JP5168439B2 - 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター - Google Patents

圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター Download PDF

Info

Publication number
JP5168439B2
JP5168439B2 JP2005221277A JP2005221277A JP5168439B2 JP 5168439 B2 JP5168439 B2 JP 5168439B2 JP 2005221277 A JP2005221277 A JP 2005221277A JP 2005221277 A JP2005221277 A JP 2005221277A JP 5168439 B2 JP5168439 B2 JP 5168439B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
site
ion
piezoelectric
ink jet
piezoelectric element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005221277A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007036142A (ja
Inventor
浩一 両角
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2005221277A priority Critical patent/JP5168439B2/ja
Publication of JP2007036142A publication Critical patent/JP2007036142A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5168439B2 publication Critical patent/JP5168439B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンターに関する。
高画質、高速印刷を可能にするプリンターとして、インクジェットプリンターが知られている。インクジェットプリンターは、内容積が変化するキャビティーを備えたインクジェット式記録ヘッドを備え、このヘッドを走査させつつそのノズルからインク滴を吐出することにより、印刷を行うものである。このようなインクジェットプリンター用のインクジェット式記録ヘッドにおけるヘッドアクチュエーターとしては、従来、PZT(Pb(Zr,Ti)O)に代表される圧電体膜を用いた圧電素子が用いられている(たとえば、特許文献1)。
特開2001−223404号公報
本発明の目的は、良好な圧電特性を有する圧電体膜を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記圧電体膜を用いた圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンターを提供することにある。
本発明にかかる圧電素子は、
ペロブスカイト型酸化物からなり、かつ、マルチドメイン構造を有する圧電体膜を含む。
本発明にかかる圧電素子において、
前記圧電体膜は、モザイク構造を有することができる。
本発明にかかる圧電素子において、
ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜を含み、
前記ペロブスカイト型酸化物において、Aサイトに優先的に位置するイオンをAサイトイオンとし、Bサイトに優先的に位置するイオンをBサイトイオンとした場合に、前記Aサイトイオンは、前記Bサイトイオンと相互置換されていることができる。
本発明にかかる圧電素子おいて、
前記Aサイトイオンの価数は、前記Bサイトイオンの価数と等しいことができる。
本発明にかかる圧電素子おいて、
AサイトイオンとBサイトイオンのイオン半径比は2.0〜2.5であることができる。
本発明にかかる圧電素子おいて、
Aサイトイオンは鉛イオン(Pb2+)であることができる。
本発明にかかる圧電素子おいて、
前記ペロブスカイト型酸化物は、Pb(Mg,Nb)O−xPbTiOであることができる。
本発明にかかる圧電素子おいて、
前記Aサイトイオンは、鉛イオン(Pb2+)であり、
前記Bサイトイオンは、マグネシウムイオン(Mg2+)であることができる。
本発明にかかる圧電アクチュエーターは、上述した圧電素子を有することができる。
本発明にかかるインクジェット式記録ヘッドは、上述した圧電素子を有することができる。
本発明にかかるインクジェットプリンターは、上述したインクジェット式記録ヘッドを有することができる。
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
1.圧電体膜の構造
本実施の形態にかかる圧電体膜は、ペロブスカイト型酸化物からなる。ペロブスカイト型とは、図1(a)、図1(b)に示すような結晶構造を有するもので、図1(a)、図1(b)においてAで示す位置をAサイト、Bに示す位置をBサイト、Oで示す位置をOサイトという。本実施の形態では、Aサイトに優先的に位置するイオンをAサイトイオンといい、Bサイトに優先的に位置するイオンをBサイトイオンという。たとえばPb(Mg,Nb)O−xPbTiO(以下、PMN−PTとする。)において、AサイトイオンはPb2+であり、BサイトイオンはMg2+、Ti4+およびNb5+である。なお、OサイトにはO2−が位置している。圧電体膜を構成するペロブスカイト型酸化物には、単純ペロブスカイト型酸化物、複合ペロブスカイト型酸化物が含まれる。また、圧電体膜はリラクサー材料からなることもできる。
本実施の形態にかかる圧電体膜において、AサイトイオンとBサイトイオンは相互置換されている。たとえば圧電体膜としてPMN−PTを用いた場合、Bサイトイオンの組成をモルフォトロピック相境界(以下、MPBとする。)になるよう(x≒0.35)に調整したとき、結晶系は正方晶または菱面体晶であるが、Pb2+とMg2+とを相互置換すると、結晶系はより対称性の低い単斜晶または斜方晶になる。
このようにAサイトイオンとBサイトイオンとを相互置換させることによって、ペロブスカイト型酸化物の結晶対称性を低下させることができ、分極反転をしやすくすることができる。これにより、圧電体膜の圧電特性を向上させることができる。
また相互置換させるBサイトイオンの価数は、Aサイトイオンの価数と等しいことが好ましい。たとえば圧電体膜としてPMN−PTを用いた場合、相互置換させるためのBサイトイオンとしては、Nb5+よりMg2+が好ましい。
また相互置換させるAサイトイオンとBサイトイオンのイオン半径比は、2.0〜2.5であることが好ましい。具体的にAサイトイオンのイオン半径がBサイトイオンのイオン半径の2.0〜2.5倍である場合について説明する。たとえば圧電体膜がPZT(Pb(Zr,Ti)O)やPMN−PTのように、AサイトイオンがPb2+である結晶からなる場合、Pb2+(12配位)のイオン半径(シャノンのイオン半径)は、1.49Åであるため、相互置換されるBサイトイオンのイオン半径は、0.60〜0.75Åであることができる。よって、Pb2+は、Mg2+(6配位)(イオン半径0.72Å)、Zn2+(イオン半径0.745Å)、Nb2+(イオン半径0.71Å)、Co2+(イオン半径0.65Å)、Cr2+(イオン半径0.73Å)、Mn2+(イオン半径0.67Å)、Fe2+(イオン半径0.61Å)、Cu2+(イオン半径0.73Å)等と相互置換されることができる。
これにより、結晶構造を大きく変化させ、ペロブスカイト型酸化物の結晶対称性を顕著に低下させることができる。これにより、圧電体膜の圧電特性をより向上させることができる。
なお、AサイトイオンとBサイトイオンの相互置換は、結晶全体の2at%以上であることができる。これにより、ペロブスカイト型酸化物の結晶対称性を顕著に低下させることができる。これにより、圧電体膜の圧電特性をより向上させることができる。
また、圧電体膜は、たとえば10nm以上の層状のマルチドメイン構造およびモザイク構造を有する。マルチドメイン構造とは、配向の異なるドメインが混在している単結晶をいう。ここで配向は、a軸、b軸、およびc軸のすべてが異なっていてもよいし、いずれか1つまたは2つの軸が異なっていてもよい。これにより、圧電体膜の応力を緩和でき、クラック耐性を向上させることができる。モザイク構造とは、互いに隣接するドメインがわずかに異なる配向(1度以下)を有することをいう。圧電体膜がモザイク構造を有することにより、圧電体膜の応力を緩和でき、クラック耐性を向上させることができる。
2.実験例
2.1.試料の作製
Bridgman法により(001)配向のPMN−xPT(x=32、37at%)単結晶を作製した。評価用電極としてAgを形成し、1kV/mmの電界で分極処理を施した。
Bridgman法は、単結晶原料を封入したるつぼを徐々に降下させながら結晶成長させ、ヒータ終端部に生じる温度勾配を利用して単核化させる方法である。PtるつぼにPMN−PT原料のPbO、MgO、Nb、TiO(各純度99.99%以上)粉末を各条件の比率で充填し、るつぼを炉内に設置して1380℃以上で溶解する。約10時間保持した後、0.1〜1mm/hの速度で降下させ(001)配向のPMN−xPT単結晶を得た。
x=32at%の単結晶をPMN−32PTとし、x=37at%の単結晶をPMN−37PTとする。
2.2.評価方法および評価結果
得られた試料について、以下の評価を行った。
2.2.1.定量分析
PMN−32PTおよびPMN−37PTの単結晶を用いて、電子プローブマイクロアナライザ(EPMA)、および誘導結合プラズマ発光分析装置(ICP−AES)により定量分析を行った。ICP−AESの前処理として、試料を硝酸、弗化水素酸および過塩素酸で加水分解し、希硝酸および希弗化水素酸で加温溶解してろ別した。ろ液は希硝酸で定容とした。不溶解分は硝酸および硫酸で加熱分解し、希硝酸および希弗化水素酸で加温溶解して定容とした。定量分析の結果を用いてPMN−32PTおよびPMN−37PTのBサイトを基準とした化学式を決定した。
PMN−32PTの化学式は、
(1−0.32)〔Pb0.99(Mg0.33Nb0.67)O3.16〕−0.32Pb0.99TiO3.16
であった。
PMN−37PTの化学式は、
(1−0.37)〔Pb1.00(Mg0.33Nb0.67)O3.02〕−0.37Pb1.00TiO3.02
であった。
2.2.2.角度分解電子チャンネリングX線分光法(ALCHEMI−HARECXS)
角度分解電子チャンネリングX線分光法とは、試料に電子線を複数の入射方向から照射し、試料から発生した特性X線を利用して結晶構造を解析する手法である。この測定手法では、電子線を試料に照射して試料内で強い回折が生じると、入射した電子は試料内部で透過波や回折波の間で散乱を繰り返し、結晶の特定の部位に振幅極大をもつ幾つかのブロッホ波成分に分岐する。それぞれのブロッホ波成分の励起振幅は電子線の入射方位に依存しており、あるブロッホ波成分が強く励起されると、入射電子は結晶の特定の部位に集中してすすむチャンネリングをおこし、そこに存在する元素からの特性X線シグナルが強められる。この測定によって、特定の結晶サイトに位置する元素の種類とその量に関する情報を得ることができる。
角度分解電子チャンネリングX線分光法により、PMN−32PTを解析した。実験は、111および130系統反射列について行った。
111系統反射列は、A−OサイトとBサイトを、130系統反射列はA−BサイトとOサイトを分離観測可能な面である。
111系統では−3gから2gブラック条件まで、130系統では−2gから2gブラック条件まで連続的に傾斜させた時の、各構成元素の特性X線強度変化を連続的に観測し、図2(a)および図3(a)に示すプロファイルを得た。
図2(a)は、111系統反射列のPMN−32PTのALCHEMI−HARECXS実験プロファイルを示す。図2(b)は、111系統反射列のALCHEMI−HARECXSプロファイルの理論値を示す。
実験では、試料作製方位である[110]から[112]晶帯軸になるように試料を傾斜し、そこから[−110]方位に試料を傾斜させ、g=111系統反射列のみを励起させた。そして、−3gから2gブラック条件まで連続的に傾斜させた時の、各構成元素の特性X線強度変化を連続的に観測し、プロファイルを得た。比較として、内殻電子励起を考慮した動力学的回折理論を基に、Pb2+、Mg2+、Nb5+、Ti4+、O2ーがそれぞれA、B、B、B、Oサイトを占有している理想的イオン配列(自発変位無し、欠損無し、試料厚150nm)を仮定したHARECXS理論プロファイルを図2(b)に示す。HARECXS理論プロファイルは、規格化した各サイトの原子1個あたりのX線発生断面積(発生確率)を示している。また、計算を単純化させるため、結晶構造は立方晶(格子定数4.018Å)とした。
図2(a)において、回折条件に依存して特性X線強度が大きく変化しており、対称励起条件を挟んだ−1<k/g111<1の範囲では、Pb2+とO2ーからのシグナルが強く、逆にNb5+とTi4+のシグナルは弱められ、高次反射側ではこの強度関係が逆転していることが確認された。これらの傾向は、図2(b)に示す理論強度プロファイルと一致し、A−OサイトにはPb2+とO2ーが位置し、BサイトにはNb5+とTi4+が位置していることが定性的に理解される。また、Mg2+については、回折条件の依存性が弱く、また理論強度プロファイルと挙動が明らかに異なるため、欠損または置換が生じていることが確認された。
次に、130系統反射列のALCHEMI−HARECXSプロファイルを図3(a)に示す。実験では、試料作製方位である[−310]晶帯軸から[001]方位に試料を傾斜させ、g=130系統反射列のみを励起させた。そして、−2gから2gブラック条件まで連続的に傾斜させた時の、各構成元素の特性X線強度変化を連続的に観測し、プロファイルを得た。比較として、Pb2+、Mg2+、Nb5+、Ti4+、O2ーがそれぞれA、B、B、B、Oサイトを占有している理想的イオン配列(自発変位無し、欠損無し、試料厚100nm)を仮定したHARECXS理論プロファイルを図3(b)に示す。
図3(a)では、回折条件に依存して特性X線強度が大きく変化しており、対称励起条件を挟んだ−1<k/g130<1の範囲では、Pb2+、Mg2+、Nb5+、Ti4+のシグナルが強く、また高次反射側ではこの強度関係が逆転している。一方で、O2ーのシグナルは回折条件の依存をほとんど示していないことがわかる。これらの傾向は、図3(b)に示す理論強度プロファイルと一致し、A−BサイトにはPb2+、Mg2+、Nb5+、Ti4+が位置し、OサイトにはO2ーが位置していることが定性的に理解される。
図4(b)は、Mg2+とPb2+とを相互置換させた場合のHARECXS理論プロファイルである。図4(a)は、図2(a)と同様にALCHEMI−HARECXS実験プロファイルを示す。具体的に図4(b)は、Mg2+(総量4.32at%)の約45%(約2at%)がAサイトへ、等量のPb2+(総量19.15at%)の約10%(約2at%)がBサイトへ置換している場合のHARECXS理論プロファイルである。図4(b)は、図4(a)とほぼ一致していることから、PMN−32PTにおいて、AサイトイオンとBサイトイオンとが相互置換されていることが確認された。
図3(a)は、130系統反射列のPMN−32PTのALCHEMI−HARECXSプロファイルを示す。図3(b)は、130系統反射列のALCHEMI−HARECXSプロファイルの理論値を示す。
130系統反射列についても同様に、PMN−32PTにおいて、AサイトイオンとBサイトイオンとが相互置換されていることが確認された。
また、ペロブスカイト構造の各サイトに位置するイオン種によって、結晶系のとり方が異なり、その目安としてTolerance factor(t)がある。Aイオンの半径r、Bイオンの半径r、Oイオンの半径rとすると、
t=(r+r)/√2(r+r
の関係式が得られる。PMN−32PTにおいて、各サイトの格子占有率からt値を算出するとt≒0.91、一方、Pb2+とMg2+の置換がない状態では、t≒0.97となり、置換により歪むことが理解される。また、結晶の対称性低下は酸素八面体の傾きの大きさに結びつきBサイトイオン変位とTolerance factorから、置換により対称性が低下していることが確認された。
2.2.3.ドメイン構造解析
高分解能エネルギーフィルタTEM(Transmission Electron Microscopy)法によりPMN−32PTのドメイン構造解析を行った。
図5は、1kV/mmの電界で[001]方位に分極処理を施した、PMN−32PTおよびPMN−37PT単結晶の[110]入射EF−TEM明視野像、および(100)、(110)、(111)反射励起暗視野像(白いコントラスト部が反射励起したところ)を示す。単結晶はセラミックスに比べると比較的均一に自発分極の方向を揃えやすいが、各組成共に[001]分極方位に沿って揺らいだドメイン壁が存在し、それを境に鏡面対称的に10nm以上の幅の層状の微細なマルチドメイン構造を確認することができた。
図6は、PMN−32PTおよびPMN−37PTのφ0.95μm領域から得た[100]、[110]、[111]入射の制限視野電子回折図形を示す。いずれも基本格子反射のみ現れており、超格子反射等は観測されなかった。マルチドメイン領域においても単結晶の回折図形で構成されているが、高次反射において僅かなスプリットが観測された。そこで、高次反射のスプリットを利用して晶系の同定を以下のように試みた。
図7は、PMN−32PTおよびPMN−37PTのφ0.25μm領域から得た[110]、[111]入射の高次反射の制限視野電子回折図形を示す。図8は、PMN−32PTおよびPMN−37PTの反射のスプリットをモデル化した電子回折シミュレーション結果を示す。PMN−32PTの[110]入射において、001系統列の00−4反射で001系統列に沿ったスプリットと、110系統列の−440反射で001系統列に沿ったスプリットが観測された。また、同領域の[111]入射からも−12−1反射でスプリットが観測された。さらに、別の視野では、[110]入射の004反射で001系統列に沿った3つのスプリットが観測された。これは、単位胞の3つの軸長がそれぞれ異なることを意味しており、晶系は斜方晶以下の対称性に属すると考えられる。単斜晶系を仮定した構造モデルによれば、スプリットの位置関係は、[110]+[101]([111]+[−111])の2種類のドメインの組合わせ、すなわち配向の混在(b、c軸混在)であることが確認された。
PMN−37PTの[110]入射において、001系統列の00−6反射で3つのスプリットと、110系統列の−330反射でも同様に3つのスプリットが観測された。そのうち、2つのスプリットは同じ軸長をもつもので、残りはそれよりも軸長が短い。また、同領域の[111]入射からも−440反射で3つのスプリットが観測された。さらに、電子回折図形を観察しながら視野を移動させたところ、回折図形がわずかに回転し、モザイク構造になっていることが確認された。正方晶系を仮定した構造モデルによると、これらのスプリットの位置関係は、[10−1]、[110]が時計・反時計方向に同じ角度だけわずかに回転した(以下[10−1]+[110]±回転、[111]+[−1−1−1]±回転)、3種類のドメインの組合わせ、すなわち配向の混在(a=b、c軸混在)とモザイク構造(c軸が時計・反時計方向に僅かに回転)の導入が確認された。
2.2.4.ヒステリシス特性
図9は、PMN−32PTのヒステリシス特性を示すバラフライ曲線を示す。これによると、ヒステリシスが若干現れているため、エンジニアードドメインから若干ずれていることが確認された。晶系が単斜晶の場合、正方晶の分極軸[001]と斜方晶の分極軸[101]をつなぐ直線上、あるいは正方晶の分極軸[001]と菱面体晶の分極軸[111]をつなぐ直線上に分極軸が存在することから、斜方晶あるいは菱面体晶からのずれが大きくなる程ヒステリシスが増大する。図9に示すヒステリシス特性によって、斜方晶あるいは菱面体晶に近似した単斜晶構造であることが確認された。
3.応用例
3.1.インクジェット式記録ヘッド
次に、圧電素子を用いたインクジェット式記録ヘッドについて説明する。図10は、圧電素子を用いたインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す側断面図であり、図11は、このインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。なお、図11は、通常使用される状態とは上下逆に示したものである。
インクジェット式記録ヘッド(以下、「ヘッド」ともいう)50は、図10に示すように、ヘッド本体57と、ヘッド本体57の上に設けられた圧電部54と、を備える。なお、図10に示した圧電部54は、本実施の形態にかかる圧電素子に相当する。本実施の形態にかかるインクジェット式記録ヘッドおいて、圧電素子は、圧電アクチュエーターとして機能することができる。圧電アクチュエーターとは、ある物質を動かす機能を有する素子である。圧電素子は、たとえば下部電極4と、下部電極4の上方に形成された圧電体膜5と、圧電体膜5の上方に形成された上部電極6と、を含む。
ヘッド50は、図11に示すようにノズル板51と、インク室基板52と、弾性膜55と、弾性膜55に接合された圧電部(振動源)54とを備え、これらが基体56に収納されて構成されている。なお、このヘッド50は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成している。
ノズル板51は、例えばステンレス製の圧延プレート等で構成されたもので、インク滴を吐出するための多数のノズル511を一列に形成したものである。これらノズル511間のピッチは、印刷精度に応じて適宜に設定されている。
ノズル板51には、インク室基板52が固着(固定)されている。インク室基板52は、上述の基板2によって形成されたものである。インク室基板52は、ノズル板51、側壁(隔壁)522、および後述する弾性膜55によって、複数のキャビティー(インクキャビティー)521と、リザーバ523と、供給口524と、を区画形成したものである。リザーバ523は、インクカートリッジ631(図14参照)から供給されるインクを一時的に貯留する。供給口524によって、リザーバ523から各キャビティー521にインクが供給される。
キャビティー521は、図10および図11に示すように、各ノズル511に対応して配設されている。キャビティー521は、後述する弾性膜55の振動によってそれぞれ容積可変になっている。キャビティー521は、この容積変化によってインクを吐出するよう構成されている。
インク室基板52のノズル板51と反対の側には弾性膜55が配設されている。さらに弾性膜55のインク室基板52と反対の側には複数の圧電部54が設けられている。弾性膜55の所定位置には、図11に示すように、弾性膜55の厚さ方向に貫通して連通孔531が形成されている。連通孔531により、後述するインクカートリッジ631からリザーバ523へのインクの供給がなされる。
各圧電部54は、前述したように下部電極4と上部電極6との間に圧電体膜5が介挿されて構成されている。各圧電部54は、後述する圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動(振動、変形)するよう構成されている。すなわち、各圧電部54はそれぞれ振動源(ヘッドアクチュエーター)として機能する。弾性膜55は、圧電部54の振動(たわみ)によって振動し(たわみ)、キャビティー521の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。
基体56は、例えば各種樹脂材料、各種金属材料等で形成されている。図11に示すように、この基体56にインク室基板52が固定、支持されている。
3.2.インクジェット式記録ヘッドの動作
次に、本実施の形態におけるインクジェット式記録ヘッド50の動作について説明する。本実施の形態におけるヘッド50は、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電部54の下部電極4と上部電極6との間に電圧が印加されていない状態では、図12に示すように圧電体膜5に変形が生じない。このため、弾性膜55にも変形が生じず、キャビティー521には容積変化が生じない。したがって、ノズル511からインク滴は吐出されない。
一方、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電部54の下部電極4と上部電極6との間に一定電圧(例えば30V程度)が印加された状態では、図13に示すように圧電体膜5においてその短軸方向にたわみ変形が生じる。これにより、弾性膜55が例えば500nm程度たわみ、キャビティー521の容積変化が生じる。このとき、キャビティー521内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル511からインク滴が吐出される。
すなわち、電圧を印加すると、圧電体膜5の結晶格子は面に対して垂直な方向に引き伸ばされるが、同時に面に平行な方向には圧縮される。この状態では、圧電体膜5にとっては面内に引っ張り応力が働いていることになる。したがって、この応力によって弾性膜55をそらせ、たわませることになる。キャビティー521の短軸方向での圧電体膜5の変位量(絶対値)が大きければ大きいほど、弾性膜55のたわみ量が大きくなり、より効率的にインク滴を吐出することが可能になる。本実施の形態では、前述したように、圧電部54(圧電素子)の圧電体膜5の圧電定数(d31)が高く、印加された電圧に対してより大きな変形をなすものとなっている。これにより、弾性膜55のたわみ量が大きくなり、インク滴をより効率的に吐出できる。
ここで、効率的とは、より少ない電圧で同じ量のインク滴を飛ばすことができることを意味する。すなわち、駆動回路を簡略化することができ、同時に消費電力を低減することができるため、ノズル511のピッチをより高密度に形成することができる。または、キャビティー521の長軸の長さを短くすることができるため、ヘッド全体を小型化することができる。
1回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極4と上部電極6との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電部54は図12に示した元の形状に戻り、キャビティー521の容積が増大する。なお、このとき、インクには、後述するインクカートリッジ631からノズル511へ向かう圧力(正方向への圧力)が作用している。このため、空気がノズル511からキャビティー521へと入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ631からリザーバ523を経てキャビティー521へ供給される。
このように、インク滴の吐出を行わせたい位置の圧電部54に対して、圧電素子駆動回路を介して吐出信号を順次入力することにより、任意の(所望の)文字や図形等を印刷することができる。
3.3.インクジェット式記録ヘッドの製造方法
次に、本実施の形態におけるインクジェット式記録ヘッド50の製造方法の一例について説明する。
まず、インク室基板52となる母材(基板)を用意する。次に、基板上に弾性膜55を形成する。次に弾性膜上に下部電極4、圧電体膜5、上部電極6を順次形成する。
次いで、上部電極6、圧電体膜5、および下部電極4を、図12および図13に示すように、個々のキャビティー521に対応させてパターニングし、図10に示すように、キャビティー521の数に対応した数の圧電部54を形成する。
次いで、インク室基板52となる母材を加工(パターニング)し、圧電部54に対応する位置にそれぞれキャビティー521となる凹部を、また、所定位置にリザーバ523および供給口524となる凹部を形成する。
母材を、その厚さ方向に弾性膜55が露出するまでエッチング除去することにより、インク室基板52を形成する。このときエッチングされずに残った部分が側壁522となる。
次に、複数のノズル511が形成されたノズル板51を、各ノズル511が各キャビティー521となる凹部に対応するように位置合わせし、その状態で接合する。これにより、複数のキャビティー521、リザーバ523および複数の供給口524が形成される。ノズル板51の接合については、例えば接着剤による接着法や、融着法などを用いることができる。次に、インク室基板52を基体56に取り付ける。
以上の工程によって、本実施の形態にかかるインクジェット式記録ヘッド50を製造することができる。
3.4.作用・効果
本実施の形態にかかるインクジェット式記録ヘッド50によれば、前述したように、圧電部54が良好な圧電特性を有することで効率的なインクの吐出が可能となっていることから、ノズル511の高密度化などが可能となる。したがって、高密度印刷や高速印刷が可能となる。さらには、ヘッド全体の小型化を図ることができる。
3.5.インクジェットプリンター
次に、上述のインクジェット式記録ヘッド50を備えたインクジェットプリンターについて説明する。図14は、本発明のインクジェットプリンター600を、紙等に印刷する一般的なプリンターに適用した場合の一実施形態を示す概略構成図である。なお、以下の説明では、図14中の上側を「上部」、下側を「下部」と言う。
インクジェットプリンター600は、装置本体620を備えており、上部後方に記録用紙Pを設置するトレイ621を有し、下部前方に記録用紙Pを排出する排出口622を有し、上部面に操作パネル670を有する。
装置本体620の内部には、主に、往復動するヘッドユニット630を備えた印刷装置640と、記録用紙Pを1枚ずつ印刷装置640に送り込む給紙装置650と、印刷装置640および給紙装置650を制御する制御部660とが設けられている。
印刷装置640は、ヘッドユニット630と、ヘッドユニット630の駆動源となるキャリッジモータ641と、キャリッジモータ641の回転を受けて、ヘッドユニット630を往復動させる往復動機構642とを備えている。
ヘッドユニット630は、その下部に、上述の多数のノズル511を備えるインクジェット式記録ヘッド50と、このインクジェット式記録ヘッド50にインクを供給するインクカートリッジ631と、インクジェット式記録ヘッド50およびインクカートリッジ631を搭載したキャリッジ632とを有する。
往復動機構642は、その両端がフレーム(図示せず)に支持されたキャリッジガイド軸643と、キャリッジガイド軸643と平行に延在するタイミングベルト644とを有する。キャリッジ632は、キャリッジガイド軸643に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト644の一部に固定されている。キャリッジモータ641の作動により、プーリを介してタイミングベルト644を正逆走行させると、キャリッジガイド軸643に案内されて、ヘッドユニット630が往復動する。この往復動の際に、インクジェット式記録ヘッド50から適宜インクが吐出され、記録用紙Pへの印刷が行われる。
給紙装置650は、その駆動源となる給紙モータ651と、給紙モータ651の作動により回転する給紙ローラ652とを有する。給紙ローラ652は、記録用紙Pの送り経路(記録用紙P)を挟んで上下に対向する従動ローラ652aと、駆動ローラ652bとで構成されており、駆動ローラ652bは、給紙モータ651に連結されている。
本実施の形態にかかるインクジェットプリンター600によれば、前述したように、高性能でノズルの高密度化が可能なインクジェット式記録ヘッド50を備えているので、高密度印刷や高速印刷が可能となる。
なお、本発明のインクジェットプリンター600は、工業的に用いられる液滴吐出装置として用いることもできる。その場合に、吐出するインク(液状材料)としては、各種の機能性材料を溶媒や分散媒によって適当な粘度に調整して使用することができる。
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
ペロブスカイト型酸化物の結晶構造を説明するための図。 図2(a)は、111系統反射列のPMN−32PTのALCHEMI−HARECXS実験プロファイルを示す。図2(b)は、111系統反射列のPMN−32PTのHARECXS理論プロファイルを示す。 図3(a)は、130系統反射列のPMN−32PTのALCHEMI−HARECXS実験プロファイルを示す。図3(b)は、130系統反射列のPMN−32PTのHARECXS理論プロファイルを示す。 図4(a)は、111系統反射列のPMN−32PTのALCHEMI−HARECXS実験プロファイルを示す。図2(b)は、AサイトイオンとBサイトイオンとを相互置換させた場合における、111系統反射列のPMN−32PTのHARECXS理論プロファイルを示す。 1kV/mmの電界で[001]方位に分極処理を施した、PMN−32PTおよびPMN−37PT単結晶の[110]入射EF−TEM明視野像、および(100)、(110)、(111)反射励起暗視野像を示す図である。 PMN−32PTおよびPMN−37PTのφ0.95μm領域から得た(100)、(110)、(111)入射の制限視野電子回折図形を示す図である。 PMN−32PTおよびPMN−37PTのφ0.25μm領域から得た(110)、(111)入射の制限視野電子回折図形を示す図である。 PMN−32PTおよびPMN−37PTの反射のスプリットをモデル化した電子回折シミュレーション結果を示す図である。 PMN−32PTのヒステリシス特性を示す図である。 実施の形態にかかるインクジェット式記録ヘッドの概略構成図。 実施の形態にかかるインクジェット式記録ヘッドの概略構成分解斜視図。 インクジェット式記録ヘッドの動作を説明するための図。 インクジェット式記録ヘッドの動作を説明するための図。 実施の形態にかかるインクジェットプリンターの概略構成図。
符号の説明
4 下部電極、5 圧電体膜、6 上部電極、50 インクジェット式記録ヘッド、51 ノズル板、52 インク室基板、54 圧電部、55 弾性板、56 基体、57 ヘッド本体、511 ノズル、521 キャビティー、522 側壁、523 リザーバ、524 供給口、531 連通孔、600 インクジェットプリンター、620 装置本体、621 トレイ、622 排出口、630 ヘッドユニット、631 インクカートリッジ、632 キャリッジ、640 印刷装置、641 キャリッジモータ、642 往復動機構、643 キャリッジガイド軸、644 タイミングベルト、650 給紙装置、651 給紙モータ、652 給紙ローラ、660 制御部、670 操作パネル

Claims (8)

  1. [001]方位に分極処理されたペロブスカイト型酸化物からなり、かつ、配向の異なるドメインが混在している単結晶であって、[001]方位に沿ったドメイン壁を境界としたマルチドメイン構造を有する圧電体膜を含み、
    前記ペロブスカイト型酸化物は、[001]配向のPb(Mg,Nb)O−xPbTiO(x=32at%、37at%)であり、
    前記圧電体膜は、互いに隣接するドメインがわずかに異なる配向(1度以下)を有する構造であるモザイク構造を有する、圧電素子。
  2. 請求項1において、
    前記ペロブスカイト型酸化物において、Aサイトに優先的に位置するイオンをAサイトイオンとし、Bサイトに優先的に位置するイオンをBサイトイオンとした場合に、前記Aサイトイオンの価数は、前記Bサイトイオンの価数と等しい、圧電素子。
  3. 請求項において、
    前記Aサイトイオンと前記Bサイトイオンのイオン半径比は2.0〜2.5である、圧電素子。
  4. 請求項2または3において、
    前記Aサイトイオンは鉛イオン(Pb2+)である、圧電素子。
  5. 請求項2ないしのいずれかにおいて、
    前記Bサイトイオンは、マグネシウムイオン(Mg2+)である、圧電素子。
  6. 請求項1ないしのいずれかに記載の圧電素子を有する、圧電アクチュエーター。
  7. 請求項1ないしのいずれかに記載の圧電素子を有する、インクジェット式記録ヘッド。
  8. 請求項に記載のインクジェット式記録ヘッドを有する、インクジェットプリンター。
JP2005221277A 2005-07-29 2005-07-29 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター Expired - Fee Related JP5168439B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005221277A JP5168439B2 (ja) 2005-07-29 2005-07-29 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005221277A JP5168439B2 (ja) 2005-07-29 2005-07-29 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007036142A JP2007036142A (ja) 2007-02-08
JP5168439B2 true JP5168439B2 (ja) 2013-03-21

Family

ID=37794984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005221277A Expired - Fee Related JP5168439B2 (ja) 2005-07-29 2005-07-29 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5168439B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4572916B2 (ja) * 2007-09-12 2010-11-04 富士ゼロックス株式会社 バイアス電圧の決定方法、電圧印加方法、及び液滴吐出装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3399785B2 (ja) * 1997-05-27 2003-04-21 富士通株式会社 圧電体装置及びその製造方法
US6465937B1 (en) * 2000-03-08 2002-10-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single crystal thickness and width cuts for enhanced ultrasonic transducer
JP3987744B2 (ja) * 2002-03-25 2007-10-10 敏夫 小川 ドメイン制御圧電単結晶素子
JP3828116B2 (ja) * 2003-01-31 2006-10-04 キヤノン株式会社 圧電体素子
JP4508725B2 (ja) * 2003-05-21 2010-07-21 Jfeミネラル株式会社 圧電単結晶素子とその製造方法
JP4268111B2 (ja) * 2003-10-14 2009-05-27 Jfeミネラル株式会社 圧電単結晶、圧電単結晶素子およびその製造方法ならびに1−3コンポジット圧電素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007036142A (ja) 2007-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8820898B2 (en) Droplet-ejecting head, droplet-ejecting apparatus, and piezoelectric element
JP4662084B2 (ja) 液体吐出ヘッドおよび液体噴射装置
CN1323842C (zh) 致动器装置的制造方法及液体喷射装置
KR100923591B1 (ko) 압전체 소자, 압전체 막 제조 방법, 액체 토출 헤드 및액체 토출 장치
CN101490316B (zh) 压电物质、压电元件及使用压电元件的液体排出头和液体排出设备
JP5453960B2 (ja) 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置
EP2316647A1 (en) Liquid ejecting apparatus
US7785659B2 (en) Method of manufacturing an orientation film using aerosol deposition on a seed substrate
JP3828116B2 (ja) 圧電体素子
JP2007250626A (ja) 圧電素子の製造方法、アクチュエータ装置の製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置の製造方法および圧電素子
JP3772977B2 (ja) 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
JP2010030129A (ja) 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
JP2006245141A (ja) アクチュエータ装置及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置
US8210662B2 (en) Liquid-ejecting head, liquid-ejecting apparatus and actuator device
JP5168439B2 (ja) 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター
JP5131674B2 (ja) 圧電体とその製造方法、圧電素子とそれを用いた液体吐出ヘッド及び液体吐出装置
JP2010030077A (ja) 液体吐出ヘッドの製造方法
JP2007036141A (ja) 圧電素子、圧電アクチュエーター、インクジェット式記録ヘッド、およびインクジェットプリンター
JP5196106B2 (ja) 圧電素子の製造方法
JP2010226077A (ja) 液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置
JP2006253477A (ja) 圧電素子およびその製造方法、合金膜、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンタ、並びに、圧電ポンプ
JP5382196B2 (ja) 液体吐出ヘッドの製造方法
JP5733374B2 (ja) 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びにアクチュエーター装置
JP2013077827A (ja) 圧電素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080403

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080626

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20091021

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121105

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121211

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees