JP5143923B2 - 圧延銅箔及びそれを用いた二次電池 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、二次電池の負極集電体に用いた場合に充放電によるクラックや破断の発生を防止した圧延銅箔及びそれを用いた二次電池の提供を目的とする。
すなわち、本発明は、
(1)JIS−C1100に規格するタフピッチ銅またはJIS−C1020に規格する無酸素銅であって、圧延平行方向の破断伸び(ELL)と、圧延直角方向の破断伸び(ELT)とが、ELL>1.2×ELT≧3%の関係式を満たし、かつ圧延平行方向の引張強さが120〜250MPaである圧延銅箔、
(2)JIS−C1100に規格するタフピッチ銅またはJIS−C1020に規格する無酸素銅であって、200℃×30分間の加熱後に、圧延平行方向の破断伸び(ELL)と、圧延直角方向の破断伸び(ELT)とが、ELL>1.2×ELT≧3%の関係式を満たし、かつ圧延平行方向の引張強さが120〜250MPaとなる圧延銅箔、
(3)Agを0.005〜0.050質量%、及び/又はSnを0.002〜0.02%含有する(1)又は(2)に記載の圧延銅箔、
(4)厚みが5〜18μmである(1)〜(3)のいずれかに記載の圧延銅箔、
(5)二次電池の集電体用である(1)〜(4)のいずれかに記載の圧延銅箔、
(6)(1)〜(5)のいずれかに記載の銅箔を集電体として用いた二次電池、
である。
本発明の圧延銅箔は、JIS-C1100に規格するタフピッチ銅またはJIS-C1020に規格する無酸素銅を組成とする。圧延銅箔に延性を付与するため、上記した純銅に近い組成とする必要がある。圧延銅箔に含まれる酸素濃度は、タフピッチ銅の場合は0.01〜0.05質量%、無酸素銅の場合は0.001質量%以下である。
さらに、Agを0.005〜0.05質量%、および/またはSnを0.002〜0.02質量%含有してもよい。圧延銅箔にAg又はSnを添加すると、より広範囲な製造条件で、後述する破断伸びの関係式を満たす傾向がある。圧延銅箔へのAgの添加量が0.005質量%未満、又はSnの添加量が0.002質量%未満であると上記した効果が得られず、Agの添加量が0.05質量%を超えるか、又はSnの添加量が0.02質量%を超えると再結晶温度が上昇し、最終焼鈍において銅箔の表面酸化を抑えつつ再結晶焼鈍することが困難になる場合がある。
なお、AgはCuよりも酸化しにくいので、タフピッチ銅および無酸素銅のどちらの溶湯中でも添加可能であり、SnはCuよりも酸化しやすいため、無酸素銅の溶湯中に添加するのが一般的である。
通常、電極体を巻回する構造の電池(円筒電池等)では、電極体を構成する負極集電体である銅箔の圧延平行方向を長手方向として巻き取る。ところが、充放電によって集電体上の活物質層の膨張・収縮が繰り返されると、充放電の条件やサイクル回数によっては集電体である銅箔に亀裂が生じ、これが進むと破断に至る場合がある。また、活物質層の膨張・収縮は等方的であるが、圧延銅箔は一方向に圧延して製造されるため、その機械的性質は等方的ではない。
そして、活物質層の膨張により銅箔に引張り応力が負荷された場合、伸びの小さい方向に亀裂が生じやすい。この時、銅箔の圧延平行方向より圧延直角方向の伸びが小さい場合には、圧延直角方向の引張りに対応して圧延平行方向に亀裂が生じやすい。但し、銅箔の圧延平行方向の亀裂は、電極体の巻き取り方向に平行であるため、銅箔に亀裂が生じても抵抗の増大などの電池特性への影響は小さい。
一方、銅箔の圧延平行方向より圧延直角方向の伸びが大きい場合には、圧延平行方向の引張りに対応して圧延直角方向に亀裂が生じやすい。そして、銅箔の圧延直角方向に亀裂が生じると、集電体を通電する電極面積が小さくなるために電気抵抗が増大し、さらに銅箔が破断した場合は通電できなくなって電池特性へ大きな影響を与える。
さらに、圧延直角方向の破断伸び(ELT)もある程度確保する必要から、1.2×ELT≧3%と規定する。例えば、活物質とバインダーを含むスラリーを銅箔集電体に塗工し、乾燥する場合、塗工機上の銅箔の位置ずれを修正するなどの幅方向に不均一な張力が加わった場合、あるいは、乾燥後の銅箔を巻き取る際に異物を巻き込んだ場合、伸びが上記値より小さいと亀裂が容易に伝播して破断し、生産性が著しく低下する。
一方、銅箔への活物質の塗工、乾燥後に行うプレス圧延工程では、活物質層を一定の密度となるように圧延しており、活物質が銅箔に食込んで、いわゆるアンカー効果を生じ、活物質層と銅箔の密着強度が向上する。この時、銅箔の圧延平行方向の引張強さが250MPaを超えると、アンカー効果が減じて、活物質層と銅箔の密着強度が向上しにくくなる。そして、密着強度が低くなると、充放電時の活物質層の膨張・収縮により、銅箔表面から活物質層が剥離しやすくなり、サイクル特性低下の要因となる。
本発明の圧延銅箔が適用される二次電池としては特に限定されないが、好ましくはリチウムイオン二次電池を用いることができる。リチウムイオン二次電池としては負極に金属リチウムを使用する電池の他、金属リチウムを電池内に含まずに電解質中のリチウムイオンが電気伝導を担う電池が含まれる。リチウムイオン二次電池の負極活物質としては、限定的ではないが、炭素、珪素、スズ、ゲルマニウム、鉛、アンチモン、アルミニウム、インジウム、リチウム、酸化珪素、酸化スズ、チタン酸リチウム、窒化リチウム、インジウムを固溶した酸化スズ、あるいはこれら2種類以上を組み合わせた合金等が挙げられる。
二次電池としては、電極体(負極と正極とをセパレータで挟んだもの)を巻回した構造又は各電極体を積層したスタック構造が挙げられる。
そして、最終焼鈍前の圧延加工および最終焼鈍の条件を調整することで、上記した破断伸びと引張強さを有する銅箔が得られる。最終焼鈍前の圧延加工度は70%以上であれば良く、好ましくは85%以上である。ここで、加工度は、圧延前と圧延後の厚みの差を圧延前の厚みで除した値を百分率で表わしたものである。最終焼鈍前の圧延加工度が70%未満の場合、上記した破断伸びの関係式を満たすことが困難となることがある。また、最終焼鈍前の圧延加工において、各パスにおける圧延加工度の最大値が62%以上であることが好ましい。各パスにおける圧延加工度の最大値が62%未満の場合、上記した破断伸びの関係式を満たすことが困難となることがある。
最終焼鈍は、銅箔組成が純銅(タフピッチ銅または無酸素銅)又はAgおよびSnを含むいずれの場合も、最終焼鈍後の平均粒径が30〜60μm程度となる温度(例えば、200〜300℃)で30〜60分程度焼鈍すれば良い。焼鈍温度が上記の範囲を外れると、上伸びおよび引張強さの範囲が上記規定を満たすことが困難となる。
なお、本発明は、200℃×30分間の加熱を行ったときに上記の伸びおよび引張強さを発現するよう、最終焼鈍前(最終冷間圧延上り)の銅箔をも含む。
(実施例1)
[圧延銅箔の製造]
無酸素銅(OFC、JIS−C1020)またはタフピッチ銅(TPC、JIS−C1100)を溶解し、必要に応じてAgおよび/またはSnを表1に示す量投入して厚さ30mm、幅60mm、長さ120mmのインゴットを鋳造し、熱間圧延により10mmまで圧延した。
次に、焼鈍と冷間圧延を繰り返して厚み5〜18μmまで圧延し、表1に示す温度で30分間最終焼鈍した。なお、最終焼鈍前の冷間圧延加工度を表1に示す。
[結晶粒径] 平均結晶粒径は、銅箔表面についてJIS H0501の切断法により測定した。
得られた銅箔を負極集電体に用い、定格容量が1Ahの18650サイズの円筒電池型リチウムイオン二次電池を以下の手順で作製し、充放電サイクル寿命を測定した。
(1)負極活物質として平均粒径15μmの天然黒鉛、バインダーとしてPVDFを重量比92:8の比率でNMP(N-メチル-2-ピロリドン)に分散させてスラリーを調製した。このスラリーを銅箔上に塗布後、90℃で30分間乾燥させ、さらに120℃で10分乾燥させた。これを銅箔の片面あたり2回繰返し、銅箔両面に負極活物質層を形成した。さらに、加圧プレスにより、活物質の密度1.4g/cm3、活物質の厚み80μmの電極を形成した。
(2)正極活物質としてコバルト酸リチウム(LiCoO2)、バインダーとしてPVDF、導電助剤としてアセチレンブラックを重量比92:4:4の比率でNMPに分散させてスラリーを調製した。このスラリーを厚み20μmのアルミ箔上に塗布後、120℃で30分乾燥させた。これをアルミ箔の片面あたり2回繰返し、アルミ箔両面に正極活物質層を形成した。さらに、加圧プレスにより、活物質の密度3.2g/cm3、活物質の厚み75μmの電極を作製した。
(3)以上のように作製した正極と負極の間に、厚さ20μmの多孔質ポリエチレンフィルムからなるセパレータを介在させた状態で巻回し、電池ケースに収納した。
(4)上記電池ケースの蓋に、正極の電極リードを接続した後、溶媒としてエチレンカーボネートとジエチルカーボネートを体積比2:3、電解質として1mol/LのLiPF6を溶解した非水電解液を電池ケース内に注液し、電池缶の蓋をかしめて封口して円筒型リチウムイオン二次電池を作製した。
充放電条件は、1A定電流で4.2Vまで充電してから4.2Vの定電流で、充電時間が2時間となるまでとし、放電は1Aの定電流で、3.0Vまでとした。得られた結果を表1に示す。
ELL<1.2×ELTである比較例2、3の場合も、電池サイクル特性が劣化した。これは、比較例2の場合、同じ条件で製造された実施例4と比較して、最終焼鈍前の圧延の総加工度が85%未満となったためと考えられ、比較例3の場合、同じ条件で製造された実施例5、6と比較して、1パスの最大圧延加工度が62%未満となったためと考えられる。
比較例5の場合、材料の引張強さが120MPa未満であり、材料のハンドリング性が劣った。これは、最終焼鈍温度が350℃と高いためと考えられる。
Claims (6)
- JIS−C1100に規格するタフピッチ銅またはJIS−C1020に規格する無酸素銅であって、圧延平行方向の破断伸び(ELL)と、圧延直角方向の破断伸び(ELT)とが、ELL>1.2×ELT≧3%の関係式を満たし、かつ圧延平行方向の引張強さが120〜250MPaである圧延銅箔。
- JIS−C1100に規格するタフピッチ銅またはJIS−C1020に規格する無酸素銅であって、200℃×30分間の加熱後に、圧延平行方向の破断伸び(ELL)と、圧延直角方向の破断伸び(ELT)とが、ELL>1.2×ELT≧3%の関係式を満たし、かつ圧延平行方向の引張強さが120〜250MPaとなる圧延銅箔。
- さらに、Agを0.005〜0.050質量%、及び/又はSnを0.002〜0.02質量%含有する請求項1又は2に記載の圧延銅箔。
- 厚みが5〜18μmである請求項1〜3のいずれかに記載の圧延銅箔。
- 二次電池の集電体用である請求項1〜4のいずれかに記載の圧延銅箔。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の銅箔を集電体として用いた二次電池。
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