JP5170816B2 - 透明導電膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
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(1)Al:0.1〜30質量%を含有し、残部がZnからなる組成を有するZn−Al合金結晶粒をZn−Al複合酸化物が包囲している組織を有する透明導電膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
前記ZnおよびAlの含有量は、従来から知られているZn−Al合金ターゲットに含まれる含有量と同じであり、すでに知られている範囲であるのでその限定理由の説明は省略する。
先に作製したAZO被覆Zn−Al合金粉末を金型に充填した状態で、ホットプレス装置に装入し、雰囲気:1×10-2Torrの真空雰囲気、温度:200℃、圧力:30MPa、保持時間:3時間保持の条件でホットプレスすることにより、直径:154mm×厚さ:6mmの寸法をもった本発明ターゲットを作製した。この本発明ターゲットの断面を金属顕微鏡で観察したところ、Zn−Al合金結晶粒相互が結合している部分も見られたが、大部分のZn−Al合金結晶粒はAZO複合酸化膜が包囲している組織が見られた。
かかる状態で本発明ターゲットおよび従来ターゲット1に、直流電源にてスパッタ電力:0.1kWを印加し、スパッタリング開始から5分ごとに作製した前記ポリカーボネート基板表面に形成された厚さ:50nmを有する透明導電膜サンプルのZnおよびAlの成分組成を測定し、この測定結果を表1に示した。
一方、従来ターゲット1で形成した透明導電膜サンプルはスパッタリング時間が30分経過後からはZnおよびAlの含有量がほぼ一定となるのでプレスパッタ時間は30分必要となることがわかる。したがって、本発明ターゲットのプレスパッタ時間と従来ターゲット1のプレスパッタ時間を比較すると、本発明ターゲットのプレスパッタ時間は従来ターゲット1のプレスパッタ時間に比べて格段に短いことがわかる。
先に作製したGZO被覆Zn−Ga合金粉末をゴム型に充填した状態で、冷間静水圧プレス装置に装入し、圧力:100MPa、保持時間:1時間保持の条件で冷間静水圧プレスすることにより、直径:154mm×厚さ:6mmの寸法をもった参考例ターゲットを作製した。この参考例ターゲットの断面を金属顕微鏡で観察したところ、Zn−Ga合金結晶粒相互が結合している部分も見られたが、大部分のZn−Ga合金結晶粒はGZO複合酸化膜が包囲している組織が見られた。
かかる状態で参考例ターゲットおよび従来ターゲット2に、直流電源にてスパッタ電力:0.1kWを印加し、スパッタリング開始から5分ごとに作製した前記ポリカーボネート基板表面に形成された厚さ:50nmを有する透明導電膜サンプルのZnおよびGaの成分組成を測定し、この測定結果を表2に示した。
したがって、参考例ターゲットのプレスパッタ時間と従来ターゲット2のプレスパッタ時間を比較すると、参考例ターゲットのプレスパッタ時間は従来ターゲット2のプレスパッタ時間に比べて格段に短いことがわかる。
Claims (1)
- Al:0.1〜30質量%を含有し、残部がZnからなる組成を有するZn−Al合金結晶粒をZn−Al複合酸化物が包囲している組織を有することを特徴とする透明導電膜形成用スパッタリングターゲット。
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