JP5169428B2 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の実施の形態1による炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図であり、図2(a)〜(c)および図3(a)〜(b)は本実施の形態による炭化珪素半導体装置の製造工程を示す断面図である。
なお、図1においてはp形埋め込み領域4の断面を矩形で構成しているが、断面形状は矩形に限られず、曲部を有していてもよい。また、図1には3個のp形埋め込み領域4を設けた例を示しているが、実際の素子では、半導体の大きさに応じた個数が配列される。
まず、図2(a)に示すように、抵抗率が約20mΩ・cmであるn形半導体基板1上に不純物濃度が1×1016atoms/cm3になるようにn−形半導体層2aをエピタキシャル成長させる。そして、このn−形半導体層2aのエピタキシャル成長の途中でn形不純物の導入量を減らし、n形不純物の濃度がn−形半導体層2aよりも低い3×1015atoms/cm3となるように調整してn−−形低不純物濃度層3をn−形半導体層2aの表面に形成する。そして再度不純物濃度が1×1016atoms/cm3になるようにn形不純物の導入量を調整してn−−形低不純物濃度層3の表面上にn−形半導体層2bを形成して、4層の炭化珪素半導体を製造する。
なお、イオン注入前の状態がn−形半導体2であった領域とn−−形低不純物濃度層3であった領域とでp形不純物濃度に差異が生じるが、p形埋め込み領域4およびp形終端部7は不純物濃度が1×1017atoms/cm3以上であればよいので、その影響はほとんどない。また、前記p形埋め込み領域4形成工程とp形終端部7形成工程はその順序を入れ替えてもよい。
なお、このショットキー電極5の形成は、予め金属膜が不要となる部分にフォトレジストが残るようなパターニングを金属膜5aの成膜前に実施してから、金属膜5aをn−形半導体層2bの表面に成膜した後、アセトン等の有機溶剤によりフォトレジストをその上に成膜された金属膜とともに除去し、電極として必要な部分のみに金属膜を残すリフトオフ法を用いて行ってもよい。
図8(a)〜(c)および図9(a)〜(c)は本発明の実施の形態2による炭化珪素半導体装置製造工程を示す断面図である。実施の形態1に示した炭化珪素半導体装置は、本実施の形態に係る製造方法で製造することもできる。
まず、図8(a)に示すように、炭化珪素からなり抵抗率が20mΩ・cm程度のn形半導体基板1の上に、不純物濃度が例えば1×1016atoms/cm3のn−形半導体層2をエピタキシャル成長させる。
なお、前記n−−形低不純物濃度層3形成工程、前記p形埋め込み領域4形成工程およびp形終端部7形成工程はその順序を入れ替えてもよい。
そして、図9(c)に示すように、n形半導体基板1のn−形半導体層2の表面にチタン等の炭化珪素とショットキー接触を形成する金属をスパッタリング等の方法により成膜し、フォトレジストによるパターニングを実施後、酸などにより不要となる金属を除去することによりショットキー電極5を形成する。
Claims (3)
- 第1導電型の不純物を有する第1導電型の炭化珪素半導体基板と、
前記炭化珪素半導体基板の表面に形成され、前記炭化珪素半導体基板よりも第1導電型の不純物の濃度が低い第1導電型の炭化珪素半導体層と、
前記炭化珪素半導体層の内部に形成され、前記炭化珪素半導体層よりも第1導電型の不純物の濃度が低い第1導電型の低不純物濃度炭化珪素層と、
前記炭化珪素半導体層の内部に、全面を前記低不純物濃度炭化珪素層によって覆うように形成され、前記炭化珪素半導体層の水平方向に間隔をおいて設けられた第2導電型の埋め込み領域と、
前記炭化珪素半導体層の表面に形成されたショットキー電極と
を備えた炭化珪素半導体装置。 - 第1導電型の不純物を有する第1導電型の炭化珪素半導体基板の表面に、前記炭化珪素半導体基板よりも第1導電型の不純物の濃度が低い第1導電型の炭化珪素半導体層を形成する工程と、
前記炭化珪素半導体層の表面に、前記炭化珪素半導体層よりも第1導電型の不純物の濃度が低い第1導電型の低不純物濃度炭化珪素層を形成する工程と、
前記低不純物濃度炭化珪素層の表面に、前記炭化珪素半導体層と第1導電型の不純物の濃度が等しい第1導電型の炭化珪素半導体層を形成する工程と、
前記炭化珪素半導体層の内部に、前記低不純物濃度炭化珪素層に全面を覆われ、前記炭化珪素半導体層の水平方向に間隔をおいて設けられた第2導電型の埋め込み領域を、第2導電型の不純物を注入して形成する工程と、
前記炭化珪素半導体層の表面にショットキー電極を形成する工程と
を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の不純物を有する第1導電型の炭化珪素半導体基板の表面に、前記炭化珪素半導体基板よりも第1導電型の不純物の濃度が低い第1導電型の炭化珪素半導体層を形成する工程と、
第2導電型の不純物を注入することにより、前記炭化珪素半導体層よりも第1導電型の不純物濃度が低い第1導電型の低不純物濃度炭化珪素層を前記炭化珪素半導体層の内部に形成する工程と、
前記炭化珪素半導体層の内部に、前記低不純物濃度炭化珪素層に全面を覆われ、前記炭化珪素半導体層の水平方向に間隔をおいて設けられた第2導電型の埋め込み領域を、第2導電型の不純物を注入して形成する工程と、
前記炭化珪素半導体層の表面にショットキー電極を形成する工程と
を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。
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