JP5153962B2 - 汚染を回避する方法及びeuvリソグラフィ装置 - Google Patents
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Description
本出願は、米国特許法第119条(e)項(1)に従って、2009年4月6日の米国仮特許出願第61/166,975号の優先権を主張し、その全開示内容を参照により本出願の内容に援用する。本出願は、米国特許法第119条(a)項に従って、2009年4月6日の独国特許出願第10 2009 016 319.0号の優先権も主張し、その全開示内容も同様に参照により本出願に援用する。
Claims (23)
- 汚染ガス状物質(18)がEUVリソグラフィ装置(1)のハウジング(2a、3a、4a)の開口(15、16a、16b、17a、17b)を通過するのを防止する方法であって、前記ハウジング(2a、3a、4a)にはEUV放射線(6)を案内する少なくとも1つの光学素子(8〜14)を配置した、方法において、
前記開口(15、16a、16b、17a、17b)の領域で、前記汚染物質(18、18’)を偏向させ、該汚染物質の流れ方向(Z)に逆らって指向される少なくとも1つのガス流(21a、21b)を発生させることを含み、該ガス流(21a、21b)及び前記EUV放射線(6)をパルス状に発生させ、前記ガス流(21a、21b)のパルスレート(1/T V )を前記EUV放射線(6)の作用下で放出された前記汚染物質(18、18’)のパルスレート(1/T I )に応じて規定し、前記開口(15、16a、16b、17a、17b)の領域で、ガスパルス(26)が前記汚染物質(18、18’)のパルス(24)に時間的に重なり
前記ガスパルス(26)を、前記EUVパルス(24)に対して遅れて発生させ、遅延時間(T D )を、前記開口(15、16a、16b、17a、17b)の領域で前記ガスパルス(26)が前記汚染物質(18、18’)の前記パルス(24)に時間的に重なるよう選択する、
る、方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記ガスパルス(26)のパルス持続時間は、前記EUV放射線(6)の2つのパルス(23)間の期間(T I )の5%未満である、方法。
- 請求項1又は2に記載の方法において、前記ガス流(21a、21b)に含まれるガス粒子の運動量(p G )を、前記ガス状汚染物質(18、18’)の運動量(p K )よりも大きくなるよう選択する、方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法において、前記パルス状ガス流(21a、21b)を、少なくとも1つの制御可能なガス弁(20a、20b)により発生させる、方法。
- 請求項4に記載の方法において、前記ガス弁(20a、20b)を前記ハウジング(2a、3a、4a)に配置する、方法。
- 請求項4又は5に記載の方法において、前記ガス弁(20a、20b)を、前記開口(15、16a、16b、17a、17b)に向けて該開口(15、16a、16b、17a、17b)に対してずらして配置する、方法。
- 請求項4〜6のいずれか1項に記載の方法において、複数のガス弁(20a、20b)を、前記開口(15、16a、16b、17a、17b)の周りに規則的な配列で配置する、方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法において、前記ガス流(21a、21b)は、水素(H 2 )、窒素(N 2 )、重水素(D 2 )、及び希ガスを含む群から選択される少なくとも1つのガスを含む、方法。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法において、前記パルス状ガス流(21a、21b)に含まれるガスを、前記EUV放射線(6)の後続のパルス(23)の前に圧送除去する、方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法において、前記ハウジング(2a、3a、4a)内の静圧(P IN )を、前記ハウジング(2a、3a、4a)の前記開口(15、16a、16b、17a、17b)の外部の静圧(P OUT )よりも少なくとも10Pa高くなるよう選択する、方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法において、前記パルス状EUV放射線(6)の作用下で放出された荷電汚染物質(18’)を偏向させるために、電磁場、より詳細に静電場(29)をパルス状に発生させ、該静電場(29)のパルスレート(1/T EL )を、前記汚染物質(18、18’)のパルスレート(1/T I )に応じて規定する、方法。
- EUVリソグラフィ装置(1)であって、
EUV放射線(6)を発生させる光源(5)と、
前記EUV放射線(6)を案内する少なくとも1つの光学素子(15、16a、16b、17a、17b)及び汚染物質(18)を通過させることができる少なくとも1つの開口(15、16a、16b、17a、17b)を有する、少なくとも1つのハウジング(2a、3a、4a)と、
前記開口(15、16a、16b、17a、17b)の領域で、パルス状ガス流(21a、21b)を発生させ、該ガス流は前記汚染物質を偏向させ、前記汚染物質(18、18’)の流れ方向(Z)に逆らって指向される、少なくとも1つのガス発生デバイス(20a、20b)と、
パルス状に発生した前記EUV放射線(6)のパルスレート(1/T I )に応じたパルスレート(1/T V )で前記ガス発生デバイス(20a、20b)を駆動し、前記開口(15、16a、16b、17a、17b)の領域でガスパルス(26)が前記汚染物質(18、18’)のパルス(24)に時間的に重なるように前記ガス発生デバイス(20a、20b)を駆動する、制御デバイス(22a、22b)と、を備え、
前記制御デバイス(22a、22b)を、前記EUVパルス(24)に対して前記ガスパルス(26)を遅れて発生させるように前記ガス発生デバイス(20a、20b)を駆動するよう設計し、遅延時間(T D )を、前記開口(15、16a、16b、17a、17b)の領域で前記ガスパルス(26)が前記汚染物質(18、18’)の前記パルス(24)に時間的に重なるよう選択した、
EUVリソグラフィ装置。 - 請求項12に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記制御デバイス(22a、22b)を、前記EUV放射線(6)の2つのパルス(23)間の期間(T I )の5%未満のパルス持続時間(T G )を有するガスパルス(26)を発生させるように前記ガス発生デバイス(20a、20b)を駆動するよう設計した、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項12又は13に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記ガス発生デバイスは、少なくとも1つの制御可能なガス弁(21a、21b)を有する、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項14に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記ガス弁(21a、21b)を前記ハウジング(2a、3a、4a)に配置した、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項14又は15に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記ガス弁(21a、21b)を、前記開口(15、16a、16b、17a、17b)に向けて該開口(15、16a、16b、17a、17b)に対してずらして配置した、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項14〜16のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィ装置において、複数のガス弁(20a、20b)を、前記開口(15、16a、16b、17a、17b)の周りに規則的な配列で配置した、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項12〜17のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記開口(15、16a、16b、17a、17b)を管状通路(19)に形成した、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項18に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記管状通路(19)は、2cmを超える長さ(L)を有する、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項12〜19のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記パルス状EUV放射線(6)の作用下で放出された荷電汚染物質(18’)を偏向させるために、電磁場、より詳細には静電場(29)をパルス状に発生させる発生デバイス(28)をさらに備え、該静電場(29)のパルスレート(1/T EL )を、前記汚染物質(18、18’)のパルスレート(1/T I )に応じて規定する、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項12〜20のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記ハウジング(4a)は、マスク(11)上の構造を感光基板(12)に結像する投影システム(4)を収容する、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項12〜21のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記ハウジング(3a)は、マスク(11)上の構造を照明する照明システム(3)を収容する、EUVリソグラフィ装置。
- 請求項12〜22のいずれか1項に記載のEUVリソグラフィ装置において、前記ハウジング(2a)は、前記光源(5)を有するビーム整形システム(2)を収容する、EUVリソグラフィ装置。
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