JP5184804B2 - 半導体レーザ、それを備えたレーザモジュールおよび半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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M. L. Tilton他 IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 27, No.9, p.2098, 1991. S.A. Biellak他 IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 33, No.2, p.219, 1997.
Claims (3)
- 基板上に形成され、レーザ光を平坦面である出射面から出射する活性層と、
前記基板の面内方向において前記出射面と反対側の前記活性層の端面に接して配置されるとともに、前記レーザ光の波長に相当するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する半導体材料からなり、前記活性層に接した側と反対側に曲面を有する窓部材と、
前記平坦面に形成された低反射膜と、
前記曲面に形成された高反射膜とを備え、
前記活性層および前記窓部材は、前記基板の面内方向に配置され、
前記曲面は、ドライエッチングによって形成され、前記活性層に向かって凸になっている、半導体レーザ。 - 請求項1に記載の半導体レーザを備えるレーザモジュール。
- レーザ光を平坦面である出射面から出射する活性層を基板上に形成する工程と、
前記レーザ光の波長に相当するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する半導体材料からなる混晶化領域を前記基板の面内方向における前記出射面と反対側の前記活性層の端面に接して形成する工程と、
前記活性層へ向かって凸状の曲面が前記出射面と反対側の端面に形成されるように前記基板の面内方向における前記出射面と反対側の前記混晶化領域の端部をエッチングして前記半導体材料からなり、かつ、前記基板の面内方向における前記出射面と反対側に前記曲面を有する窓部材を形成する工程と、
前記曲面に接して高反射膜を形成する工程と、
前記出射面に接して低反射膜を形成する工程とを備える半導体レーザの製造方法。
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