JP5151993B2 - コア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 52
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 15
- 239000007771 core particle Substances 0.000 description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 11
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 6
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 BaS Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- RLECCBFNWDXKPK-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyl)sulfide Chemical compound C[Si](C)(C)S[Si](C)(C)C RLECCBFNWDXKPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 3
- 229910015808 BaTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004813 CaTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017680 MgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004411 SrTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- LHQLJMJLROMYRN-UHFFFAOYSA-L cadmium acetate Chemical compound [Cd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O LHQLJMJLROMYRN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 2
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 1,1'-Oxybisoctane Chemical compound CCCCCCCCOCCCCCCCC NKJOXAZJBOMXID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000002265 electronic spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000010420 shell particle Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/592—Chalcogenides
- C09K11/595—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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Description
本発明は、充分な発光強度を有し、かつ明滅現象（ブリンキング）のないコア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法に関する。
半導体や金属などの超微細粒子のうち、電子の波長（１０ｎｍ程度）より小さい粒子径を有するナノサイズの粒子は、量子サイズ効果として電子の運動に対するサイズ有限性の影響が大きくなってくるために、バルク体とは異なる特異な物性を示すことが知られている（非特許文献１）。
粒子コア部とは異なる材料で被覆したコア／シェル構造を有する半導体ナノ粒子は、コアとなる粒子のサイズや形状を変化させることなく機能化でき、あるいはコアとシェルのいずれのバルク材料とも異なる特性の発現が期待できるために、新規な高活性触媒、光機能性材料、光学素子用材料として注目されている材料である。例えば、発光性ナノ粒子の表面が露出していると、ナノ粒子表面に存在する多数の欠陥が発光キラーになってしまい、発光効率が低下してしまう。そこでナノ粒子の発光波長に相当するバンドギャップよりも大きいバンドギャップを持つシェル材料で被覆してコア／シェル構造にすることにより、その発光強度を増強することができる（例えば、特許文献１〜４参照。）。
特許文献１には、シリコン核の表面に酸化シリコン主体の絶縁層を有する超微粒子が開示されている。特許文献２には、ナノ構造結晶を有する蛍光体粒子の周囲がガラス成分でコーティングされている粒子が開示されている。特許文献３には、ＺｎＳを第一の主成分とし、第二成分としてII−VI族の化合物半導体を一部含む、又は含まない半導体中に、アクセプタ準位を形成する第一添加元素と、ドナー準位を形成する第二添加成分を含む蛍光体コアの粒径が１０ｎｍ以下で、該蛍光体の発光波長に相当するバンドギャップよりも大きいバンドギャップを持つシェル材中に分散されたコア／シェル構造を持つ粒子が開示されている。また、特許文献４には、半導体ナノ結晶コアと導電体シェルからなる２〜５０ｎｍのコア／シェル型粒子表面に表面修飾分子が結合している粒子が開示されている。
しかしながら、いまだ十分な発光強度は得られておらず、また、ナノ粒子の発光においては、例えば単一分子蛍光観察において、ブリンキングと呼ばれる明滅現象が観察されることが、実用上問題となっている。
特開平５−２２４２６１号公報
特開２０００−２６５１６６号公報
特開２００５−１２０１１７号公報
特開２００３−６４２７８号公報
「日経先端技術」、２００３．１．２７号、１〜４ページ
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、コア／シェル型半導体ナノ粒子であって、充分な発光強度を有し、かつ明滅現象（ブリンキング）のないコア／シェル型半導体ナノ粒子を提供することである。
従来、コア粒子の大きさをナノサイズまで微小化して量子サイズ効果を発現させ、さらに上記のようにコア／シェル構造をとることによって、バンドギャップエネルギーを増大させて、特性を引き出すことが可能になることが知られているが、コア部とシェル部に中間層を有するコア／シェル型半導体ナノ粒子については十分に検討されていなかったことから、この未検討領域について鋭意検討し、本発明に至った。すなわち、本発明に係る上記課題は下記の手段により解決される。
１．平均粒径が２〜５０ｎｍであるコア／シェル型半導体ナノ粒子であって、コア部とシェル部の間に中間層を有し、かつ当該コア部、シェル部及び中間層のそれぞれの組成と同一の組成のバルク結晶のバンドギャップ幅が、コア部＜シェル部＜中間層の順に大きいことを特徴とするコア／シェル型半導体ナノ粒子。
２．前記コア部が主成分としてＳｉを含有し、かつ中間層が主成分としてＳｉの酸化物を含有することを特徴とする前記１に記載のコア／シェル型半導体ナノ粒子。
３．平均粒径が２〜５０ｎｍであるコア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法であって、コア部とシェル部の間に中間層を有し、かつ当該コア部、シェル部及び中間層のそれぞれの組成と同一の組成のバルク結晶のバンドギャップ幅が、コア部＜シェル部＜中間層の順に大きいことを特徴とするコア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法。
本発明の上記手段により、コア／シェル型半導体ナノ粒子であって、充分な発光強度を有し、かつ明滅現象（ブリンキング）のないコア／シェル型半導体ナノ粒子を提供することができる。
本発明のコア／シェル型半導体ナノ粒子は、平均粒径が２〜５０ｎｍであるコア／シェル型半導体ナノ粒子であって、コア部とシェル部の間に中間層を有し、かつ当該コア部、シェル部及び中間層のそれぞれの組成と同一の組成のバルク結晶のバンドギャップ幅が、コア部＜シェル部＜中間層の順に大きいことを特徴とする。
また、前記コア部が主成分としてＳｉを含有し、かつ中間層が主成分としてＳｉの酸化物を含有することが好ましい態様である。
以下、本発明とその構成要素について詳細な説明をする。
（半導体ナノ粒子の形成材料）
本発明に係る半導体ナノ粒子は種々の半導体材料を用いて形成することができる。例えば、元素の周期表のIV族、II−VI族、及びIII−Ｖ族の半導体化合物を用いることができる。
本発明に係る半導体ナノ粒子は種々の半導体材料を用いて形成することができる。例えば、元素の周期表のIV族、II−VI族、及びIII−Ｖ族の半導体化合物を用いることができる。
II−VI族の半導体の中では、特に、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ及びＨｇＴｅを挙げることができる。
III−Ｖ族の半導体の中では、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰＧａＳｂ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ及びＡｌＳが好ましい。
IV族の半導体の中では、Ｇｅ、Ｐｂ及びＳｉは特に適している。
本発明においては、蛍光半導体微粒子をコア／シェル構造を有する粒子にすることが好ましい。この場合、半導体ナノ粒子は半導体微粒子からなるコア粒子と該コア粒子を被覆するシェル層とで構成されるコア／シェル構造を有する半導体ナノ微粒子であって、該コア粒子とシェル層の化学組成が相異するものであることが好ましい。
以下、コア粒子とシェル層について説明する。
〈コア粒子〉
コア粒子に用いられる半導体材料としては、種々の半導体材料を用いることができる。具体例としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＡｌＳ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、Ｇｅ、Ｓｉ、又はこれらの混合物等が挙げられる。本発明において、特に好ましい半導体材料は、Ｓｉである。
コア粒子に用いられる半導体材料としては、種々の半導体材料を用いることができる。具体例としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＮ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、ＡｌＳ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、Ｇｅ、Ｓｉ、又はこれらの混合物等が挙げられる。本発明において、特に好ましい半導体材料は、Ｓｉである。
なお、必要があればＧａなどのドープ材料を極微量含んでもよい。
本発明に係るコアの平均粒径に関しては、１〜１０ｎｍであることが好ましい。
なお、本発明に係るコアの「平均粒径」とは、レーザー散乱法により測定される累積５０％体積粒径をいう。
〈シェル層〉
シェルに用いられる半導体材料としては、種々の半導体材料を用いることができる。具体例としては、例えば、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＧａＳ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、又はこれらの混合物等が挙げられる。
シェルに用いられる半導体材料としては、種々の半導体材料を用いることができる。具体例としては、例えば、ＳｉＯ2、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＧａＳ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ、又はこれらの混合物等が挙げられる。
本発明において、特に好ましい半導体材料は、ＳｉＯ2、ＺｎＳである。
本発明に係るシェルの厚みに関しては、０．１〜３ｎｍであることが好ましい。
なお、本発明に係るシェル層は、コア粒子が部分的に露出して弊害を生じない限り、コア粒子の全表面を完全に被覆するものでなくてもよい。
（中間層）
本発明では、半導体ナノ粒子粒子のコア部とシェル部の間に中間層を有することを特徴とする。具体例としては、コア部、シェル部に挙げられる組成で、かつコア部及びシェル部とは異なる組成である。
本発明では、半導体ナノ粒子粒子のコア部とシェル部の間に中間層を有することを特徴とする。具体例としては、コア部、シェル部に挙げられる組成で、かつコア部及びシェル部とは異なる組成である。
好ましい中間層組成としてはＳｉＯ2が挙げられる。
本発明に係る中間層の厚みに関しては、０．１〜２ｎｍであることが好ましい。
本発明においては、当該コア部、シェル部及び中間層のそれぞれの組成と同一の組成のバルク結晶のバンドギャップ幅が、コア部＜シェル部＜中間層の順に大きいことを特徴とする。当該バンドギャップ幅は、上記半導体材料の組成変化で調整することができる。特に好ましい組み合わせは、コア部Ｓｉ、中間層ＳｉＯ2、シェル部ＺｎＳである。
前記したように（特許文献１〜４等にも記載）、バンドギャップ幅の大きいシェル材料で被覆することにより、発光強度が増強されたナノ粒子が得られることは、すでに知られている。これは、コア粒子の量子閉じ込め効果の増強や表面欠陥の不動態化によるものと理解されている。しかしながら、実際には、完全にコア部が被覆されることがなく、これが、十分な発光強度が得られなかったり、ブリンキングが観察される理由となっている。本発明の中間層は、不完全なシェルの働きを補足する効果がある。中間層組成のバンドギャップ幅は、コア部より大きいことで量子閉じ込め効果、表面欠陥の不動態化を促進する。中間層のバンドギャップ幅がシェル部よりも小さい場合、中間層による効果は得られない。
なお、本願においては、バンドギャップは、アモルファス半導体に対して一般的に用いられている電子スペクトルから光学的バンドギャップを求める方法（所謂「Ｔａｕｃプロット」）に準じた方法によって求めた。
すなわち、アモルファス半導体のバンド間の光学的遷移による光吸収においては、吸光度と光子エネルギーの関係は次の式で表される。
α＝ｋ（Ｅ−Ｅ0）2／Ｅ（ｋは定数）
ここで、αは吸光度、Ｅは光子エネルギー、Ｅ0は光学的バンドギャップである。この式から、横軸に光子エネルギー、縦軸に吸光度と光子エネルギーの積の平方根をとり、接線を引く。この接線と横軸との交点が光学的バンドギャップである（清水立生著「アモルファス半導体」、培風館（１９９４）．ｐ２０１）。
ここで、αは吸光度、Ｅは光子エネルギー、Ｅ0は光学的バンドギャップである。この式から、横軸に光子エネルギー、縦軸に吸光度と光子エネルギーの積の平方根をとり、接線を引く。この接線と横軸との交点が光学的バンドギャップである（清水立生著「アモルファス半導体」、培風館（１９９４）．ｐ２０１）。
また、ここで「バルク結晶」とは、１μｍ以上の粒径をもつ粒子結晶の集まりをいい、「バルク組成」とは、バルク結晶の組成をいう。
〈コア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法〉
本発明のコア／シェル型半導体ナノ粒子は、平均粒径が２〜５０ｎｍであるコア／シェル型半導体ナノ粒子であって、コア部とシェル部の間に中間層を有することを特徴とする。本発明のコア／シェル型半導体ナノ粒子の製造については、従来公知の種々の方法を用いることができる。
本発明のコア／シェル型半導体ナノ粒子は、平均粒径が２〜５０ｎｍであるコア／シェル型半導体ナノ粒子であって、コア部とシェル部の間に中間層を有することを特徴とする。本発明のコア／シェル型半導体ナノ粒子の製造については、従来公知の種々の方法を用いることができる。
液相法の製造方法としては、沈殿法である、共沈法、ゾル−ゲル法、均一沈殿法、還元法などがある。そのほかに、逆ミセル法、超臨界水熱合成法、などもナノ粒子を作製する上で優れた方法である（例えば、特開２００２−３２２４６８号、特開２００５−２３９７７５号、特開平１０−３１０７７０号、特開２０００−１０４０５８号公報等を参照。）。
気相法の製造方法としては、（１）対向する原料半導体を電極間で発生させた第一の高温プラズマによって蒸発させ、減圧雰囲気中において無電極放電で発生させた第二の高温プラズマ中に通過させる方法（例えば特開平６−２７９０１５号公報参照。）、（２）電気化学的エッチングによって、原料半導体からなる陽極からナノ粒子を分離・除去する方法（例えば特表２００３−５１５４５９号公報参照。）、レーザーアブレーション法（例えば特開２００４−３５６１６３号参照。）などが用いられる。また、原料ガスを低圧状態で気相反応させて、粒子を含む粉末を合成する方法も、好ましく用いられる。
本発明のコア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法としては、特に液相法による製造方法が好ましい。
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（ＳｉおよびＳｉ／ＳｉＯ2ナノ粒子の調製）
ジオクチルエーテル５０ｍｌにオレイン酸１ｍｌとオレイルアミン１ｍｌを添加し、よく攪拌した後、脱気しながら１００℃まで加熱する。３時間攪拌後、反応容器をアルゴンで満たしながら２００℃まで加熱する。１時間攪拌後、ＳｉＣｌ4を１ｍｌ滴下して３０分攪拌する。１００℃まで冷却して５時間攪拌後、さらに室温まで冷却する。この溶液中に平均粒径３ｎｍのシリコンナノ粒子が含まれる。
ジオクチルエーテル５０ｍｌにオレイン酸１ｍｌとオレイルアミン１ｍｌを添加し、よく攪拌した後、脱気しながら１００℃まで加熱する。３時間攪拌後、反応容器をアルゴンで満たしながら２００℃まで加熱する。１時間攪拌後、ＳｉＣｌ4を１ｍｌ滴下して３０分攪拌する。１００℃まで冷却して５時間攪拌後、さらに室温まで冷却する。この溶液中に平均粒径３ｎｍのシリコンナノ粒子が含まれる。
得られた溶液を真空乾燥すると、ゲル状の有機物とナノ粒子の混合物が得られる。これをメタノールで数回洗浄すると、茶褐色の粉体が得られた。これを以下の方法で表面処理を行う。
ここで、アニールは電気炉による加熱により行い、プラズマ処理は、所望のガスを満たした真空チャンバー内で、ＲＦ電源を用いて誘導コイルに電流を流して発生したプラズマを試料に照射した。
試料１：アルゴンプラズマ処理６０分
試料２：アルゴンプラズマ処理６０分後、大気雰囲気７００℃で２時間アニール処理
得られた粉体は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察によれば、いずれも平均粒径が２ｎｍのナノ粒子であり、オージェ電子分光法およびＦＴ−ＩＲ分析の結果、試料１はＳｉ、試料２はシリコン核と酸化シリコンの表面層を有する粒子であった。試料２の表面層の厚みは、ＴＥＭ観察によれば、平均０．２ｎｍであった。
試料２：アルゴンプラズマ処理６０分後、大気雰囲気７００℃で２時間アニール処理
得られた粉体は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察によれば、いずれも平均粒径が２ｎｍのナノ粒子であり、オージェ電子分光法およびＦＴ−ＩＲ分析の結果、試料１はＳｉ、試料２はシリコン核と酸化シリコンの表面層を有する粒子であった。試料２の表面層の厚みは、ＴＥＭ観察によれば、平均０．２ｎｍであった。
（シェル層ＺｎＳ層の被覆）
試料１および試料２をそれぞれトリオクチルフォスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）中に添加して、超音波分散後、３００℃に加熱する。この分散液を１／２に分割し、その一方に、トリオクチルフォスフィン（ＴＯＰ）中でトリメチルシリルスルフィドとジメチル亜鉛を反応させた溶液を添加する。１時間攪拌した後、室温まで降温する。いずれの試料も表面のシェル層の厚みは、ＴＥＭ観察によれば、平均０．２ｎｍであった。
試料１および試料２をそれぞれトリオクチルフォスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）中に添加して、超音波分散後、３００℃に加熱する。この分散液を１／２に分割し、その一方に、トリオクチルフォスフィン（ＴＯＰ）中でトリメチルシリルスルフィドとジメチル亜鉛を反応させた溶液を添加する。１時間攪拌した後、室温まで降温する。いずれの試料も表面のシェル層の厚みは、ＴＥＭ観察によれば、平均０．２ｎｍであった。
尚、コア、中間層、またシェルを構成する材料について、電子スペクトルから光学的バンドギャップを求める方法（所謂「Ｔａｕｃプロット」）に準じた方法によって求めたそれぞれのバンドギャップは、Ｓｉ＝１．１２ｅＶ、ＳｉＯ２＝９．０ｅＶ、ＺｎＳ＝３．７ｅＶであった。また、以下の分散液５で用いたＣｄＳｅについては、１．７４ｅＶであった。
上記分散液１〜４に加えて、更に、以下の半導体ナノ粒子分散液を作製した。
分散液５
前記試料１をトリオクチルフォスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）中に添加して、超音波分散後、２００℃に加熱する。この分散液に酢酸カドミウムのＴＯＰＯ溶液とセレンのＴＯＰ溶液を添加して、Ｓｉ粒子の表面に厚み０．２ｎｍのＣｄＳｅ中間層を形成する。さらに３００℃に加熱した後、ＴＯＰ中でトリメチルシリルスルフィドとジメチル亜鉛を反応させた溶液を添加する。１時間攪拌した後、室温まで降温して、ＺｎＳシェル層を形成する。表面のシェル層の厚みは、ＴＥＭ観察によれば、平均０．２ｎｍであった。
前記試料１をトリオクチルフォスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）中に添加して、超音波分散後、２００℃に加熱する。この分散液に酢酸カドミウムのＴＯＰＯ溶液とセレンのＴＯＰ溶液を添加して、Ｓｉ粒子の表面に厚み０．２ｎｍのＣｄＳｅ中間層を形成する。さらに３００℃に加熱した後、ＴＯＰ中でトリメチルシリルスルフィドとジメチル亜鉛を反応させた溶液を添加する。１時間攪拌した後、室温まで降温して、ＺｎＳシェル層を形成する。表面のシェル層の厚みは、ＴＥＭ観察によれば、平均０．２ｎｍであった。
分散液６
試料１をトリオクチルフォスシンオキシド（ＴＯＰＯ）中に添加して、超音波分散後、３００℃に加熱する。この分散液にＴＯＰ中でトリメチルシリルスルフィドとジメチル亜鉛を反応させた溶液を添加して厚み０．２ｎｍのＺｎＳ中間層を形成する。１時間攪拌後、酢酸カドニウムのＴＯＰＯ溶液とセレンのＴＯＰ溶液を添加して、Ｓｉ粒子の表面に厚み０．２ｎｍのＣｄＳｅシェル層を形成する。
試料１をトリオクチルフォスシンオキシド（ＴＯＰＯ）中に添加して、超音波分散後、３００℃に加熱する。この分散液にＴＯＰ中でトリメチルシリルスルフィドとジメチル亜鉛を反応させた溶液を添加して厚み０．２ｎｍのＺｎＳ中間層を形成する。１時間攪拌後、酢酸カドニウムのＴＯＰＯ溶液とセレンのＴＯＰ溶液を添加して、Ｓｉ粒子の表面に厚み０．２ｎｍのＣｄＳｅシェル層を形成する。
（蛍光量子収率）
上記で得られたナノ粒子の分散液１〜６（表１参照。）について、波長３５０ｎｍの励起光を照射して発生する蛍光スペクトルを測定した。相対量子収率は、試料の吸収スペクトルから得られるモル吸光係数、蛍光スペクトルの波数積分値、溶媒の屈折率を、分散液１を基準とすることにより求めた。
上記で得られたナノ粒子の分散液１〜６（表１参照。）について、波長３５０ｎｍの励起光を照射して発生する蛍光スペクトルを測定した。相対量子収率は、試料の吸収スペクトルから得られるモル吸光係数、蛍光スペクトルの波数積分値、溶媒の屈折率を、分散液１を基準とすることにより求めた。
試料の量子収率をφx、標準物質の量子収率をφrとすると、φxは以下の式で求めることができる。
φx＝Ｆxｎx 2／Ｆrｎr 2・εrｃrｄr／εxｃxｄx・φr・・・（Ａ）
ここで、Ｆxは試料の波数積分値、ｎxは標準物質の溶媒の屈折率、εxｃxｄxは試料の吸光度、Ｆrは標準物質の波数積分値、ｎrは標準物質の溶媒の屈折率、εrｃrｄrは標準物質の吸光度である。
φx＝Ｆxｎx 2／Ｆrｎr 2・εrｃrｄr／εxｃxｄx・φr・・・（Ａ）
ここで、Ｆxは試料の波数積分値、ｎxは標準物質の溶媒の屈折率、εxｃxｄxは試料の吸光度、Ｆrは標準物質の波数積分値、ｎrは標準物質の溶媒の屈折率、εrｃrｄrは標準物質の吸光度である。
分散液１の相対量子収率を１００％として、相対的に評価した。
（単一粒子蛍光観察）
蛍光顕微鏡により、それぞれの試料について蛍光発光の様子を観察し、以下の基準でランク付けを行った。
×：激しい明滅現象（ブリンキング）が観察され、実用的ではない
△：数１０秒単位での明滅現象が観察されるが、実用上は問題ない
○：明滅現象がほとんど観察されず、実用上全く問題ない
試料の内容及び上記評価結果を表１にまとめて示す。
蛍光顕微鏡により、それぞれの試料について蛍光発光の様子を観察し、以下の基準でランク付けを行った。
×：激しい明滅現象（ブリンキング）が観察され、実用的ではない
△：数１０秒単位での明滅現象が観察されるが、実用上は問題ない
○：明滅現象がほとんど観察されず、実用上全く問題ない
試料の内容及び上記評価結果を表１にまとめて示す。
表１に示した結果から明らかなように、本発明に係る試料の蛍光量子収率は顕著に高いにも拘わらず、明滅現象（ブリンキング）は殆ど観察されなかった。
Claims (3)
- 平均粒径が２〜５０ｎｍであるコア／シェル型半導体ナノ粒子であって、コア部とシェル部の間に中間層を有し、かつ当該コア部、シェル部及び中間層のそれぞれの組成と同一の組成のバルク結晶のバンドギャップ幅が、コア部＜シェル部＜中間層の順に大きいことを特徴とするコア／シェル型半導体ナノ粒子。
- 前記コア部が主成分としてＳｉを含有し、かつ中間層が主成分としてＳｉの酸化物を含有することを特徴とする請求の範囲第１項に記載のコア／シェル型半導体ナノ粒子。
- 平均粒径が２〜５０ｎｍであるコア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法であって、コア部とシェル部の間に中間層を有し、かつ当該コア部、シェル部及び中間層のそれぞれの組成と同一の組成のバルク結晶のバンドギャップ幅が、コア部＜シェル部＜中間層の順に大きいことを特徴とするコア／シェル型半導体ナノ粒子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008555034A JP5151993B2 (ja) | 2007-01-22 | 2008-01-18 | コア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007011187 | 2007-01-22 | ||
| JP2007011187 | 2007-01-22 | ||
| JP2008555034A JP5151993B2 (ja) | 2007-01-22 | 2008-01-18 | コア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法 |
| PCT/JP2008/050591 WO2008090814A1 (ja) | 2007-01-22 | 2008-01-18 | コア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2008090814A1 JPWO2008090814A1 (ja) | 2010-05-20 |
| JP5151993B2 true JP5151993B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=39644390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008555034A Active JP5151993B2 (ja) | 2007-01-22 | 2008-01-18 | コア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8197720B2 (ja) |
| JP (1) | JP5151993B2 (ja) |
| WO (1) | WO2008090814A1 (ja) |
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- 2008-01-18 US US12/523,154 patent/US8197720B2/en active Active
- 2008-01-18 WO PCT/JP2008/050591 patent/WO2008090814A1/ja active Application Filing
- 2008-01-18 JP JP2008555034A patent/JP5151993B2/ja active Active
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|---|---|
| US8197720B2 (en) | 2012-06-12 |
| JPWO2008090814A1 (ja) | 2010-05-20 |
| WO2008090814A1 (ja) | 2008-07-31 |
| US20100096599A1 (en) | 2010-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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