KR20230172095A - 자성체를 이용하여 원형의 자기장 내 플레이트를 벤딩시키는 방법 및 이를 이용한 아티팩트 - Google Patents

자성체를 이용하여 원형의 자기장 내 플레이트를 벤딩시키는 방법 및 이를 이용한 아티팩트 Download PDF

Info

Publication number
KR20230172095A
KR20230172095A KR1020220072496A KR20220072496A KR20230172095A KR 20230172095 A KR20230172095 A KR 20230172095A KR 1020220072496 A KR1020220072496 A KR 1020220072496A KR 20220072496 A KR20220072496 A KR 20220072496A KR 20230172095 A KR20230172095 A KR 20230172095A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
magnetic material
magnetic
artifact
disposed
Prior art date
Application number
KR1020220072496A
Other languages
English (en)
Inventor
윤승하
김영백
Original Assignee
한국생산기술연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국생산기술연구원 filed Critical 한국생산기술연구원
Priority to KR1020220072496A priority Critical patent/KR20230172095A/ko
Publication of KR20230172095A publication Critical patent/KR20230172095A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F7/00—Magnets
    • H01F7/02—Permanent magnets [PM]
    • H01F7/0231—Magnetic circuits with PM for power or force generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)

Abstract

자성체를 이용하여 원형의 자기장 내에 배치된 플레이트를 벤딩하는 방법 및 이를 이용한 아티팩트가 제공된다. 상기 아티팩트는 어느 평면 내 원형의 자기력선을 형성하는 전자기장 형성 부재; 상기 전자기장 형성 부재가 형성하는 자기장 내에서, 상기 원형 내 일 지점에 대한 접선 방향으로의 폭을 갖도록 배치된 플레이트; 상기 플레이트 상에서, 상기 일 지점과 원형의 자기력선 중심을 잇는 중심선에 대해 폭 방향 일측에 배치된 제1 자성체; 및 상기 플레이트 상에서, 상기 중심선에 대해 폭 방향 타측에 배치된 제2 자성체를 포함한다.

Description

자성체를 이용하여 원형의 자기장 내 플레이트를 벤딩시키는 방법 및 이를 이용한 아티팩트{METHOD OF BENDING PLATE IN CIRCULAR MAGNETIC FIELD USING MAGNET AND ARTIFACT USING THE SAME}
본 발명은 자성체를 이용하여 원형의 자기장 내에 배치된 플레이트를 벤딩하는 방법 및 이를 이용한 아티팩트에 관한 것이다.
자기장(magnetic field)은 자성체에 의한 자기력이 미치는 공간을 의미하고, 전기장(electric field)은 전하에 의한 전기력이 미치는 공간을 의미한다.
이처럼 자기장과 전기장은 서로 독립된 물리 대상이나, 전기장이 변동하면 자기장이 형성되고, 역으로 자기장이 변동하면 전기장이 형성되는 등 일반적으로 자기장과 전기장은 동반되는 경우가 많아 전자기장(electromagnetic field)이라 통칭하기도 한다.
위와 같은 자기장과 전기장의 물리적 특성을 활용하려는 다양한 연구가 이루어지고 있다. 예를 들어, 전기장을 형성하는 도선과 자기장을 형성하는 도선 간의 전자기력을 에너지 하베스팅 기술에 적용할 수 있을 것으로 기대되고 있다.
에너지 하베스팅(energy harvesting)은 자연적인 에너지원에서 발생하거나, 또는 일상 생활 중에 발생하여 소멸하는 에너지를 모아 다른 형태의 에너지, 예컨대 운동 에너지나 전기 에너지로 전환하는 기술을 총칭한다.
한편, 압전 현상(piezo-electric effect)은 기계적 에너지를 전기적 에너지로 변환시키는 현상을 의미하며, 넓은 의미의 압전 현상은 그 역인 압전 역효과(converse piezo-electric effect)를 포함하여 통칭하기도 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전자기력을 이용해 플레이트 등의 부재(member)를 벤딩하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 위의 방법을 이용한 아티팩트(artifact)를 제공하는 것이다. 예를 들어, 전자기력을 이용해 플레이트를 벤딩하는 등의 기계적 에너지로 변환할 수 있는 아티팩트를 제공하는 것이다. 또는, 나아가서 기계적 에너지를 전기적 에너지로 더욱 변환할 수 있는 아티팩트를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 어느 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 아티팩트는, 어느 평면 내 원형의 자기력선을 형성하는 전자기장 형성 부재; 상기 전자기장 형성 부재가 형성하는 자기장 내에서, 상기 원형 내 일 지점에 대한 접선 방향으로의 폭을 갖도록 배치된 플레이트; 상기 플레이트 상에서, 상기 일 지점과 원형의 자기력선 중심을 잇는 중심선에 대해 폭 방향 일측에 배치된 제1 자성체; 및 상기 플레이트 상에서, 상기 중심선에 대해 폭 방향 타측에 배치된 제2 자성체를 포함한다.
상기 제2 자성체는 제1 자성체와 반대 방향의 극성을 나타내도록 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서 상기 아티팩트는 상기 플레이트의 위치를 고정하도록 상기 플레이트와 맞닿아 배치되는 위치 고정 부재를 더 포함할 수 있다.
이 때 상기 위치 고정 부재는 플레이트의 벤딩 라인과 겹쳐 배치될 수 있다.
또, 상기 위치 고정 부재는 적어도 부분적으로 전기 전도성을 가질 수 있다.
상기 플레이트는, 베이스 플레이트 및 상기 베이스 플레이트 상에 적어도 부분적으로 배치된 압전층을 포함하고, 상기 위치 고정 부재의 전기 전도성을 갖는 부분은 상기 압전층과 맞닿도록 배치될 수 있다.
상기 위치 고정 부재는, 상기 플레이트에서 멀어지는 방향으로 갈수록 폭이 증가하는 형상일 수 있다.
또, 상기 평면의 시점에서, 상기 제1 자성체 또는 제2 자성체는 각각, 상기 원형의 중심에 대해, 상기 중심선을 기준으로 약 40° 내지 50°의 각도 위치에 배치될 수 있다.
상기 전자기장 형성 부재에 의해 자기장이 형성될 경우, 어느 순간에, 상기 제1 자성체 및 제2 자성체는 같은 방향으로 이동하며 플레이트를 벤딩하도록 구성될 수 있다.
상기 다른 어느 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트의 벤딩 방법은, 폭 방향 일 지점이 고정된 플레이트 상에서, 폭 방향 일측에 제1 자성체 및 폭 방향 타측에 제2 자성체를 배치하고, 상기 제1 자성체와 제2 자성체의 자기력선과 겹치도록 원형의 자기장을 형성하되, 상기 원형의 자기장 내 상기 일 지점에서의 접선 방향이 상기 폭 방향과 이루는 각도가 ±10° 내에 있도록 원형의 자기장을 형성하는 것을 포함한다.
상기 벤딩되는 플레이트의 벤딩 라인은 상기 일 지점과 실질적으로 중첩할 수 있다.
상기 제1 자성체와 제2 자성체는 서로 반대 방향의 자기 쌍극을 가지고 배치될 수 있다.
상기 또 다른 어느 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 에너지 하베스팅 시스템은 전술한 아티팩트를 포함하여 전술한 방법을 이용할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 전자기장 형성 부재가 형성하는 평면 내 원형의 자기장(또는 전자기장) 내에 특유하게 배열된 복수의 자성체를 배치함으로써 자성체의 운동을 제공할 수 있고, 나아가 플레이트를 벤딩하는 등의 기계적 에너지를 제공할 수 있다.
나아가 플레이트로서 압전 플레이트를 사용하는 경우 전자기장 형성 부재에 의한 자기장을 전기적 에너지로 변환할 수 있다. 이를 통해 에너지 하베스팅 시스템에 적용할 수 있을 것으로 기대된다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 아티팩트의 사시도이다.
도 2는 도 1의 아티팩트의 분해사시도이다.
도 3은 도 1의 아티팩트의 평면 시점에서의 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 4는 도 3의 전자기장 형성 부재에 의해 자기장이 형성된 어느 순간에 플레이트가 벤딩되는 것을 나타낸 모식도이다.
도 5는 도 3의 전자기장 형성 부재에 의해 자기장이 형성된 다른 어느 순간에 플레이트가 벤딩되는 것을 나타낸 모식도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 아티팩트의 평면 모식도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 아티팩트의 사시도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 아티팩트의 사시도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 아티팩트의 평면 모식도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 아티팩트의 평면 모식도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 아티팩트를 이용한 실험 결과 이미지들이다.
도 13 및 도 14는 비교예에 다른 아티팩트를 이용한 실험 결과 이미지들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 즉, 본 발명이 제시하는 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있다. 아래 설명하는 실시예들은 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 이들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도면에 도시된 구성요소의 크기, 두께, 폭, 길이 등은 설명의 편의 및 명확성을 위해 과장 또는 축소될 수 있으므로 본 발명이 도시된 형태로 제한되는 것은 아니다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
공간적으로 상대적인 용어인 '위(above)', '상부(upper)', ‘상(on)’, '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓일 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
본 명세서에서, '및/또는'은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. '내지'를 사용하여 나타낸 수치 범위는 그 앞과 뒤에 기재된 값을 각각 하한과 상한으로서 포함하는 수치 범위를 나타낸다. '약' 또는 '대략'은 그 뒤에 기재된 값 또는 수치 범위의 20% 이내의 값 또는 수치 범위를 의미한다.
본 명세서에서, 구성요소를 지칭함에 있어 '제1 구성요소', '제2 구성요소', '제1-1 구성요소' 등과 같이 서수적 수식어는 어느 구성요소와 다른 구성요소를 구별하기 위해 사용되는 것일 뿐이다. 따라서 이하에서 지칭되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 제2 구성요소로 바꾸어 지칭될 수도 있다. 예를 들어, 어느 실시예에서 제1 구성요소로 지칭되는 것은 다른 실시예에서 제2 구성요소로 지칭될 수 있다. 또, 발명의 설명에서 제1 구성요소로 지칭되는 것은 청구항에서 제2 구성요소로 지칭될 수 있음은 물론이다.
본 명세서에서, 제1 방향(X)은 어느 평면 내 일 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하거나 직교하는 다른 방향을 의미한다. 또, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 교차하거나 직교하는 또 다른 방향을 의미한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 아티팩트의 사시도이다. 도 2는 도 1의 아티팩트의 분해사시도이다. 도 3은 도 1의 아티팩트의 평면 시점에서의 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 아티팩트(11)는 전자기장 형성 부재(400)(또는 자기장 형성 부재), 전자기장 형성 부재(400) 부근에 배치된 플레이트(100), 및 플레이트(100) 상에 배치된 복수의 자성체들(300)을 포함하고, 플레이트(100)를 고정하기 위한 고정 부재(200)를 더 포함할 수 있다.
전자기장 형성 부재(400)는 어느 평면, 예컨대 도 3 등에 도시된 것과 같이 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)이 속하는 평면 내에 대략 원형의 자기장(magnetic field)(또는 전자기장) 내지는 자기력선(F)을 형성하기 위한 구성요소 내지는 수단일 수 있다. 원형의 자기장은 대략 원 형상의 자기력선(F)에 의해 형성될 수 있다. 방사상으로 배열된 복수의 자기력선(F)은 전자기장 형성 부재(400)로부터 멀어질수록 자기력의 크기가 작을 수 있다.
또, 전자기장 형성 부재(400)는 소정의 반복 주기로 전자기장의 자기력선 방향이 변화할 수 있다. 예를 들어, 도 3은 평면 내에서 대략 시계 방향으로의 자기장이 형성된 경우를 나타내고 있으나, 다른 순간에는 대략 반시계 방향으로의 자기장이 형성될 수 있다.
위와 같이 평면 내에서 대략 원형의 자기장을 형성할 수 있으면 전자기장 형성 부재(400)는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 전류가 흐르는 도선일 수 있다. 특히 교류 전류가 흐르는 도선의 경우 전류의 방향에 따라 서로 다른 방향으로의 자기장 내지는 자기력선(F)이 형성될 수 있다. 이 때 자기력선의 방향은 앙페르의 오른 나사의 법칙에 의해 설명될 수 있다.
또, 도 3은 평면상 어느 지점에 전자기장 형성 부재(400)가 배치되고, 전자기장 형성 부재(400)를 중심으로 하는 방사상의 자기력선(F)이 형성되는 경우를 예시하나, 다른 실시예에서 위와 같은 원형의 자기장을 형성하도록 구성된 전자석 등을 이용할 수도 있다.
전자기장 형성 부재(400)의 제2 방향(Y) 일측, 예컨대 도 3 기준 상측에는 플레이트(100)가 배치될 수 있다. 즉, 플레이트(100)는 전자기장 형성 부재(400)가 형성하는 자기장 내에 배치될 수 있다.
플레이트(100)는 전자기장 형성 부재(400)가 형성하는 원형의 자기력선(F)의 어느 지점에서의 법선 방향(예컨대, 제1 방향(X))으로의 폭을 갖도록 배치될 수 있다. 이 경우 전자기장 형성 부재(400)(또는 원형의 자기력선(F)의 중심)와 플레이트(100)의 폭 방향(예컨대, 제1 방향(X)) 중심을 잇는 선은 중심선(GL) 내지는 기준선을 정의할 수 있다. 중심선(GL)은 플레이트(100)의 폭 방향과 직교함은 자명하다.
본 실시예에서, 제1 방향(X)은 플레이트(100)의 폭 방향과 실질적으로 평행한 방향인 것을 의미한다. 다만 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 후술할 도 6과 같이 원형의 자기력선(F)과 중심선(GL)이 교차하는 지점에서의 법선 방향(예컨대, 제1 방향(X))과 플레이트(100)의 폭 방향은 약 10° 내에 있을 수 있다.
한편, 제3 방향(Z)은 플레이트(100)의 길이 방향으로, 전자기장 형성 부재(400)가 형성하는 자기 평면에 수직한 방향을 의미한다. 도 1 등은 플레이트(100)의 제3 방향(Z)으로의 길이가 제1 방향(X)으로의 폭 보다 작은 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 플레이트(100) 및 후술할 고정 부재(200)의 제3 방향(Z)으로의 길이는 다양하게 구현될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 플레이트(100)는 베이스 플레이트(110) 및 베이스 플레이트(110) 상에 적어도 부분적으로 배치된 압전층(130)을 포함할 수 있다. 베이스 플레이트(110)는 압전층(130)이 배치되기 위한 제1 방향(X) 및 제3 방향(Z)이 속하는 평면 공간을 제공할 수 있다. 베이스 플레이트(110)는 소정의 탄성 내지는 굽힘 강성을 갖는 소재로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스 플레이트(110)는 플라스틱 합성 수지 또는 금속 소재를 포함할 수 있다. 베이스 플레이트(110)는 전기 전도성을 갖거나, 또는 갖지 않을 수 있다.
베이스 플레이트(110) 상에는 압전층(130)이 배치될 수 있다. 압전층(130)은 압전 물질을 포함하는 코팅층, 또는 플레이트, 또는 필름 등으로 이해될 수 있다. 압전 물질은 기계적 운동을 전기적 에너지로 전환하거나, 또는 그 반대의 기작을 수행하는 압전 효과를 나타낼 수 있는 물질이면 특별히 제한되지 않는다. 상기 압전 물질의 예로는 토르말린(tourmaline), 석영(quartz), 토파즈(topaz), 티탄산바륨(barium titanate), PZT(lead zirconate titanate), 지르콘산납(lead zirconate), 베르리나이트(berlinite, AlPO4), 니오브산소듐(sodium niobate, NaNbO3), 니오브산포타?(potassium niobate, KNbO3), 텅스텐산소듐(sodium tungstate, Na2WO3), 비스무스 페라이트(bismuth ferrite, BiFeO3), 비스무스 티타네이트(bismuth titanate, Bi4Ti3O12) 또는 이들의 결정체 등을 들 수 있다.
본 실시예와 같이 플레이트(100)가 베이스 플레이트(110) 및 압전층(130)을 포함할 경우, 후술할 바와 같이 플레이트(100)가 벤딩됨에 따라 형성된 기계적 에너지가 압전층(130)에 의해 전기적 에너지로 전환될 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 플레이트(100)는 실질적으로 압전 물질을 불포함할 수 있다. 이 경우에도 전자기력에 의해 플레이트(100)의 기계적 에너지가 유발되는 효과를 나타낼 수 있다.
플레이트(100) 상에는 복수의 자성체들(300)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 플레이트(100)의 일면 상에는 제1 자성체(310) 및 제2 자성체(320)가 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 플레이트(100)의 타면 상에는 제3 자성체(330) 및 제4 자성체(340)가 배치될 수 있다. 이하에서, 제3 자성체(330)는 제1 자성체(310)와 제2 방향(Y)으로 대향하는 자성체를 지칭하고, 제4 자성체(340)는 제2 자성체(320)와 제2 방향(Y)으로 대향하는 자성체를 지칭한다.
자성체들(300)은 플레이트(100) 상에서 그 위치가 고정될 수 있다. 예를 들어, 자성체들(300)과 플레이트(100) 사이에는 접합층(미도시)이 개재되어 그 상대적인 위치가 고정될 수 있다.
다른 예를 들어, 자성체들(300)이 제1 자성체(310) 내지 제4 자성체(340)를 포함할 경우, 제1 자성체(310)와 제3 자성체(330) 사이에 플레이트(100)를 개재하고 제1 자성체(310)와 제3 자성체(330) 간의 인력에 의해 위치가 고정될 수 있다. 이 경우 제1 자성체(310)와 제3 자성체(330)는 실질적으로 동일한 자기 쌍극 배열을 가질 수 있다. 즉, 제1 자성체(310)의 상부와 제3 자성체(330)의 상부는 동일한 극성을 나타낼 수 있다. 이에 따라 제1 자성체(310)와 제3 자성체(330)는 하나의 자기력선을 형성할 수도 있다. 이와 같은 이유로 제1 자성체(310)와 제3 자성체(330)를 합쳐서 하나의 자성체로 지칭할 수도 있다.
마찬가지로, 제2 자성체(320)와 제4 자성체(340) 사이에 플레이트(100)를 개재하고 제2 자성체(320)와 제4 자성체(340) 간의 인력에 의해 위치가 고정될 수 있다. 이 경우 제2 자성체(320)와 제4 자성체(340)는 실질적으로 동일한 자기 쌍극 배열을 가질 수 있다. 즉, 제2 자성체(320)의 상부와 제4 자성체(340)의 상부는 동일한 극성을 나타낼 수 있다. 이에 따라 제2 자성체(320)와 제4 자성체(340)는 하나의 자기력선을 형성할 수 있다. 이와 같은 이유로 제2 자성체(320)와 제4 자성체(340)를 합쳐서 하나의 자성체로 지칭할 수도 있다.
제1 자성체(310)와 제2 자성체(320)(및/또는 제3 자성체(330)와 제4 자성체(340))는 서로 제1 방향(X)으로 이격 배치될 수 있다. 구체적인 예를 들어, 중심선(GL)을 기준으로 일측(도 3 기준 좌측)에는 제1 자성체(310)가 배치되고, 타측(도 3 기준 우측)에는 제2 자성체(320)가 배치될 수 있다.
이 경우 서로 제1 방향(X)으로 이격된 제1 자성체(310)와 제2 자성체(320)는 서로 반대 방향의 극성을 나타내도록 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 자성체(310) 및 제2 자성체(320)는 대략 제2 방향(Y)으로의 쌍극을 형성하도록 배치되되, 제1 자성체(310)의 상부가 갖는 극성과 제2 자성체(320)의 상부가 갖는 극성은 서로 다른 극성일 수 있다. 이를 통해 플레이트(100)를 효과적으로 벤딩할 수 있다. 이에 대해서는 도 4 및 도 5와 함께 후술한다.
또, 자성체들(300)은 원형의 자기력선(F)의 중심에 대해, 중심선(GL)을 기준으로 소정의 각도(θ)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 자성체들(300)은 중심선(GL)을 기준으로 약 40° 내지 50°의 위치에 배치될 수 있다. 본 실시예와 같이 플레이트(100)의 폭 및 제1 자성체(310)와 제2 자성체(320)의 이격 방향이 제1 방향(X)이고, 각 자성체들(300)의 자기 쌍극의 방향이 제1 방향(X)과 수직한 제2 방향(Y)을 향하는 경우, 원 형상의 자기력선의 중심을 기준으로 벤딩 라인이 위치하는 중심선(GL)에 대해 상기의 각도 범위(θ)에 제1 자성체(310) 및 제2 자성체(320)가 배치되는 것이 플레이트(100)의 벤딩 정도를 극대화할 수 있다.
본 명세서에서, 자성체(300)가 중심선(GL)에 대해 소정의 각도(θ)에 배치됨은 자성체(300)의 자기 쌍극의 중심, 예컨대 제2 방향(Y) 중심이 상기 각도에 위치함을 의미한다.
한편, 자성체들(300)은 플레이트(100)의 제3 방향(Z) 대략 중심에 위치하는 것이 플레이트(100)의 효과적인 벤딩에 유리할 수 있다.
위치 고정 부재(200)는 자기 평면 내에서 플레이트(100)의 위치를 고정하기 위한 부재일 수 있다. 즉, 플레이트(100)가 일측 및 타측으로 반복적으로 벤딩되는 경우에도 고정 부재(200)에 의해 플레이트(100)와 전자기장 형성 부재(400)의 상대적인 위치가 실질적으로 고정될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 위치 고정 부재(200)는 플레이트(100)를 상부에서 지지하는 제1 고정 부재(210)(또는 상부 고정 부재) 및 플레이트(100)를 하부에서 지지하는 제2 고정 부재(230)(또는 하부 고정 부재)를 포함할 수 있다. 제1 고정 부재(210) 및 제2 고정 부재(230)는 돌기 형상일 수 있다. 제1 고정 부재(210) 및/또는 제2 고정 부재(230)은 전기 전도성을 갖거나, 또는 갖지 않을 수 있다.
제1 고정 부재(210) 및/또는 제2 고정 부재(230)는 플레이트(100)와 맞닿을 수 있다. 본 실시예와 같이 베이스 플레이트(110)의 상면 상에 압전층(130)이 배치된 경우, 제1 고정 부재(210)는 압전층(130)과 맞닿고, 제2 고정 부재(230)는 베이스 플레이트(110)의 하면과 맞닿을 수 있다. 제1 고정 부재(210) 및 제2 고정 부재(230)는 각각 플레이트(100)에서 멀어지는 방향으로 갈수록 제1 방향(X)으로의 폭이 커지는 형상일 수 있다. 즉, 제1 고정 부재(210) 및 제2 고정 부재(230)는 각각 플레이트(100)와 접촉하여 플레이트(100)를 고정하는 부근에서 대략 팁(tip) 형상을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 이를 통해 플레이트(100)에 효과적으로 하나의 벤딩 라인(bending line)을 형성할 수 있다.
제1 고정 부재(210) 및 제2 고정 부재(230)는 플레이트(100)의 제1 방향(X) 대략 중심 부근에 위치할 수 있다. 후술할 바와 같이 플레이트(100)의 벤딩 라인은 대략 제1 방향(X) 중심에서 형성될 수 있다. 이 때 제1 고정 부재(210)와 제2 고정 부재(230)가 벤딩 라인과 제2 방향(Y)으로 중첩하여 위치하는 것이 바람직할 수 있다.
전술한 것과 같이 제1 고정 부재(210)와 제2 고정 부재(230)는 플레이트(100)의 상하면을 압착하여 위치를 고정할 수 있다. 플레이트(100)가 소정의 압축 특성을 가질 경우, 제1 고정 부재(210)와 제2 고정 부재(230) 사이의 제2 방향(Y)으로의 이격 거리는 플레이트(100)의 제2 방향(Y)으로의 최대 두께 보다 작을 수 있다. 또는 제1 고정 부재(210)와 제2 고정 부재(230)의 이격 거리는 플레이트(100)의 최대 두께와 실질적으로 동일하거나, 또는 더 클 수 있다. 이 경우 제1 고정 부재(210)와 제2 고정 부재(230)의 제2 방향(Y)으로의 이격 거리는 플레이트(100)의 최대 두께의 약 120% 내에 있을 수 있다.
이하, 도 4 및 도 5를 더 참조하여 본 실시예에 따른 아티팩트(11)를 이용한 플레이트(100)의 벤딩 방법에 대해 구체적으로 설명한다. 도 4는 도 3의 전자기장 형성 부재에 의해 자기장이 형성된 어느 순간에 플레이트가 벤딩되는 것을 나타낸 모식도이다. 도 5는 도 3의 전자기장 형성 부재에 의해 자기장이 형성된 다른 어느 순간에 플레이트가 벤딩되는 것을 나타낸 모식도이다. 도 4와 도 5는 전자기장 형성 부재(400)에 의해 서로 다른 방향으로의 원형의 자기력선이 형성된 경우를 나타낸다. 예를 들어, 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)이 속하는 평면에서, 도 4는 시계 방향의 자기장이 형성된 순간을 나타내고, 도 5는 반시계 방향의 자기장이 형성된 순간을 나타낸다.
앞서 설명한 것과 같이, 제1 자성체(310)와 제2 자성체(320), 그리고 제3 자성체(330)와 제4 자성체(340)는 서로 제1 방향(X)으로 이격 위치하되, 제1 자성체(310)와 제2 자성체(320), 그리고 제3 자성체(330)와 제4 자성체(340)는 서로 반대 방향의 극성을 나타내도록 배치될 수 있다.
구체적으로, 제1 자성체(310)와 제3 자성체(330)는 도 4 기준 상부가 제1 극(P1)(예컨대, N극)이고 하부가 제2 극(P2)(예컨대, S극)이도록 배치될 수 있다. 반면 제2 자성체(320)와 제4 자성체(340)는 도 4 기준 상부가 제2 극(P2)이고 하부가 제1 극(P1)이도록 배치될 수 있다. 제1 극(P1)과 제2 극(P2)이 두번 반복되는 제1 자성체(310)와 제3 자성체(330), 마찬가지로 제2 극(P2)과 제1 극(P1)이 두번 반복되는 제2 자성체(320)와 제4 자성체(340)는 각각 하나의 자기력선을 형성할 수 있음은 전술한 바와 같다.
본 발명의 발명자는 제1 자성체(310)와 제2 자성체(320)의 쌍극 방향이 반대일 때 플레이트(100)가 벤딩됨을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 도 4에 표현된 것과 같이, 전자기장 형성 부재(400)에 의해 일 방향(예컨대, 시계 방향)으로의 자기장이 형성된 상태에서, 제1 자성체(310)가 형성하는 자기력선과의 작용에 의해 제1 자성체(310)가 하방 이동할 때, 제2 자성체(320)가 제1 자성체(310)와 반대 극성으로 배열되고, 전술한 것과 같이 제1 자성체(310)과 제2 자성체(320)가 중심선(GL)에 대해 약 40° 내지 50°의 각도(θ)로 배치되는 경우, 제2 자성체(320) 또한 하방 이동하며 결과적으로 플레이트(100)의 하면이 오목하도록 벤딩될 수 있다.
마찬가지로 도 5에 표현된 것과 같이, 전자기장 형성 부재(400)에 의해 다른 방향(예컨대, 반시계 방향)으로의 자기장이 형성된 상태에서, 제1 자성체(310)가 형성하는 자기력선과의 작용에 의해 제1 자성체(310)가 상방 이동할 때, 제2 자성체(320)가 제1 자성체(310)와 반대 극성으로 배열되고, 전술한 것과 같이 제1 자성체(310)과 제2 자성체(320)가 중심선(GL)에 대해 약 40° 내지 50°의 각도(θ)로 배치되는 경우, 제2 자성체(320) 또한 상방 이동하며 결과적으로 플레이트(100)의 상면이 오목하도록 벤딩될 수 있다.
다시 말해서, 어느 방향으로의 자기장이 형성된 어느 순간에, 서로 제1 방향(X)으로 이격된 제1 자성체(310)와 제2 자성체(320)는 서로 동일한 방향으로 이동하며 플레이트(100)를 벤딩시킬 수 있다.
만일 본 실시예와 달리 제1 자성체(310)와 제2 자성체(320)가 서로 동일한 쌍극 방향을 가지고 배열되는 경우, 제1 자성체(310)가 하방 이동하는 어느 순간에 제2 자성체(320)는 상방 이동하며, 플레이트(100)가 효과적으로 벤딩하지 못하고 마치 시소(see-saw)와 같이 거동할 수 있다. 이 경우 플레이트(100)에 제공되는 기계적 에너지를 극대화할 수 없고, 나아가 압전층(130)에 의해 전위차가 실질적으로 발생하지 않거나, 전위차의 발생 정도가 적을 수 있다.
비제한적인 예시로, 전자기장 형성 부재(400)에 약 60Hz의 교류 전류가 흐를 경우 도 4의 순간과 도 5의 순간은 1초에 약 60번 교번적으로 반복될 수 있다.
도면으로 표현하지 않았으나, 전술한 플레이트(100), 자성체들(300) 및 위치 고정 부재(200)는 하우징(미도시)에 의해 일체화될 수도 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다. 다만 전술한 실시예와 실질적으로 동일하거나, 극히 유사한 구성에 대한 설명은 생략하며 이는 첨부된 도면으로부터 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 아티팩트의 평면 모식도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 아티팩트(12)는 전자기장 형성 부재(400)와 플레이트(100)의 폭 방향 중심을 연결한 중심선(GL)과 플레이트(100)의 폭 방향이 직교하지 않고, 소정의 각도로 기울어진 점이 전술한 실시예에 따른 아티팩트와 상이한 점이다.
즉, 플레이트(100)는 전자기장 형성 부재(400)가 형성하는 자기장 내에 배치되되, 원형의 자기력선(F)과 중심선(GL)이 교차하는 점에서의 법선 방향(TL)과 플레이트(100)의 폭 방향이 형성하는 각도(α)는 약 10° 이하의 범위에 있을 수 있다. 다시 말해서, 중심선(GL)과 플레이트(100)의 폭 방향이 형성하는 각도는 약 80° 이상 90° 이하(또는 미만)일 수 있다. 전술한 도 3의 실시예는 상기 각도(α)가 0°인 경우, 다시 말해서 중심선(GL)과 플레이트(100)의 폭 방향이 형성하는 각도가 90°인 경우이다.
앞서 설명한 것과 같이 자성체들(310, 320)은 중심선(GL)에 대해 약 40° 내지 50°의 범위 위치에 배치될 수 있고, 이와 같은 관계에 있을 때 전자기장 형성 부재(400)가 형성하는 자기장에 의해 플레이트(100)가 효과적으로 벤딩될 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 아티팩트의 사시도이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 아티팩트(13)는 플레이트(103)가 균일한 제3 방향(Z)으로의 길이를 갖지 않고, 제1 방향(X) 단부로 갈수록 길이가 작아지는 형상인 점이 도 1 등의 실시예에 따른 아티팩트와 상이한 점이다.
앞서 설명한 것과 같이 자성체들(310, 320, 340)은 플레이트(103)의 제3 방향(Z) 대략 중심에 배치되기 때문에 플레이트(103)의 제3 방향(Z)으로의 길이는 벤딩에 영향을 미치는 정도가 미미할 수 있다. 따라서 플레이트(103), 구체적으로 베이스 플레이트(113)의 제1 방향(X) 중심 부근에서의 제3 방향(Z)으로의 길이(L1)는 상대적으로 크게 형성하되, 플레이트(103)의 제1 방향(X) 양단부 부근에서의 제3 방향(Z)으로의 길이(L2)는 상대적으로 작게 형성하여 플레이트(103)의 원활한 벤딩을 보조할 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 아티팩트의 사시도이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 아티팩트(14)의 자성체들(314, 324, 334, 344)은 제3 방향(Z)으로 소정의 길이를 갖는 점이 전술한 도 1 등의 실시예에 따른 아티팩트와 상이한 점이다.
제1 자성체(314), 제2 자성체(324), 제3 자성체(334) 및 제4 자성체(344)의 제3 방향(Z)으로의 길이는 플레이트(100)의 제3 방향(Z)으로의 길이와 실질적으로 동일하거나, 더 길거나, 또는 더 짧을 수 있다.
본 실시예에 따른 자성체들(314, 324, 334, 344) 또한 모두 제2 방향(Y)으로의 자기 쌍극을 갖도록 배치되는 점은 앞서 설명한 바와 동일하다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 아티팩트의 평면 모식도이다.
도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 아티팩트(15)는 전자기장 형성 부재(미도시), 플레이트(100), 자성체들(310, 320, 330, 340) 및 위치 고정 부재(215, 230)을 포함하되, 위치 고정 부재(215, 230)가 적어도 부분적으로 전기 전도성을 갖는 부분(215b)을 포함하는 점이 도 1 등의 실시예에 따른 아티팩트와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 플레이트(100)의 압전층(130)과 맞닿는 제1 고정 부재(215)는 프레임부(215a) 및 전극부(215b)를 포함할 수 있다. 프레임부(215a)는 전기 전도성을 갖지 않고, 즉 전기 절연성을 가지고, 전극부(215b)는 금속 소재를 포함하여 전기 전도성을 가질 수 있다. 이 때 전극부(215b)가 압전층(130)과 맞닿을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 베이스 플레이트(110)의 하면과 맞닿는 제2 고정 부재(230)는 전체적으로 전기 전도성을 갖지 않을 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 베이스 플레이트(110)와 맞닿는 제2 고정 부재(230)의 일부분은 전기 전도성을 갖도록 구성할 수도 있다.
또 다른 실시예에서, 제1 고정 부재 및 제2 고정 부재는 전체로서 전기 전도성을 가지며 에너지 하베스팅 전극으로서 기능을 제공할 수도 있다.
앞서 설명한 것과 같이 플레이트(100)에 의해 형성되는 벤딩 라인에서의 기계적 에너지가 압전층(130)에 의해 전기적 에너지로 변환될 수 있다. 이 때 발생하는 전위차에 의한 전기적 에너지를 수집하기 위한 전극으로 제1 고정 부재(215)를 이용할 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 아티팩트의 평면 모식도이다.
도 10을 참조하면, 본 실시예에 따른 아티팩트(16)는 전자기장 형성 부재(406), 플레이트(100), 자성체들(310, 320, 330, 340) 및 위치 고정 부재(210, 230)을 포함하되, 전자기장 형성 부재(406)가 추가적인 자성체(예컨대, 제5 자성체)를 포함하는 점이 도 1 등의 실시예에 따른 아티팩트와 상이한 점이다.
본 실시예에 따른 전자기장 형성 부재(406)는 평면상 회전하는 자성체일 수 있다. 예를 들어, 일 방향으로의 자기 쌍극을 가지되, 전자기장 형성 부재(406)는 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)이 속하는 평면 내에서 회전할 수 있다. 이에 따라 완전한 원 형상은 아니나, 어느 순간에 대략 타원 형상의 자기력선을 형성하는 전자기장 형성 부재(406)로서 기능할 수 있다. 또한 전자기장 형성 부재(406)가 회전함에 따라 그 자기력선의 방향이 변경되고, 그에 따라 플레이트(100)가 반복적으로 벤딩될 수 있다.
한편, 도면으로 표현하지 않았으나 다른 실시예에서, 일 방향으로의 자기 쌍극을 갖는 전자기장 형성 부재는 제1 방향(X)과 제3 방향(Z)이 속하는 평면 내에서 회전하며 자기력선의 방향이 변경될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 전자기장 형성 부재는 전자석을 포함하며, 전류의 흐름에 따라 극성이 변화하여 자기력선의 방향이 변경될 수도 있다.
이하, 본 발명의 실험예를 더 참조하여 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명한다.
도 1과 같은 형상의 아티팩트를 준비하였다. 자성체는 도 1에 표현된 것과 같이 4개 사용하였고, 각각 원형 자석을 이용하였다. 그리고 좌측의 자성체와 우측의 자성체의 자기 쌍극 방향을 다르게 하거나(본 발명) 동일하게 하여(비교예) 발생하는 전위차를 측정하였다. 전자기장 형성 부재로 60Hz의 교류 전류가 흐르는 도선을 이용하였다.
도 11은 본 발명에 따른 실험을 초고속 카메라로 촬영한 이미지이고, 도 12는 도 11의 실험에서의 전위차 측정 결과이다. 또, 도 13은 비교예에 따른 실험을 초고속 카메라로 촬영한 이미지이고, 도 14는 도 13의 실험에서의 전위차 측정 결과이다.
우선 도 11 및 도 12를 참조하면, 좌측과 우측의 자성체가 서로 다른 방향의 극성을 나타낼 경우 어느 순간에 좌우측의 자성체가 서로 동일한 방향으로 이동하며 플레이트를 벤딩하는 것을 확인할 수 있다.
전위차 측정 결과 약 0.1초 동안에 6번의 파형이 관찰되며, 대략 ±4V 수준의 전위차가 발생하는 것을 확인할 수 있다.
반면 도 13 및 도 14를 참조하면, 좌측과 우측의 자성체가 서로 동일한 방향의 극성을 나타낼 경우 어느 순간에 좌우측의 자성체가 서로 반대 방향으로 이동하며 플레이트가 시소 거동하는 것을 명확히 확인할 수 있다. 또 도 11의 경우에 비해 자성체의 물리적인 상하 변위량 또한 더 작았다.
전위차 측정 결과 약 0.1초 동안에 6번의 파형이 관찰되며, -0.5V에서 +1.0V 수준의 미약한 전위차가 발생하는 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서 본 발명의 범위는 이상에서 예시된 기술 사상의 변경물, 균등물 내지는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
11: 아티팩트
100: 플레이트
200: 위치 고정 부재
300: 자성체

Claims (11)

  1. 어느 평면 내 원형의 자기력선을 형성하는 전자기장 형성 부재;
    상기 전자기장 형성 부재가 형성하는 자기장 내에서, 상기 원형 내 일 지점에 대한 접선 방향으로의 폭을 갖도록 배치된 플레이트;
    상기 플레이트 상에서, 상기 일 지점과 원형의 자기력선 중심을 잇는 중심선에 대해 폭 방향 일측에 배치된 제1 자성체; 및
    상기 플레이트 상에서, 상기 중심선에 대해 폭 방향 타측에 배치된 제2 자성체를 포함하는 아티팩트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 자성체는 제1 자성체와 반대 방향의 극성을 나타내도록 배치된 아티팩트.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플레이트의 위치를 고정하도록 상기 플레이트와 맞닿아 배치되는 위치 고정 부재를 더 포함하되,
    상기 위치 고정 부재는 플레이트의 벤딩 라인과 겹쳐 배치되는 아티팩트.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 위치 고정 부재는 적어도 부분적으로 전기 전도성을 갖는 아티팩트.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 플레이트는, 베이스 플레이트 및 상기 베이스 플레이트 상에 적어도 부분적으로 배치된 압전층을 포함하고,
    상기 위치 고정 부재의 전기 전도성을 갖는 부분은 상기 압전층과 맞닿는 아티팩트.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 위치 고정 부재는, 상기 플레이트에서 멀어지는 방향으로 갈수록 폭이 증가하는 형상인 아티팩트.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 평면의 시점에서,
    상기 제1 자성체 또는 제2 자성체는 각각, 상기 원형의 중심에 대해, 상기 중심선을 기준으로 약 40° 내지 50°의 각도 위치에 배치된 아티팩트.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전자기장 형성 부재에 의해 자기장이 형성될 경우, 어느 순간에,
    상기 제1 자성체 및 제2 자성체는 같은 방향으로 이동하며 플레이트를 벤딩하도록 구성된, 아티팩트.
  9. 폭 방향 일 지점이 고정된 플레이트 상에서, 폭 방향 일측에 제1 자성체 및 폭 방향 타측에 제2 자성체를 배치하고,
    상기 제1 자성체와 제2 자성체의 자기력선과 겹치도록 원형의 자기장을 형성하되, 상기 원형의 자기장 내 상기 일 지점에서의 접선 방향이 상기 폭 방향과 이루는 각도가 ±10° 내에 있도록 원형의 자기장을 형성하는 것을 포함하는, 플레이트의 벤딩 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 벤딩되는 플레이트의 벤딩 라인은 상기 일 지점과 중첩하는, 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 자성체와 제2 자성체는 서로 반대 방향의 자기 쌍극을 가지고 배치되는 방법.
KR1020220072496A 2022-06-15 2022-06-15 자성체를 이용하여 원형의 자기장 내 플레이트를 벤딩시키는 방법 및 이를 이용한 아티팩트 KR20230172095A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220072496A KR20230172095A (ko) 2022-06-15 2022-06-15 자성체를 이용하여 원형의 자기장 내 플레이트를 벤딩시키는 방법 및 이를 이용한 아티팩트

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220072496A KR20230172095A (ko) 2022-06-15 2022-06-15 자성체를 이용하여 원형의 자기장 내 플레이트를 벤딩시키는 방법 및 이를 이용한 아티팩트

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230172095A true KR20230172095A (ko) 2023-12-22

Family

ID=89309717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220072496A KR20230172095A (ko) 2022-06-15 2022-06-15 자성체를 이용하여 원형의 자기장 내 플레이트를 벤딩시키는 방법 및 이를 이용한 아티팩트

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230172095A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080296984A1 (en) Energy converter
RU2749570C2 (ru) Устройство привода и способ
US20080144201A1 (en) Lens driving device
JP3939737B1 (ja) 発電装置
KR102142526B1 (ko) 압전 소자 및 그 제조방법
JP6218817B2 (ja) 超音波モータのためのアクチュエータ及び少なくとも１つの当該アクチュエータを備えた超音波モータ
TW200928569A (en) Piezoelectricity-driving optical lens module
US8791623B2 (en) Piezoelectric actuator and piezoelectric actuator array
US7816839B2 (en) Ultrasonic linear motor
US8159113B2 (en) Ultrasonic actuator with power supply electrode arrangement
US20090026891A1 (en) Stator and piezo ultrasonic motor including the same
KR20230172095A (ko) 자성체를 이용하여 원형의 자기장 내 플레이트를 벤딩시키는 방법 및 이를 이용한 아티팩트
KR101594432B1 (ko) 폴리이미드 유기 유전층을 포함한 정전기력 기반 작동기
JP2004266033A (ja) 圧電装置
US9132263B2 (en) Flexible ultrasound actuator
JP4852994B2 (ja) アクチュエータシステム、並びに光学レンズ位置調整装置
US8120231B2 (en) Inertial drive actuator
JP4954783B2 (ja) 圧電素子及び振動型アクチュエータ
JP5131541B2 (ja) 振動型静電発電機ユニット
CN106537755B (zh) 发电装置
CN111007618A (zh) 光学组件驱动机构
TW201414144A (zh) 能量轉換裝置
JP5644874B2 (ja) 静電誘導型発電装置
JP6882096B2 (ja) 圧電型発電装置
KR101613485B1 (ko) 무기 유전층을 포함한 정전기력 기반 작동기

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal