JP5169849B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
先ず、第1実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。
続いて、図8を参照して、第2実施形態について説明する。図8は、第2実施形態に係る液晶装置の蓄積容量70の構造を拡大して示す、図7と同趣旨の模式図である。図8に示すように、第2実施形態は、画素電極9が互いにグレインサイズの異なる第1電極層9a及び第2電極層9bから形成されている点で、上述の実施形態と異なっている。尚、画素電極9以外の構造については上述の実施形態と同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
Claims (4)
- 基板上に、
画素電極と、
該画素電極上に形成された配向膜と、
前記画素電極の下層側に、前記画素電極に誘電体膜を介して対向するように設けられた容量電極と、
を備え、
前記画素電極のうち前記配向膜に面する部分のグレインサイズは、前記容量電極のグレインサイズよりも小さい
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記画素電極は、
前記誘電体膜に面する第1電極層と、
該第1電極層よりも上層側に、前記配向膜に面する部分として形成された第2電極層と
を備え、
前記第1電極層のグレインサイズは、前記第2電極層のグレインサイズよりも大きい
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記画素電極及び前記容量電極は、透明導電材料から形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
- 請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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