JP5162664B2 - 高分子アクチュエータ及び高分子アクチュエータ搭載デバイス - Google Patents

高分子アクチュエータ及び高分子アクチュエータ搭載デバイス Download PDF

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Description

本発明は、電極間に電位差を与えると変形を生じるアクチュエータに係り、特に電界によるイオンの移動に伴い変形を生じる高分子アクチュエータに関する。
従来、高分子アクチュエータの1つとして、イオン交換樹脂層と、このイオン交換樹脂層の表面に相互に絶縁状態で形成された金属電極層とを備えたイオン伝導アクチュエータが知られている(例えば、下記特許文献1)。この高分子アクチュエータは、金属電極層の間に電位差をかけて、イオン交換樹脂層に湾曲及び変形を生じさせることで、アクチュエータとして機能させるというものである。
また、イオン液体とカーボンナノチューブで構成したゲルを電極層に用いるアクチュエータも知られている(例えば、下記特許文献2)。
特開平11−235064号公報 特開2005−176428号公報
図6は、図5に示す高分子アクチュエータ1を構成する電極3,3の上下面をベース基板4の接続部4a等にて挟持し、高分子アクチュエータ1の端部を固定支持した状態を示す。
しかしながら、このように高分子アクチュエータ1をベース基板4で挟持する等して高分子アクチュエータ1に対し厚み方向に強い圧力がかかると、高分子アクチュエータ1は柔らかい材質で構成されるため電極3及び電解質層2が潰れて電極3,3の間隔T1が小さくなる。この間隔が減少した支持部は、変位動作部より電界強度が高まる為、イオン移動が集中しやすくなり、その結果、動作変位量や変位に伴う駆動力が低下するなどの問題が発生した。また、間隔T1の減少により 絶縁性が損なわれやすくなり、定常的漏れ電流が増加し、消費電力の増加や、湾曲変位量及び湾曲に伴う駆動力が低下する等アクチュエータ特性が低下する問題が発生した。
そこで本発明は上記従来の課題を解決するものであり、特に支持部の構成を改良し、アクチュエータ特性を向上させた高分子アクチュエータを提供することを目的としている。
本発明は、電解質層と、前記電解質層の厚さ方向の両面に設けられた一対の電極を有し、前記一対の電極間に電圧を付与すると変形する高分子アクチュエータにおいて、
前記高分子アクチュエータは支持部と変形部とを備え、前記支持部での前記電極間の間隔が、前記変形部での前記電極間の間隔より大きいことを特徴とするものである。
これにより、支持部をベース基板の接続部で挟み込んで固定した場合等、厚み方向に圧力が作用しても従来に比べて支持部における電極間の間隔を広く保ちやすく支持部への不要なイオン移動の集中や漏れ電流の増加等を抑制できる。よって従来に比べて変位動作量や変位に伴う駆動力を大きくでき、また、消費電力を減少できる等アクチュエータ特性の向上を図ることができる。
本発明では、前記支持部での前記電解質層の厚さが、前記変形部での前記電解質層の厚さより大きいことが好ましい。これにより、簡単な形態で、より効果的に、厚み方向に強い圧力が作用しても電極間の間隔の減少を抑制でき、アクチュエータ特性の向上を図ることが出来る。
また本発明では、前記支持部での前記電極の厚さは、前記変形部での前記電極の厚さより大きいことが好ましい。これにより、厚み方向に強い圧力が作用しても、支持部の電極で受ける力を増やし、支持部の電解質層を潰れにくくできる。よって従来に比べて効果的に、支持部への不要なイオン移動の集中や、電極間の間隔の減少を抑制でき、アクチュエータ特性の向上をより適切に図ることが出来る。
また本発明は、上記の高分子アクチュエータを備えたデバイスであって、前記高分子アクチュエータの前記支持部を導電固定部材によって支持することにより前記高分子アクチュエータを固定すると共に前記電極に通電することを特徴とするものである。前記支持部の厚み寸法が、固定されていない状態に比べて小さくなるように圧力をかけて支持されている形態に出来る。
本発明では、支持部に厚さ方向に圧力がかかり、電解質層及び電極が厚さ方向に多少潰れても、従来に比べて支持部での電極間の間隔を従来よりも大きく保つことができる。よって、従来に比べてアクチュエータ特性の向上を簡単な構成にて適切に図ることが可能である。
本発明の高分子アクチュエータによれば、支持部をベース基板の接続部で挟み込んで固定した場合等、厚み方向に圧力が作用しても従来に比べて支持部における電極間の間隔を広く保ちやすく支持部への不要なイオン移動の集中や漏れ電流の増加等を抑制できる。よって従来に比べて動作変位量や変位に伴う駆動力を大きくでき、また、消費電力を減少できる等アクチュエータ特性の向上を図ることができる。
図1は本実施形態における高分子アクチュエータを厚さ方向から切断した断面図、図2は図1に示す高分子アクチュエータの支持部を固定支持した断面図、図3、図4は本実施形態における変形例を示す高分子アクチュエータの断面図、である。
本実施形態における高分子アクチュエータ10は、電解質層11と、電解質層11の厚さ方向の両側表面に形成される電極12、12を備えて構成される。
電解質層11は、例えば、イオン交換樹脂と、塩を含有する分極性有機溶媒又はイオン液体である液状有機化合物とが含まれたものである。イオン交換樹脂は陽イオン交換樹脂であることが好適である。これにより陰イオンが固定され、陽イオンが自由に移動可能となる。陽イオン交換樹脂を用いると、高分子アクチュエータ10の湾曲変位量を大きくでき好ましい。陽イオン交換樹脂としては、ポリエチレン、ポリスチレン、フッ素樹脂等の樹脂に、スルホン酸基、カルボキシル基等の官能基が導入されたものを好ましく使用できる。
電極12,12は、電解質層11の両表面に金や白金等の電極材料がメッキやスパッタ等で形成されたものである。メッキとしては無電解メッキを用いることが好適である。
あるいは電極12,12は、電解質層11と同じ樹脂構成に導電性フィラーを混合させたものであってもよい。導電性フィラーとしては、カーボンナノチューブやカーボンナノファイバー等を提示できる。例えば、電解質シートと、導電フィラーが入った電極シートとを重ね合わせることで3層構造フィルムの高分子アクチュエータ10を形成できる。
また別の具体例としては、イオン液体と樹脂材料からなる電解質層11と、カーボンナノチューブ等の導電性フィラー、イオン液体及び樹脂材料からなる電極12,12から成る高分子アクチュエータ10を提示できる。樹脂材料としては、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)や、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等を提示できる。この具体例では電解質層11内にイオン交換樹脂を含まないので、陽イオン及び陰イオンのどちらも自由に移動可能な状態となっている。
本実施形態における電解質層11、及び電極12の材質や構造、製法等に関しては特に限定されるものではない。電解質層11と、その両表面に電極12,12を備え、一対の電極12、12間に電圧を付与すると湾曲などの変位をする高分子アクチュエータであれば、電解質層11及び電極12の形態は問わない。
高分子アクチュエータ10を構成する電極12,12間に電圧を印加すると、
電解質層11内のイオン移動などによって電解質層11の上下にて膨潤差が生じ、曲げ応力が発生して、例えば図2の点線で示すように変形部14が上方向に湾曲する。図2の例では電解質層11の下側の電極12が陰極で、上側の電極12が陽極である。イオン移動で電極間に膨潤の差が生じる原理は一般に一義的ではないとされているが、代表的な原理要因の1つに、陽イオンと陰イオンのイオン半径の差で膨潤に差が生じることが知られている。
以下、本実施形態における高分子アクチュエータ10の特徴的構成について説明する。
図1に示すように電解質層11と、その両表面に電極12,12を有する断面構造で形成された高分子アクチュエータ10は、支持部13と変形部14とが一体的に形成された構成である。高分子アクチュエータ10は、支持部13から変形部14にかけての長さ方向(Y方向)への寸法が幅方向(X方向)への寸法及び厚さ方向(Z方向)への寸法に比べて長い長方形状である。
図1に示すように、支持部13における電解質層11の厚さT2は、変形部14における電解質層11の厚さT3よりも厚くなっている。よって、支持部13での電極12,12間の間隔(=T2)は、変形部14での電極12,12間の間隔(=T3)よりも大きくなっている。
したがって図2に示すように支持部13を電極12のある上下からベース基板15の接続部15aにて挟み込み、支持部13に厚さ方向(Z方向)に圧力がかかり、電解質層11及び電極12が厚さ方向に多少潰れても、従来に比べて支持部13での電極12、12間の間隔T4を従来よりも(図6参照)大きく保つことができる。
そして図2に示すように高分子アクチュエータ10の支持部13を固定支持した状態で、電極12,12間に電圧を印加したときに支持部13の部分での不要なイオン移動の集中や、定常的な漏れ電流の増大を抑制することができる。その結果、変位量や駆動力の増大や、消費電力を低減できる。以上により本実施形態によれば従来に比べてアクチュエータ特性の向上を簡単な構成にて適切に図ることが可能である。
支持部13での電解質層11の厚さT2は、20〜30μm程度、変形部14での電解質層11の厚さT3は、10〜20μm程度、電極12,12の厚さは、30〜100μm程度である。
図3に示す実施形態の電解質層11は、図1に示す電極質層11と同様に、支持部13での厚さT2が変形部14での厚さT3より厚くなっている。加えて図3では、支持部13での電極12の厚さT5も、変形部14での電極12の厚さT6より大きくなっている。これにより、支持部13の電極12,12のある両側を挟持等して圧力が支持部13に加わったとき、厚さの厚い電極12で受ける力を増やし(電極12で吸収する力を増やし)、支持部13の電解質層11を潰れにくくできる。よって、より効果的に、電極12,12間の間隔の減少を抑制でき、アクチュエータ特性の向上を図ることが出来る。図3に示す支持部13での電極12の厚さT5は、40〜110μm程度、変形部14での電極12の厚さT6は、30〜100μm程度である。
図4に示す実施形態では、電解質層11の厚さT3は、支持部13から変形部14にかけて一定である。図4に示す実施形態では、支持部13の電解質層11の両表面に絶縁性のギャップ20が設けられ、ギャップ20の両表面から変形部14を構成する電解質層11の両表面にかけて電極12,12が形成されている。このようにギャップ20を設けることで、支持部13の電極12,12間の間隔T2を、変形部14の電極12,12間の間隔T3よりも大きくできる。なおギャップ20は空間であってもよい。
図2の高分子アクチュエータ10は一端が固定支持された片持ち梁構造であるが、高分子アクチュエータ10の両端が支持される形態にも適用できる。このとき高分子アクチュエータ10の両端の支持部13を図1,図3,図4のいずれかの形態で形成する。また本実施形態の高分子アクチュエータ10は、支持部13を図2のようにベース基板15に挟持する使用以外に、支持部13に対して、厚さ方向に圧力が加わる使用形態全般に有効に使用できる。
図1,図3に示すように、電解質層11の支持部13の厚さT2を厚くするには、電解質シートを端で折り曲げて重ねたり、一定厚の電解質シートの支持部13の部分で別体の電解質シートを兼ねたりすれば簡単に形成できる。
本実施形態における高分子アクチュエータを厚さ方向から切断した断面図、 図1に示す高分子アクチュエータの支持部を固定支持した断面図、 本実施形態における変形例を示す高分子アクチュエータの断面図、 本実施形態における変形例を示す高分子アクチュエータの断面図、 従来における高分子アクチュエータを厚さ方向から切断した断面図、 図5に示す高分子アクチュエータの支持部を固定支持した断面図、
10 高分子アクチュエータ
11 電解質層
12 電極
13 支持部
14 変形部
15 ベース基板
20 ギャップ

Claims (5)

  1. 電解質層と、前記電解質層の厚さ方向の両面に設けられた一対の電極を有し、前記一対の電極間に電圧を付与すると変形する高分子アクチュエータにおいて、
    前記高分子アクチュエータは支持部と変形部とを備え、前記支持部での前記電極間の間隔が、前記変形部での前記電極間の間隔より大きいことを特徴とする高分子アクチュエータ。
  2. 前記支持部での前記電解質層の厚さが、前記変形部での前記電解質層の厚さより大きい請求項1記載の高分子アクチュエータ。
  3. 前記支持部での前記電極の厚さは、前記変形部での前記電極の厚さより大きい請求項1又は2に記載の高分子アクチュエータ。
  4. 請求項1ないし3の高分子アクチュエータを備えたデバイスであって、前記高分子アクチュエータの前記支持部を導電固定部材によって支持することにより前記高分子アクチュエータを固定すると共に前記電極に通電することを特徴とする高分子アクチュエータ搭載デバイス。
  5. 前記支持部の厚み寸法が、固定されていない状態に比べて小さくなるように圧力をかけて支持されている請求項4記載の高分子アクチュエータ搭載デバイス。
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