JP5188976B2 - 表面を平坦化するための組成物及び方法 - Google Patents

表面を平坦化するための組成物及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5188976B2
JP5188976B2 JP2008533451A JP2008533451A JP5188976B2 JP 5188976 B2 JP5188976 B2 JP 5188976B2 JP 2008533451 A JP2008533451 A JP 2008533451A JP 2008533451 A JP2008533451 A JP 2008533451A JP 5188976 B2 JP5188976 B2 JP 5188976B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
alumina particles
polishing composition
polishing
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008533451A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009510779A (ja
JP2009510779A5 (ja
Inventor
ワン,ユチュン
アッジオ,ジェイソン
ルー,ビン
パーカー,ジョン
チョウ,レンジー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CMC Materials Inc
Original Assignee
Cabot Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Microelectronics Corp filed Critical Cabot Microelectronics Corp
Publication of JP2009510779A publication Critical patent/JP2009510779A/ja
Publication of JP2009510779A5 publication Critical patent/JP2009510779A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5188976B2 publication Critical patent/JP5188976B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)

Description

本発明は、化学的機械的研磨組成物及び当該組成物を用いた基板の研磨方法に関する。
基板の表面を平坦化又は研磨するための組成物及び方法は、当業界で周知である。研磨スラリーは、概して、水性溶液中の研磨材料を含み、そしてスラリー組成物で満たした研磨パッドと、上記表面を接触させることにより表面に適用される。
一般的な研磨組成物は、概して、半導体ウェーハ内に見出される銅層の平坦化においては、全体として満足がいくものではない。産業界の要求を満足するために、高い研磨効率及び除去速度を有し、かつ最小の表面欠陥を有する高品質の研磨を残す研磨組成物を用いることが重要である。しかし、銅用の先行技術の研磨スラリーは、決して望ましい研磨速度を有することはできず、スループットの要求を満たすことはできない。
銅層向けの研磨速度を増すためのアプローチの一つは、より強烈な(aggressive)研磨剤、例えば、酸化アルミニウム粒子を用いることである。α−アルミナ、γ−アルミナ及びθ−アルミナを含む、数種類の酸化アルミニウムが存在する。銅を研磨するために、γ−アルミナ及びθ−アルミナを用いることは、当業界に周知である。例えば、米国特許第6,521,574号明細書及び同第6,436,811号明細書を参照せよ。しかし、α−アルミナ粒子、最も強烈な種類の酸化アルミニウム粒子は、概して、傷をつける余地の少ないより硬い基板、例えば、貴金属を研磨するために用いられている。米国特許第出願公開第2002/0111027号明細書を参照せよ。
α−アルミナを利用することにより、高い除去速度を得ながら、同時にスクラッチ及び腐食を最小化するために、種々の戦略が用いられている。例えば、米国特許出願公開第2003/0006396号明細書に具体的に説明されるように、研磨の際のスクラッチを最小化するために、界面活性剤を用いてα−アルミナ粒子をコーティングすることができる。さらに一般的には、研磨スラリーは、α−アルミナ粒子から成る固体及びより少ない研磨用固体の混合物を含む。例えば、米国特許第5,693,239号明細書、同第6,444,139号明細書、米国特許第出願公開第2004/0115944号明細書、同第2004/0157535号明細書、及び同第2003/0181142号明細書を参照のこと。
銅含有基板を研磨するための他の組成物及び方法に関する必要性が残っている。本発明は、上記組成物及び方法を提供する。
本発明は、下記;
(a)0.01重量%〜20重量%のα−アルミナ粒子;ここで、当該α−アルミナ粒子は、200nm以下の平均直径を有し、そして当該α−アルミナ粒子の80%は、500nm以下の直径を有する、
(b)有機酸;
(c)腐食抑制剤;及び
(d)水:
を含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を研磨するための化学的機械的研磨組成物を提供する。
本発明は、次の段階;
(i)基板を、下記を含む化学的機械的研磨組成物及び研磨パッドに接触させる段階;
(a)0.01重量%〜20重量%のα−アルミナ粒子;ここで、当該α−アルミナ粒子は、200nm以下の平均直径を有し、そして当該α−アルミナ粒子の80%は、500nm以下の直径を有する、
(b)有機酸;
(c)腐食抑制剤;及び
(d)水;
(ii)上記研磨パッドを上記基板に対して、それらの間の化学的機械的研磨組成物と共に動かす段階;そして
(iii)上記基板を研磨するために、上記基板の少なくとも一部を研磨する段階:
を含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を化学的機械的研磨する方法をさらに提供する。
さらに、本発明は、下記;
(a)0.01重量%〜20重量%のα−アルミナ粒子;
(b)有機酸;
(c)トリアゾール及びベンゾトリアゾールの2成分の腐食抑制剤;ここで、トリアゾールのベンゾトリアゾールに対する重量%比は、0.1〜4.8である、及び
(d)水:
を含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を研磨するための化学的機械的研磨組成物を提供する。
本発明は、次の段階;
(i)基板を、下記を含む化学的機械的研磨組成物及び研磨パッドに接触させる段階;
(a)0.01重量%〜20重量%のα−アルミナ粒子;
(b)有機酸;
(c)トリアゾール及びベンゾトリアゾールの2成分の腐食抑制剤;ここで、トリアゾールのベンゾトリアゾールに対する重量%比は、0.1〜4.8である、及び
(d)水;
(ii)上記研磨パッドを上記基板に対して、それらの間の化学的機械的研磨組成物と共に動かす段階、そして
(iii)上記基板を研磨するために、上記基板の少なくとも一部を研磨する段階:
を含む。
本発明は、(a)α−アルミナ粒子、(b)有機酸、(c)腐食抑制剤、及び(d)水を含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を研磨するための化学的機械的研磨組成物を提供する。当該研磨組成物は、望ましくは、表面のところに銅含有膜を有する基板の研磨において、高速な除去速度を可能にしながら、スクラッチ及び腐食を減らすことができる。
上記研磨組成物は、α−アルミナ粒子を含む。上記α−アルミナ粒子は、任意の好適な量で、研磨組成物中に存在することができる。典型的には、α−アルミナは、上記研磨組成物の総重量に基づいて、0.01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.3重量%以上、そして最も好ましくは0.5重量%以上の量で、上記研磨組成物中に存在する。典型的には、α−アルミナは、上記研磨組成物の総重量に基づいて、20重量%以下、好ましくは5重量%以下、さらに好ましくは1重量%以下、そして最も好ましくは0.7重量%以下の量で、上記研磨組成物中に存在する。
上記組成物のα−アルミナ粒子は、200nm以下の平均直径(概して、上記粒子を包含する最小のスフェアの平均粒径)を有し、そして当該α−アルミナ粒子の80%は、500nm以下の直径を有する。好ましくは、上記α−アルミナ粒子は、200nm以下の平均直径を有し、そして上記α−アルミナ粒子の90%は、500nm以下の直径を有する。さらに好ましくは、上記α−アルミナ粒子100nm以下の平均直径を有し、そして上記α−アルミナ粒子の95%は、500nm以下の直径を有する。最も好ましくは、上記α−アルミナ粒子は、100nm以下の平均直径を有し、そして上記α−アルミナ粒子の90%は、200nm以下の直径を有する。粒径に関して上記α−アルミナ粒子の性質を記載するために本明細書で用いられるパーセンテージの値は、特に断りのない限り、「重量%」ではなく、「数量%」である。
粒径に関して上記α−アルミナ粒子の性質を記載するために本明細書で用いられるパーセンテージの値は、特に断りのない限り、「重量%」ではなく、「数量%」である。上記粒径は、例えば、沈降場流動分画、動的及び静的光散乱、並びに分離板型(disk)遠心分離を含む任意の好適な技法により測定することができる。
上記研磨組成物は、有機酸をさらに含む。好ましい有機酸は、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、乳酸、マレイン酸、リンゴ酸、クエン酸、グリシン、アスパラギン酸、酒石酸、グルコン酸、イミノ二酢酸、及びフマル酸、又は任意のカルボン酸若しくはアミノカルボン酸から成る群から選択される。好ましくは、上記有機酸は、酒石酸である。
上記研磨組成物は、好適な量の上記有機酸を含むことができ、そして0.01重量%以上の上記酸を含むのが典型的である。好ましくは、上記研磨組成物は、0.05重量%以上の有機酸、そしてさらに好ましくは0.08重量%以上の有機酸を含む。典型的には、上記研磨組成物は、5重量%以下の有機酸を含む。好ましくは、上記研磨組成物は、3重量%以下の有機酸、そしてさらに好ましくは1wt%以下の有機酸を含む。
上記カルボン酸は、塩(例えば、金属塩、アンモニウム塩等)の状態において、酸又はそれらの一部の塩として存在することができる。例えば、酒石酸塩は、酒石酸、並びにそれらの一塩及び二塩を含む。さらに、塩基性官能基を含むカルボン酸は、塩基性官能基の酸性塩の状態で存在することができる。例えば、グリシンは、グリシン、並びにその酸性塩を含む。さらに、いくつかの化合物は、酸及びキレート剤(例えば、一定のアミノ酸等)の両方として作用することができる。
上記腐食抑制剤(すなわち、膜形成剤)は、任意の好適な腐食抑制剤でありうる。概して、上記腐食抑制剤は、ヘテロ原子含有官能基を含む有機化合物である。例えば、上記腐食抑制剤は、活性官能基として5員又は6員複素環を少なくとも1つ有する複素環式有機化合物であり、上記複素環は、少なくとも1つの窒素原子を含む。好ましくは、上記腐食抑制剤は、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、及びそれらの混合物から成る群から選択される。最も好ましくは、上記組成物は、トリアゾール及びベンゾトリアゾールの2成分の腐食抑制剤を含む。概して、上記トリアゾールのベンゾトリアゾールに対する重量%比は、0.1〜4.8、さらに好ましくは0.1〜4.4である。
上記研磨剤(存在し、液状キャリア中に懸濁される場合)及びそれらの中に溶解又は懸濁される任意の成分を、研磨(例えば、平坦化)すべき好適な基板の表面に適用するために、液状キャリアが用いられる。上記液状キャリアは、概して水性キャリアであり、そして水単独であることができ、水及び好適な水混和性溶媒を含むことができ、又はエマルションであることができる。好適な水混和性溶媒には、アルコール、例えば、メタノール、エタノール等が含まれる。好ましくは、上記水性キャリアは、水、さらに好ましくは脱イオン水から成る。
上記研磨組成物は、任意の好適なpHを有することができる。例えば、上記研磨組成物は、2〜14のpHを有することができる。概して、上記研磨組成物は、3以上、又はさらに好ましくは4以上のpHを有する。上記研磨組成物のpHは、概して10以下、又はさらに好ましくは9以下である。
上記研磨組成物のpHを、任意の好適な手段により、達成及び/又は維持することができる。さらに具体的には、上記研磨組成物は、pH調整剤、pH緩衝剤、又はそれらの組み合わせをさらに含むことができる。上記pH調整剤は、任意の好適なpH−調整化合物であることができる。例えば、上記pH調整剤は、硝酸、水酸化カリウム、又はそれらの組み合わせであることができる。上記pH緩衝剤は、任意の好適な緩衝剤、例えば、リン酸塩、硫酸塩、ホウ酸塩、ホウ酸塩、アンモニウム塩等であることができる。上記研磨組成物は、上記研磨組成物のpHを上述の範囲内へと達成し、そして/又はそれらを維持するために好適な量が用いられるとの条件の下で、任意の好適な量のpH調整剤及び/又はpH緩衝剤を含むことができる。
上記研磨組成物は、酸化剤をさらに含むことができる。上記酸化剤により、上記研磨組成物を用いて基板を研磨することにより除去すべき基板の一部が酸化される(望ましくは銅)。好適な酸化剤には、含む無機及び有機の過化合物(per−compound)、臭素酸塩、亜臭素酸塩、硝酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、クロム酸塩、ヨウ素酸塩、鉄及び銅塩(例えば、硝酸塩、硫酸塩、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、及びクエン酸塩)、希土類及び遷移金属酸化物(例えば、オスミウムテトラオキシド)、フェリシアン化カリウム、重クロム酸カリウム、ヨウ素酸等が含まれる。過化合物(Hawley’s condensed Chemical Dictionaryに規定される)は、少なくとも一種の過酸化基(−O−O−)を含む化合物、又はその最高の酸化状態における元素を含む化合物である。
少なくとも一種の過酸化基を含む化合物の例には、過酸化水素及びその付加体、例えば、過酸化尿素及び過炭酸塩、有機過酸化物、例えば、過酸化ベンゾイル、過酢酸、及び過酸化ジ−tert−ブチル、モノパースルフェート(SO5 2-)、ジパースルフェート(S28 2-)、及び過酸化ナトリウムが含まれるが、これらに限定されるものではない。その最高の酸化状態における元素を含む化合物の例には、過ヨウ素酸、パーイオデート塩、過臭素酸、パーブロメート塩、過塩素酸、パークロレート塩、過ホウ酸、パーボレート塩、及び過マンガン酸塩が含まれるが、これらに限定されるものではない。上記酸化剤は、好ましくは、臭素酸塩、亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、過酸化水素、次亜塩素酸塩、ヨウ素酸塩、モノパーオキシ硫酸塩、モノパーオキシ亜硫酸塩、モノパーオキシリン酸塩、モノパーオキシ次リン酸塩、モノパーオキシピロリン酸塩、オルガノ−ハロ−オキシ化合物、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、パーオキシ酢酸、及びそれらの混合物から成る群から選択される。上記酸化剤は、過酸化水素であることが好ましい。上記研磨組成物に酸化剤が存在する場合には、当該酸化剤は、上記組成物の10重量%以下(例えば、8重量%以下、又は6重量%以下)を含むことが好ましい。
上記研磨組成物を、任意の好適な技法により調製することができ、それらの多くは当業者に公知である。上記研磨組成物を、バッチ又は連続法において調製することができる。一般的に、上記研磨組成物を、任意の順序でそれらの成分を混合することにより調製することができる。本明細書において、用語「成分」は、個々の成分(例えば、酸、塩基等)、並びに成分の任意の組み合わせ(例えば、酸、塩基、抑制剤等)を含む。
例えば、上記研磨剤を、好適な液状キャリア内に分散することができる。次いで、腐食抑制剤及び有機酸を添加し、そして上記成分を上記研磨組成物に導入することができる任意の方法により混合することができる。酸化剤が望ましい場合には、当該酸化剤を、上記研磨組成物の調製の際の任意の時間のところで添加することができる。上記研磨組成物は、使用のすぐ前(例えば、使用前の1分以内若しくは使用前の1以内、又は使用前の7日以内)に、上記研磨組成物に添加された1種又は2種以上の成分(例えば、所望による酸化剤)と共に、使用前に調製することができる。上記研磨組成物をまた、研磨操作の際、上記基板の表面のところで上記成分を混合することにより調製することができる。
上記研磨組成物を、α−アルミナ、腐食抑制剤、有機酸、及び液状キャリアを含む1つの包装システムとして供給することができる。あるいは、上記α−アルミナを、第一の容器内の液状キャリア内の分散液として供給することができ、そして腐食抑制剤及び有機酸を、上記液状キャリア内の溶液若しくは分散液として、又は乾燥状態のどちらかで、第二の容器内に供給することができる。所望による成分、例えば、酸化剤を、第一及び/若しくは第二の容器、又は第三の容器内に入れることができる。さらに、第一又は第二の容器内の成分は、乾燥状態であることができ、一方、対応する容器の成分は、水性分散液の状態であることができる。
さらに、第一又は第二の容器内の成分において、異なるpH値を有すること、又は実質的に同様のpH値、あるいはまさに等しいpH値を有することが好適である。所望による成分(例えば、酸化剤)が固体である場合、それは、上記液状キャリア内の混合物として又は乾燥状態においてのどちらかで供給されうる。上記酸化剤は、上記研磨組成物の他の成分から分離して供給され、そして例えば、エンドユーザにより、使用のすぐ前(例えば、使用前の1週間以内、使用前の一日以内、使用前の1時間以内、使用前の10分以内、又は使用前の1分以内)に、上記研磨組成物の他の成分と混合されることが望ましい。他の2つの容器、又は3つ以上の容器、上記研磨組成物の成分の組み合わせは、当業者の知識の範囲内である。
本発明の研磨組成物をまた、使用前に適量の液状キャリアで希釈されることを目的とする濃縮物として供給することができる。上記実施形態では、上記研磨組成物濃縮物は、適量の水で濃縮物を希釈する際に、上記研磨組成物の各成分が、各成分のために上記列挙された適切な範囲内の量で上記研磨組成物中に存在するような量で、上記アルミナ、有機酸、腐食抑制剤、及び液状キャリアを含むことができる。
例えば、上記α−アルミナ、腐食抑制剤、及び有機酸は、上記濃縮物を等体積(上記液状キャリアの2倍の体積、上記液状キャリアの3倍の体積、又は上記液状キャリアの4倍の体積)の液状キャリアで希釈した場合に、各成分が、上記研磨組成物中に、各成分に関して上述した範囲内の量で存在するように、各成分に関して列挙した濃度よりも2倍(それぞれ、3倍、4倍、又は5倍)である量の濃度で、それぞれ存在することができる。さらに、当業者に理解されるであろう様に、上記濃縮物は、上記有機酸、腐食抑制剤、及び他の好適な添加剤が、当該濃縮物に少なくとも部分的又は完全に溶解することを確保するために、最終研磨組成物中に存在する適切な分画の液状キャリアを含むことができる。
上記研磨組成物を、使用の充分に前、又はすぐ前に調製することができる一方で、上記研磨組成物をまた、ユースポイントのところ又はその近くで、上記研磨組成物の成分を混合することにより製造することができる。本明細書で用いられるように、用語「ユースポイント」は、上記研磨組成物を基板表面に適用するポイント(例えば、研磨パッド又は基板表面それ自体)を指す。上記研磨組成物が、ユースポイント混合を用いて製造されるべき場合には、上記研磨組成物の成分は、2つ又は3つ以上の貯蔵デバイス内で分離して貯蔵される。
上記ユースポイントのところ又はその近くで上記研磨組成物を製造するために貯蔵デバイス内に含まれる成分を混合するために、当該貯蔵デバイスは、上記研磨組成物を各貯蔵デバイスからユースポイント(例えば、テーブル(platen)、研磨パッド、又は基板表面)に通じる1つ又は2つ以上のフローラインを備えているのが一般的である。用語「フローライン」は、個々の貯蔵容器から、その中に貯蔵された成分のユースポイントまでの流路を意味する。1つ又は2つ以上のフローラインが、それぞれ、上記ユースポイントに直接通じるか、又は1つ超のフローラインが用いられるケースでは、2つ又は3つ以上のフローラインを、上記ユースポイントに通じる単一のフローラインに任意のポイントで結合することができる。さらに、1つ又は2つ以上のフローライン(例えば、個々のフローライン又は結合されたフローライン)は、1種又は2種以上の成分のユースポイントに到達する前に、最初に、1つ又は2つ以上の他のデバイス(例えば、ポンピングデバイス、測定デバイス、混合デバイス)に通じていてもよい。
上記研磨組成物の成分を、独立して上記ユースポイントに供給する(例えば、上記成分を、上記基板表面に供給し、その上で上記成分を、研磨工程の際に混合する)ことができ、又は上記成分は、上記ユースポイントに搬送される直前に混合することができる。上記成分が、上記ユースポイントに到達する前に10秒未満に混合される場合、好ましくは、上記ユースポイントに到達する前に5秒未満に混合される場合、さらに好ましくは、上記ユースポイントに到達する前に1秒未満に混合される場合、又は上記ユースポイントのところで上記成分の搬送と同時に混合される場合(例えば、上記成分が、ディスペンサーのところで混合される場合)、当該成分は、「ユースポイントに搬送する直前」に混合される。成分が、上記ユースポイントの5m内で混合される場合、上記ユースポイントの1m内で混合される場合、又は上記ユースポイントの10cm以内で混合される場合(例えば、上記ユースポイントの1cm以内で混合される場合)、当該成分はまた、上記ユースポイントに搬送する直前に混合される。
上記研磨組成物の2種又は3種以上の成分を、上記ユースポイントに到達する前に混合する場合には、上記成分を、上記フローラインの中で混合し、そして混合デバイスを使用することなく上記ユースポイントに供給することができる。あるいは、2種又は3種以上の上記成分の組み合わせを容易にするために、1つ又は2つ以上の上記フローラインを、混合デバイス内に通すことができる。任意の好適な混合デバイスを用いることができる。例えば、上記混合デバイスは、2種又は3種以上の成分が流れるノズル又はジェット(例えば、高圧ノズル又はジェット)であることができる。あるいは、上記混合デバイスは、直接か、又は装置の他の要素(例えば、1つ又は2つ以上のフローライン)を経由するかのどちらかで、1つ又は2つ以上のインレット(上記研磨スラリーの2種又は3種以上の成分を上記ミキサーに導入する)と、少なくとも1つのアウトレット(上記ユースポイントに供給されるべき混合された成分を、ミキサーから排出する)とを含む容器型混合デバイスでありうる。さらに、上記混合デバイスは、1つ超のチャンバーを含むことができ、各チャンバーは、少なくとも1つのインレット及び少なくとも1つのアウトレットを有し、2種又は3種以上の成分を、各チャンバー内で混合する。容器型混合デバイスが用いられる場合、上記混合デバイスは、上記成分の組み合わせをさらに容易にする混合機構を含むことが好ましい。混合機構は、概して当業界に公知であり、そしてスターラー、ブレンダー、攪拌器、パドルバッフル(paddled buffle)、ガススパージャシステム、振動器等を含む。
本発明は、次の段階を含む、基板を化学的機械的研磨する方法をさらに提供する;
(i)基板を、研磨パッド及び本明細書に記載される研磨組成物と接触させる段階;
(ii)上記研磨パッドを上記基板に対して、それらの間の化学的機械的研磨組成物と共に動かす段階;そして
(iii)上記基板を研磨するために、上記基板の少なくとも一部を研磨する段階。
上記基板は、任意の好適な基板でありうる。本発明の方法は、銅を含む少なくとも1つの金属層を含む基板を研磨する(例えば、平坦化する)ために特に有用である。上記基板は、超小型電子技術(例えば、半導体)基板であることが好ましい。
本発明の研磨方法は、化学的機械的研磨(CMP)装置と組み合わせるために、特に好適である。概して、上記装置は、使用の際に動き且つ軌道状、線形又は円形動作から生ずる速度を有するテーブルと、上記テーブルと接触し且つ動作の際に上記テーブルと共に動く研磨パッドと、当該研磨パッドの表面と接触し且つ相対的に動くことにより研磨すべき基板を保持するキャリアとを含む。上記基板の研磨は、当該基板を上記研磨パッド及び本発明の研磨組成物と接触させて置き、次いで上記基板を研磨するために上記基板の少なくとも一部を研磨するように、上記研磨パッドを上記基板に対して動かすことにより行われる。概して、上記ダウンフォース圧力は、3kPa以上、そして好ましくは6kPa以上である。概して、上記ダウンフォース圧力は、21kPa以下、好ましくは14kPa以下、そしてさらに好ましくは11kPa以下である。
基板は、任意の好適な研磨パッド(例えば、研磨面)と共に、上記化学的機械的研磨組成物を用いて平坦化又は研磨されうる。好適な研磨パッドには、例えば、織布及び不織布の研磨パッドが含まれる。さらに、好適な研磨パッドは、密度、硬度、厚さ、圧縮性、圧縮下での反発力、及び圧縮弾性率を変化させた任意の好適なポリマーを含むことができる。好適なポリマーには、例えば、ポリビニルクロリド、ポリビニルフルオリド、ナイロン、フルオロカーボン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、それらを共形成させた製品、及びそれらの混合物が含まれる。
次の例は、本発明をさらに具体的に説明するが、当然ながら、本発明の範囲を制限するものとして決して解釈されるべきではない。
例1
この例は、基板に対する種々のダウンフォース圧力における、本発明の組成物の除去速度及び平坦化効率を実証するものである。銅をめっきした300nmのウェーハを含む同様の基板を、水中の0.7重量%α−アルミナ、0.8重量%酒石酸、並びにベンゾトリアゾール及びトリアゾールの2成分の抑制剤を含む研磨組成物を用いて研磨した。上記α−アルミナ粒子は、100nmの平均直径を有していた。研磨実験は、概して、研磨パッドを備えている市販の研磨装置を使用することを含み、そしてダウンフォース圧力及び研磨組成物流速を除いた研磨パラメータは、全ての研磨実験において同一であった。研磨に続いて、銅除去速度をÅ/分において測定した。より小さい数字は、より遅い研磨速度、例えば、上記基板の表面からの銅の除去の量が少ないことを反映している。結果を、表1に要約する。
Figure 0005188976
表1のデータを、図面のグラフ内にプロットした。当該グラフは、種々のダウンフォース圧力における上記研磨組成物の使用から得られる銅除去速度を描写する。急勾配は、高い平坦化効率を示している。上記平坦化効率は、初期段階の高さと最終段階との差を、初期段階の高さで割ったものである。上記平坦化効率は、2000Åの銅除去の後、80〜90%であった。上記ウェーハは、5000Åの銅除去の後、十分に平坦化された。
例2
この例は、銅含有層のディッシング(dishing)及び研磨除去速度に対するα−アルミナの影響を実証するものである。
2つの研磨組成物を用いて、銅含有層を含む基板を研磨した。組成物1Aは、α−アルミナ(本発明)を含み、組成物1Bは、ヒュームドアルミナ(比較例)を含んでいた。上記銅層の研磨速度(RR)(Å/分)及び研磨30秒後のディッシングの量(Å)を、上記研磨組成物のそれぞれに関して測定した。上記研磨を、10.3Kpaのダウンフォース圧力を用いて実施した。上記結果を、表2に要約する。
Figure 0005188976
これらの結果は、本発明に従う研磨組成物を用いることによって、銅含有基板のディッシングを実質的に減らしながら、高い除去速度を維持することができることを実証している。
図1は、研磨パッドに対する基板上のダウンフォース圧力の関数として、本発明の組成物を用いて研磨された基板からの銅の除去速度のグラフである。

Claims (27)

  1. (a)0.01重量%〜20重量%のα−アルミナ粒子;ここで、当該α−アルミナ粒子は、200nm以下の平均直径を有し、そして当該α−アルミナ粒子の90%は、500nm以下の直径を有する、
    (b)有機酸;
    (c)腐食抑制剤;及び
    (d)水:
    を含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を研磨するための化学的機械的研磨組成物であって、該研磨組成物が4〜14のpHを有する、研磨組成物
  2. 前記腐食抑制剤が、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項1に記載の研磨組成物。
  3. (a)0.01重量%〜20重量%のα−アルミナ粒子、当該α−アルミナ粒子の90%は、500nm以下の直径を有する
    (b)有機酸;
    (c)トリアゾール及びベンゾトリアゾールの2成分の腐食抑制剤;ここで、トリアゾールの、ベンゾトリアゾールに対する重量%比が、0.1〜4.8である、及び
    (d)水:
    を含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を研磨するための化学的機械的研磨組成物。
  4. 前記α−アルミナ粒子が200nm以下の平均直径を有する、請求項3に記載の研磨組成物。
  5. 前記α−アルミナ粒子が100nm以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の95%が500nm以下の直径を有する、請求項1又は4に記載の研磨組成物。
  6. 前記α−アルミナ粒子が100nm以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の90%が200nm以下の直径を有する、請求項に記載の研磨組成物。
  7. 前記α−アルミナ粒子が、0.1重量%〜5重量%の量で存在する、請求項1又は3に記載の研磨組成物。
  8. 前記α−アルミナ粒子が、0.3重量%〜1重量%の量で存在する、請求項に記載の研磨組成物。
  9. 前記研磨組成物が〜10のpHを有する、請求項1又は3に記載の研磨組成物。
  10. 前記有機酸が、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、グリシン、アスパラギン酸、酒石酸、グルコン酸、イミノ二酢酸及びフマル酸から成る群から選択される、請求項1又は3に記載の研磨組成物。
  11. 前記有機酸が酒石酸である、請求項10に記載の研磨組成物。
  12. 臭素酸塩、亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、過酸化水素、次亜塩素酸塩、ヨウ素酸塩、モノパーオキシ硫酸塩、モノパーオキシ亜硫酸塩、モノパーオキシリン酸塩、モノパーオキシ次リン酸塩、モノパーオキシピロリン酸塩、オルガノ−ハロ−オキシ化合物、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、パーオキシ酢酸、及びそれらの混合物から成る群から選択される酸化剤をさらに含む、請求項1又は3に記載の研磨組成物。
  13. トリアゾールの、ベンゾトリアゾールに対する重量%比が、0.1〜4.4である、請求項3に記載の研磨組成物。
  14. 次の各ステップを含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を化学的機械的研磨する方法;
    (i)基板を、研磨パッド及び下記を含む化学的機械的研磨組成物と接触させるステップ;
    (a)0.01重量%〜20重量%のα−アルミナ粒子;ここで、前記α−アルミナ粒子は、200nm以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の90%は、500nm以下の直径を有する、
    (b)有機酸;
    (c)腐食抑制剤;
    (d)酸化剤;及び
    (e)水;
    (ii)前記研磨パッドを前記基板に対して、それらの間の化学的機械的研磨組成物と共に動かすステップ:そして
    (iii)前記基板を研磨するために、前記基板の少なくとも一部を研磨するステップ。
  15. 前記腐食抑制剤が、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項14に記載の方法。
  16. 次の各ステップを含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を化学的機械的研磨する方法;
    (i)基板を、研磨パッド及び下記の化学的機械的研磨組成物と接触させるステップ;
    (a)0.01重量%〜20重量%のα−アルミナ粒子、当該α−アルミナ粒子の90%は、500nm以下の直径を有する
    (b)有機酸;
    (c)トリアゾール及びベンゾトリアゾールの2成分の腐食抑制剤;ここで、トリアゾールの、ベンゾトリアゾールに対する重量%比が、0.1〜4.8である、
    (d)酸化剤;及び
    (e)水;
    (ii)前記研磨パッドを前記基板に対して、それらの間の化学的機械的研磨組成物と共に動かすステップ:そして
    (iii)前記基板を研磨するために、前記基板の少なくとも一部を研磨するステップ。
  17. 前記α−アルミナ粒子が200nm以下の平均直径を有する、請求項16に記載の方法。
  18. 前記α−アルミナ粒子が100nm以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の95%が500nm以下の直径を有する、請求項17に記載の方法。
  19. 前記α−アルミナ粒子が100nm以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の90%が200nm以下の直径を有する、請求項18に記載の方法。
  20. 前記研磨パッドを、3kPa〜21kPaのダウンフォース圧力を用いて、前記基板に対して動かす、請求項14又は16に記載の方法。
  21. 前記α−アルミナ粒子が、0.1重量%〜5重量%の量で存在する、請求項14又は16に記載の方法。
  22. 前記α−アルミナ粒子が、0.3重量%〜1重量%の量で存在する、請求項21に記載の方法。
  23. 前記研磨組成物が、3〜10のpHを有する、請求項14又は16に記載の方法。
  24. 前記有機酸が、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、グリシン、アスパラギン酸、酒石酸、グルコン酸、イミノ二酢酸及びフマル酸から成る群から選択される、請求項14又は16に記載の方法。
  25. 前記有機酸が酒石酸である、請求項24に記載の方法。
  26. 前記酸化剤が、臭素酸塩、亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、過酸化水素、次亜塩素酸塩、ヨウ素酸塩、モノパーオキシ硫酸塩、モノパーオキシ亜硫酸塩、モノパーオキシリン酸塩、モノパーオキシ次リン酸塩、モノパーオキシピロリン酸塩、オルガノ−ハロ−オキシ化合物、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、パーオキシ酢酸、及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項14又は16に記載の方法。
  27. トリアゾールの、ベンゾトリアゾールに対する重量%比が、0.1〜4.4である、請求項15に記載の方法。
JP2008533451A 2005-09-30 2006-09-21 表面を平坦化するための組成物及び方法 Active JP5188976B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/241,137 US7955519B2 (en) 2005-09-30 2005-09-30 Composition and method for planarizing surfaces
US11/241,137 2005-09-30
PCT/US2006/036813 WO2007041004A2 (en) 2005-09-30 2006-09-21 Composition and method for planarizing surfaces

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009510779A JP2009510779A (ja) 2009-03-12
JP2009510779A5 JP2009510779A5 (ja) 2009-08-27
JP5188976B2 true JP5188976B2 (ja) 2013-04-24

Family

ID=37499360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008533451A Active JP5188976B2 (ja) 2005-09-30 2006-09-21 表面を平坦化するための組成物及び方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7955519B2 (ja)
EP (1) EP1928964B1 (ja)
JP (1) JP5188976B2 (ja)
KR (1) KR101281932B1 (ja)
CN (2) CN101297009A (ja)
IL (1) IL190428A (ja)
MY (1) MY148917A (ja)
SG (1) SG166114A1 (ja)
TW (1) TWI326705B (ja)
WO (1) WO2007041004A2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5273710B2 (ja) * 2007-11-27 2013-08-28 メック株式会社 エッチング剤
SG11201602877RA (en) * 2013-10-18 2016-05-30 Cabot Microelectronics Corp Polishing composition and method for nickel-phosphorous coated memory disks
CN110256968B (zh) * 2019-05-29 2021-01-01 湖南皓志科技股份有限公司 一种用于铜抛光的氧化铝抛光液及其制备方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4657754A (en) * 1985-11-21 1987-04-14 Norton Company Aluminum oxide powders and process
JPH01257563A (ja) * 1988-04-08 1989-10-13 Showa Denko Kk アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物
US6046110A (en) * 1995-06-08 2000-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device
US5693239A (en) * 1995-10-10 1997-12-02 Rodel, Inc. Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use
US5710069A (en) * 1996-08-26 1998-01-20 Motorola, Inc. Measuring slurry particle size during substrate polishing
EP1833085A1 (en) 1998-12-28 2007-09-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, method for preparation thereof and polishing method using the same
JP3523107B2 (ja) * 1999-03-17 2004-04-26 株式会社東芝 Cmp用スラリおよびcmp法
JP4614497B2 (ja) * 1999-07-13 2011-01-19 花王株式会社 研磨液組成物
WO2001012741A1 (en) * 1999-08-13 2001-02-22 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system with stopping compound and method of its use
US6855266B1 (en) * 1999-08-13 2005-02-15 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system with stopping compound and method of its use
US20030006396A1 (en) * 1999-12-14 2003-01-09 Hongyu Wang Polishing composition for CMP having abrasive particles
JP2004514266A (ja) * 1999-12-14 2004-05-13 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 貴金属用研磨組成物
JP3602393B2 (ja) * 1999-12-28 2004-12-15 Necエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
JP3490038B2 (ja) * 1999-12-28 2004-01-26 Necエレクトロニクス株式会社 金属配線形成方法
TW572980B (en) * 2000-01-12 2004-01-21 Jsr Corp Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing process
JP2002050595A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Hitachi Ltd 研磨方法、配線形成方法及び半導体装置の製造方法
JP3768402B2 (ja) * 2000-11-24 2006-04-19 Necエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
US7128825B2 (en) * 2001-03-14 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7232514B2 (en) 2001-03-14 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
SG144688A1 (en) 2001-07-23 2008-08-28 Fujimi Inc Polishing composition and polishing method employing it
US6821897B2 (en) 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
US7097541B2 (en) * 2002-01-22 2006-08-29 Cabot Microelectronics Corporation CMP method for noble metals
FR2839125B1 (fr) * 2002-04-30 2005-02-18 France Reducteurs Sa Mecanisme d'embrayage a cones
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
EP1544901B1 (en) * 2002-09-25 2009-12-16 Seimi Chemical Co., Ltd. Polishing compound composition and polishing method
JP2004193495A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Toshiba Corp 化学的機械的研磨用スラリーおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
US6896591B2 (en) * 2003-02-11 2005-05-24 Cabot Microelectronics Corporation Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same
US7422730B2 (en) * 2003-04-02 2008-09-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Nanoporous ultrafine α-alumina powders and sol-gel process of preparing same
US20040198584A1 (en) * 2003-04-02 2004-10-07 Saint-Gobain Ceramics & Plastic, Inc. Nanoporous ultrafine alpha-alumina powders and freeze drying process of preparing same
WO2005019364A1 (en) 2003-08-14 2005-03-03 Ekc Technology, Inc. Periodic acid compositions for polishing ruthenium/high k substrates
US7247566B2 (en) * 2003-10-23 2007-07-24 Dupont Air Products Nanomaterials Llc CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers
US20050211950A1 (en) * 2004-03-24 2005-09-29 Cabot Microelectronics Corporation Chemical-mechanical polishing composition and method for using the same
US7497938B2 (en) * 2005-03-22 2009-03-03 Cabot Microelectronics Corporation Tribo-chronoamperometry as a tool for CMP application
US7311856B2 (en) * 2005-03-30 2007-12-25 Cabot Microelectronics Corporation Polymeric inhibitors for enhanced planarization

Also Published As

Publication number Publication date
KR101281932B1 (ko) 2013-07-03
TWI326705B (en) 2010-07-01
US7955519B2 (en) 2011-06-07
IL190428A0 (en) 2008-11-03
IL190428A (en) 2012-04-30
WO2007041004A2 (en) 2007-04-12
JP2009510779A (ja) 2009-03-12
CN101297009A (zh) 2008-10-29
WO2007041004A3 (en) 2007-06-21
CN103214972A (zh) 2013-07-24
TW200722510A (en) 2007-06-16
US20070075040A1 (en) 2007-04-05
EP1928964B1 (en) 2016-12-21
SG166114A1 (en) 2010-11-29
KR20080061386A (ko) 2008-07-02
EP1928964A2 (en) 2008-06-11
MY148917A (en) 2013-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5986146B2 (ja) 基板を化学機械的に研磨加工する方法
TWI443729B (zh) 研磨液及使用它之研磨方法
US20060096179A1 (en) CMP composition containing surface-modified abrasive particles
JP5441345B2 (ja) 研磨液、及び研磨方法
EP2852650B1 (en) Cmp composition containing zirconia particles and method of use
US20020111024A1 (en) Chemical mechanical polishing compositions
US20040025444A1 (en) Fenton's reagent composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same
TW201708451A (zh) 低淺盤效應銅化學機械平坦化
WO2004063301A1 (en) Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
TWI388638B (zh) 釕化學機械研磨組合物及方法
EP2892967B1 (en) Polyp yrrol1done polishing compost-ion and method
JP7334148B2 (ja) TiN-SiN CMP用途の高選択性のための窒化物抑制剤
JP2022541201A (ja) バルクタングステンスラリーにおけるバリア膜の除去速度を増加させる方法
EP3692107B1 (en) Surface treated abrasive particles for tungsten buff applications
JP5188976B2 (ja) 表面を平坦化するための組成物及び方法
KR101515837B1 (ko) 연마액 및 연마 방법
EP4038155A1 (en) Low dishing copper chemical mechanical planarization
US8637404B2 (en) Metal cations for initiating polishing

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090709

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090709

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111206

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120305

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120530

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130123

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160201

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5188976

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250