年に記述されている。蛍光粒子の色を測定すると、平均約８０°（最小３５°〜最大１００°）の色相値、平均１５０デジット（ｄｉｇｉｔｓ）（最小０〜最大１９０）の色彩度および平均１９０デジット（最小１３０〜最大２５５）の色明度が見出される。別の粒子、例えばダスト、の色特性は、約１１３°（最小１０１°〜最大１６０°）の色相値、最小０デジット〜最大２５５デジットのさまざまな色彩度、および平均７０デジット（最小２０〜最大１２０）の色明度を示す。フィルターの表面のスキャンニングを、コンピュータで制御された顕微鏡ステージ（Ｚｅｉｓｓ ＡＧ）によって自動的に行う。

押出フィルムにおける表面欠陥を以下のように評価する。サイズ０．８ｍ×０．６ｍのサンプルを、調査するフィルムのそれぞれのストリップの始めに取る。このサンプルをライトデスク（ｌｉｇｈｔ ｄｅｓｋ）に置く。光の強度は１，０００ルクス超である。サンプル表面がダストや指紋や別の汚染物質の影響を受けないことを確実にするためにケアを行わなければならない。加えて、表面は引掻きがあってはならない。ライトデスクを角度４５°に傾ける。光源と材料サンプルとの距離は約１００ｃｍである。観察距離は５０〜７０ｃｍである。観察は、肉眼で行われる。観察時間は３００秒である。全ての明らかな欠陥に注目し、記録する。サイズ０．３ｍｍ超の欠陥の数を決定し、１ｍ^２あたりの欠陥の数に換算する。

例１（本発明による実施例）
以下の試験において、ポリカーボネートは連続界面重合法によって製造される。この目的のために、ポンプ循環リアクターと二つの滞留時間リアクター並びに三つの蒸発段階を使用する。ビスフェノレート溶液（ビスフェノールＡ）、クロロベンゼンおよび塩化メチレン並びにホスゲンを、それらが反応させられるポンプ循環リアクターに計量添加し、同様に更に水酸化ナトリウム溶液をこのポンプ循環リアクターに計量添加する。追加量の水酸化ナトリウム溶液を第一滞留リアクターの上流で計量添加し、連鎖停止剤溶液（フェノールの塩化メチレン溶液）を計量添加する。触媒を第二滞留リアクターの上流に添加する。Ｎ−エチルピペリジンを触媒として使用する。

滞留リアクターの後、ポリカーボネートは、クロロベンゼンとジクロロメタンとの混合物（重量比１：１）中に１６％溶液の形態で存在する。この溶液を蒸発によって三つの蒸発段階で濃縮する。このことは、ジクロロメタンを除去し、この溶液が下流の蒸発押出機において適切に脱ガスされる濃度に到達するために必要である。蒸発段階をいわゆる「フラッシュ」法によって操作する。

フラッシュ法による溶媒の除去において、高濃縮ポリマー溶融物が得られる。既知のフラッシュ法において、ポリマー溶液はわずかに過剰の圧力のもとで常圧のもとでの沸点よりも高い温度に繰り返し加熱され、次に、常圧に対して過熱されたこれらの溶液を低圧、例えば常圧、の容器にフラッシュする。

この場合、ポリカーボネート溶液を、第一蒸発段階において０．４ｂａｒ過剰圧力において７４℃に加熱し、次に常圧にフラッシュする。第二蒸発段階においてこの溶液を０．８ｂａｒ過剰圧力において１２９℃に加熱し、次に常圧にフラッシュする。第三蒸発段階において、この溶液を１．９ｂａｒ過剰圧力において１７８℃に加熱し、次に常圧にフラッシュする。

次に、この溶液を蒸発押出機に供給し、３５０℃かつ０．１ｂａｒにおいて蒸発させ、樹脂をグラニュール化する。このグラニュール材料５０ｇをジクロロメタン（ＬｉＣｈｒｏｓｏｌｖ^{（登録商標）}；Ｍｅｒｃｋ：１．０６０４４ Ｋ３３５０６２４４ ４３０）７００ｍｌに溶解し、Ｔｅｆｌｏｎフィルター膜（Ｄ−９７９４７グリュンスフェルトのＢｏｈｌｅｎｄｅｒ ＧｍｂＨ製のＢｏｌａフィルター膜、孔径５μｍ；厚さ：１ｍｍ）を通して濾過する。フィルター上に保持される粒子の評価を、上に記述されるように蛍光顕微鏡を使用する自動検出によって総合倍率２５倍もと、スキャン１回あたりの照明時間４０ミリ秒で行う。

この蛍光調査は１．０２カウント／ｇを示す。１２０μｍ超の粒子に関する蛍光調査は０．０２カウント／ｇを示す。

上に記述されるポリカーボネートを押し出して幅１３４０ｍｍのフィルムを形成する。このポリカーボネートのＩＳＯ １１３３によって測定されるメルトボリュームレート（ｍｅｌｔ ｖｏｌｕｍｅ ｒａｔｅ，ＭＶＲ）は６ｃｍ^３／１０分（３００℃／１．２ｋｇ）である。

使用される装置は以下のものを含む。
−直径（Ｄ）１０５ｍｍかつ長さ４１×Ｄのスクリューを有する押出機。このスクリューは脱ガスゾーンを含む；
−デフレクションヘッド（ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｈｅａｄ）；
−幅１５００ｍｍのスロットダイ；
−水平ローラー配置を有し、第三のローラーが水平に対して±４５°旋回性である三本ロール平滑カレンダー；
−ローラーテーブル；
−両側に保護フィルムを適用するためのデバイス；
−排出デバイス（ｄｒａｗ−ｏｆｆ ｄｅｖｉｃｅ）；
−巻き付けステーション（ｃｏｉｌｉｎｇ ｓｔａｔｉｏｎ）

溶融物はノズルから平滑カレンダーに移り、この平滑カレンダーのローラーの温度は表１に示されるとおりである。この材料の最終成形および冷却を平滑カレンダーにおいて行う。次に、フィルムを排出デバイスによって取り外し、輸送し、保護フィルムを両側に適用し、これに続いてフィルムをコイル状に巻き付ける。

上記方法によるフィルムの評価およびアセスメントは１ｍ^２あたり１０４個の表面欠陥を示す。

例２（比較例）
ポリカーボネートを、例１に記述されているように製造する。しかしながら、第一蒸発段階における圧力および温度は０．４ｂａｒ過剰圧力において６３℃であり、第二蒸発段階は０．８ｂａｒ過剰圧力において１１９℃であり、かつ、第三蒸発段階において１．９ｂａｒ過剰圧力において１７６℃である。このポリカーボネート溶液を、実施例１において記述されるように、３５０℃において蒸発押出機において蒸発させ、次にグラニュール化する。

このグラニュール材料５０ｇをジクロロメンタン（ＬｉＣｈｒｏｓｏｌｖ^{（登録商標）}；Ｍｅｒｃｋ：１．０６０４４ Ｋ３３５０６２４４ ４３０）７００ｍｌ中に溶解し、Ｔｅｆｌｏｎフィルター膜（Ｂｏｌａ、孔径５μｎ；厚さ１ｍｍ）を通して濾過する。このフィルター上に保持される粒子の評価を上に記述されるように蛍光顕微鏡を使用する自動検出によって行う。この調査の結果は２．２２カウント／ｇを与えた。

例２のフィルムの製造を、基本的に例１に記述されているように行う。正確な調節を表２に記述する。ＩＳＯ １１３３によって測定されるポリカーボネートのメルトフローレート（ＭＶＲ）は６ｃｍ^３／１０分（３００℃／１．２ｋｇ）である。

使用される装置は以下のものからなる。
−直径（Ｄ）１０５ｍｍかつ長さ４１×Ｄのスクリューを有する押出機。このスクリューは、脱ガスゾーンを含む；
−デフレクションヘッド
−幅１５００ｍｍのスロットダイ；
−水平ローラー配置を有し、第三のローラーが水平に対して±４５°旋回性である三本ロール平滑カレンダー；
−ローラーテーブル；
−保護フィルムを両側に適用するためのデバイス；
−排出デバイス；
−巻き付けステーション

溶融物はノズルから平滑カレンダーへ移り、この平滑カレンダーのローラーは表２に示される温度を有する。この材料の最終成形および冷却は、平滑カレンダーにおいて行われる。次に、フィルムを排出デバイスによって取り外し、輸送し、保護フィルムを両側に適用し、続いてこのフィルムをコイル状に巻き付ける。

対応するフィルムにおける表面欠陥は、１ｍ^２あたり２３２表面欠陥である。

従って、本発明による基材は表面欠陥が著しく少ない押出フィルムをもたらすことがわかる。

本発明を説明の目的で上記に詳細に説明したが、そのような詳細は、請求項によって規定されるものを除いて、もっぱら説明の目的のためであって、変更が発明の精神および範囲から逸脱しない限り当業者によってなされ得ると解釈されるべきである。

Claims (10)

1. ポリカーボネートを三つのフラッシュ段階および蒸発押出機において単離することを包含し、第一フラッシュ段階における温度が０．３５〜０．４５ｂａｒ過剰圧力において７０〜８０℃であり、第二フラッシュ段階における温度が０．７５〜０．８５ｂａｒ過剰圧力において１２５〜１３５℃であり、かつ、第三フラッシュ段階における温度が１．８５〜１．９５ｂａｒ過剰圧力において１７５〜１８５℃であることを特徴とする、ポリカーボネートの製造に関する連続界面重合法。
2. 任意の二つの連続フラッシュ段階間の温度差が６０℃を超えない、請求項１に記載の方法。
3. 蛍光粒子を単離し、それらをサイズの順に分類する自動評価と一体となった濾過方法が用いられる、請求項１に記載の方法。
4. 製造されるポリカーボネートが、透明蛍光粒子を含有する直鎖ポリカーボネート樹脂であって、前記ポリカーボネートの塩化メチレン溶液を孔サイズ５μｍのフィルターを通して濾過した後に残る残留物を波長４００〜４４０ｎｍ、総合倍率２５倍かつ照明時間４０ミリ秒で励起することによって決定される、サイズが１５〜２５０μｍである部分の粒子のカウントが１．８カウント／ｇ以下である、直鎖ポリカーボネート樹脂である、請求項１に記載の方法。
5. 前記粒子カウントが０．０２カウント／ｇ以下であり、かつ、前記粒子の粒径が１２０μｍ超である、請求項４に記載の方法。
6. 前記粒子カウントが０．１〜１．５カウント／ｇであり、かつ、前記粒子の粒径が１５〜２５０μｍである、請求項４に記載の方法。
7. ａ）直鎖ポリカーボネートを製造し、
   ｂ）工程ａ）において製造されるポリカーボネートをサイズ１５〜２５０μｍの蛍光粒子の粒子カウントに関して調査し、
   ｃ）サイズ１５〜２５０μｍの蛍光粒子の粒子カウント０．１〜１．８カウント／gが工程ｂ）において得られるまで、滞留時間、圧力および温度から成る群から選択される処理パラメータを変えながら工程ａ）およびｂ）を繰り返す、
   サイズ１５〜２５０μｍの蛍光粒子の粒子カウントが０．１〜１．８カウント／ｇであるポリカーボネートを得る方法。
8. 工程ｃ）において粒径が１２０μｍ超の粒子の粒子カウントが０．０２カウント／ｇを越えない、請求項７に記載の方法。
9. 工程ｂ）において、前記粒子カウントの調査が、材料を塩化メチレンに溶解し、かつ、孔サイズ５μｍのフィルターを通して濾過することによって、励起波長４００〜４４０ｎｍかつ照明時間４０ミリ秒で総合倍率２５倍において行われる、請求項７に記載の方法。
10. 前記工程ａ）における直鎖ポリカーボネートが、請求項１に記載の方法によって製造される、請求項７に記載の方法。