JP5150865B2 - シリコン単結晶インゴットの製造方法 - Google Patents
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Description
窒素濃度が上昇すると、図5に示すように、V領域で引上げられるV/Gもその窒素濃度の上昇とともに上昇する。従って、引上げ当初はV領域のシリコン単結晶インゴットも、引上げとともに窒素濃度が上昇し、同じV/Gであってもそのボトム側にあってはV領域からOSFが発生する領域に移行し、トップ側で十分な品質が得られても、ボトム側で欠陥が発生しやすくなり、結晶軸方向で均一な品質のインゴットを得ることができない不具合があった。
1mm<D 2 −D 1 ≦D 1 /2 ………(2)
但し、直胴部のトップ側インゴットの温度勾配に対する引き上げ速度の比(V/G)1が固化率50%未満の領域におけるいずれかの部位のインゴット長100mmの温度勾配に対する引き上げ速度の比の平均値であり、直胴部のボトム側インゴットの温度勾配に対する引き上げ速度の比(V/G) 2 が固化率50%以上の領域におけるいずれかの部位のインゴット長100mmの温度勾配に対する引き上げ速度の比の平均値である。
図1にシリコン単結晶の引上げ装置10示す。このシリコン単結晶の引上げ装置10のチャンバ11内には、シリコン融液12を貯留する石英るつぼ13が設けられ、この石英るつぼ13の外周面は黒鉛サセプタ14により被覆される。石英るつぼ13の下面は上記黒鉛サセプタ14を介して支軸16の上端に固定され、この支軸16の下部はるつぼ駆動手段17に接続される。るつぼ駆動手段17は、図示しないが石英るつぼ13を回転させる第1回転用モータと、石英るつぼ13を昇降させる昇降用モータとを有し、これらのモータにより石英るつぼ13が所定の方向に回転し得るとともに、上下方向に移動可能となっている。石英るつぼ13の外周面は石英るつぼ13から所定の間隔をあけてヒータ18により包囲され、このヒータ18は保温筒19により包囲される。ヒータ18は石英るつぼ13に投入された高純度のシリコン多結晶体を加熱・融解してシリコン融液12にする。
窒素がドープされたシリコン融液からシリコン単結晶を引上げる工程において、シリコン単結晶インゴット25の引上げ速度をV、シリコン融液12との界面近傍におけるシリコン単結晶インゴット25の鉛直方向の温度勾配をGとしたとき、シリコン単結晶インゴット25の横断面の少なくとも中央に空孔型点欠陥が凝集して発生する領域が形成されるV/Gで引上げられる。
このように引上げられたシリコン単結晶インゴットは、ボトム側インゴット25bの外径がトップ側インゴット25aの外径より大きくなる。ここで、トップ側インゴット25a及びボトム側インゴット25bの範囲は、引上げられるインゴット25の固化率により決定される。固化率とは、最初に石英るつぼ13に貯留されたシリコン融液12の初期チャージ重量に対するインゴット25の引上げ重量の割合をいう。直胴部のトップ側インゴットの外径D1とは、固化率50%未満の領域におけるいずれかの部位のインゴット長100mmの平均直径であり、直胴部のボトム側インゴットの外形D2とは、固化率50%以上の領域におけるいずれかの部位のインゴット長100mmの平均直径である。
先ず、第1の方法と同様に、窒素がドープされたシリコン融液からシリコン単結晶を引上げる工程において、シリコン単結晶インゴット25の引上げ速度をV、シリコン融液12との界面近傍におけるシリコン単結晶インゴット25の鉛直方向の温度勾配をGとしたとき、シリコン単結晶インゴット25の横断面の少なくとも中央に空孔型点欠陥が凝集して発生する領域が形成されるV/Gで図3に示すインゴット25を引上げる。
この(1)式によると、シリコン単結晶インゴット25のボトム側インゴット25bを引上げる(V/G)2は、シリコン単結晶インゴット25のトップ側インゴット25aを引上げる(V/G)1よりも大きくなる。ここで、この実施の形態では、シリコン単結晶インゴット25のボトム側インゴット25bを引上げる引上げ速度をシリコン単結晶インゴット25のトップ側インゴット25aを引上げる引上げ速度と同じかより大きくして、ボトム側インゴット25bを引上げる(V/G)2をトップ側インゴット25aを引上げる(V/G)1よりも大きくする場合を示す。ボトム部では、トップ側よりもGが小さくなることが多いため、ボトム部において引上げ速度をトップ部と同じかそれ以上にすることにより、(V/G)2を(V/G)1 よりも大きくすることができる。
トップ窒素濃度は、2×1013atoms/cm3を狙った。直径32インチの石英ルツボに原料シリコンをチャージし、直径300mm用の単結晶を引上げた。固化率48%以下の直径を314mmとし、固化率52%以上の直径を318mmφとした。固化率40%以上の引上げ速度を0.9mm/minで一定とした。変形を防止するため、結晶回転数を固化率48%から固化率52%にて結晶回転を2回転下げた。引上げ後、スライス、ポリッシュ、1130℃で4μmのエピ成長を行なった。
トップ窒素濃度は、2×1013atoms/cm3を狙った。直径32インチの石英ルツボに原料シリコンをチャージし、直径300mm用の単結晶を引上げた。固化率48%以下の直径を314mmとし、固化率52%以上の直径を318mmφとした。固化率40%以上の引上げ速度を0.87mm/minに下げた。引上げ後、スライス、ポリッシュ、1130℃で4μmのエピ成長を行なった。
トップ窒素濃度は、2×1013atoms/cm3を狙った。直径32インチの石英ルツボに原料シリコンをチャージし、直径300mm用の単結晶を引上げた。結晶直径を314mmφ、固化率40%以上の引上げ速度を0.9mm/minで一定とした。変形を防止するため、結晶回転数を固化率48%から固化率52%にて結晶回転を2回転下げた。引上げ後、スライス、ポリッシュ、1130℃で4μmのエピ成長を行なった。
結晶直径を314mmφ、結晶回転を一定、固化率48%から固化率52%にて引上げ速度を、0.9mm/minから0.87mm/minにさげた以外は、実施例1と同じである。
実施例1及び参考例1,2並びに比較例1におけるエピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の有無をパーティクルカウンターにより測定した。比較例1では、固化率80%以降(窒素濃度:1.0×1014atoms/cm3)で、外周にリング状エピ欠陥が見られた。実施例1では、固化率85%(窒素濃度1.3×1014atoms/cm3)までリング状のエピ欠陥は認められなかった。参考例1では、固化率80%(窒素濃度1.0×1014atoms/cm3)までリング状のエピ欠陥は認められなかった。参考例2では、固化率80%(窒素濃度1.0×1014atoms/cm3)までリング状のエピ欠陥は認められなかった。
13 石英るつぼ
25 シリコン単結晶インゴット
25b ボトム側インゴット
25a トップ側インゴット
V インゴットの引上げ速度
G インゴットの鉛直方向の温度勾配
Claims (2)
- 石英るつぼに貯留されて窒素がドープされたシリコン融液からシリコン単結晶インゴットを引上げる方法であって、前記シリコン単結晶インゴットの引上げ速度をV、前記シリコン融液との界面近傍における前記シリコン単結晶インゴットの鉛直方向の温度勾配をGとするとき、前記シリコン単結晶インゴットの横断面の少なくとも中央に空孔型点欠陥が凝集して発生する領域が形成されるV/Gで前記シリコン単結晶インゴットを引上げるシリコン単結晶インゴットの製造方法において、
前記シリコン単結晶インゴットにおける直胴部のトップ側インゴットの温度勾配に対する引き上げ速度の比を(V/G)1とし、直胴部のボトム側インゴットの温度勾配に対する引き上げ速度の比を(V/G)2とするとき、前記ボトム側インゴットを引上げる引上げ速度を前記トップ側インゴットを引上げる引上げ速度よりも大きくすることにより、次の(1)式を満たすように前記トップ側インゴット及び前記ボトム側インゴットを引上げ、
前記直胴部のトップ側インゴットの外径をD 1 とし、前記直胴部のボトム側インゴットの外径をD 2 とするとき、次の(2)式を満たすように引上げる
ことを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。
1<(V/G)2/(V/G)1≦2 ………(1)
1mm<D 2 −D 1 ≦D 1 /2 ………(2)
但し、前記直胴部のトップ側インゴットの温度勾配に対する引き上げ速度の比(V/G) 1 とは、固化率50%未満の領域におけるいずれかの部位のインゴット長100mmの温度勾配に対する引き上げ速度の比の平均値であり、前記直胴部のボトム側インゴットの温度勾配に対する引き上げ速度の比(V/G) 2 とは、固化率50%以上の領域におけるいずれかの部位のインゴット長100mmの温度勾配に対する引き上げ速度の比の平均値である。 - 引上げられるシリコン単結晶インゴットの直径が300mm以上であって、
前記シリコン単結晶インゴットの引上げを前記シリコン単結晶インゴットを所定の回転速度で回転して行い、
ボトム側インゴットを引上げる時の前記シリコン単結晶インゴットの平均回転速度CRBをトップ側インゴットの引上げ時の前記シリコン単結晶インゴットの平均回転速度CRTより遅く設定した請求項1記載のシリコン単結晶インゴットの製造方法。
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