JP5186631B2 - 被膜、切削工具および被膜の製造方法 - Google Patents
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(Al1−xZrx)2O3(1+y) …(1)
式(1)において、xは0.001≦x≦0.5を満たす実数であり、yは−0.1≦y≦0.2を満たす実数であって、第2酸化物層は非晶質である被膜である。
また、本発明の被膜において、上記式(1)のxは0.05≦x≦0.2を満たす実数であることが好ましい。
また、本発明は、基材と、基材上に形成された上記のいずれかに記載の被膜と、を含む切削工具である。
リング法からなる群から選択された少なくとも1種であり得る。
本発明の被膜は、切削工具の基材上に形成される被膜であって、第1酸化物層と第1酸化物層上に形成された第2酸化物層との積層体を含んでいる。ここで、第1酸化物層は第2酸化物層よりも基材側に位置している。本発明の被膜は、上記の第1酸化物層と第2酸化物層との積層体のみからなっていてもよく、たとえば後述する化合物層などの層を含んでいてもよい。
本発明の被膜に含まれる第1酸化物層は金属の酸化物からなっており、第1酸化物層はα−アルミナ型の結晶構造を有している。ここで、本発明において、「第1酸化物層はα−アルミナ型の結晶構造を有している」とは、α−アルミナ(α−Al2O3)の結晶構造において、α−Al2O3のAl原子が存在する位置に第1酸化物層に含まれている金属原
子が存在し、α−Al2O3のO原子が存在する位置に第1酸化物層に含まれているO原子が存在する結晶構造を第1酸化物層が有していることを意味する。
本発明の被膜においては、第1酸化物層上に第2酸化物層が形成されて積層体が形成されており、第2酸化物層の組成は、以下の式(1)で表わされる。
上記の式(1)において、xは0.001≦x≦0.5を満たす実数であり、yは−0.1≦y≦0.2を満たす実数であって、第2酸化物層は非晶質である。
また、第1酸化物層と第1酸化物層上に形成された第2酸化物層とからなる積層体は、0.1GPa以上10GPa以下の圧縮残留応力を有することが好ましく、0.5GPa以上5GPa以下の圧縮残留応力を有することがより好ましい。上記の積層体の圧縮残留応力が0.1GPa以上10GPa以下、特に0.5GPa以上5GPa以下である場合には被膜の耐衝撃性を高め、被膜が形成される基材の靭性を高めることができる傾向にある。また、上記の積層体の圧縮残留応力が0.1GPa未満である場合には上記の積層体が圧縮残留応力を有することによる効果が認められず、10GPaよりも大きい場合には上記の積層体が自らの圧縮残留応力によって剥離しやすくなる。
適宜調節することによって、上記の積層体の圧縮残留応力の大きさを適宜調節することができる。なお、基材に印加されるバイアス電圧としてはDC電圧でもよいが、20kHz以上、好ましくは40kHz以上の周波数で正負が入れ替わるバイアス電圧であってもよい。
本発明の被膜は、上記の第1酸化物層と第2酸化物層との積層体以外の層を少なくとも1層含んでいてもよい。上記の積層体以外の層としては、Ti、Al、CrおよびSiからなる群から選択された少なくとも1種の金属の窒化物、炭窒化物、窒酸化物、炭酸化物または炭窒酸化物からなる化合物層(以下、「化合物層」と称する)が含まれ得る。
SiN層よりも耐酸化性に優れ、さらに高い耐熱性を有することから、本発明の被膜中にAlCrN層を含めた場合には被膜の耐摩耗性、耐熱性および化学的安定性が向上する傾向にある。また、AlCrN層は、上記の酸化物層との密着性にも優れている。
本発明の切削工具は、基材と、基材上に被覆された上記の本発明の被膜と、を含む構造を有している。本発明の切削工具としては、たとえばドリル、エンドミル、フライス加工用または旋削加工用刃先交換型チップ、メタルソー、歯切工具、リーマ、タップまたはクランクシャフトのピンミーリング加工用チップなどを挙げることができる。
本発明の被膜は、たとえばPVD(Physical Vapor Deposition)法、熱CVD(Chemi
cal Vapor Deposition)法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、PCVD(Plasma Chemical Vapor Deposition)法または湿式法などによって形成することができる。なかでも、緻密かつ圧縮残留応力を有する被膜を低温で容易に形成できる観点からは、本発明の被膜の製造方法としてはPVD法を用いることが好ましい。
以下に、アーク式イオンプレーティング法の一例として、アーク式イオンプレーティング法により基材上に上記の化合物層としてのTiAlN層を形成する方法の一例について説明する。
以下に、アンバランストマグネトロンスパッタリング法の一例として、アンバランストマグネトロンスパッタリング法により基材上の第1酸化物層上に第2酸化物層を形成する方法の一例について説明する。
以下に、デュアルマグネトロンスパッタリング法の一例として、デュアルマグネトロンスパッタリング法により基材上の第1酸化物層上に第2酸化物層を形成する方法の一例を説明する。
はそれぞれその少なくとも一部がイオンとなって第1酸化物層上に到達し、そこで酸素とともに第2酸化物層を形成する。これにより、第2酸化物層が第1酸化物層上に形成される。ここで、デュアルマグネトロンスパッタリング法の条件を適宜調節することによって、Al、ZrおよびOをそれぞれ上記の式(1)で表わされる組成とすることが可能である。
ッタリング法およびデュアルマグネトロンスパッタリング法をそれぞれ用いることができる。
組成がJIS規格P30であり、形状がJIS規格SNG432である超硬合金製切削チップを基材として用い、その基材上に、図1にその概略を示した装置を用いアーク式イオンプレーティング法およびデュアルマグネトロンスパッタリング法により表1の試料No.1〜8の欄にそれぞれ記載された構成の被膜を形成して切削工具を作製した。以下、試料No.1〜8の切削工具の被膜の形成方法について具体的に説明する。
極間に陽極と陰極とを交互に切り替える周波数が300kHzである電圧を印加して放電させ、基材10に101kHzの周波数で+50Vから−200Vに切り替わるパルス状DC電圧を印加することによって、デュアルマグネトロンスパッタリング法により、Cr2O3からなる第1酸化物層(表1の試料No.1〜8の第2層)を形成した。そして、上記の第1酸化物層の形成後は、装置1内のガスを排気した。
表1に示す試料No.9〜15の被膜については各蒸発源としてセットするターゲットと装置1内に導入されるガス(導入ガス)を下記のものとし、第4層の形成時に導入されるメタンと窒素の体積比を変更したこと以外は、試料No.2〜7と同様に形成して試料No.9〜15の切削工具を得た。
第1アーク蒸発源13:Tiターゲット
第2アーク蒸発源14:Ti(50原子%)−Al(50原子%)ターゲット
導入ガス:窒素/酸素(第1層)、酸素/アルゴン(第2層、第3層)、窒素/メタン(第4層)
(試料No.16〜21)
表1に示す試料No.16〜21の被膜については各蒸発源としてセットするターゲットと導入ガスを下記のものとしたこと以外は、試料No.2〜7と同様にして基材上に形成して試料No.16〜21の切削工具を得た。
、第2デュアルマグネトロンスパッタ源12としては試料No.2〜7と同様に1対のマグネトロン電極の一方にはAlターゲットがセットされ、他方にはZrターゲットがセットされた。また、試料No.16〜21の第3層については基材10に印加するパルス状DC電圧を適宜変更することによって第3層の圧縮残留応力を適宜変更して形成を行なった。
第1アーク蒸発源13:Ti(95原子%)−Si(5原子%)ターゲット
第2アーク蒸発源14:Al(50原子%)−Cr(40原子%)−Si(10原子%)ターゲット
導入ガス:窒素/メタン(第1層)、酸素/アルゴン(第2層、第3層)、メタン(第4層)
(試料No.22)
従来の熱CVD法を用いて、表1に示す第1層、第2層および第3層が基材10の表面上に形成された試料No.22の切削工具を得た。
図1に示す第1アーク蒸発源13としてTi(50原子%)−Al(50原子%)ターゲットをセットし、第2アーク蒸発源14としてTiターゲットをセットした。また、第1デュアルマグネトロンスパッタ源11および第2デュアルマグネトロンスパッタ源12としては何もセットしなかった。
表1に示す試料No.1〜23の切削工具を用いて、図2の模式的拡大側面図に示すように切削工具2の角を被削材3に接触させた後に被削材3を回転させることによって、表2に示す切削条件で被削材3を連続切削(連続切削試験)および断続切削(断続切削試験)することにより、切削工具2の逃げ面4の摩耗幅を測定した。その結果を表3に示す。表3に示す逃げ面摩耗幅の値が小さいほど切削工具の被膜の耐摩耗性が優れていることを示す。
試料No.1〜23で用いた基材に代えて、基材の形状をSNGN120408(JIS−B−4121)とし、基材の材質をサーメットおよび立方晶窒化硼素焼結体とする、表5に示す2種の基材を用意した。
ネトロンスパッタリング法により、(Al0.5Cr0.5)2O3からなる第1酸化物層(表4の試料No.24の第3層)を形成した。そして、第1酸化物層の形成後は装置1内からガスを排気した。
表4に示す試料No.25の被膜については各蒸発源としてセットするターゲットおよび第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11としてセットされるターゲットを下記のものとし、第2アンバランストマグネトロンスパッタ源12としてセットされるAl−Zrターゲットの組成などの条件を変更して第1層〜第4層を形成したこと以外は、試料No.24と同様に形成して、基材10の材質がサーメットおよび立方晶窒化硼素焼結体のそれぞれからなる2種類の試料No.25の切削工具を得た。
第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11:Cr(70原子%)−Ti(30原子%)ターゲット
第1アーク蒸発源13:Cr(80原子%)−Si(20原子%)ターゲット
第2アーク蒸発源14:Ti(90原子%)−Si(10原子%)ターゲット
(試料No.26)
表4に示す試料No.26の被膜については各蒸発源としてセットするターゲットおよび第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11としてセットされるターゲットを下記のものとし、第2アンバランストマグネトロンスパッタ源12としてセットされるAl−Zrターゲットや導入ガスの組成などの条件を変更して第1層〜第4層を形成したこと以外は、試料No.24と同様に形成して、基材10の材質がサーメットおよび立方晶窒化硼素焼結体のそれぞれからなる2種類の試料No.26の切削工具を得た。
第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11:Cr(90原子%)−Fe(10原子%)ターゲット
第1アーク蒸発源13:Ti(70原子%)−Al(15原子%)−Si(15原子%)ターゲット
第2アーク蒸発源14:Tiターゲット
(試料No.27)
試料No.1〜23で用いた基材に代えて、基材の形状をSNGN120408(JIS−B−4121)とし、基材の材質をサーメットおよび立方晶窒化硼素焼結体とする、表5に示す2種の基材を用意した。
表4に示す試料No.28の被膜については第2アーク蒸発源14としてセットするターゲットおよび第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11としてセットされるターゲットを下記のものとし、第2アンバランストマグネトロンスパッタ源12としてセットされるAl−Zrターゲットや導入ガスの組成などの条件を変更して第2層〜第4層を形成したこと以外は、試料No.27と同様にして基材上に形成して、基材10の材質がサーメットおよび立方晶窒化硼素焼結体のそれぞれからなる2種類の試料No.28の切削工具を得た。
第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11:Cr(80原子%)−Al(10原子%)−Ti(10原子%)ターゲット
第2アーク蒸発源14:Ti(80原子%)−Si(20原子%)ターゲット
(試料No.32)
表4に示す試料No.32の被膜については第2アーク蒸発源14としてセットするターゲットおよび第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11としてセットされるターゲットを下記のものとし、第2アンバランストマグネトロンスパッタ源12としてセットされるAl−Zrターゲットや導入ガスの組成などの条件を変更して第2層〜第4層を形成したこと以外は、試料No.27と同様にして基材上に形成して、基材10の材質がサーメットおよび立方晶窒化硼素焼結体のそれぞれからなる2種類の試料No.32の切削工具を得た。
第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11:Al(20原子%)−Cr(60原子%)−Fe(20原子%)ターゲット
第2アーク蒸発源14:Ti(50原子%)−Al(30原子%)−Cr(20原子%)ターゲット
(試料No.33)
表4に示す試料No.33の被膜については第2アーク蒸発源14としてセットするターゲットおよび第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11としてセットされるターゲットを下記のものとし、第2アンバランストマグネトロンスパッタ源12としてセットされるAl−Zrターゲットや導入ガスの組成などの条件を変更して第2層〜第4層を形成したこと以外は、試料No.27と同様にして基材上に形成して、基材10の材質がサーメットおよび立方晶窒化硼素焼結体のそれぞれからなる2種類の試料No.33の切削工具を得た。
第1アンバランストマグネトロンスパッタ源11:Al(95原子%)−Ti(5原子%)ターゲット
第2アーク蒸発源14:Ti(80原子%)−Al(20原子%)ターゲット
(試料No.29)
従来の熱CVD法を用いて、表4に示す第1層、第2層および第3層が基材10の表面上に形成された試料No.29の切削工具を得た。
図1に示す第1アーク蒸発源13としてTi(50原子%)−Al(50原子%)ターゲットをセットし、第2アーク蒸発源14としてTiターゲットをセットした。
第3層を形成しなかったこと以外は試料No.24と同様に表4に示す構成の被膜を形成して、基材10の材質がサーメットおよび立方晶窒化硼素焼結体のそれぞれからなる2種類の試料No.31の切削工具を得た。
表4に示す構成の被膜が形成された試料No.24〜33の切削工具を用いて、表5に示す切削条件で被削材の連続切削試験および溝のついた丸棒切削試験を行なうことにより、1分毎に切削工具の逃げ面摩耗幅を測定し、逃げ面摩耗幅が0.2mmを超えた時間を寿命として評価した。その結果を表6に示す。なお、表6に示す寿命の時間が長いほど耐摩耗性に優れた被膜であることを示している。また、基材がサーメットからなる試料No.24〜33の切削工具については連続切削試験を行い、基材がcBN焼結体からなる試料No.24〜33の切削工具については溝のついた丸棒切削試験を行なった。
Claims (18)
- 切削工具の基材上に形成される被膜であって、
第1酸化物層と前記第1酸化物層上に形成された第2酸化物層との積層体を含み、
前記第1酸化物層は前記第2酸化物層よりも前記基材側に位置しており、
前記第1酸化物層はα−アルミナ型の結晶構造を有し、
前記第2酸化物層の組成は、以下の式(1)で表わされ、
(Al1−xZrx)2O3(1+y) …(1)
前記式(1)において、xは0.001≦x≦0.5を満たす実数であり、yは−0.1≦y≦0.2を満たす実数であって、
前記第2酸化物層は非晶質であることを特徴とする、被膜。 - 前記第1酸化物層は、Al、Cr、FeおよびTiからなる群から選択された少なくとも1種の金属を含むことを特徴とする、請求項1に記載の被膜。
- 前記第1酸化物層はCrを含み、
前記Crは前記第1酸化物層に含まれる金属原子の総数の60%以上含まれていることを特徴とする、請求項1または2に記載の被膜。 - 前記第1酸化物層はCrの酸化物からなることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の被膜。
- 前記式(1)において、xは0.05≦x≦0.2を満たす実数であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の被膜。
- 前記第2酸化物層の層厚が0.05μm以上20μm以下であることを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の被膜。
- 前記積層体が0.1GPa以上10GPa以下の圧縮残留応力を有することを特徴とする、請求項1から6のいずれかに記載の被膜。
- 前記第2酸化物層は、600℃の環境下において結晶化しないことを特徴とする、請求項1から7のいずれかに記載の被膜。
- Ti、Al、CrおよびSiからなる群から選択された少なくとも1種の金属の窒化物、炭窒化物、窒酸化物、炭酸化物または炭窒酸化物からなる化合物層を少なくとも1層含む、請求項1から8のいずれかに記載の被膜。
- 前記被膜の膜厚が0.05μm以上25μm以下であることを特徴とする、請求項1から9のいずれかに記載の被膜。
- 基材と、前記基材上に形成された請求項1から10のいずれかに記載の被膜と、を含む、切削工具。
- 前記基材が、高速度鋼、超硬合金、サーメット、セラミックス焼結体、ダイヤモンド焼結体または立方晶窒化硼素焼結体であることを特徴とする、請求項11に記載の切削工具。
- PVD法により、請求項1に記載の第2酸化物層を少なくとも1層形成する工程を含む、被膜の製造方法。
- PVD法により、Ti、Al、CrおよびSiからなる群から選択された少なくとも1種の金属の窒化物、炭窒化物、窒酸化物、炭酸化物または炭窒酸化物からなる化合物層を少なくとも1層形成する工程を含む、請求項13に記載の被膜の製造方法。
- 前記PVD法は、アーク式イオンプレーティング法、アンバランストマグネトロンスパッタリング法およびデュアルマグネトロンスパッタリング法からなる群から選択された少なくとも1種であることを特徴とする、請求項13または14に記載の被膜の製造方法。
- 前記第2酸化物層が前記デュアルマグネトロンスパッタリング法により形成され、前記化合物層が前記アーク式イオンプレーティング法により形成されることを特徴とする、請求項15に記載の被膜の製造方法。
- 前記デュアルマグネトロンスパッタリング法に用いる1対のマグネトロン電極に、AlターゲットとZrターゲットとがそれぞれ取り付けられることを特徴とする、請求項16に記載の被膜の製造方法。
- 前記第2酸化物層が前記アンバランストマグネトロンスパッタリング法により形成され、前記化合物層が前記アーク式イオンプレーティング法により形成されることを特徴とする、請求項15に記載の被膜の製造方法。
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