JP5138145B2 - Phosphor multilayer structure and a light source using the same - Google Patents

Phosphor multilayer structure and a light source using the same Download PDF

Info

Publication number
JP5138145B2
JP5138145B2 JP2003380788A JP2003380788A JP5138145B2 JP 5138145 B2 JP5138145 B2 JP 5138145B2 JP 2003380788 A JP2003380788 A JP 2003380788A JP 2003380788 A JP2003380788 A JP 2003380788A JP 5138145 B2 JP5138145 B2 JP 5138145B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
phosphor layer
light
light emitting
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2003380788A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2004179644A (en
Inventor
隆宏 内藤
寛人 玉置
Original Assignee
日亜化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2002328938 priority Critical
Priority to JP2002328938 priority
Application filed by 日亜化学工業株式会社 filed Critical 日亜化学工業株式会社
Priority to JP2003380788A priority patent/JP5138145B2/en
Publication of JP2004179644A publication Critical patent/JP2004179644A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5138145B2 publication Critical patent/JP5138145B2/en
Application status is Active legal-status Critical
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16135Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48464Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area also being a ball bond, i.e. ball-to-ball
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Description

本発明は、半導体発光素子(発光ダイオードもしくはレーザーダイオード等)を有する蛍光体積層構造及びそれを用いる光源に関する。 The present invention relates to a phosphor laminate structure and a light source using the same having a semiconductor light-emitting device (such as light emitting diodes or laser diodes).

尚、本明細書においては、LEDもしくはLDチップそのものは「発光素子」もしくは「半導体発光素子」と呼び、LEDもしくはLDチップ、前記チップ上に積層された蛍光体、及び電極などの光学装置を含む発光装置全体を「発光装置」「光源」と呼ぶことにする。 In this specification, LED or LD chip itself is referred to as "light emitting device" or "semiconductor light-emitting device" includes LED or LD chip, the phosphor which is laminated on the chip, and an optical device such as an electrode the entire light-emitting device will be referred to as "light emitting device", "light source".

白色系の混色光を発する光源は、低電圧駆動、小型軽量化、耐久性、長寿命などの長所を有し、次世代の省エネルギー照明源として、また、車載の表示光源や携帯電話表示部のバックライトとして脚光を浴びている。 Light source emitting white mixed light of a low voltage driving, reduction in size and weight, durability, has advantages such as long life, energy-saving illumination source of the next generation, also, the vehicle display light source or mobile phone display unit of It has attracted attention as a backlight.

例えば、半導体発光素子上に蛍光体層を設け、白色系の混色光を発する光源とする方法には、青色発光素子からの発光の一部を蛍光体で波長変換し、残る青色発光と蛍光体からの発光との混色により白色発光を得る方法と、発光素子として紫外発光素子を用い、赤(R)、緑(G)、青(B)を発光する蛍光体を用いて白色光を得る方法とが提案されている。 For example, a phosphor layer provided on the semiconductor light emitting device, a method of a light source that emits white mixed light of a part of light emitted from the blue light emitting element and the wavelength conversion by the phosphor, leaving a blue-emitting phosphor a method of obtaining white light by mixture of the emission from the ultraviolet light-emitting device used as a light-emitting element, red (R), green (G), and a method of obtaining white light using a phosphor emitting blue (B) door has been proposed. 前者では蛍光体としてセリウムで付活されたYAGが使用されているが、混色により形成されるスペクトルは、比較的赤色領域成分が少なく、赤色成分を必要とする分野での使用では演色性が充分でないという問題がある。 While the former has been used YAG that was activated with cerium as the phosphor spectrum is formed by mixing a relatively red region component is small, sufficient color rendering properties in use in the fields requiring red component there is a problem that not. そこで、後者の、RGBを発光する蛍光体を使用して白色光を得る方法が演色性に優れた白色光を比較的得やすいので推奨される。 Therefore, the latter method of obtaining white light using a phosphor emitting RGB is recommended because relatively easily obtained good white light color rendering properties. しかしながら、RGB比率により白色が形成されるため、その比率が正しく、かつ均等でないと、色むらが生じやすいという問題がある。 However, since the white by the RGB ratio is formed, if the ratio is correct, and unequal, there is a problem that color unevenness is likely to occur. このような発光の「むら」はRGBのそれぞれの蛍光体の比重や粒径の違いにより、その塗布および樹脂の硬化工程で発生することが見出されており、かかる解決策として実質的に平坦な面上に一定の厚みを有する蛍光体を形成する構造が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 The "unevenness" such emission as by differences in the specific gravity and the particle size of each phosphor RGB, have been found to occur with the coating and resin curing step, substantially flat as such a solution structure forming the phosphor has been proposed to have a constant thickness on a surface (e.g., see Patent Document 1).
特開2000−31532号公報 JP 2000-31532 JP

しかしながら、上記従来の構造上の改善策は抜本的でない。 However, improvement on the conventional structure is not drastic. すなわち、例え蛍光体層厚みを均一に形成できても蛍光体の層中の分布の不均一性に基づく色むらの発生は解決できない。 That is, the occurrence of color unevenness based on example heterogeneity of distribution in the layer of phosphor be be uniformly forming the phosphor layer thickness can not be solved.

したがって、本発明者らは複数の蛍光体層を積層する場合に膜厚、蛍光体の層中の不均一性に基づく、色むらを解消すべく、鋭意検討の結果、蛍光体層を積層する構造の場合、各層の拡散効率を調整することにより、色むらだけでなく、全体としての輝度向上を達成できることを見出した。 Accordingly, the present inventors have thickness in the case of stacking a plurality of phosphor layers, based on the non-uniformity in the layer of the phosphor, in order to eliminate color irregularities, a result of intensive studies, laminating a phosphor layer for the structure, by adjusting the diffusion efficiency of each layer, as well as color unevenness was found that can achieve brightness improvement as a whole.

したがって、本発明の第1の目的は、蛍光体層を積層する場合の色むらを解消するとともに、全体としての輝度の向上を図ることができる蛍光体積層構造を提供することにある。 Accordingly, a first object of the present invention is to provide with eliminating color unevenness in the case of laminating a phosphor layer, the phosphor laminate structure can be improved luminance as a whole.

さらに、本発明の第2の目的は、青色または紫外発光可能な半導体発光素子上に、複数の蛍光体層を積層して光源とする場合に、色むらによる品質の低下がなく、輝度の向上を図れる光源を提供することにある。 Further, a second object of the present invention, blue or ultraviolet light emitting capable semiconductor light emitting device on, when the light source by stacking a plurality of phosphor layers, there is no reduction in quality due to color unevenness, improvement of luminance It is to provide a light source which attained a.

上記第1の目的は、半導体発光素子上に、蛍光体、拡散剤、及びバインダー樹脂からなる蛍光体層を複数層積層してなり、前記半導体発光素子に近い方の第1の蛍光体層が、前記半導体発光素子から遠い方の第2の蛍光体層より波長の長い蛍光を発する蛍光体を含んでなる蛍光体積層構造であって、前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤と同一の拡散剤または前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤よりも屈折率の大きい拡散剤を含み、 前記第1の蛍光体層中の拡散剤の配合量が前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤の配合量より多く、第1の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差が、第2の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差より大きいことを特徴とする蛍光体積層構造により達成される The first object, on the semiconductor light-emitting element, phosphor, diffusing agent, and a phosphor layer of a binder resin becomes in a plurality of layers laminated, the first phosphor layer closer to the semiconductor light emitting element the a phosphor laminate structure comprising a phosphor that emits longer fluorescence wavelength than farther the second phosphor layer from the semiconductor light emitting element, the first phosphor layer, said second fluorescent includes a large diffusing agent having a refractive index higher than the diffusion agent contained in the same diffusing agent or the second phosphor layer and a diffusing agent contained in the material layer, the amount of the first phosphor layer of the diffusing agent There rather multi than the amount of diffusion agent contained in the second phosphor layer, the first refractive index difference between the diffusing agent and a binder resin in the phosphor layer is, the second phosphor layer of the diffusing agent is achieved by the phosphor laminate structure, characterized in that a larger refractive index difference between the binder resin また、前記第一の蛍光体層は、前記半導体発光素子の少なくとも一部を被覆し、前記第二の蛍光体層は、該第一の蛍光体層と半導体発光素子の少なくとも一部とを被覆することが好ましい。 Further, the first phosphor layer, said covers at least part of the semiconductor light emitting element, the second phosphor layer covering at least a portion of said first phosphor layer and the semiconductor light emitting element it is preferable to.

前記波長変換巾の大きい第1の蛍光体層中の拡散材の拡散効果を第2の蛍光体層よりも多くすることにより、色むらがなく、しかも輝度及び効率を向上させることができるからである。 Because the diffusion effect of the diffusing material large first phosphor layer of the wavelength conversion width by more than the second phosphor layer, no color irregularity, moreover it is possible to improve the brightness and efficiency is there. その作用機能の詳細は不明であるが、波長変換巾の大きい第1層の拡散効率を高めることにより、第1層だけでなく、第2層における効率のよい波長変換が達成できるものと思われる。 Is unknown details of the action function, by increasing the diffusion efficiency of the first layer having a large wavelength conversion width, not only the first layer, it is believed that efficient wavelength conversion in the second layer can be achieved .

具体的には、前記拡散剤は、SiO 、Al 、TiO 、B 、Zr 、Y 及びCaCO からなる酸化物から選択される少なくとも1種であることが好ましい。 Specifically, the diffusing agent is in at least one selected from oxide of SiO 2, Al 2 O 3, TiO 2, B 2 O 3, Zr 2 O 3, Y 2 O 3 and CaCO 3 there it is preferable. 酸化物拡散材は蛍光体とのなじみがよく、特に以下で定義されるシリコンナイトライド蛍光体の劣化を早めることがないことが見出されている。 Oxide diffusing material has been found to be not possible to accelerate the familiar well, deterioration of the silicon nitride phosphor as particularly defined below the phosphor.

本発明の蛍光体積層構造は、第1及び第2の蛍光体層中の拡散剤の種類が異なる場合は、前記第1の蛍光体層中の拡散剤の屈折率が、前記第2の蛍光体層中の拡散剤の屈折率より大きくなるように配合するのがよい。 Phosphor laminate structure of the present invention, when the type of the first and second phosphor layers of the diffusing agent are different, the refractive index of the first phosphor layer of the diffusing agent, the second fluorescent it is preferable to blend so as to be larger than the refractive index of the diffusing agent in the body layer. 拡散材配合の絶対量を減少させ、効率よい波長変換を望めるからである。 The absolute amount of diffusing material incorporated is decreased, because views of the efficient wavelength conversion.

本発明の蛍光体積層構造は、前記第1及び第2の蛍光体層中の拡散剤が同一種である場合は、前記第1の蛍光体層中の拡散剤の配合量が、第2の蛍光体層中の拡散剤の配合量より多くなる。 Phosphor laminate structure of the present invention, the case diffusing agent of the first and second phosphor layer are the same species, the amount of the first phosphor layer of the diffusing agent, the second larger than the amount of the diffusing agent in the phosphor layer. 同一種拡散材を使用することにより第1層と第2層の拡散効率の調整が容易となる。 Adjustment of the diffusion efficiency of the first and second layers becomes easy by using the same kind diffusing material.

本発明の蛍光体積層構造に用いるバインダ−樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂を用いるのがよい。 The binder used in the phosphor laminate structure of the present invention - as the resin, epoxy resin, acrylic resin, imide resin, silicone resin, it is preferable to use a urea resin. 第1層と第2層のバインダー樹脂は共通とするのが製造上便利であるが、第1及び第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の種類が異なってもよい。 The binder resin of the first layer and the second layer is a convenient manufacturing that a common, may be the type of the binder resin for forming the first and second phosphor layers are different. その場合は、前記第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率が、前記第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率より大きいのが好ましい。 In that case, the refractive index of the binder resin for forming the first phosphor layer is preferably greater than the refractive index of the binder resin for forming the second phosphor layer. 界面での光反射を少なくすることができるからである。 This is because it is possible to reduce the light reflection at the interface.

第1及び第2の蛍光体層中の拡散材の有効屈折率はバインダー樹脂と拡散材の屈折率差に依存する。 The effective refractive index of the diffusing material of the first and second phosphor layer depends on the refractive index difference between the binder resin distribution member. したがって、バインダー樹脂の種類が同一である場合は、前記第1の蛍光体層中の拡散材配合量の調整で第1層と第2層の拡散効果を調節することもできるが、その量的調整とともに、または量的調整とは独立してバインダー樹脂と拡散剤との屈折率差が、前記第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂と拡散剤との屈折率差より大きくなるようにすることにより、第1層と第2層の拡散効率を調整することができる。 Therefore, when the type of the binder resin are the same, but it is also possible to adjust the diffusion effect of the first and second layers by adjusting the diffusion material amount of the first phosphor layer, the quantitative with adjustment, or the refractive index difference between independently of the binder resin diffusing agent and quantitative adjustment, to be larger than the refractive index difference between the diffusion agent and a binder resin for forming the second phosphor layer it is thus possible to adjust the diffusion efficiency of the first and second layers. 他方、第1及び第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の種類が異なる場合は、前記第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率が、前記第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率より大きく、かつ、前記第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂と拡散剤の屈折率差が、前記第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂と拡散材の屈折率差より大きくすることにより、第1層及び第2層の拡散効率を調節することができる。 On the other hand, when the type of the binder resin for forming the first and second phosphor layers are different, the refractive index of the binder resin for forming the first phosphor layer, forming the second phosphor layer greater than the refractive index of the binder resin, and a refractive index difference of the diffusing agent and a binder resin for forming the first phosphor layer, the refractive index difference between the diffusion material and the binder resin for forming the second phosphor layer by larger, it is possible to adjust the diffusion efficiency of the first and second layers. 要するに、本発明により所定の作用効果を得るためには、 第1の蛍光体層中の拡散剤及びバインダー樹脂により構成される平均屈折率が、第2の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との平均屈折率より大きくなるように調整する必要がある。 In short, in order to obtain a predetermined operation and effect by the present invention has an average refractive index constituted by the diffusing agent and a binder resin in the first phosphor layer is, diffusing agent and a binder resin of the second phosphor layer It must be adjusted to the average larger than the refractive index of the.

本発明の第2の目的は、青色が発光可能な半導体発光素子に適用する場合は、蛍光体、拡散剤、及びバインダー樹脂からなる蛍光体層を複数層積層してなる光源において、前記半導体発光素子に近い方の第1の蛍光体層はシリコンナイトライド系蛍光体を含み、前記半導体発光素子からより遠い方の第2の蛍光体層は、前記第1の蛍光体層より波長の短い蛍光を発する少なくともアルミニウムガーネット系蛍光体である光源であり、前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤と同一の拡散剤または前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤よりも屈折率の大きい拡散剤を含み、 前記第1の蛍光体層中の拡散剤の配合量が前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤の配合量より多く、第1の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との A second object of the present invention, when blue is applied to the light emitting available semiconductor light emitting device, phosphor, diffusing agent, and in the light source a fluorescent layer formed by a plurality of layers laminated made of a binder resin, wherein the semiconductor light emitting the first phosphor layer closer to the element comprises silicon nitride-based phosphor, the second phosphor layer from the semiconductor light emitting element of the more farther, the first short fluorescence wavelength than the phosphor layer a light source is at least aluminum garnet fluorescent material emitting, the first phosphor layer, contained in the same diffusing agent or the second phosphor layer and a diffusing agent contained in the second phosphor layer It includes a large diffusing agent having a refractive index higher than the diffusion agent, more than the amount of diffusion agent amount of the first phosphor layer of the diffusing agent contained in the second phosphor layer, the first the diffusing agent and a binder resin in the phosphor layer 折率差が、第2の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差より大きい構成により達成される。 Folding index difference is achieved by the refractive index difference larger configuration of the diffusing agent and a binder resin of the second phosphor layer.

紫外線を発することができる半導体発光素子に適用する場合は、蛍光体、拡散剤、及びバインダー樹脂からなる蛍光体層を複数層積層してなる光源において、前記蛍光体層は、前記半導体発光素子に近い方から第1の蛍光体層、第2の蛍光体層、第3の蛍光体層の順に積層され、前記第1の蛍光体層は、紫外励起赤色発光蛍光体を含み、前記第2の蛍光体層は紫外励起緑色発光蛍光体を含み、かつ、前記第3の蛍光体層は紫外励起青色発光蛍光体を含み、前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤と同一の拡散剤または前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤よりも屈折率の大きい拡散剤を第2の蛍光体層より多く含み、前記第2の蛍光体層は、前記第3の蛍光体層に含まれる拡散剤と同一の拡散剤または前記第3の蛍光体 When applied to the semiconductor light emitting device capable of emitting ultraviolet rays, a phosphor, diffusing agent, and in the light source comprising a phosphor layer comprising a binder resin and a plurality of layers laminated, the phosphor layer, the semiconductor light emitting element the first phosphor layer from the side closer, the second phosphor layer are laminated in this order of the third phosphor layer, said first phosphor layer comprises ultraviolet excitation red-emitting phosphor, the second the phosphor layer comprises an ultraviolet excited green-emitting phosphor, and the third phosphor layer includes an ultraviolet excited blue phosphor, the first phosphor layer included in the second phosphor layer same spreading agent or the diffusion agent a second large diffusing agent having a refractive index higher than the diffusion agent contained in the phosphor layer contains more than the second phosphor layer, said second phosphor layer, the third identical diffusing agent of contained in the phosphor layer of the diffusing agent or the third phosphor に含まれる拡散剤よりも屈折率の大きい拡散剤を第3の蛍光体層より多く含み、第1の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差が、第2の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差より大きい構成により達成することができる。 Contains more than a third of the phosphor layer a large diffusing agent having a refractive index higher than the diffusion agent contained in the refractive index difference between the diffusing agent and a binder resin of the first phosphor layer is, the second phosphor layer it can be achieved by the refractive index difference larger configuration of the diffusing agent and a binder resin in the.

本発明の蛍光体積層構造を有する光源は、積層される蛍光体層の拡散効果を調整することにより、色むらが解消され、高い歩留まりが達成される。 A light source having a phosphor laminate structure of the present invention, by adjusting the diffusion effect of the phosphor layer to be laminated, color unevenness is eliminated, high yield is achieved. しかも積層される蛍光体層の拡散効果を調整することにより、蛍光体の拡散効果の調整がされていないものに比して輝度の向上が得られる。 Moreover by adjusting the diffusion effect of the phosphor layer are laminated, the improvement of luminance can be obtained as compared with those not to adjust the diffusion effect of the phosphor.

以上説明したように、本発明に係る蛍光体積層構造及びそれを用いる光源は、半導体発光素子上に、蛍光体、拡散剤、及びバインダー樹脂からなる蛍光体層を積層する構造であって、第1の蛍光体層が波長の長い蛍光を発する蛍光体を含み、第2の蛍光体層が波長の短い蛍光を発する蛍光体を含んでなる積層構造であって、前記第1の蛍光体層を前記第2の蛍光体層よりも発光素子に近い方に配置する積層構造において、前記第1の蛍光体層中の拡散剤配合量を前記第2の蛍光体層中の配合量よりも多くしたこと、前記第1の蛍光体層中の拡散剤及び/又はバインダー樹脂の屈折率が、前記第2の蛍光体層中の拡散剤の屈折率より大きくなるように配合したことを特徴とする。 As described above, the light source used phosphor multilayer structure and the same according to the present invention, on the semiconductor light-emitting element, phosphor, a structure of laminating a diffusing agent, and a phosphor layer comprising a binder resin, a includes a phosphor 1 of the phosphor layer emits a longer fluorescence wavelength, a laminated structure in which the second phosphor layer comprises a phosphor emitting a short fluorescence wavelength, the first phosphor layer in the laminated structure disposed closer to a light-emitting element than the second phosphor layer, and the diffusion blending amount of the first phosphor layer was more than the amount of the second phosphor layer it, the refractive index of the diffusing agent and / or binder resin of the first phosphor layer, characterized in that it has formulated so as to be larger than the refractive index of the second phosphor layer of diffusing agent. 即ち、このことによって輝度及び効率を向上させることが可能である。 That is, it is possible to improve the brightness and efficiency by this. また、自己吸収を抑制して蛍光体の光を効率よく取り出すことができる。 Further, it is possible to efficiently extract light of the phosphor to suppress self-absorption.

以下、本発明に係る発光装置、蛍光体、拡散剤、及びバインダー樹脂を、発明の実施の形態及び実施例を用いて説明する。 Hereinafter, the light emitting device, the phosphor according to the present invention, a diffusing agent, and a binder resin, will be described with reference to embodiments and examples of the invention. だたし、本発明はこの実施の形態及び実施例に限定されない。 It was I, the present invention is not limited to these embodiments and examples.
<発光装置1> <Light-emitting device 1>
図1は、本発明に係る発光装置1を示す図である。 Figure 1 is a view showing a light emitting device 1 according to the present invention. 発光装置1は、サファイア基板1の上部に積層された青色光を発光できる半導体層2と、前記半導体層2に形成された電極から延びるワイヤで導電接続されたリードフレームと、前記サファイア基板1と半導体層2とから構成される半導体発光素子の外周を覆うように設けられたシリコンナイトライド蛍光体層14a、YAG:Ce系蛍光体層14b、前記積層蛍光体層14a及びb、及びリードフレーム13の外周面を覆うエポキシ樹脂15とから構成されている。 The light emitting device 1 includes a semiconductor layer 2 which can emit blue light are stacked on top of the sapphire substrate 1, and the lead frame which is electrically conductive connected by wires extending from the electrodes formed on the semiconductor layer 2, and the sapphire substrate 1 the semiconductor layer 2 which the formed semiconductor light-emitting periphery so as to cover provided silicon nitride phosphor layer 14a of the device, YAG: Ce phosphor layer 14b, the stacked phosphor layers 14a and b, and the lead frame 13 and a epoxy resin 15 covering the outer peripheral surface of the.

発光装置1で青色光を発光した第1の発光スペクトルは、まず、第1のシリコンナイトライド蛍光体層14aに照射され、その一部が吸収され、波長変換された第2の発光スペクトルを発する。 First emission spectrum emitted blue light-emitting device 1 is first irradiated onto the first silicon nitride phosphor layer 14a, a portion is absorbed to emit a second emission spectrum whose wavelength is converted . この第2の発光スペクトルは第2のYAG:Ce系蛍光体層14bに照射されるが、これに吸収されることなく、透過する。 The second emission spectrum and the second YAG: but is irradiated to Ce phosphor layer 14b, without being absorbed thereto, it passes. 他方、前記シリコンナイトライド蛍光体層14aを透過した第1の発光スペクトルの一部が、第2のYAG:Ce系蛍光体層14bに照射され、一部が吸収され、波長変換された第3の発光スペクトルが発光される。 On the other hand, a part of the first emission spectrum transmitted through the silicon nitride phosphor layer 14a is, the second YAG: irradiated to Ce phosphor layer 14b, a portion is absorbed, a third whose wavelength is converted the emission spectrum of the light is emitted. したがって、上記発光装置からは第1の青色スペクトル、第2の赤色スペクトル及び第3の黄色スペクトルが合わさって演色性の高い白色を発光することになる。 Therefore, the emit first blue spectrum, second red spectrum and the third yellow spectral highly white color rendering properties combine from the light emitting device.

<発光装置2> <Light emitting device 2>
図2は、本発明に係る発光装置2を示す図である。 Figure 2 is a view showing a light emitting device 2 according to the present invention. 発光装置2は、サファイア基板1の上部に積層された近紫外線を発光できる半導体層2と、前記半導体層2に形成された電極から延びるワイヤで導電接続されたリードフレームと、前記サファイア基板1と半導体層2とから構成される半導体発光素子の外周を覆うように設けられた紫外励起赤色発光蛍光体層24a、紫外励起緑色発光蛍光体層24b、紫外励起青色発光蛍光体層24c、前記積層蛍光体層24a〜24c、及びリードフレーム13の外周面を覆うエポキシ樹脂15とから構成されている。 The light emitting device 2 includes a semiconductor layer 2 which can emit near-ultraviolet rays that are stacked on the sapphire substrate 1, and the lead frame which is electrically conductive connected by wires extending from the electrodes formed on the semiconductor layer 2, and the sapphire substrate 1 the semiconductor layer 2 which the formed semiconductor light-emitting periphery so as to cover provided ultraviolet excited red phosphor layer 24a of the device, ultraviolet excited green light-emitting phosphor layer 24b, ultraviolet excited blue phosphor layer 24c, the layered fluorescent and a body layer 24a-24c, and the epoxy resin 15 covering the outer peripheral surface of the lead frame 13.

発光装置2で近紫外線を発光した第1の発光スペクトルは、まず、第1の赤色発光蛍光体層24aに照射され、その一部が吸収され、波長変換された第2の発光スペクトルを発する。 First emission spectrum and emits near ultraviolet light-emitting device 2 is first irradiated to the first red light emitting phosphor layer 24a, a portion is absorbed to emit a second emission spectrum whose wavelength is converted. この第2の発光スペクトルは第2の緑色発光蛍光体層24bに照射されるが、これに吸収されることなく、透過する。 The second emission spectrum is irradiated to a second green emitting phosphor layer 24b, without being absorbed thereto, it passes. 他方、前記赤色発光蛍光体層24aを透過した第1の発光スペクトルの一部が、第2の緑色発光蛍光体層24bに照射され、一部が吸収され、波長変換された第3の発光スペクトルが発光される。 On the other hand, a part of the first emission spectrum that has passed through the red light-emitting phosphor layer 24a is irradiated to the second green emitting phosphor layer 24b, a portion is absorbed, a third emission spectrum whose wavelength is converted There is emitted. この第3の発光スペクトルは第3の青色発光蛍光体層24bに照射されるが、これに吸収されることなく、透過する。 This third emission spectrum is irradiated to the third blue light emitting phosphor layer 24b, without being absorbed thereto, it passes. 他方、前記赤色発光蛍光体層24a、緑色発光蛍光体層24bを透過した第1の発光スペクトルの一部が、第3の青色発光蛍光体層24cに照射され、一部が吸収され、波長変換された第4の発光スペクトルが発光される。 On the other hand, the red emitting phosphor layer 24a, the first part of the emission spectrum that has passed through the green-emitting phosphor layer 24b, is irradiated to the third blue light emitting phosphor layer 24c, a portion is absorbed, the wavelength conversion fourth emission spectra is emitted. したがって、上記発光装置からは第2の赤色スペクトルと第3の緑色スペクトルと第4の青色スペクトルが合わさって演色性の高い白色を発光することになる。 Therefore, it emits second red spectrum and third green spectrum and the fourth blue spectral highly white color rendering properties combine from the light emitting device.

<半導体発光素子> <Semiconductor light-emitting element>
光源の励起用LEDとしては、InGaNを発光層とする公知の単一または多重量子井戸構造の青色LEDおよびAlInGaN、GaNまたはAlGaNを発光層とする公知の単一または多重量子井戸構造の近紫外LEDを使用することができる。 The excitation LED light source, a near-ultraviolet LED of known single or multi-quantum well structure which emits blue LED and AlInGaN known single or multiple quantum well structure in which InGaN light-emitting layer, a GaN or AlGaN and the light-emitting layer it can be used.

<蛍光体> <Phosphor>
本実施の形態に用いられる蛍光体は、発光素子から放出された可視光や紫外光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光するものである。 Phosphor used in this embodiment is one that absorbs a portion of the visible light or ultraviolet light emitted from the light emitting element emits light having a wavelength different from that of the absorbed light. 本実施の形態における蛍光体は、バインダー樹脂により固着されて蛍光体層に含有される他、LEDチップをパッケージに固定するための絶縁性接着剤(例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、硝子のような透光性無機部材)の中に含有されることもできる。 Phosphor in the present embodiment, in addition to being secured by the binder resin contained in the phosphor layer, the insulating adhesive for securing the LED chip in a package (e.g., epoxy resins, silicone resins, such as glass may be contained within a translucent inorganic member). また、本実施の形態における蛍光体層は、モールド部材 5の表面を被覆するようなキャップとして設けられる他、モールド部材の表面あるいは発光素子から間隔をあけて、モールド部材中にシート状の蛍光体層として設けることもできる。 The phosphor layer in this embodiment, except that provided as a cap so as to cover the surface of the mold member 1 5, spaced from the surface or the light emitting element of the mold member, a sheet-like fluorescence in the mold member It may be provided as a material layer.
本実施の形態に用いられる蛍光体としては、少なくともLEDチップの半導体発光層から発光された光によって励起され、波長変換した光を発光する蛍光体をいい、該蛍光体を固着させる結着剤とともに波長変換部材とされる。 The phosphor used in this embodiment, is excited by light emitted from the semiconductor light emitting layer of at least an LED chip, it refers to a phosphor emitting light wavelength conversion, together with a binder to fix the fluorescent body It is the wavelength conversion member.
本発明に係る蛍光体は、平均粒径が3μm以上であり、かつ粒度分布測定で2μm以下の粒径の粒子が体積分布で10%以下である蛍光体粒子から構成されるのがよい。 Phosphor according to the present invention is an average particle diameter of 3μm or more and it is preferable particles having a particle size of 2μm or less in particle size distribution measurement is composed of phosphor particles is 10% or less in volume distribution. 好ましくは平均粒径が5μm以上15μm以下、さらに好ましくは平均粒径が10μm以上12μm以下である。 Preferably the average particle size of 5μm or 15μm or less, still more preferably not more than 12μm mean particle size of 10μm or more. 蛍光体層を形成する際の形成ばらつきを抑えることが可能となり、配向ばらつきの少ない高輝度を得ることができる。 It is possible to suppress the formation variation in forming the phosphor layer, it is possible to obtain a high luminance little fluctuation in orientation.

(RGB蛍光体) (RGB phosphors)
例えば、紫外線照射により青色発光が可能なものとして、規則的な結晶成長形状としてほぼ六角形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の発光を行うBaMgAl 1017 :Euで表されるユウロピウム賦活バリウムマグネシウムアルミネート系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の発光を行う(Ca、Sr、Ba) (PO Cl:Euで表されるユウロピウム賦活ハロリン酸カルシウム系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ立方体形状を有する成長粒子から構成され、青色領域の発光を行う(Ca、Sr、Ba) Cl:Euで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類クロロボレート系蛍光体、 For example, as being capable of blue light emission by UV irradiation, which is constituted by growing particles having a nearly hexagonal shape typical of regular crystal growth shape, BaMgAl 10 O 17 emits light in the blue region: europium-activated barium represented by Eu magnesium aluminate-based phosphor, which is constituted by growing particles having a nearly spherical shape typical of regular crystal growth and emits light in the blue region, (Ca, Sr, Ba) 5 (PO 4) 3 Cl: represented by Eu Table with Eu: that europium-activated calcium halophosphate phosphor, which is constituted by growing particles having a nearly spherical shape typical of regular crystal growth and emits light in the blue region, (Ca, Sr, Ba) 2 B 5 O 9 Cl europium-activated alkaline earth aluminate phosphor which is,
破断面を有する破断粒子から構成され、青緑色領域の発光を行う(Sr、Ca、Ba)Al :Euまたは(Sr、Ca、Ba) Al 1425 :Euで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類アルミネート系蛍光体が挙げられる。 Is constituted by fractured particles having a fractured surface, to emit light in the blue-green region (Sr, Ca, Ba) Al 2 O 4: Eu or (Sr, Ca, Ba) 4 Al 14 O 25: europium represented by Eu activated alkaline earth aluminate-based phosphor can be cited.
紫外線照射により緑色発光が可能なものとして、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行う(Mg、Ca、Sr、Ba)Si :Euで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド系蛍光体、破断面を有する破断粒子から構成され、緑色領域の発光を行う(Ba、Ca、Sr) SiO :Euで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類マグネシウムシリケート系蛍光体が挙げられる。 As green light can be by ultraviolet irradiation, is constituted by fractured particles having a fractured surface to emit light in the green region (Mg, Ca, Sr, Ba ) Si 2 O 2 N 2: Europium-activated represented by Eu alkaline earth silicon oxynitride phosphor is composed of fractured particles having a fractured surface to emit light in the green region (Ba, Ca, Sr) 2 SiO 4: europium-activated alkaline earth magnesium silicate represented by Eu system phosphor, and the like.
紫外線照射により赤色発光が可能な蛍光体として、赤色破断面を有する破断粒子から構成され、赤色領域の発光を行う(Mg、Ca、Sr、Ba) Si :Euで表されるユウロピウム賦活アルカリ土類シリコンナイトライド系蛍光体、規則的な結晶成長形状としてほぼ球形状を有する成長粒子から構成され、赤色領域の発光を行う(Y、La、Gd、Lu) S:Euで表されるユウロピウム賦活希土類オキシカルユゲナイト系蛍光体等が挙げられる。 Europium represented by Eu: as a phosphor capable of red emission by ultraviolet irradiation, is constituted by fractured particles having red fractured surface to emit light in the red region (Mg, Ca, Sr, Ba ) 2 Si 5 N 8 activated alkaline earth silicon nitride phosphor, which is constituted by growing particles having a nearly spherical shape typical of regular crystal growth, to emit light in the red region (Y, La, Gd, Lu ) 2 O 2 S: Eu in europium activated rare earth oxy Cal steam night based phosphor, and the like represented.

(アルミニウム・ガーネット系蛍光体) (Aluminum-garnet phosphor)
本実施の形態に用いられるアルミニウム・ガーネット系蛍光体とは、Alを含み、かつY、Lu、Sc、La、Gd、Tb、Eu及びSmから選択された少なくとも一つの元素と、Ga及びInから選択された一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光体であり、半導体発光素子から発光された可視光や紫外線で励起されて発光する蛍光体である。 The aluminum garnet phosphor used in this embodiment, comprises Al, and Y, Lu, Sc, La, Gd, Tb, and at least one element selected from Eu and Sm, Ga, and In and a selected one of the elements, a phosphor that is activated with at least one element selected from rare earth elements, with a phosphor which emits light when excited by visible light or ultraviolet rays emitted from the semiconductor light-emitting element is there. 例えば、上述したYAG系蛍光体の他、Tb 2.95 Ce 0.05 Al 12 、Y 2.90 Ce 0.05 Tb 0.05 Al 12 、Y 2.94 Ce 0.05 Pr 0.01 Al 12 、Y 2.90 Ce 0.05 Pr 0.05 Al 12等が挙げられる。 For example, other YAG phosphor described above, Tb 2.95 Ce 0.05 Al 5 O 12, Y 2.90 Ce 0.05 Tb 0.05 Al 5 O 12, Y 2.94 Ce 0.05 Pr 0.01 Al 5 O 12, Y 2.90 Ce 0.05 Pr 0.05 Al 5 O 12 and the like. これらのうち、本実施の形態において、特にYを含み、かつCeあるいはPrで付活され組成の異なる2種類以上のイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体が利用される。 Of these, in the present embodiment, in particular comprises a Y, and two or more kinds of yttrium aluminum oxide phosphor compositions are activated by Ce or Pr are utilized.

具体的な蛍光体としては、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(以下、「YAG系蛍光体」と呼ぶことがある。)が挙げられる。 Specific phosphor activated yttrium-aluminum-garnet fluorescent material with cerium (hereinafter sometimes referred to as "YAG phosphor".) Can be mentioned. 特に、高輝度且つ長時間の使用時においては(Re 1-x Sm x3 (Al 1-y Ga y512 :Ce(0≦x<1、0≦y≦1、但し、Reは、Y,Gd,Laからなる群より選択される少なくとも一種の元素である。)などが好ましい。 In particular, at the time of high luminance and long-term use (Re 1-x Sm x) 3 (Al 1-y Ga y) 5 O 12: Ce (0 ≦ x <1,0 ≦ y ≦ 1, where, Re is, Y, Gd, at least one element selected from the group consisting of La.), etc. are preferable.
(Re 1-x Sm x3 (Al 1-y Ga y512 :Ce蛍光体は、ガーネット構造のため、熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークが470nm付近などにさせることができる。 (Re 1-x Sm x) 3 (Al 1-y Ga y) 5 O 12: Ce phosphor, for garnet structure, heat, resistant to light and moisture, the peak of the excitation spectrum can be like in the vicinity of 470nm can. また、発光ピークも530nm付近にあり720nmまで裾を引くブロードな発光スペクトルを持たせることができる。 Further, it is possible to provide a broad emission spectrum tails to 720nm has emission peaks in the vicinity of 530 nm.

本実施の形態における発光装置における蛍光物質として、2種類以上の蛍光体を混合させてもよい。 As the fluorescent substance in the light-emitting device in this embodiment, it may be a mixture of two or more kinds of phosphors. 即ち、Al、Ga、Y、La及びGdやSmの含有量が異なる2種類以上の(Re 1-x Sm x3 (Al 1-y Ga y512 :Ce蛍光体を混合させてRGBの波長成分を増やすことができる。 That, Al, Ga, Y, the content of La and Gd and Sm are two or more kinds of (Re 1-x Sm x) 3 (Al 1-y Ga y) 5 O 12: by mixing Ce phosphor RGB wavelength components can be increased. また、現在のところ半導体発光素子の発光波長には、バラツキが生ずるものがあるため2種類以上の蛍光体を混合調整させて所望の白色系の混色光などを得ることができる。 In addition, the emission wavelength of the currently semiconductor light-emitting element can be variation occurs intended is because two or more kinds of phosphors by mixing adjusting obtain such desired white-based mixed light of. 具体的には、半導体発光素子の発光波長に合わせて色度点の異なる蛍光体の量を調整し含有させることでその蛍光体間と発光素子で結ばれる色度図上の任意の点を発光させることができる。 Specifically, light emission of any point on the chromaticity diagram that are connected by the phosphor between the light emitting element by in accordance with the emission wavelength of the semiconductor light emitting element is contained to adjust the amount of different phosphors chromaticity point it can be.

発光層に窒化物系化合物半導体を用いた半導体発光素子から発光した青色系の光と、青色光を吸収させるためボディーカラーが黄色である蛍光体から発光する緑色系の光と、必要に応じて赤色系の光との混色表示をさせると所望の白色系発光色表示を行うことができる。 And blue light emitted from the semiconductor light emitting device using a nitride-based compound semiconductor light-emitting layer, a green-based light emitting from the phosphor is yellow body color for absorbing the blue light, if necessary desired white luminescent color display and to the mixed color display with red light can be performed. 発光装置はこの混色を起こさせるために蛍光体の粉体やバルクをエポキシ樹脂、アクリル樹脂或いはシリコーン樹脂などの各種樹脂や酸化珪素、酸化アルミニウムなどの透光性無機物中に含有させることもできる。 Emitting device may contain a phosphor powder and bulk to cause the color mixing epoxy resin, various resins, silicon oxide such as an acrylic resin or a silicone resin, in the translucent inorganic material such as aluminum oxide. このように蛍光体が含有されたものは、半導体発光素子からの光が透過する程度に薄く形成させたドット状のものや層状ものなど用途に応じて種々用いることができる。 Thus those phosphors are contained can be variously used depending on the application including the extent to thin ones dots that were formed and layered material to transmit light from the semiconductor light emitting element. 蛍光体と透光性無機物との比率や塗布、充填量を種々調整すること及び発光素子の発光波長を選択することにより白色を含め電球色など任意の色調を提供させることができる。 Ratios and coating the phosphor and the translucent inorganic material, it is possible to provide any color, such as light bulb color including white by selecting the emission wavelength of that and the light emitting element to various adjusting the filling amount.
YAG系蛍光体を使用すると、放射照度として(Ee)=0.1W・cm −2以上1000W・cm −2以下の半導体発光素子と接する或いは近接して配置された場合においても高効率に十分な耐光性を有する発光装置とすることができる。 Using YAG-based phosphor, also sufficient high efficiency when placed in contact with or in close proximity as irradiance and (Ee) = 0.1W · cm -2 or more 1000W · cm -2 or less of the semiconductor light emitting element it can be a light emitting device having light resistance.

本実施の形態に用いられるセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体である緑色系が発光可能なYAG系蛍光体では、ガーネット構造のため、熱、光及び水分に強く、励起吸収スペクトルのピーク波長が420nmから470nm付近にさせることができる。 The greenish light emission can YAG phosphor is yttrium aluminum oxide fluorescent material activated with cerium which is used in this embodiment, since the garnet structure, heat, resistant to light and moisture, the excitation absorption peak wavelength of the spectrum can be around 470nm from 420 nm. また、発光ピーク波長λ も510nm付近にあり700nm付近まで裾を引くブロードな発光スペクトルを持つ。 In addition, with a broad emission spectrum that tails off to around 700nm is in the vicinity of the emission peak wavelength λ p even 510nm. 一方、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体である赤色系が発光可能なYAG系蛍光体でも、ガーネット構造であり熱、光及び水分に強く、励起吸収スペクトルのピーク波長が420nmから470nm付近にさせることができる。 On the other hand, even in activated yttrium-aluminum oxide-based red system capable of emitting light YAG phosphor is the phosphor with cerium, heat is garnet structure, resistant to light and moisture, the peak wavelength of the excitation absorption spectrum 420nm it can be in the vicinity of 470nm from. また、発光ピーク波長λ が600nm付近にあり750nm付近まで裾を引くブロードな発光スペクトルを持つ。 Also, having a broad emission spectrum emission peak wavelength lambda p is tails to around 750nm is in the vicinity of 600 nm.

ガーネット構造を持ったYAG系蛍光体の組成の内、Alの一部をGaで置換することで発光スペクトルが短波長側にシフトし、また組成のYの一部をGd及び/又はLaで置換することで、発光スペクトルが長波長側へシフトする。 Among the composition of YAG fluorescent material having a garnet structure, substituted shifting a part of Al in the emission spectrum short wavelength side by substituting Ga, also a part of Y of the composition with Gd and / or La doing, the emission spectrum is shifted to longer wavelengths. このように組成を変化することで発光色を連続的に調節することが可能である。 It is possible to continuously adjust the luminescent color by varying the way the composition. したがって、長波長側の強度がGdの組成比で連続的に変えられるなど窒化物半導体の青色系発光を利用して白色系発光に変換するための理想条件を備えている。 Therefore, a ideal conditions for converting by using a blue light-emitting nitride semiconductor, such as intensity of the long wavelength side is varied continuously in the composition ratio of Gd to white light. Yの置換が2割未満では、緑色成分が大きく赤色成分が少なくなり、8割以上では、赤み成分が増えるものの輝度が急激に低下する。 Substitution of Y is less than 20%, greater red component is a green component is reduced, in more than 80%, the brightness of those red component increases sharply drops. また、励起吸収スペクトルについても同様に、ガーネット構造を持ったYAG系蛍光体の組成の内、Alの一部をGaで置換することで励起吸収スペクトルが短波長側にシフトし、また組成のYの一部をGd及び/又はLaで置換することで、励起吸収スペクトルが長波長側へシフトする。 Similarly, the excitation spectrum, among the composition of YAG fluorescent material having garnet structure shifts a portion of the Al to the short wavelength side excitation absorption spectrum by substituting Ga, In addition the composition Y a portion of it be substituted with Gd and / or La, the excitation absorption spectrum is shifted to longer wavelengths. YAG系蛍光体の励起吸収スペクトルのピーク波長は、発光素子の発光スペクトルのピーク波長より短波長側にあることが好ましい。 Peak wavelength of the excitation spectrum of YAG fluorescent material is preferably from the peak wavelength of the emission spectrum of the light-emitting element is on the short wavelength side. このように構成すると、発光素子に投入する電流を増加させた場合、励起吸収スペクトルのピーク波長は、発光素子の発光スペクトルのピーク波長にほぼ一致するため、蛍光体の励起効率を低下させることなく、色度ズレの発生を抑えた発光装置を形成することができる。 With this configuration, when increasing the current to be introduced into the light-emitting element, the peak wavelength of the excitation absorption spectrum to substantially match the peak wavelength of the emission spectrum of the light-emitting element, without reducing the excitation efficiency of the phosphor , it is possible to form a light emitting device that suppresses the generation of chromaticity deviation.

このような蛍光体は、Y、Gd、Ce、La、Al、Sm、Pr、Tb及びGaの原料として酸化物、又は高温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学量論比で十分に混合して原料を得る。 Such phosphors, Y, Gd, Ce, La, Al, Sm, Pr, oxides as a raw material of Tb and Ga, or using readily become oxide compounds at high temperatures, they stoichiometry obtain raw material mixed well in. 又は、Y、Gd、Ce、La、Sm、Pr、Tbの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウム、酸化ガリウムとを混合して混合原料を得る。 Or, Y, Gd, Ce, La, Sm, Pr, and coprecipitated oxide obtained by firing that the solution, which is obtained by dissolving rare earth elements Tb acid in a stoichiometric ratio coprecipitated with oxalic acid, oxidation aluminum, to obtain a mixed raw material by mixing a gallium oxide. これにフラックスとしてフッ化アンモニウム等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中1350〜1450°Cの温度範囲で2〜5時間焼成して焼成品を得、次に焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通すことで得ることができる。 This packed into a crucible and mixed with an appropriate amount of a fluoride such as ammonium fluoride as a flux, and fired 2-5 hours at a temperature range of 1350 to 1450 ° C in air to obtain a calcined product, then the fired product in water and a ball mill, washed, separated, dried, and finally can be obtained by passing a sieve. また、別の実施の形態における蛍光体の製造方法では、蛍光体の原料を混合した混合原料とフラックスからなる混合物を、大気中又は弱還元雰囲気中にて行う第一焼成工程と、還元雰囲気中にて行う第二焼成工程とからなる、二段階で焼成することが好ましい。 In the manufacturing method of the phosphor according to another embodiment, a mixture consisting of mixed material and a flux of a mixture of raw materials of the phosphor, and the first firing step carried out in air or a weak reducing atmosphere, in a reducing atmosphere comprising a second firing step carried out at, it is preferably fired in two stages. ここで、弱還元雰囲気とは、混合原料から所望の蛍光体を形成する反応過程において必要な酸素量は少なくとも含むように設定された弱い還元雰囲気のことをいい、この弱還元雰囲気中において所望とする蛍光体の構造形成が完了するまで第一焼成工程を行うことにより、蛍光体の黒変を防止し、かつ光の吸収効率の低下を防止できる。 Here, a weak reducing atmosphere, the amount of oxygen required in the reaction process of forming a desired phosphor from the mix raw material refers to a weak reducing atmosphere is set so as to include at least a desired during the weak reducing atmosphere by structuring the phosphor performs the first firing step until completion of, and prevent the blackening of the phosphor, and the reduction in light absorption efficiency can be prevented. また、第二焼成工程における還元雰囲気とは、弱還元雰囲気より強い還元雰囲気をいう。 The reducing atmosphere in the second firing step refers to a strong reducing atmosphere than the weak reduced atmosphere. このように二段階で焼成すると、励起波長の吸収効率の高い蛍光体が得られる。 With this baked in two stages, the phosphor can be obtained with high absorption efficiency of the excitation wavelength. 従って、このように形成された蛍光体にて発光装置を形成した場合に、所望とする色調を得るために必要な蛍光体量を減らすことができ、光取り出し効率の高い発光装置を形成することができる。 Thus, the in the case of forming the light-emitting device in the thus formed phosphor, a desired color tone can reduce the amount of phosphor needed in order to obtain that, to form a light-emitting device with high light extraction efficiency can.

組成の異なる2種類以上の、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体を混合させて用いても良い。 Of two or more having different compositions may be used by mixing activated yttrium-aluminum oxide phosphor with cerium. また、各層に1種の蛍光体のみを含む多層構造としても良い。 Further, it may have a multilayered structure including only one type of phosphor layers. 多層構造の場合、発光素子から光をより波長側で吸収発光しやすい蛍光体層、それよりも波長側で吸収発光しやすい蛍光体層の順に配置させることが好ましい。 For multi-layer structure, absorption light easily phosphor layer at a long wavelength side light from the light emitting element, it is arranged in order of absorption light easily phosphor layer on the short wavelength side than preferred. これによって効率よく吸収及び発光させることができる。 This can be efficiently absorbed and emission.

(窒化物系蛍光体) (Nitride phosphor)
本実施の形態における蛍光物質は、Nを含み、かつBe、Mg、Ca、Sr、Ba、及びZnから選択された少なくとも一つの元素と、C、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、及びHfから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された窒化物系蛍光体とすることができる。 Fluorescent substance in the present embodiment includes the N, and Be, Mg, Ca, Sr, Ba, at least the one element selected from Zn and, C, Si, Ge, Sn, Ti, Zr, and Hf and at least one element selected from, can be at least one element activated with nitride phosphor selected from rare earth elements. また、本実施の形態に用いられる窒化物系蛍光体としては、半導体発光素子から発光された可視光、紫外線、及びYAG系蛍光体からの発光を吸収することによって励起され発光する蛍光体をいう。 As the nitride-based phosphor used in this embodiment refers the visible light emitted from the semiconductor light emitting element, ultraviolet, and a phosphor is excited to emit light by absorbing the light emitted from the YAG phosphor . 例えば、Ca−Ge−N:Eu,Z系、Sr−Ge−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Ge−N:Eu,Z系、Ca−Ge−O−N:Eu,Z系、Sr−Ge−O−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Ge−O−N:Eu,Z系、Ba−Si−N:Eu,Z系、Sr−Ba−Si−N:Eu,Z系、Ba−Si−O−N:Eu,Z系、Sr−Ba−Si−O−N:Eu,Z系、Ca−Si−C−N:Eu,Z系、Sr−Si−C−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Si−C−N:Eu,Z系、Ca−Si−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Si−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Si−C−O−N:Eu,Z系、Mg−Si−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Sr−Si−N:Eu,Z系、Sr−Mg−Si−N:Eu,Z系、Mg−Si−O− For example, Ca-Ge-N: Eu, Z system, Sr-Ge-N: Eu, Z system, Sr-Ca-Ge-N: Eu, Z system, Ca-Ge-O-N: Eu, Z system, Sr-Ge-O-N: Eu, Z system, Sr-Ca-Ge-O-N: Eu, Z system, Ba-Si-N: Eu, Z system, Sr-Ba-Si-N: Eu, Z system, Ba-Si-O-N: Eu, Z system, Sr-Ba-Si-O-N: Eu, Z system, Ca-Si-C-N: Eu, Z system, Sr-Si-C-N : Eu, Z system, Sr-Ca-Si-C-N: Eu, Z system, Ca-Si-C-O-N: Eu, Z system, Sr-Si-C-O-N: Eu, Z system , Sr-Ca-Si-C-O-N: Eu, Z system, Mg-Si-N: Eu, Z system, Mg-Ca-Sr-Si-N: Eu, Z system, Sr-Mg-Si- N: Eu, Z system, Mg-Si-O- :Eu,Z系、Mg−Ca−Sr−Si−O−N:Eu,Z系、Sr−Mg−Si−O−N:Eu,Z系、Ca−Zn−Si−C−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Si−C−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Zn−Si−C−N:Eu,Z系、Ca−Zn−Si−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Si−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Zn−Si−C−O−N:Eu,Z系、Mg−Zn−Si−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Zn−Sr−Si−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Mg−Si−N:Eu,Z系、Mg−Zn−Si−O−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Zn−Sr−Si−O−N:Eu,Z系、Sr−Mg−Zn−Si−O−N:Eu,Z系、Ca−Zn−Si−Sn−C−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Si−S : Eu, Z system, Mg-Ca-Sr-Si-O-N: Eu, Z system, Sr-Mg-Si-O-N: Eu, Z system, Ca-Zn-Si-C-N: Eu, Z system, Sr-Zn-Si-C-N: Eu, Z system, Sr-Ca-Zn-Si-C-N: Eu, Z system, Ca-Zn-Si-C-O-N: Eu, Z system, Sr-Zn-Si-C-O-N: Eu, Z system, Sr-Ca-Zn-Si-C-O-N: Eu, Z system, Mg-Zn-Si-N: Eu, Z system , Mg-Ca-Zn-Sr-Si-N: Eu, Z system, Sr-Zn-Mg-Si-N: Eu, Z system, Mg-Zn-Si-O-N: Eu, Z system, Mg- Ca-Zn-Sr-Si-O-N: Eu, Z system, Sr-Mg-Zn-Si-O-N: Eu, Z system, Ca-Zn-Si-Sn-C-N: Eu, Z system , Sr-Zn-Si-S −C−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Zn−Si−Sn−C−N:Eu,Z系、Ca−Zn−Si−Sn−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Si−Sn−C−O−N:Eu,Z系、Sr−Ca−Zn−Si−Sn−C−O−N:Eu,Z系、Mg−Zn−Si−Sn−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Zn−Sr−Si−Sn−N:Eu,Z系、Sr−Zn−Mg−Si−Sn−N:Eu,Z系、Mg−Zn−Si−Sn−O−N:Eu,Z系、Mg−Ca−Zn−Sr−Si−Sn−O−N:Eu,Z系、Sr−Mg−Zn−Si−Sn−O−N:Eu,Z系など種々の組み合わせの蛍光体を製造することができる。 -C-N: Eu, Z system, Sr-Ca-Zn-Si-Sn-C-N: Eu, Z system, Ca-Zn-Si-Sn-C-O-N: Eu, Z system, Sr- Zn-Si-Sn-C-O-N: Eu, Z system, Sr-Ca-Zn-Si-Sn-C-O-N: Eu, Z system, Mg-Zn-Si-Sn-N: Eu, Z system, Mg-Ca-Zn-Sr-Si-Sn-N: Eu, Z system, Sr-Zn-Mg-Si-Sn-N: Eu, Z system, Mg-Zn-Si-Sn-O-N : Eu, Z system, Mg-Ca-Zn-Sr-Si-Sn-O-N: Eu, Z system, Sr-Mg-Zn-Si-Sn-O-N: Eu, various combinations such as Z type it is possible to manufacture a phosphor. 希土類元素であるZは、Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Luのうち少なくとも1種以上が含有されていることが好ましいが、Sc、Sm、Tm、Ybが含有されていてもよい。 Is Z a rare earth element, Y, La, Ce, Pr, Nd, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, it is preferable that at least one kind is contained among Lu, Sc, Sm, Tm, Yb may be contained. これらの希土類元素は、単体の他、酸化物、イミド、アミド等の状態で原料中に混合する。 These rare earth elements, single addition, oxides, imides, and mixed in the raw material in the form of amide. 希土類元素は、主に安定な3価の電子配置を有するが、Yb、Sm等は2価、Ce、Pr、Tb等は4価の電子配置を有する。 Rare earth elements, has a predominantly stable trivalent electron configurations having, Yb, Sm and the like is divalent, Ce, Pr, and Tb, etc. tetravalent electron configuration. 酸化物の希土類元素を用いた場合、酸素の関与が蛍光体の発光特性に影響を及ぼす。 When using a rare earth element oxides, oxygen affects light emission characteristics of the phosphor. つまり酸素を含有することにより発光輝度の低下を生じる場合もある。 That sometimes results in a decrease of emission luminance by the inclusion of oxygen. その反面、残光を短くするなどの利点もある。 On the other hand, there is an advantage such as shortening the afterglow. 但し、Mnを用いると、粒径が大きくなり、発光輝度の向上を図ることができる。 However, the use of Mn, the grain size is increased, it is possible to improve the emission luminance.

例えば、共付活剤としてLaを使用する。 For example, using La as coactivator. 酸化ランタン(La )は、白色の結晶で、空気中に放置すると速やかに炭酸塩に代わるため、不活性ガス雰囲気中で保存する。 Lanthanum oxide (La 2 O 3) is a white crystalline, for an alternative to promptly carbonate on standing in air and stored in an inert gas atmosphere.
例えば、共付活剤としてPrを使用する。 For example, to use Pr as the co-activator. 酸化プラセオジム(Pr 11 )は、通常の希土類酸化物Z と異なり、非化学量論的酸化物で、プラセオジムのシュウ酸塩、水酸化物、炭酸塩などを空気中で焼く800℃に加熱するとPr 11の組成をもつ黒色の粉体として得られる。 Praseodymium oxide (Pr 6 O 11), unlike conventional rare earth oxide Z 2 O 3, in non-stoichiometric oxide, bake oxalate praseodymium, a hydroxide, and carbonates in air 800 When heated ℃ to obtain a black powder having a composition of Pr 6 O 11. Pr 11はプラセオジム化合物合成の出発物質となり、高純度のものも市販されている。 Pr 6 O 11 is a starting material of praseodymium compound synthesis, are also commercially available of high purity.

特に本発明に係る蛍光体は、Mnが添加されたSr−Ca−Si−N:Eu、Ca−Si−N:Eu、Sr−Si−N:Eu、Sr−Ca−Si−O−N:Eu、Ca−Si−O−N:Eu、Sr−Si−O−N:Eu系シリコンナイトライドである。 In particular phosphor according to the present invention, Mn is added Sr-Ca-Si-N: Eu, Ca-Si-N: Eu, Sr-Si-N: Eu, Sr-Ca-Si-O-N: Eu, Ca-Si-O-N: Eu, Sr-Si-O-N: is Eu-based silicon nitride. この蛍光体の基本構成元素は、一般式L Si (2/3X+4/3Y) :Eu若しくはL Si (2/3X+4/3Y−2/3Z) :Eu(Lは、Sr、Ca、SrとCaのいずれか。)で表される。 The basic constituent elements of the phosphor is represented by the general formula L X Si Y N (2 / 3X + 4 / 3Y): Eu or L X Si Y O Z N ( 2 / 3X + 4 / 3Y-2 / 3Z): Eu (L is Sr, Ca, represented by any one of Sr and Ca.). 一般式中、X及びYは、X=2、Y=5又は、X=1、Y=7であることが好ましいが、任意のものも使用できる。 In the formula, X and Y, X = 2, Y = 5 or is preferably a X = 1, Y = 7, can be used optional. 具体的には、基本構成元素は、Mnが添加された(Sr Ca 1−X Si :Eu、Sr Si :Eu、Ca Si :Eu、Sr Ca 1−X Si 10 :Eu、SrSi 10 :Eu、CaSi 10 :Euで表される蛍光体を使用することが好ましいが、この蛍光体の組成中には、Mg、Sr、Ca、Ba、Zn、B、Al、Cu、Mn、Cr及びNiからなる群より選ばれる少なくとも1種以上が含有されていてもよい。 Specifically, the basic constituent elements, Mn is added (Sr X Ca 1-X) 2 Si 5 N 8: Eu, Sr 2 Si 5 N 8: Eu, Ca 2 Si 5 N 8: Eu, Sr X Ca 1-X Si 7 N 10: Eu, SrSi 7 N 10: Eu, CaSi 7 N 10: it is preferable to use a phosphor represented by Eu, during the composition of the phosphor, Mg, sr, Ca, Ba, Zn, B, Al, Cu, Mn, at least one or more may be contained is selected from the group consisting of Cr and Ni. 但し、本発明は、この実施の形態及び実施例に限定されない。 However, the present invention is not limited to these embodiments and examples.
Lは、Sr、Ca、SrとCaのいずれかである。 L is either Sr, Ca, Sr and Ca. SrとCaは、所望により配合比を変えることができる。 Sr and Ca can be varied if desired blending ratio.
蛍光体の組成にSiを用いることにより安価で結晶性の良好な蛍光体を提供することができる。 It is possible to provide a good crystallinity phosphor inexpensive by using Si in the composition of the phosphor.

発光中心に希土類元素であるユウロピウムEuを用いる。 Using europium Eu which is a rare earth element to the light emitting center. ユウロピウムは、主に2価と3価のエネルギー準位を持つ。 Europium, mainly with the energy level of divalent and trivalent. 本発明の蛍光体は、母体のアルカリ土類金属系窒化ケイ素に対して、Eu 2+を付活剤として用いる。 Phosphor of the present invention, an alkali earth metal-based silicon nitride maternal Eu 2+ is used as an activator. Eu 2+は、酸化されやすく、3価のEu の組成で市販されている。 Eu 2+ is easily oxidized and commercially available in the composition of the trivalent Eu 2 O 3. しかし、市販のEu では、Oの関与が大きく、良好な蛍光体が得られにくい。 However, the commercially available Eu 2 O 3, large O involvement of a good phosphor is hardly obtained. そのため、Eu からOを、系外へ除去したものを使用することが好ましい。 Therefore, O from Eu 2 O 3, it is preferable to use a material obtained by removing out of the system. たとえば、ユウロピウム単体、窒化ユウロピウムを用いることが好ましい。 For example, europium alone, the use of europium nitride. 但し、Mnを添加した場合は、その限りではない。 However, if the addition of Mn, not as far as that.
Sr Si :Eu,Pr、Ba Si :Eu,Pr、Mg Si :Eu,Pr、Zn Si :Eu,Pr、SrSi 10 :Eu,Pr、BaSi 10 :Eu,Ce、MgSi 10 :Eu,Ce、ZnSi 10 :Eu,Ce、Sr Ge :Eu,Ce、Ba Ge :Eu,Pr、Mg Ge :Eu,Pr、Zn Ge :Eu,Pr、SrGe 10 :Eu,Ce、BaGe 10 :Eu,Pr、MgGe 10 :Eu,Pr、ZnGe 10 :Eu,Ce、Sr 1.8 Ca 0.2 Si :Eu,Pr、Ba 1.8 Ca 0.2 Si :Eu,Ce、Mg 1.8 Ca 0.2 Si Sr 2 Si 5 N 8: Eu , Pr, Ba 2 Si 5 N 8: Eu, Pr, Mg 2 Si 5 N 8: Eu, Pr, Zn 2 Si 5 N 8: Eu, Pr, SrSi 7 N 10: Eu , Pr, BaSi 7 N 10: Eu, Ce, MgSi 7 N 10: Eu, Ce, ZnSi 7 N 10: Eu, Ce, Sr 2 Ge 5 N 8: Eu, Ce, Ba 2 Ge 5 N 8: Eu, Pr, Mg 2 Ge 5 N 8 : Eu, Pr, Zn 2 Ge 5 N 8: Eu, Pr, SrGe 7 N 10: Eu, Ce, BaGe 7 N 10: Eu, Pr, MgGe 7 N 10: Eu, Pr , ZnGe 7 N 10: Eu, Ce, Sr 1.8 Ca 0.2 Si 5 N 8: Eu, Pr, Ba 1.8 Ca 0.2 Si 5 N 8: Eu, Ce, Mg 1.8 Ca 0 .2 Si 5 N 8 :Eu,Pr、Zn 1.8 Ca 0.2 Si :Eu,Ce、Sr 0.8 Ca 0.2 Si 10 :Eu,La、Ba 0.8 Ca 0.2 Si 10 :Eu,La、Mg 0.8 Ca 0.2 Si 10 :Eu,Nd、Zn 0.8 Ca 0.2 Si 10 :Eu,Nd、Sr 0.8 Ca 0.2 Ge 10 :Eu,Tb、Ba 0.8 Ca 0.2 Ge 10 :Eu,Tb、Mg 0.8 Ca 0.2 Ge 10 :Eu,Pr、Zn 0.8 Ca 0.2 Ge 10 :Eu、Pr、Sr 0.8 Ca 0.2 Si GeN 10 :Eu,Pr、Ba 0.8 Ca 0.2 Si GeN 10 :Eu,Pr、Mg 0.8 Ca 0.2 Si GeN 10 :Eu,Y、Zn 0.8 Ca 0.2 Si : Eu, Pr, Zn 1.8 Ca 0.2 Si 5 N 8: Eu, Ce, Sr 0.8 Ca 0.2 Si 7 N 10: Eu, La, Ba 0.8 Ca 0.2 Si 7 N 10: Eu, La, Mg 0.8 Ca 0.2 Si 7 N 10: Eu, Nd, Zn 0.8 Ca 0.2 Si 7 N 10: Eu, Nd, Sr 0.8 Ca 0.2 Ge 7 N 10: Eu, Tb, Ba 0.8 Ca 0.2 Ge 7 N 10: Eu, Tb, Mg 0.8 Ca 0.2 Ge 7 N 10: Eu, Pr, Zn 0.8 Ca 0.2 Ge 7 N 10: Eu, Pr, Sr 0.8 Ca 0.2 Si 6 GeN 10: Eu, Pr, Ba 0.8 Ca 0.2 Si 6 GeN 10: Eu, Pr, Mg 0.8 Ca 0.2 Si 6 GeN 10: Eu, Y , Zn 0.8 Ca 0.2 Si GeN 10 :Eu,Y、Sr Si :Pr、Ba Si :Pr、Sr Si :Tb、BaGe 10 :Ceなどが製造できるがこれに限定されない。 GeN 10: Eu, Y, Sr 2 Si 5 N 8: Pr, Ba 2 Si 5 N 8: Pr, Sr 2 Si 5 N 8: Tb, BaGe 7 N 10: Ce , etc. can be manufactured without limitation.

添加物であるMnは、Eu 2+の拡散を促進し、発光輝度、エネルギー効率、量子効率等の発光効率の向上を図る。 Is additive Mn promotes the diffusion of Eu 2+, reduce emission luminance, energy efficiency, the improvement of luminous efficiency, such as quantum efficiency. Mnは、原料中に含有させるか、又は、製造工程中にMn単体若しくはMn化合物を含有させ、原料と共に焼成する。 Mn is that it is added in the starting material, or by incorporating Mn alone or Mn compounds during the manufacturing process and fired along with raw materials. 但し、Mnは、焼成後の基本構成元素中に含有されていないか、含有されていても当初含有量と比べて少量しか残存していない。 However, Mn is either not contained in the basic constituting elements after firing, only does not remain a small amount compared to the initial content be contained. これは、焼成工程において、Mnが飛散したためであると思われる。 This is in the firing step, seems to Mn it is because scattered.

蛍光体には、基本構成元素中に、若しくは、基本構成元素とともに、Mg、Ga,In,Li、Na,K、Re、Mo、Fe,Sr、Ca、Ba、Zn、B、Al、Cu、Mn、Cr、O及びNiからなる群より選ばれる少なくとも1種以上を含有する。 The phosphor, in the basic constituent elements, or, together with the basic constituent elements, Mg, Ga, In, Li, Na, K, Re, Mo, Fe, Sr, Ca, Ba, Zn, B, Al, Cu, Mn, Cr, containing at least one selected from the group consisting of O and Ni. これらの元素は、粒径を大きくしたり、発光輝度を高めたりする等の作用を有している。 These elements have the effect of such a larger particle size or, and increasing the light emission luminance. また、B、Al、Mg、Cr及びNiは、残光を抑えることができるという作用を有している。 Also, B, Al, Mg, Cr and Ni have the effect that it is possible to suppress the afterglow.

このような窒化物系蛍光体は、半導体発光素子によって発光された青色光の一部を吸収して黄から赤色領域の光を発光する。 Such nitride-based phosphor emits light in the red region from yellow absorbs a part of blue light emitted by the semiconductor light emitting element. 窒化物系蛍光体をYAG系蛍光体と共に上記の構成を有する発光装置に使用して、半導体発光素子により発光された青色光と、窒化物系蛍光体による黄色から赤色光とが混色により暖色系の白色系の混色光を発光する発光装置を提供する。 Nitride phosphor together with the YAG phosphor used in the light emitting device having the configuration described above, the blue light emitted by the semiconductor light emitting element, warm color by the red light and the color mixing from yellow due nitride phosphor to provide a light emitting device that emits white-based mixed light of. 窒化物系蛍光体の他に加える蛍光体には、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質が含有されていることが好ましい。 The phosphor applied to other nitride-based fluorescent material, it is preferable that activated yttrium-aluminum oxide fluorescent substance is contained in cerium. 前記イットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質を含有することにより、所望の色度に調節することができるからである。 By containing the yttrium-aluminum oxide fluorescent substance, it is because it is possible to adjust the desired chromaticity. セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質は、半導体発光素子により発光された青色光の一部を吸収して黄色領域の光を発光する。 Yttrium aluminum oxide fluorescent substance activated with cerium absorbs part of blue light emitted by the semiconductor light emitting element emits light in the yellow region. ここで、半導体発光素子により発光された青色光と、イットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質の黄色光とが混色により青白い白色に発光する。 Here, the blue light emitted by the semiconductor light emitting element, a yellow light of the yttrium-aluminum oxide fluorescent substance emits bluish white by color mixing. 従って、このイットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質と赤色発光する蛍光体とを、透光性を有するコーティング部材中に一緒に混合し、半導体発光素子により発光された青色光とを組み合わせることにより白色系の混色光を発光する発光装置を提供することができる。 Thus, a phosphor that this yttrium aluminum oxide fluorescent substance and a red-emitting, were mixed together in a coating member having transparency, whitish by combining the blue light emitted by the semiconductor light emitting element it is possible to provide a light emitting device for emitting mixed color light. 特に好ましいのは、色度が色度図における黒体放射の軌跡上に位置する白色の発光装置である。 Especially preferred is a white light emitting device chromaticity is positioned on the locus of blackbody radiation in the chromaticity diagram. 但し、所望の色温度の発光装置を提供するため、イットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質の蛍光体量と、赤色発光の蛍光体量を適宜変更することもできる。 However, in order to provide a light emitting device having a desired color temperature, it may be changed and the phosphor amount of the yttrium-aluminum oxide fluorescent substance, the fluorescent substance of the red light-emitting as appropriate. この白色系の混色光を発光する発光装置は、特殊演色評価数R9の改善を図っている。 Emitting device for emitting mixed light of the white is aimed at improving the special color rendering index R9. 従来の青色発光素子とセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質との組合せのみの白色系発光装置は、色温度T cp =4600K付近において特殊演色評価数R9がほぼ0に近く、赤み成分が不足していた。 The white light-emitting device of the combination only with conventional activated yttrium-aluminum oxide fluorescent substance in a blue light-emitting element and cerium, close to the color temperature T cp = special color rendering near 4600K index R9 approximately 0, redness component was insufficient. そのため特殊演色評価数R9を高めることが解決課題となっていたが、本発明において赤色発光の蛍光体をイットリウム・アルミニウム酸化物蛍光物質と共に用いることにより、色温度T cp =4600K付近において特殊演色評価数R9を40付近まで高めることができる。 Therefore it has been a solving problem to enhance the specific color rendering index R9, by using the phosphor emitting red light with the yttrium-aluminum oxide fluorescent substance in the present invention, the special color rendering index in the vicinity of the color temperature T cp = 4600K the number R9 can be increased to around 40.

次に、本発明に係る蛍光体((Sr Ca 1−X Si :Eu)の製造方法を説明するが、本製造方法に限定されない。 Next, the phosphor according to the present invention: is described a method of manufacturing the ((Sr X Ca 1-X ) 2 Si 5 N 8 Eu), but is not limited to this manufacturing method. 上記蛍光体には、Mn、Oが含有されている。 The above phosphor, Mn, O is contained.
原料のSr、Caを粉砕する。 Raw material Sr, and Ca are pulverized. 原料のSr、Caは、単体を使用することが好ましいが、イミド化合物、アミド化合物などの化合物を使用することもできる。 Material of Sr, Ca, it is preferable to use a single, can also be used an imide compound, a compound such as an amide compound. また原料Sr、Caには、B、Al、Cu、Mg、Mn、MnO、Mn 、Al などを含有するものでもよい。 The raw material Sr, the Ca, B, Al, Cu, Mg, Mn, MnO, may contain a like Mn 2 O 3, Al 2 O 3. 原料のSr、Caは、アルゴン雰囲気中、グローブボックス内で粉砕を行う。 Material of Sr, Ca is carried in an argon atmosphere, crushed in a glove box. 粉砕により得られたSr、Caは、平均粒径が約0.1μmから15μmであることが好ましいが、この範囲に限定されない。 And Sr, Ca, which is obtained by grinding, it is preferable that the average particle size of 15μm from about 0.1 [mu] m, but is not limited to this range. Sr、Caの純度は、2N以上であることが好ましいが、これに限定されない。 Sr, the purity of Ca is preferably not less than 2N, but is not limited thereto. より混合状態を良くするため、金属Ca、金属Sr、金属Euのうち少なくとも1以上を合金状態としたのち、窒化し、粉砕後、原料として用いることもできる。 For better and more mixed state, after the metal Ca, metal Sr, at least one or more of the metals Eu was an alloy state, it can be used to nitride, pulverized, as a raw material.

原料のSiを粉砕する。 Grinding the Si of raw materials. 原料のSiは、単体を使用することが好ましいが、窒化物化合物、イミド化合物、アミド化合物などを使用することもできる。 Si of a raw material, it is preferable to use a single, it is also possible to use a nitride compound, an imide compound, an amide compound and the like. 例えば、Si 、Si(NH 、Mg Siなどである。 For example, Si 3 N 4, Si ( NH 2) , etc. 2, Mg 2 Si. 原料のSiの純度は、3N以上のものが好ましいが、Al 、Mg、金属ホウ化物(Co B、Ni B、CrB)、酸化マンガン、H BO 、B 、Cu O、CuOなどの化合物が含有されていてもよい。 The purity of stock material Si is preferably more than one 3N, Al 2 O 3, Mg , metal boride (Co 3 B, Ni 3 B , CrB), manganese oxide, H 3 BO 3, B 2 O 3, Cu 2 O, compounds such as CuO may be contained. Siも、原料のSr、Caと同様に、アルゴン雰囲気中、若しくは、窒素雰囲気中、グローブボックス内で粉砕を行う。 Si also material of Sr, as with Ca, performed in an argon atmosphere or nitrogen atmosphere, pulverized in a glove box. Si化合物の平均粒径は、約0.1μmから15μmであることが好ましい。 The average particle diameter of the Si compound is preferably from about 0.1μm is 15 [mu] m.

次に、原料のSr、Caを、窒素雰囲気中で窒化する。 Next, raw materials of Sr, the Ca, nitrided in a nitrogen atmosphere. この反応式を、以下の式1および式2にそれぞれ示す。 The reaction scheme, shown respectively in Formula 1 and Formula 2 below.
3Sr + N → Sr ・・・(式1) 3Sr + N 2 → Sr 3 N 2 ··· ( Equation 1)
3Ca + N → Ca ・・・(式2) 3Ca + N 2 → Ca 3 N 2 ··· ( Equation 2)
Sr、Caを、窒素雰囲気中、600〜900℃、約5時間、窒化する。 Sr, and Ca, in a nitrogen atmosphere, 600 to 900 ° C., for about 5 hours, nitrided. Sr、Caは、混合して窒化しても良いし、それぞれ個々に窒化しても良い。 Sr, Ca may be nitrided by mixing, respectively may be nitrided individually. これにより、Sr、Caの窒化物を得ることができる。 Thus, it is possible to obtain Sr, the nitride of Ca. Sr、Caの窒化物は、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。 Sr, nitride of Ca is of high purity are preferred, it can be used commercially.

原料のSiを、窒素雰囲気中で窒化する。 The stock material Si is nitrided in nitrogen atmosphere. この反応式を、以下の式3に示す。 The reaction scheme is shown in equation 3 below.
3Si + 2N → Si ・・・(式3) 3Si + 2N 2 → Si 3 N 4 ··· ( Equation 3)
ケイ素Siも、窒素雰囲気中、800〜1200℃、約5時間、窒化する。 Silicon Si is also in a nitrogen atmosphere, 800 to 1200 ° C., for about 5 hours, nitrided. これにより、窒化ケイ素を得る。 This gives a silicon nitride. 本発明で使用する窒化ケイ素は、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。 Silicon nitride used in the present invention is of high purity are preferred, it can be used commercially.

Sr、Ca若しくはSr−Caの窒化物を粉砕する。 Sr, grinding the nitride of Ca or Sr-Ca. Sr、Ca、Sr−Caの窒化物を、アルゴン雰囲気中、若しくは、窒素雰囲気中、グローブボックス内で粉砕を行う。 Sr, Ca, a nitride of Sr-Ca, in argon atmosphere or nitrogen atmosphere, pulverized in a glove box performs. 同様に、Siの窒化物を粉砕する。 Similarly, grinding the nitride of Si. また、同様に、Euの化合物Eu を粉砕する。 Similarly, grinding the compound Eu 2 O 3 of Eu. Euの化合物として、酸化ユウロピウムを使用するが、金属ユウロピウム、窒化ユウロピウムなども使用可能である。 As compound of Eu, but using europium oxide, metal europium, it can also be used such as europium nitride. このほか、原料のZは、イミド化合物、アミド化合物を用いることもできる。 In addition, Z in the starting material can also be used an imide compound, an amide compound. 酸化ユウロピウムは、高純度のものが好ましいが、市販のものも使用することができる。 Europium oxide is of high purity are preferred, it can be used commercially. 粉砕後のアルカリ土類金属の窒化物、窒化ケイ素及び酸化ユウロピウムの平均粒径は、約0.1μmから15μmであることが好ましい。 Nitride of alkaline earth metals after the pulverization, the average particle size of the silicon nitride and europium oxide is preferably from about 0.1μm is 15 [mu] m.

上記原料中には、Mg、Sr、Ca、Ba、Zn、B、Al、Cu、Mn、Cr、O及びNiからなる群より選ばれる少なくとも1種以上が含有されていてもよい。 The above in the raw materials, Mg, Sr, Ca, Ba, Zn, B, Al, Cu, Mn, Cr, at least one selected from the group consisting of O and Ni may be contained. また、Mg、Zn、B等の上記元素を以下の混合工程において、配合量を調節して混合することもできる。 Also, Mg, Zn, in the mixing step follows the above-mentioned elements such as B, it may be mixed by adjusting the amount. これらの化合物は、単独で原料中に添加することもできるが、通常、化合物の形態で添加される。 These compounds alone may be added in the raw material, usually added in the form of compounds. この種の化合物には、H BO 、Cu 、MgCl 、MgO・CaO、Al 、金属ホウ化物(CrB、Mg 、AlB 、MnB)、B 、Cu O、CuOなどがある。 This class of compounds, H 3 BO 3, Cu 2 O 3, MgCl 2, MgO · CaO, Al 2 O 3, metal borides (CrB, Mg 3 B 2, AlB 2, MnB), B 2 O 3 , Cu 2 O, and the like CuO.

上記粉砕を行った後、Sr、Ca、Sr−Caの窒化物、Siの窒化物、Euの化合物Eu を混合し、Mnを添加する。 After the grinding, Sr, Ca, nitride of Sr-Ca, nitride of Si, a mixture of compound Eu 2 O 3 of Eu, adding Mn. これらの混合物は、酸化されやすいため、Ar雰囲気中、又は、窒素雰囲気中、グローブボックス内で、混合を行う。 These mixtures, and it is easily oxidized in an Ar atmosphere or in a nitrogen atmosphere, in a glove box, mixing is carried out.

最後に、Sr、Ca、Sr−Caの窒化物、Siの窒化物、Euの化合物Eu の混合物をアンモニア雰囲気中で、焼成する。 Finally, Sr, Ca, nitride of Sr-Ca, nitride of Si, a mixture of compounds Eu, Eu 2 O 3 in an ammonia atmosphere, fired. 焼成により、Mnが添加された(Sr Ca 1−X Si :Euで表される蛍光体を得ることができる。 Firing the, Mn is added (Sr X Ca 1-X) 2 Si 5 N 8: it is possible to obtain a phosphor represented by Eu. ただし、各原料の配合比率を変更することにより、目的とする蛍光体の組成を変更することができる。 However, by changing the mixing ratio of each raw material, it is possible to change the composition of the phosphor of interest.

焼成は、管状炉、小型炉、高周波炉、メタル炉などを使用することができる。 Firing the tubular furnace, compact furnace, a high-frequency furnace, and the like can be used metal furnace. 焼成温度は、1200から1700℃の範囲で焼成を行うことができるが、1400から1700℃の焼成温度が好ましい。 Firing temperature, can be carried out firing in the range of 1200 1700 ° C., preferably the firing temperature of 1400 from 1700 ° C. is. 焼成は、徐々に昇温を行い1200から1500℃で数時間焼成を行う一段階焼成を使用することが好ましいが、800から1000℃で一段階目の焼成を行い、徐々に加熱して1200から1500℃で二段階目の焼成を行う二段階焼成(多段階焼成)を使用することもできる。 Firing, it is preferable to use a one-step firing to perform firing several hours gradually 1200 from 1500 ° C. After the temperature was elevated and fired one stage at 1000 ° C. from 800, from 1200 gradually heated two-stage calcination and baked in the second stage at 1500 ° C. the (multi-step firing) can be used. 蛍光体の原料は、窒化ホウ素(BN)材質のるつぼ、ボートを用いて焼成を行うことが好ましい。 Material of the phosphor, it is preferable to perform baking using boron nitride (BN) material crucible, a boat. 窒化ホウ素材質のるつぼの他に、アルミナ(Al )材質のるつぼを使用することもできる。 Other boron nitride material quality of the crucible, alumina (Al 2 O 3) can also be used materials of the crucible.
以上の製造方法を使用することにより、目的とする蛍光体を得ることが可能である。 By using the above manufacturing method, it is possible to obtain a phosphor of interest.

本発明の実施例において、赤味を帯びた光を発光する蛍光体として、特に窒化物系蛍光体を使用するが、本発明においては、上述したYAG系蛍光体と赤色系の光を発光可能な蛍光体とを備える発光装置とすることも可能である。 In an embodiment of the present invention, as a phosphor that emits light reddish, particularly but using a nitride phosphor, in the present invention, capable of emitting light of a YAG-based phosphor and a red system described above it is also possible to a light emitting device and a phosphor. このような赤色系の光を発光可能な蛍光体は、波長が400〜600nmの光によって励起されて発光する蛍光体であり、例えば、Y S:Eu、La S:Eu、CaS:Eu、SrS:Eu、ZnS:Mn、ZnCdS:Ag,Al、ZnCdS:Cu,Al等が挙げられる。 Such red-emitting phosphor capable of light of a phosphor wavelength emits light when excited by light of 400 to 600 nm, for example, Y 2 O 2 S: Eu , La 2 O 2 S: Eu , CaS: Eu, SrS: Eu, ZnS: Mn, ZnCdS: Ag, Al, ZnCdS: Cu, Al, and the like. このようにYAG系蛍光体とともに赤色系の光を発光可能な蛍光体を使用することにより発光装置の演色性を向上させることが可能である。 It is possible to improve the color rendering of the light emitting device by using thus capable of emitting fluorescent light of a red-based color with YAG phosphor.

以上のようにして形成されるアルミニウム・ガーネット系蛍光体、および窒化物系蛍光体に代表される赤色系の光を発光可能な蛍光体は、発光素子の周辺において一層からなる波長変換部材中に二種類以上存在してもよいし、二層からなる波長変換部材中にそれぞれ一種類あるいは二種類以上存在してもよい。 Aluminum garnet-based phosphor is formed as described above, and the nitride-based phosphor capable of emitting red light represented phosphor is in the wavelength conversion member in composed of one in the vicinity of the light emitting element it may exist two or more, may be present one kind or two more kinds in the wavelength conversion member consisting of two layers. このような構成にすると、異なる種類の蛍光体からの光の混色による混色光が得られる。 With such a configuration, color mixing light by mixing light from different kinds of phosphors can be obtained. この場合、各蛍光物質から発光される光をより良く混色しかつ色ムラを減少させるために、各蛍光体の平均粒径及び形状は類似していることが好ましい。 In this case, in order to reduce the better mixing vital color unevenness of light emitted from the fluorescent substance, it is preferable that the average particle size and shape of each phosphor is similar. また、窒化物系蛍光体は、YAG系蛍光体により波長変換された光の一部を吸収してしまうことを考慮して、窒化系蛍光体がYAG系蛍光体より発光素子に近い位置に配置されるように波長変換部材を形成することが好ましい。 Further, the nitride-based phosphor, and considering that absorbs a part of the wavelength converted light by the YAG phosphor, disposed nitride phosphor is in a position closer to the light emitting element than the YAG fluorescent material it is preferable to form the wavelength converting member to be. このように構成することによって、YAG蛍光体により波長変換された光の一部が窒化物系蛍光体に吸収されてしまうことがなくなり、YAG系蛍光体と窒化物系蛍光体とを混合して含有させた場合と比較して、混色光の演色性を向上させることができる。 By this constitution, part of the light whose wavelength is converted by YAG phosphor prevents the is absorbed by the nitride phosphor, by mixing a YAG phosphor and the nitride phosphor as compared with the case of containing, it is possible to improve the color rendering of the mixed light. また、窒化物系蛍光体を含む第一の蛍光体層は、半導体発光素子の少なくとも一部を被覆し、YAG系蛍光体を含む第二の蛍光体層は、第一の蛍光体層と半導体発光素子の少なくとも一部とを被覆する蛍光体積層構造とすることが好ましい。 Further, the first phosphor layer containing a nitride phosphor, covers at least a portion of the semiconductor light emitting element, the second phosphor layer containing the YAG-based phosphor, the first phosphor layer and the semiconductor it is preferable that the phosphor multilayer structure that covers at least a portion of the light emitting element. このように構成することにより、窒化物蛍光体およびYAG系蛍光体が半導体発光素子の光により直接励起されることにより、蛍光体の励起効率を向上させることができる。 With this configuration, by the nitride phosphor and the YAG phosphor is excited directly by light from the semiconductor light-emitting element, it is possible to improve the excitation efficiency of the phosphor.

(アルカリ土類金属塩) (Alkaline earth metal salt)
本実施の形態における発光装置は、発光素子が発光した光の一部を吸収し、その吸収した光の波長と異なる波長を有する光を発光する蛍光体として、ユウロピウムで付活されたアルカリ土類金属珪酸塩を有することもできる。 Light-emitting device in this embodiment absorbs part of the light emitting element emits light, a phosphor emitting light having a wavelength different from that of the absorbed light, activated alkaline earth europium It may also have a metal silicate. 該アルカリ土類金属珪酸塩は、以下のような一般式で表されるアルカリ土類金属オルト珪酸塩が好ましい。 The alkaline earth metal silicates, alkaline earth metal orthosilicate is preferably represented by the general formula below.
(2−x−y)SrO・x(Ba,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO ・aP bAl cB dGeO :yEu 2+ (式中、0<x<1.6、0.005<y<0.5、0<a、b、c、d<0.5である。) (2-x-y) SrO · x (Ba, Ca) O · (1-a-b-c-d) SiO 2 · aP 2 O 5 bAl 2 O 3 cB 2 O 3 dGeO 2: yEu 2+ ( Equation in a 0 <x <1.6,0.005 <y <0.5,0 <a, b, c, d <0.5.)
(2−x−y)BaO・x(Sr,Ca)O・(1−a−b−c−d)SiO ・aP bAl cB dGeO :yEu 2+ (式中、0.01<x<1.6、0.005<y<0.5、0<a、b、c、d<0.5である。) (2-x-y) BaO · x (Sr, Ca) O · (1-a-b-c-d) SiO 2 · aP 2 O 5 bAl 2 O 3 cB 2 O 3 dGeO 2: yEu 2+ ( Equation in a 0.01 <x <1.6,0.005 <y <0.5,0 <a, b, c, d <0.5.)
ここで、好ましくは、a、b、cおよびdの値のうち、少なくとも一つが0.01より大きい。 Here, preferably, a, b, of the values ​​of c and d, at least one is greater than 0.01.

本実施の形態における発光装置は、アルカリ土類金属塩からなる蛍光体として、上述したアルカリ土類金属珪酸塩の他、ユウロピウムおよび/またはマンガンで付活されたアルカリ土類金属アルミン酸塩やY(V,P,Si)O :Eu、または次式で示されるアルカリ土類金属−マグネシウム−二珪酸塩を有することもできる。 The light emitting device of this embodiment, as a phosphor consisting of alkaline earth metal salts, other alkali earth metal silicate as described above, europium and / or alkaline earth were activated with manganese metal aluminates and Y (V, P, Si) O 4: Eu or alkaline earth metals represented by the following formula, - magnesium - may also have a two-silicate.
Me(3−x−y)MgSi :xEu,yMn(式中、0.005<x<0.5、0.005<y<0.5、Meは、Baおよび/またはSrおよび/またはCaを示す。) Me (3-x-y) MgSi 2 O 3: xEu, yMn ( wherein, 0.005 <x <0.5,0.005 <y <0.5, Me is, Ba and / or Sr and / or an Ca.)

次に、本実施の形態におけるアルカリ土類金属珪酸塩からなる蛍光体の製造工程を説明する。 Next, the phosphor of the manufacturing process consisting of alkaline earth metal silicate in the present embodiment.
アルカリ土類金属珪酸塩の製造のために、選択した組成に応じて出発物質アルカリ土類金属炭酸塩、二酸化珪素ならびに酸化ユウロピウムの化学量論的量を密に混合し、かつ、蛍光体の製造に常用の固体反応で、還元性雰囲気のもと、温度1100℃および1400℃で所望の蛍光体に変換する。 For the preparation of alkaline earth metal silicate, intimately mixed stoichiometric amounts of the starting materials alkaline earth metal carbonate, silicon dioxide and europium oxide depending on the composition selected, and the manufacture of Phosphor to in a conventional solid reaction under a reducing atmosphere to convert to a desired phosphor at temperatures 1100 ° C. and 1400 ° C.. この際、0.2モル未満の塩化アンモニウムまたは他のハロゲン化物を添加することが好ましい。 In this case, it is preferable to add ammonium chloride or another halide of less than 0.2 mol. また、必要に応じて珪素の一部をゲルマニウム、ホウ素、アルミニウム、リンで置換することもできるし、ユウロピウムの一部をマンガンで置換することもできる。 Further, a portion of silicon optionally germanium, boron, aluminum, can either be replaced by phosphorus, it is also possible to replace part of europium manganese.

上述したような蛍光体、即ち、ユウロピウムおよび/またはマンガンで付活されたアルカリ土類金属アルミン酸塩やY(V,P,Si)O :Eu、Y S:Eu 3+の一つまたはこれらの蛍光体を組み合わせることによって、以下の表に実施例として示されるように、所望の色温度を有する発光色および高い色再現性を得ることができる。 Phosphor as described above, i.e., europium and / or alkaline earth were activated with manganese metal aluminate or Y (V, P, Si) O 4: Eu, Y 2 O 2 S: Eu 3+ one One or by combining these phosphors, as shown as an example in the following table, it is possible to obtain the emission color and a high color reproducibility with a desired color temperature.

(その他の蛍光体) (Other phosphor)
本実施の形態において、蛍光体として紫外光により励起されて所定の色の光を発生する蛍光体も用いることができ、具体例として、例えば、 In the present embodiment, by being excited by ultraviolet light as the phosphor can also be used a phosphor which generates light of a predetermined color, as a specific example, for example,
(1)Ca 10 (PO FCl:Sb,Mn (1) Ca 10 (PO 4 ) 6 FCl: Sb, Mn
(2)M (PO Cl:Eu(但し、MはSr、Ca、Ba、Mgから選択される少なくとも一種) (2) M 5 (PO 4 ) 3 Cl: Eu ( provided that at least one M is selected Sr, Ca, Ba, from Mg)
(3)BaMg Al 1627 :Eu (3) BaMg 2 Al 16 O 27: Eu
(4)BaMg Al 1627 :Eu、Mn (4) BaMg 2 Al 16 O 27: Eu, Mn
(5)3.5MgO・0.5MgF ・GeO :Mn (5) 3.5MgO · 0.5MgF 2 · GeO 2: Mn
(6)Y S:Eu (6) Y 2 O 2 S : Eu
(7)Mg As 11 :Mn (7) Mg 6 As 2 O 11: Mn
(8)Sr Al 1425 :Eu (8) Sr 4 Al 14 O 25: Eu
(9)(Zn、Cd)S:Cu (9) (Zn, Cd) S: Cu
(10)SrAl :Eu (10) SrAl 2 O 4: Eu
(11)Ca 10 (PO ClBr:Mn、Eu (11) Ca 10 (PO 4 ) 6 ClBr: Mn, Eu
(12)Zn GeO :Mn (12) Zn 2 GeO 4: Mn
(13)Gd S:Eu、及び(14)La S:Eu等が挙げられる。 (13) Gd 2 O 2 S : Eu, and (14) La 2 O 2 S : Eu , and the like.
また、これらの蛍光体は、一層からなる波長変換部材中に単独で用いても良いし、混合して用いてもよい。 These phosphors may be used alone in the wavelength conversion member composed of one, it may be used as a mixture. さらに、二層以上が積層されてなる波長変換部材中の各層に、これらの蛍光体を単独で用いても良いし、混合して用いてもよい。 Further, to each layer in the wavelength conversion member two or more layers are laminated, may be used these phosphors alone, it may be used by mixing.

<拡散剤> <Diffusing agent>
蛍光体層中に拡散剤を配合することによって、蛍光体層中の蛍光体の配合量を減らし、発光輝度を高めた蛍光体層を得ることができる。 By incorporating a diffusing agent in the phosphor layer, it is possible to reduce the phosphor amount of the phosphor layer to obtain a phosphor layer having an increased emission intensity. また、指向性を緩和することができる。 Further, it is possible to relax the directivity.
拡散剤としては、二酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウムなどの無機系拡散剤が好ましい。 The diffusing agent, silicon dioxide, titanium oxide, aluminum oxide, calcium carbonate, zinc oxide, and inorganic diffusion agents such as barium titanate preferred. エポキシ樹脂、フェノールホルマリン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、グアナミン樹脂などの有機系拡散剤であってもよい。 Epoxy resins, phenol formaldehyde resins, benzoguanamine resins, melamine resins, acrylic resins, polycarbonate resins, polyethylene resins, polypropylene resins, may be an organic-based diffusing agent such as guanamine resin.
平均粒径は1μm以上10μmであるのが好ましい。 Preferably, the average particle size is 10μm or 1 [mu] m.
本発明のある実施の形態において、蛍光体層中の拡散剤は、第1の蛍光体層には第2の蛍光体層より多く配合する。 In one embodiment of the present invention, a diffusing agent in the phosphor layer is in the first phosphor layer is blended more than the second phosphor layer. バインダー樹脂と拡散剤の配合量は、(バインダー樹脂):(拡散剤)=10:0.1〜10:2であることが好ましい。 The amount of the binder resin and the diffusing agent, (binder resin) :( diffusing agent) = 10: 0.1 to 10: is preferably 2.

また本発明の他の実施の形態では、第1及び第2の蛍光体層に異なる拡散剤を配合した場合、第1の蛍光体層中の拡散剤の屈折率が第2の蛍光体層中の拡散剤の屈折率より大きくなるように配合する。 In another embodiment of the present invention, when formulated with different spreading agent to the first and second phosphor layers, the refractive index of the first phosphor layer of the diffusing agent second phosphor layer formulated in to be larger than the refractive index of the diffusing agent. 具体的には、第1の蛍光体層中の拡散剤がAl である場合は、第2の蛍光体層中の拡散剤が屈折率がそれより小さいSiO となるような組合せとすることができる。 Specifically, when the spreading agent of the first phosphor layer is Al 2 O 3 is diffusing agent of the second phosphor layer is combined such that the refractive index composed of a smaller SiO 2 it can do. しかし、第1の蛍光体層中の拡散剤の屈折率が第2の蛍光体層中の拡散剤の屈折率より大きければよく、この組合せに限定するものではない。 However, the refractive index of the first phosphor layer of the diffusing agent may be larger than the refractive index of the second phosphor layer of the diffusing agent, not limited to this combination.

<バインダー樹脂> <Binder Resin>
本発明のある実施の形態において、第1及び第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の種類が異なり、第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率が、第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率より大きくなるように配合する。 In one embodiment of the present invention, different kinds of binder resins for forming the first and second phosphor layers, the refractive index of the binder resin forming the first phosphor layer, the second phosphor layer formulated to be larger than the refractive index of the binder resin forming the. 前記第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂がエポキシ樹脂であって、前記第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂がシリコーン樹脂である組合せとすることができる。 Wherein the first binder resin to form the phosphor layer is an epoxy resin, a binder resin for forming the second phosphor layer can be a combination silicone resin. しかし、第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率が、第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率より大きければよく、この組合せに限定するものではない。 However, the refractive index of the binder resin forming the first phosphor layer, may be larger than the refractive index of the binder resin forming the second phosphor layer is not limited to this combination.

<モールド部材> <Mold member>
モールド部材とは、外部環境からの外力や水分などから蛍光体層やLEDチップを保護すると共に発光素子からの光を効率よく外部に放出させるための部材である。 The mold member is a member for emitting light from the light emitting element to the outside efficiently protects the phosphor layer and the LED chip or the like external force or moisture from the outside environment. このような、モールド部材を構成する具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や、金属アルコキシドなどを出発原料としゾルゲル法により生成される透光性無機部材、ガラスなどが好適に用いられる。 As such a specific material constituting the mold member, epoxy resin, urea resin, transparent resin and which is excellent in weather resistance such as a silicone resin, a metal alkoxide as a starting material translucent produced by a sol-gel method inorganic member, such as glass are suitably used. 特に、本形態におけるモールド部材は、セラミックに対して浸透性の高い透明樹脂とすることが好ましい。 In particular, the mold members in this embodiment, it is preferable that the highly permeable transparent resin of the ceramic.
高密度にLEDチップを配置させた場合は、熱衝撃による導電性ワイヤーの断線などを考慮しエポキシ樹脂、シリコーン樹脂やそれらの組み合わせたものなどを使用することがより好ましい。 If high density by placing a LED chip, consideration epoxy resins such as disconnection of the conductive wires due to thermal shock, it is more preferable to use such a combination of silicone resin and them. また、モールド部材中には、視野角をさらに増やすために拡散剤を含有させても良い。 Also, during the molding member may contain a diffusing agent to further increase the viewing angle. 具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等、およびそれらの混合物が好適に用いられる。 Specific diffusing agent, barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon oxide or the like, and mixtures thereof is preferably used. また、所望外の波長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させることができる。 Further, it is possible to contain a coloring dye or coloring pigment of organic or inorganic for purposes of cutting a wavelength of a desired outside. さらに、蛍光体を含有させることもできる。 It is also possible to contain a phosphor.

以下、本発明に係る実施例について詳述する。 Hereinafter, described in detail for Example of the present invention. なお、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではない。 The present invention is not limited to the examples shown below.
図1に本発明に係る実施例において形成される発光装置の模式図を示す。 It shows a schematic view of a light emitting device formed in the embodiment of the present invention in FIG. 本実施例において、第1の蛍光体層に含有されるシリコンナイトライド系蛍光体は、(Sr 0.7 Ca 0.3 Si :Eu(以下、「蛍光体1」と呼ぶ。)である。 In this embodiment, a silicon nitride-based phosphor contained in the first phosphor layer, (Sr 0.7 Ca 0.3) 2 Si 5 N 8: Eu ( hereinafter, referred to as "phosphor 1" .) a. また、第2の蛍光体層に含有されるYAG:Ce系蛍光体は、Y (Al 0.8 Ga 0.212 :Ce(以下、「蛍光体2」と呼ぶ。)である。 Also, YAG is contained in the second phosphor layer: Ce based phosphor, Y 3 (Al 0.8 Ga 0.2 ) 5 O 12: in Ce (hereinafter, referred to as "phosphor 2".) is there.

図1に示されるように、凹部、及び正負一対のリード電極を熱可塑性樹脂を材料として射出成形することにより形成する。 As shown in FIG. 1, the recess, and a pair of positive and negative lead electrodes are formed by injection molding a thermoplastic resin as a material. 青色領域の光が発光可能な半導体発光素子2を絶縁性接着剤により凹部内に接着し固定する。 Adhered in the recess to fix the semiconductor light-emitting element 2 light that is capable of emitting light in the blue region insulating adhesive. 本実施例においては、凹部内に載置される半導体発光素子をそれぞれ1チップとしたが、複数のチップをそれぞれの凹部内に載置しても構わない。 In the present embodiment, the semiconductor light emitting element mounted in the recess and respectively one chip, may be mounted a plurality of chips within each recess. 導電性ワイヤーを利用して半導体発光素子2、正電極及び負電極を、リード電極の正電極及び負電極にそれぞれワイヤーボンディングする。 The semiconductor light-emitting element 2 by utilizing the conductive wires, the positive and negative electrodes, respectively wire-bonded to the positive electrode and the negative electrode of the lead electrode.

シリコーン樹脂に蛍光体1を含有させた第1の蛍光体層14aの形成材料を調整し、凹部内に載置されている半導体発光素子2が覆われるように、調整した材料を配置し硬化させる。 Adjust the material for forming the first phosphor layer 14a which contains the phosphor 1 in a silicone resin, as the semiconductor light-emitting element 2 is covered which is placed in the recess is hardened by placing the adjusted material .

続いて、シリコーン樹脂に蛍光体2を含有させた第2の蛍光体層14bの形成材料を調整し、半導体発光素子2、及び第1の蛍光体層14aが覆われるように、調整した材料を配置し硬化させる。 Then, by adjusting the material for forming the second phosphor layer 14b which contains the phosphor 2 in the silicone resin, so that the semiconductor light-emitting element 2, and the first phosphor layer 14a is covered, the adjusted material arranged to be cured.

また、第1の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との平均屈折率が、第2の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との平均屈折率よりも高くするために、第1の蛍光体層中にAl 、第2の蛍光体層中にSiO を配合しておく。 Moreover, average refractive index of the first diffusion agent and a binder resin in the phosphor layer is to be higher than the average refractive index of the diffusing agent and a binder resin of the second phosphor layer, the first Al 2 O 3 in the phosphor layer, previously blended SiO 2 in the second phosphor layer. 第1及び第2の蛍光体層中の拡散剤及びバインダー樹脂との組合せは第1の蛍光体層の平均屈折率が第2の蛍光体層中の平均屈折率よりも大きくなるように設定していればよく、今回の組み合わせだけに限らない。 The combination of a diffusion agent and a binder resin in the first and second phosphor layer is set so that the average refractive index of the first phosphor layer is larger than the average refractive index of the second phosphor layer it is sufficient that, not limited to this combination.

シリコーン樹脂に拡散剤を含有させたモールド部材15により、導電性ワイヤー、蛍光体層14a及びb、及び半導体発光素子2を封止する。 The molding member 15 which contains a diffusing agent to a silicone resin, a conductive wire, phosphor layers 14a and b, and a semiconductor light-emitting element 2 is sealed.

図2に本発明に係る実施例において形成される発光装置の模式図を示す。 It shows a schematic view of a light emitting device formed in the embodiment of the present invention in FIG. 本実施例において、第1の蛍光体層に含有される紫外励起赤色発光蛍光体は、YO 22 :Eu、YVO 4 :Eu、Gd 23 :Eu、(Y,Gd)BO 3 :Eu、YBO 3 :Eu(以下、「蛍光体1」と呼ぶ。)であり、第2の蛍光体層に含有される紫外励起緑色発光蛍光体は、ZnS:Cu,Ag 、Zn 2 SiO 4 :Mn、BaAl 1219 :Mn、BaMgAl 1626 :Eu,Mn(以下、「蛍光体2」と呼ぶ。)、第3の蛍光体層に含有される紫外励起青色発光蛍光体は、BaMgAl 1017 :Eu、CaWO 4 :Pb、Y 2 SiO 5 :Ce(以下、「蛍光体3」と呼ぶ。)である。 In this embodiment, ultraviolet excited red phosphor contained in the first phosphor layer, YO 2 S 2: Eu, YVO 4: Eu, Gd 2 O 3: Eu, (Y, Gd) BO 3: Eu, YBO 3: Eu (. which hereinafter referred to as "phosphor 1"), and ultraviolet excited green light emitting phosphor contained in the second phosphor layer, ZnS: Cu, Ag, Zn 2 SiO 4: Mn, BaAl 12 O 19: Mn , BaMgAl 16 O 26: (. hereinafter referred to as "phosphor 2") Eu, Mn, ultraviolet excited blue phosphor contained in the third phosphor layer, BaMgAl 10 O 17: Eu, CaWO 4: Pb, Y 2 SiO 5: Ce (. which hereinafter referred to as "phosphor 3") is.

図2に示されるように、凹部、及び正負一対のリード電極を熱可塑性樹脂を材料として射出成形することにより形成する。 As shown in FIG. 2, recesses, and a pair of positive and negative lead electrodes are formed by injection molding a thermoplastic resin as a material. 紫外線を発することができる半導体発光素子2を絶縁性接着剤により凹部内に接着し固定する。 The semiconductor light-emitting element 2 which can emit ultraviolet adhered in the recess to fix the insulating adhesive. 本実施例においては、凹部内に載置される半導体発光素子をそれぞれ1チップとしたが、複数のチップを凹部内に載置しても構わない。 In the present embodiment, the semiconductor light emitting element mounted in the recess respectively and 1 chip, it may be mounted a plurality of chips in the recess. 導電性ワイヤーを利用して半導体発光素子2、正電極及び負電極を、リード電極の正電極及び負電極にそれぞれワイヤーボンディングする。 The semiconductor light-emitting element 2 by utilizing the conductive wires, the positive and negative electrodes, respectively wire-bonded to the positive electrode and the negative electrode of the lead electrode.

シリコーン樹脂に蛍光体1を含有させた第1の蛍光体層24aの形成材料を調整し、凹部内に載置されている半導体発光素子1及び2が覆われるように、調整した材料を配置し硬化させる。 Adjust the material for forming the first phosphor layer 24a which contains the phosphor 1 in a silicone resin, as the semiconductor light emitting element 1 and 2 are covered, which is placed in the recess, placing the adjusted material It is cured.

続いて、シリコーン樹脂に蛍光体2を含有させた第2の蛍光体層24bの形成材料を調整し、凹部内に載置されている半導体発光素子1及び2、及び第1の蛍光体層24aが覆われるように、調整した材料を配置し硬化させる。 Subsequently, a second material for forming the phosphor layer 24b is adjusted, the semiconductor light emitting element 1 and 2 is placed in the recess, and the first phosphor layer 24a which contains the phosphor 2 in the silicone resin as is covered, cured by placing the adjusted material.

更に、シリコーン樹脂に蛍光体3を含有させた第3の蛍光体層24cの形成材料を調整し、凹部内に載置されている半導体発光素子1及び2、第1の蛍光体層24a、及び第2の蛍光体層24bが覆われるように、調整した材料を配置し硬化させる。 Further, by adjusting the material for forming the third phosphor layer 24c which contains the phosphor 3 in the silicone resin, the semiconductor light emitting element 1 and 2 is placed in the recess, the first phosphor layer 24a and, as the second phosphor layer 24b is covered, it cured placing the adjusted material.

また、第1の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との平均屈折率が、第2の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との平均屈折率よりも高くなるように拡散剤を配合しておく。 Moreover, average refractive index of the first diffusion agent and a binder resin in the phosphor layer is blended diffusing agent to be higher than the average refractive index of the diffusing agent and a binder resin of the second phosphor layer keep.

シリコーン樹脂に拡散剤を含有させたモールド部材15により、導電性ワイヤー、蛍光体層24a〜24c、及び半導体発光素子1及び2を封止する。 The molding member 15 which contains a diffusing agent to a silicone resin, a conductive wire, phosphor layers 24a-24c, and the semiconductor light emitting element 1 and 2 is sealed.

図3から図12は、本実施例にかかる発光装置およびその形成工程を示す模式的な断面図および上面図である。 FIGS. 3 12 is a schematic cross-sectional view and a top view showing a light emitting device and a forming process according to the present embodiment. 以下、図面を参照しながら本実施例にかかる発光装置およびその形成方法について説明する。 The following describes the light emitting device and a method of forming according to the present embodiment with reference to the accompanying drawings.

図10に示されるように、本実施例にかかる発光装置は、サブマウント32にフリップチップ実装された発光素子の周囲に第一の蛍光体層36aおよび第二の蛍光体層36bを有する。 As shown in FIG. 10, the light emitting device according to this embodiment includes a first phosphor layer 36a and the second phosphor layer 36b around the flip-chip mounted light emitting element to the submount 32. 第一の蛍光体層36aは、透光性のサファイア基板1における発光観測面側主面の少なくとも一部を被覆し、第二の蛍光体層36bは、上記第一の蛍光体層36aおよび発光素子の側面を被覆している。 The first phosphor layer 36a is coated onto at least a portion of the light emission observing surface side principal plane of the sapphire substrate 1 of the light-second phosphor layer 36b is the first phosphor layer 36a and the light-emitting It covers the side surface of the element. ここで、フリップチップ実装とは、発光素子の電極を、バンプと呼ばれる導電部材と介してサブマウントのような支持基板の導電パターンに対向させ接合することにより機械的および電気的接続を行う実装方法をいう。 Here, the flip-chip mounting, the electrode of the light emitting element, a mounting method of performing a mechanical and electrical connection by joining is opposed to the conductive pattern of the supporting substrate such as a submount via the conductive member called a bump the say. 以下、本実施例にかかる発光装置の形成方法を説明する。 Hereinafter will be described a method of forming a light-emitting device according to this embodiment.

サブマウント用基板は、その一方の面に導電性部材を配置し、正電極と負電極とを絶縁分離する導電性パターン31とする。 Submount substrate, the conductive members on one surface thereof, a positive electrode and the negative electrode and the conductive pattern 31 for isolation. また、導電性部材は、反射率の高いアルミニウム、銀や金およびそれらの合金を使用することが好ましい。 The conductive member is preferably to use a highly reflective aluminum, silver or gold and their alloys. サブマウント用基板の材料は、半導体発光素子の材料と熱膨張係数がほぼ等しいもの、例えば、窒化物系半導体発光素子に対して窒化アルミニウムが好ましい。 Material of the submount substrate include those materials having a thermal expansion coefficient of the semiconductor light emitting element is substantially equal to, for example, aluminum nitride is preferred for the nitride-based semiconductor light-emitting device. このような材料を使用することにより、サブマウントと発光素子との間に発生する熱応力が緩和され、バンプを介したサブマウントと発光素子との間の電気的接続は維持できるため、発光装置の信頼性を向上させることができる。 By using such materials, the thermal stress is relaxed generated between the submount and the light emitting element, the electrical connection between the submount and the light emitting element via the bump can be maintained, the light emitting device thereby improving the reliability. あるいは、サブマウント用基板の材料は、保護素子(ツェナーダイオード)が形成可能であり安価でもあるシリコンが好ましい。 Alternatively, the material of the submount substrate is preferably silicon protective element (Zener diode) is possible and also inexpensive formation. ツェナーダイオードとして機能するサブマウントは、正電極を有するp型半導体領域と、負電極を有するn型半導体領域とを有し、発光素子のp側電極とn側電極に対して逆並列となるように接続される。 Submount which functions as a Zener diode has a p-type semiconductor region having a positive electrode and an n-type semiconductor region having a negative electrode, so as to be antiparallel with respect to the p-side electrode and the n-side electrode of the light emitting element It is connected to. 即ち、発光素子のn側電極およびp側電極が、サブマウントのp型半導体領域およびn型半導体領域とそれぞれバンプにより電気的に接続される。 I.e., n-side electrode and the p-side electrode of the light emitting element is electrically connected by the submount p-type semiconductor region and the n-type semiconductor region and each bump. さらに、サブマウント32に設けられた正負両電極は、導電性ワイヤ44によってリード電極のような外部電極と接続されている。 Further, positive and negative electrodes provided on the sub-mount 32 is connected to an external electrode, such as a lead electrode by the conductive wire 44. このように、サブマウントにツェナーダイオードの機能を持たせることにより、正負リード電極間に過大な電圧が印加された場合、その電圧がツェナーダイオードのツェナー電圧を超えると、発光素子の正負両電極間はツェナー電圧に保持され、このツェナー電圧以上になることはない。 Thus, by providing the function of the zener diode to the submount, if the excessive voltage between the positive and negative lead electrodes is applied, its voltage exceeds the Zener voltage of the Zener diode, between the positive and negative of the light-emitting element both electrodes is held in the Zener voltage will not be a Zener voltage higher. 従って、発光素子間に過大な電圧が印加されるのを防止でき、過大な電圧から発光素子を保護し、素子破壊や性能劣化の発生を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent the excessive voltage between the light emitting element is applied to protect the light emitting device from excessive voltage, it is possible to prevent the occurrence of device breakdown or deterioration in performance.

発光装置の信頼性を向上させるため、発光素子の正負両電極間と絶縁部との間に生じた隙間にはアンダフィルが充填されることが好ましい。 To improve the reliability of the light-emitting device, preferably underfill is filled in a gap occurred between the insulating portion between the positive and negative electrodes of the light emitting element. アンダフィルの材料は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。 Material underfill, for example, a thermosetting resin such as epoxy resin. アンダフィルの熱応力を緩和させるため、さらに窒化アルミニウム、酸化アルミニウム及びそれらの複合混合物等がエポキシ樹脂に混入されてもよい。 In order to relax the thermal stress of the underfill, further aluminum nitride, aluminum oxide, and complex mixtures thereof may be mixed in the epoxy resin. アンダフィルの量は、発光素子の正負両電極とサブマウントとの間に生じた隙間を埋めることができる量である。 The amount of underfill is that amount which gaps can be filled generated between the positive and negative electrodes and submount of light emitting elements.

図3に示されるように、発光素子の正負両電極は、上記導電性パターンの正負両電極にそれぞれ対向され固定されている。 As shown in FIG. 3, the positive and negative electrodes of the light emitting element are respectively opposed fixed to the positive and negative electrodes of the conductive pattern. 即ち、発光素子のp側電極およびn側電極は、サブマウントの同一面側に形成された正負両電極にそれぞれ対向させてバンプ33を介して固定される。 Ie, p-side and n-side electrodes of the light emitting element is fixed via bumps 33, respectively so as to face the positive and negative electrodes formed on the same side of the submount. まず、サブマウントの正負両電極に対し、Auからなるバンプを形成する。 First, with respect to the positive and negative electrodes of the submount to form a bump made of Au. 次に、発光素子の電極とサブマウントの電極とをバンプを介して対向させ、荷重、熱および超音波をかけることによりバンプを溶着し、発光素子の電極とサブマウントとの電極とを接合する。 Then, an electrode of the electrode and the submount of light emitting elements are opposed to each other through bumps, the bumps welded by applying a load, the heat and ultrasonic, to bond the electrodes of the electrode and the submount of light emitting devices . なお、バンプの材料として、Auの他、共晶ハンダ(Au−Sn)、Pb−Sn、鉛フリーハンダ等を用いることもできる。 Incidentally, as the material of the bumps, other Au, eutectic solder (Au-Sn), Pb-Sn, can also be used lead-free solder or the like.

本実施例のように、フリップチップ実装された発光素子とサブマウントとの複合素子とすることにより、発光素子の透光性基板側から光がとりだせるため発光装置の光取り出し効率が向上し、サブマウントをツェナーダイオードとして信頼性の高い発光装置とすることができる。 As in this embodiment, by a composite element of the light emitting element and the submount is flip-chip mounted, and improve light extraction efficiency of the light emitting device for light can be taken out from the light transmitting substrate side of the light emitting element, it can have high reliable light emitting device submount as a Zener diode. また、放熱性の高い発光装置とすることができる。 Also, it can have high heat radiation-emitting device.

図4に示されるように、発光素子の透光性基板側からサブマウント用基板に対して第一のスクリーン版34aを配置する。 As shown in FIG. 4, to place the first screen plate 34a to the sub-mount substrate from light-transmitting substrate side of the light-emitting element. 第一のスクリーン版34aは、透光性基板の発光観測面側の主面以外は、マスクするような構成としてある。 The first screen plate 34a, except the main surface of the light emission observing surface side of the translucent substrate has a configuration such that the mask. なお、スクリーン版の代わりとして、導電性ワイヤ44のボールボンディング位置やパーティングライン形成位置等、蛍光体層を形成させたくない位置にメタルマスクを配置しても構わない。 Incidentally, as an alternative to the screen plate, ball bonding position and a parting line formed position of the conductive wire 44, it may be disposed a metal mask at a position not desired to form a phosphor layer.

以下、本実施例における蛍光体層の形成方法を説明する。 Hereinafter, describing a method of forming a phosphor layer in the present embodiment. まず、シリコーン樹脂に窒化物系蛍光体を含有させた第一の蛍光体層36aの形成材料を調整する。 First, to adjust the material for forming the first phosphor layer 36a which contains a nitride-based phosphor in a silicone resin. ここで、形成材料に含有される窒化物系蛍光体および拡散剤の組成は、実施例1と同様とする。 Here, the composition of the nitride-based fluorescent material and the diffusion agent contained in the forming material, the same as that in Example 1. 図5に示されるように、窒化物系蛍光体を含有させた蛍光体層の形成材料は、発光素子における透光性基板の主面のうち、半導体が積層されていない側の面の少なくとも一部を被覆するようにスキージ35を使ってスクリーン印刷される。 Figure as shown in 5, formation of the nitride-based phosphor phosphor layer containing material, of the main surface of the translucent substrate in the light-emitting element, at least one surface on which a semiconductor is not laminated is screen printed using a squeegee 35 so as to cover the parts. 図6は、発光素子の透光性基板の発光観測面側主面に第一の蛍光体層36aの形成材料が配置された状態を示す模式的な断面図である。 Figure 6 is a schematic sectional view showing a state in which the material for forming the first phosphor layer 36a is disposed on the light emission observing surface side main surface of the light transmitting substrate of the light emitting element.

次に、シリコーン樹脂にYAG系蛍光体を含有させた第二の蛍光体層36bの形成材料を調整する。 Next, to adjust the material for forming the second phosphor layer 36b which contains a YAG-based phosphor in the silicone resin. ここで、形成材料に含有されるYAG系蛍光体および拡散剤の組成は、実施例1と同様とする。 Here, the composition of YAG fluorescent material and the diffusion agent contained in the forming material, the same as that in Example 1. 図7に示されるように、第一の蛍光体層の形成材料が配置された方向からサブマウント用基板に対して第二のスクリーン版34bを配置する。 As shown in FIG. 7, placing the second screen plate 34b relative to the sub-mount substrate in a direction forming material of the first phosphor layer is disposed. ここで、第二のスクリーン版34bは、上記第一のスクリーン版34aとはマスクの間隔が異なり、少なくとも発光素子の側面および第一の蛍光体層形成材料がマスクされないような構成としてある。 Here, the second screen plate 34b is different from the above first screen plate 34a different spacing of the mask, certain aspects and first phosphor layer forming material of at least the light emitting element is configured as not masked. さらに、図8に示されるように、YAG系蛍光体を含有させた第二の蛍光体層36bの形成材料は、上記第一の蛍光体層36aの形成材料と、発光素子の側面方向とを被覆するようにスクリーン印刷される。 Furthermore, as shown in FIG. 8, the material for forming the second phosphor layer 36b is a material for the formation of the first phosphor layer 36a which contains a YAG-based phosphor, and a side surface direction of the light emitting element is screen printed so as to cover.

図9は、第一の蛍光体層形成材料と発光素子の側面方向とを被覆するように、第二の蛍光体層の形成材料が配置された状態を示す模式的な断面図である。 9, so as to cover a side surface direction of the first phosphor layer-forming material and the light emitting element is a schematic sectional view showing a state in which the material for forming the second phosphor layer is disposed. 図9に示されるように、第二のスクリーン版34bを取り外し、第一および第二の蛍光体層の形成材料を硬化させる。 As shown in FIG. 9, remove the second screen plate 34b, to cure the material for forming the first and second phosphor layers. なお、ここで、第一および第二の蛍光体層の形成材料は別々に硬化させても構わない。 Here, the material for forming the first and second phosphor layers may be cured separately. 即ち、第一の蛍光体層の形成材料を硬化させた後、第二の蛍光体層の形成材料をスクリーン印刷し、硬化させても構わない。 That is, after curing the material for forming the first phosphor layer, a forming material of the second phosphor layer is screen printed, may be cured. このように形成することにより、第一の蛍光体層形成材料のタレを防ぎ、第一の蛍光体層をサファイア基板の発光観測面側主面方向に確実に配置することができる。 By thus forming, it is possible to prevent the sagging of the first phosphor layer-forming material, to reliably position the first phosphor layer on the light emission observing surface side principal plane direction of the sapphire substrate. 最後に、パーティングラインに沿って少なくとも一つの発光素子がサブマウントに載置されるようにサブマウント用基板をカットすると、蛍光体層が発光素子の周囲に形成された素子が得られる。 Finally, at least one light emitting device along a parting line when cutting the submount substrate as placed on the submount element phosphor layer is formed around the light emitting device can be obtained.

本実施例のように第一および第二の蛍光体層を形成することにより、YAG系蛍光体を含有する蛍光体層のうち、第一の蛍光体層を被覆する部分は、窒化物系蛍光体により波長変換された光を吸収することなく発光観測面側に反射させ、波長変換されることなく第一の蛍光体層を透過してきた発光素子からの光の少なくとも一部の光を吸収して発光する。 By forming the first and second phosphor layers as in this embodiment, among the phosphor layer containing a YAG-based phosphor, the portion covering the first phosphor layer, nitride-based fluorescent It is reflected on the light emission observing surface side without absorbing light whose wavelength is converted by the body to absorb at least a portion of light of the light from the light emitting element which has passed through the first phosphor layer without being wavelength converted to the light-emitting Te. 一方、YAG系蛍光体を含有する蛍光体層のうち発光素子の側面方向を被覆する部分は、窒化物系蛍光体を含む層を間に介することなく発光素子からの光により直接励起される。 Meanwhile, the portion covering the side surface direction of the light emitting element of the phosphor layer containing a YAG-based phosphor is excited directly by light from the light emitting element without intervention while a layer containing a nitride phosphor. したがって、発光素子からの光により励起されるYAG系蛍光体による発光と、同じく発光素子からの光により励起される窒化物系蛍光体による発光とが混色し合うため、蛍光体の励起効率を高め発光装置の従来と比較して演色性を高めることができる。 Therefore, since the emission by the YAG phosphor excited by light from the light emitting element, and also light emission by the nitride phosphor excited by light from the light emitting element with each other by mixing, improve the excitation efficiency of the phosphor compared to the conventional light emitting device can be enhanced color rendering.

図11は、本実施例における発光装置の模式的な上面図を示し、図12は、図11に示される発光装置のXIIXIIにおける断面図である。 Figure 11 shows a schematic top view of a light-emitting device in this embodiment, FIG. 12, XII of the light emitting device shown in FIG. 11 - is a cross-sectional view taken along XII. 本実施例における発光装置は、半導体素子に電力を供給するための正負一対のリード電極43a、43bを有し半導体素子を収納するためのパッケージ41と、発光素子から出射される光の配光性を制御するためのレンズ48と、パッケージ41の凹部とレンズとの間に充填された封止部材47とを少なくとも有する。 Light-emitting device in this embodiment includes a package 41 for accommodating the semiconductor element has a pair of positive and negative lead electrodes 43a, 43b are for supplying power to the semiconductor device, the light distribution of light emitted from the light emitting element having at least a lens 48 for controlling, and a sealing member 47 which is filled between the recess and the lens of the package 41.


本実施例におけるパッケージ41は、成型用樹脂を材料とした射出成型により、金属基体45とリード電極43a、43bの一部が成型用樹脂に被覆されるように一体成型されている。 Package 41 in the present embodiment, by injection molding in which the molding resin material is integrally molded to the metal substrate 45 and the lead electrode 43a, a portion of 43b is coated molding resin. また、金属基体45は、半導体素子を載置するための凹部底面42を有し、熱伝導性のよい金属を材料とするため、発光装置の放熱性を向上させることができる。 The metal substrate 45 has a recess bottom surface 42 for mounting a semiconductor element, a good thermal conductivity metal for the material, it is possible to improve the heat dissipation properties of the light-emitting device. 本実施例において半導体発光素子が載置されたサブマウント32は、図11および図12に示されるように、銀ペーストにてパッケージの凹部底面42に固着される。 Submount 32 on which the semiconductor light-emitting elements are mounted in this embodiment, as shown in FIGS. 11 and 12, is secured to the bottom surface of the recess 42 of the package in the silver paste. 導電性ワイヤ44は、サブマウント32の導電パターン31と、パッケージの凹部底面42近傍に露出されたリード電極43a、43bを接続する。 Conductive wires 44 connected to the conductive pattern 31 of the submount 32, a lead electrode 43a which is exposed to the bottom surface of the recess 42 near the package, the 43b. 封止部材47の材料は、上述したモールド部材と同じ材料とすることができる。 Material of the sealing member 47 may be the same material as the mold member discussed above. 本実施例における封止部材47は、導電性ワイヤの周囲を被覆するゲル状のシリコーン樹脂と、そのゲル状のシリコーン樹脂とレンズ48とを接着するラバー状のシリコーン樹脂とからなる多層構造とされている。 The sealing member 47 in this embodiment, is a gel-like silicone resin that covers the periphery of the conductive wire, a multilayer structure composed of a rubber-like silicone resin for adhering the the gel-like silicone resin and the lens 48 ing. このように、柔軟性を有するゲル状のシリコーン樹脂にて導電性ワイヤを被覆することにより、導電性ワイヤの断線を防ぎ、信頼性の高い発光装置とすることができる。 Thus, by coating the electrically conductive wire by gel-like silicone resin having flexibility to prevent breakage of the electrically conductive wire can be a highly reliable light-emitting device.

なお、本実施例における別の態様として、サブマウントに設けられる正負一対の電極の何れか一方と極性を同じくする裏面電極をサブマウントに設けることもできる。 As another aspect of this embodiment, can be provided either back electrode of one and polarity also of the pair of positive and negative electrodes provided on the sub-mount on the sub-mount. このとき、サブマウントの裏面電極は、リード電極と導通させた凹部底面に対向され導電性接着剤を介して固着される。 At this time, the back electrode of the submount is secured via which faces the bottom surface of the recess which is conducted to the lead electrode conductive adhesive. このように裏面電極を有するサブマウントとすることにより、導電性ワイヤの本数を減らし、ワイヤ切れのない信頼性の高い発光装置とすることができる。 With such a submount having a back electrode, reducing the number of conductive wires may be a wire breakage no reliable light-emitting device.

本発明にかかる蛍光体積層構造を有する光源は、低電圧駆動、小型軽量化、耐久性、長寿命などの長所を有し、次世代の省エネルギー照明源として、また、車載の表示光源や携帯電話表示部のバックライトとして用いることができる。 A light source having a phosphor layer structure according to the present invention, low-voltage driving, reduction in size and weight, durability, has advantages such as long life, energy-saving illumination source of the next generation, in-vehicle display light source and a mobile phone it can be used as a backlight of the display unit.

青色LEDを発光源とし、第1層をシリコンナイトライド蛍光体、第2層をセリウムで付活されたYAG蛍光体で構成した発光装置の概略図、 A blue LED as a light emitting source, the silicon nitride phosphor of the first layer, schematic view of a light-emitting device and the second layer constituted by YAG phosphors activated with cerium, 紫外LEDを発光源とし、第1層を紫外励起赤色発光蛍光体、第2層を紫外励起緑色発光蛍光体、第3層を紫外励起青色発光蛍光体で構成した発光装置の概略図、 An ultraviolet LED as a light emitting source, ultraviolet excited red light emitting phosphor of the first layer, ultraviolet excited green-emitting phosphor of the second layer, schematic view of a light emitting device having a third layer composed of ultraviolet excitation blue-emitting phosphor, 本発明にかかる蛍光体積層構造の一実施例を示す模式的な断面図、 Schematic sectional view showing an embodiment of a phosphor layer structure according to the present invention, 本発明にかかる蛍光体積層構造の一実施例を示す模式的な断面図、 Schematic sectional view showing an embodiment of a phosphor layer structure according to the present invention, 本発明にかかる蛍光体積層構造の一実施例を示す模式的な断面図、 Schematic sectional view showing an embodiment of a phosphor layer structure according to the present invention, 本発明にかかる蛍光体積層構造の一実施例を示す模式的な断面図、 Schematic sectional view showing an embodiment of a phosphor layer structure according to the present invention, 本発明にかかる蛍光体積層構造の一実施例を示す模式的な断面図、 Schematic sectional view showing an embodiment of a phosphor layer structure according to the present invention, 本発明にかかる蛍光体積層構造の一実施例を示す模式的な断面図、 Schematic sectional view showing an embodiment of a phosphor layer structure according to the present invention, 本発明にかかる蛍光体積層構造の一実施例を示す模式的な断面図、 Schematic sectional view showing an embodiment of a phosphor layer structure according to the present invention, 本発明にかかる蛍光体積層構造の一実施例を示す模式的な断面図、 Schematic sectional view showing an embodiment of a phosphor layer structure according to the present invention, 本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な上面図、 Schematic top view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention, 本発明にかかる発光装置の一実施例を示す模式的な断面図である。 It is a schematic sectional view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 サファイア基板 2 半導体層 13、13a、13b リードフレーム 14a シリコンナイトライド蛍光体 14b YAG:Ce系蛍光体 15 シリコーン樹脂 モールド部材 24a 紫外励起赤色発光蛍光体 24b 紫外励起緑色発光蛍光体 24c 紫外励起青色発光蛍光体 31 導電性パターン 32 サブマウント 33 バンプ 34a 第一のスクリーン版 34b 第二のスクリーン版 35 スキージ 36a 第一の蛍光体層の形成材料 36b 第一の蛍光体層の形成材料 41 パッケージ 42 凹部底面 43a、43b リード電極 44 導電性ワイヤ 45 金属基体 46 半導体素子 47 封止部材 48 レンズ 1 sapphire substrate 2 the semiconductor layer 13, 13a, 13b lead frame 14a silicon nitride phosphor 14b YAG: Ce based phosphor 15 silicone resin mold member 24a ultraviolet excited red phosphor 24b ultraviolet excited green-emitting phosphor 24c ultraviolet excitation blue light emission phosphor 31 conductive pattern 32 submount 33 bumps 34a first screen plate 34b second screen plate 35 squeegee 36a first formation of the phosphor layer material 36b first formation of the phosphor layer material 41 package 42 bottom surface of the recess 43a, 43b lead electrodes 44 electrically conductive wires 45 metal substrate 46 semiconductor element 47 sealing member 48 lenses

Claims (10)

  1. 半導体発光素子上に、蛍光体、拡散剤、及びバインダー樹脂からなる蛍光体層を複数層積層してなり、前記半導体発光素子に近い方の第1の蛍光体層が、前記半導体発光素子から遠い方の第2の蛍光体層より波長の長い蛍光を発する蛍光体を含んでなる蛍光体積層構造であって、 On the semiconductor light-emitting element, phosphor, diffusing agent, and a phosphor layer of a binder resin becomes in a plurality of layers laminated, the first phosphor layer closer to the semiconductor light emitting element is further from the semiconductor light emitting element comprising a phosphor that emits longer fluorescence wavelength than the second fluorescent material layer of the square a phosphor laminate structure,
    前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤と同一の拡散剤または前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤よりも屈折率の大きい拡散剤を含み、 前記第1の蛍光体層中の拡散剤の配合量が前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤の配合量より多く、 It said first phosphor layer comprises a large diffusing agent having a refractive index higher than the diffusion agent contained in the same diffusing agent or the second phosphor layer and a diffusing agent contained in the second phosphor layer, greater than the amount of diffusion agent amount of the first phosphor layer of the diffusing agent contained in the second phosphor layer,
    第1の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差が、第2の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差より大きいことを特徴とする蛍光体積層構造。 Phosphor layer structure refractive index difference between the first diffusing agent and a binder resin in the phosphor layer is characterized by greater than the refractive index difference between the diffusing agent and a binder resin of the second phosphor layer.
  2. 前記第1の蛍光体層は、前記半導体発光素子の少なくとも一部を被覆し、前記第2の蛍光体層は、該第1の蛍光体層と半導体発光素子の少なくとも一部とを被覆する請求項1に記載の蛍光体積層構造。 According the first phosphor layer, said covers at least part of the semiconductor light emitting element, the second phosphor layer, which covers at least a portion of the phosphor layer and the semiconductor light emitting element of the first phosphor laminate structure according to claim 1.
  3. 前記拡散剤は、SiO 、Al 、Zr 、Y 、TiO 、B 及びCaCO からなる酸化物群から選択される少なくとも1種である請求項1または2に記載の蛍光体積層構造。 The diffusing agent, claim 1 is at least one selected from SiO 2, Al 2 O 3, Zr 2 O 3, Y 2 O 3, TiO 2, B 2 O 3 and oxides group consisting of CaCO 3 phosphor laminate structure according to or 2.
  4. 第1及び第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の種類が異なり、前記第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率が、前記第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率より大きいことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の蛍光体積層構造。 Different kinds of binder resins for forming the first and second phosphor layers, the refractive index of the binder resin for forming the first phosphor layer, refraction of the binder resin for forming the second phosphor layer phosphor laminate structure according to any one of claims 1 to 3, characterized in that greater than the rate.
  5. 前記第1及び第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂からなる群から選ばれる請求項1乃至4のいずれか1項に記載の蛍光体積層構造。 Wherein the first and the binder resin is an epoxy resin forming the second phosphor layer, the fluorescence according to an acrylic resin, imide resin, any one of a silicone resin, claims 1 to 4 selected from the group consisting of urea resin body stacked structure.
  6. 第1及び第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の種類が同一であり、前記第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂と拡散剤との屈折率差が、前記第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂と拡散剤との屈折率差より大きいことを特徴とする請求項1乃至3、5のいずれか1項に記載の蛍光体積層構造。 Types of the binder resin for forming the first and second phosphor layers are the same, the refractive index difference between the binder resin and the diffusing agent to form the first phosphor layer, said second phosphor layer phosphor laminate structure according to any one of claims 1 to 3, 5 being greater than the refractive index difference between the binder resin and the diffusing agent to form a.
  7. 第1及び第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の種類が異なり、前記第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率が、前記第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂の屈折率より大きく、かつ、前記第1の蛍光体層を形成するバインダー樹脂と拡散剤の屈折率差が、前記第2の蛍光体層を形成するバインダー樹脂と拡散材の屈折率差より大きいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の蛍光体積層構造。 Different kinds of binder resins for forming the first and second phosphor layers, the refractive index of the binder resin for forming the first phosphor layer, refraction of the binder resin for forming the second phosphor layer greater than the rate, and the refractive index difference of the diffusing agent and a binder resin for forming the first phosphor layer is larger than the refractive index difference between the diffusion material and the binder resin for forming the second phosphor layer phosphor laminate structure according to any one of claims 1 to 5, characterized.
  8. 青色が発光可能な半導体発光素子上に、蛍光体、拡散剤、及びバインダー樹脂からなる蛍光体層を複数積層してなる光源において、 Blue emission can semiconductor light emitting element on the phosphor, diffusing agent, and in the light source a fluorescent layer formed by laminating a plurality consisting binder resin,
    前記半導体発光素子に近い方の第1の蛍光体層はシリコンナイトライド系蛍光体であって、前記半導体発光素子からより遠い方の第2の蛍光体層は、前記第1の蛍光体層より波長の短い蛍光を発する少なくともアルミニウムガーネット系蛍光体である光源であり、 The semiconductor light emitting element and the first phosphor layer closer to is a silicon nitride-based phosphor, the second phosphor layer more remote from the semiconductor light emitting element, from the first phosphor layer a light source is at least aluminum garnet-based phosphor which emits short fluorescence wavelength,
    前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤と同一の拡散剤または前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤よりも屈折率の大きい拡散剤を含み、 前記第1の蛍光体層中の拡散剤の配合量が前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤の配合量より多く、 It said first phosphor layer comprises a large diffusing agent having a refractive index higher than the diffusion agent contained in the same diffusing agent or the second phosphor layer and a diffusing agent contained in the second phosphor layer, greater than the amount of diffusion agent amount of the first phosphor layer of the diffusing agent contained in the second phosphor layer,
    第1の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差が、第2の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差より大きいことを特徴とする光源。 Light source difference in refractive index between the diffuser and the binder resin in the first phosphor layer is characterized by greater than the refractive index difference between the diffusing agent and a binder resin of the second phosphor layer.
  9. 前記第一の蛍光体層は、前記半導体発光素子の主面の少なくとも一部を被覆し、前記第二の蛍光体層は、該第一の蛍光体層と半導体発光素子の側面方向とを被覆する請求項に記載の光源。 The first phosphor layer, said covers at least part of the main surface of the semiconductor light emitting element, the second phosphor layer, the coating and side directions of said first phosphor layer and the semiconductor light emitting element the light source of claim 8.
  10. 紫外線を発することができる半導体発光素子上に、蛍光体、拡散剤、及びバインダー樹脂からなる蛍光体層を複数層積層してなる光源において、 On the semiconductor light emitting element capable of emitting ultraviolet, fluorescent, diffusing agent, and in the light source a fluorescent layer formed by a plurality of layers laminated made of a binder resin,
    前記蛍光体層は、前記半導体発光素子に近い方から第1の蛍光体層、第2の蛍光体層、第3の蛍光体層の順に積層され、 The phosphor layer, the first phosphor layer from the side closer to the semiconductor light emitting element, the second phosphor layer are laminated in this order of the third phosphor layer,
    前記第1の蛍光体層は、紫外励起赤色発光蛍光体を含み、前記第2の蛍光体層は紫外励起緑色発光蛍光体を含み、かつ、前記第3の蛍光体層は紫外励起青色発光蛍光体を含み、 前記第1の蛍光体層は、前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤と同一の拡散剤または前記第2の蛍光体層に含まれる拡散剤よりも屈折率の大きい拡散剤を第2の蛍光体層より多く含み、前記第2の蛍光体層は、前記第3の蛍光体層に含まれる拡散剤と同一の拡散剤または前記第3の蛍光体層に含まれる拡散剤よりも屈折率の大きい拡散剤を第3の蛍光体層より多く含み、 It said first phosphor layer comprises ultraviolet excitation red-emitting phosphor, the second phosphor layer includes an ultraviolet excited green-emitting phosphor, and the third phosphor layer is ultraviolet excitation blue-emitting phosphor wherein the body, the first phosphor layer is greater in the second diffusing agent contained in the phosphor layer and the same spreading agent or refractive index than the diffusion agent contained in the second phosphor layer diffusion agent contains more than the second phosphor layer, said second phosphor layer is diffused contained in the third same diffusing agent of contained in the phosphor layer of the diffusing agent or the third phosphor layer contains many large diffusing agent having a refractive index than the third phosphor layer than agents,
    第1の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差が、第2の蛍光体層中の拡散剤とバインダー樹脂との屈折率差より大きいことを特徴とする光源。 Light source difference in refractive index between the diffuser and the binder resin in the first phosphor layer is characterized by greater than the refractive index difference between the diffusing agent and a binder resin of the second phosphor layer.
JP2003380788A 2002-11-12 2003-11-11 Phosphor multilayer structure and a light source using the same Active JP5138145B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002328938 2002-11-12
JP2002328938 2002-11-12
JP2003380788A JP5138145B2 (en) 2002-11-12 2003-11-11 Phosphor multilayer structure and a light source using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003380788A JP5138145B2 (en) 2002-11-12 2003-11-11 Phosphor multilayer structure and a light source using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004179644A JP2004179644A (en) 2004-06-24
JP5138145B2 true JP5138145B2 (en) 2013-02-06

Family

ID=32716173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003380788A Active JP5138145B2 (en) 2002-11-12 2003-11-11 Phosphor multilayer structure and a light source using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5138145B2 (en)

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006067885A1 (en) 2004-12-24 2006-06-29 Kyocera Corporation Light-emitting device and illuminating device
JP5224575B2 (en) * 2004-02-20 2013-07-03 ジーイー ライティング ソリューションズ エルエルシー Efficient light sources that use phosphor conversion led
JP4932144B2 (en) * 2004-07-12 2012-05-16 株式会社朝日ラバー Led lamp
JP2006060005A (en) * 2004-08-19 2006-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
KR20060034055A (en) * 2004-10-18 2006-04-21 엘지이노텍 주식회사 Phosphor and led using the same
JP2006135002A (en) 2004-11-04 2006-05-25 Koito Mfg Co Ltd Light-emitting device and lighting fixture for car
JP4845370B2 (en) * 2004-11-26 2011-12-28 京セラ株式会社 A light-emitting device and a lighting device
US8044572B2 (en) * 2004-12-17 2011-10-25 Ube Industries, Ltd. Light conversion structure and light-emitting device using the same
US7385228B2 (en) 2005-02-14 2008-06-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting element and light-emitting device
CN101712869B (en) 2005-02-28 2013-04-10 电气化学工业株式会社 Fluorescent substance and process for producing the same, and luminescent element using the same
US7554257B2 (en) * 2005-03-02 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method to generate high efficient devices which emit high quality light for illumination
JP4653671B2 (en) 2005-03-14 2011-03-16 株式会社東芝 The light-emitting device
JP2006269986A (en) * 2005-03-25 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
JPWO2006118104A1 (en) 2005-04-26 2008-12-18 株式会社東芝 White led and backlight and a liquid crystal display device using the same
JP2006310568A (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2006310710A (en) * 2005-05-02 2006-11-09 Sony Corp Semiconductor light-emitting element
JP2007049114A (en) * 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2011151419A (en) * 2005-05-30 2011-08-04 Sharp Corp Light emitting device and fabricating method thereof
US20070001182A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 3M Innovative Properties Company Structured phosphor tape article
US7294861B2 (en) * 2005-06-30 2007-11-13 3M Innovative Properties Company Phosphor tape article
KR100621154B1 (en) 2005-08-26 2006-08-30 서울반도체 주식회사 Manufacturing method of light emitting diode
JP2007095807A (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Sanyo Electric Co Ltd Manufacturing method of light emitting device
US7745985B2 (en) 2005-11-04 2010-06-29 Panasonic Corporation Light-emitting module, and display unit and lighting unit using the same
JP2011091414A (en) * 2005-11-30 2011-05-06 Sharp Corp Light-emitting device
JP2007157798A (en) * 2005-11-30 2007-06-21 Kyocera Corp Light emitting device
JP2009524212A (en) * 2006-01-16 2009-06-25 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ A light-emitting device having a Eu-containing phosphor material
CN100470860C (en) 2006-02-15 2009-03-18 深圳市量子光电子有限公司 Light-emitting diode
TWI298529B (en) * 2006-04-18 2008-07-01 Harvatek Corp
JP2008071806A (en) * 2006-09-12 2008-03-27 C I Kasei Co Ltd Light emitting device
JP2008098486A (en) * 2006-10-13 2008-04-24 Kyocera Corp Light emitting element
JP5367218B2 (en) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 Manufacturing method of the phosphor manufacturing method and a light emitting device
JP4753904B2 (en) 2007-03-15 2011-08-24 シャープ株式会社 The light-emitting device
KR101322457B1 (en) * 2007-03-27 2013-10-25 서울반도체 주식회사 Amber color light emitting device
JP4920497B2 (en) 2007-05-29 2012-04-18 株式会社東芝 Optical semiconductor device
TWI342628B (en) * 2007-08-02 2011-05-21 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
TWI401820B (en) 2007-11-07 2013-07-11 Ind Tech Res Inst A light emitting element and thereof method
US8946987B2 (en) 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
JP2009120437A (en) 2007-11-14 2009-06-04 Niigata Univ Siloxane-grafted silica, highly transparent silicone composition, and light-emitting semiconductor device sealed with the composition
CN101878280B (en) * 2007-11-30 2013-05-01 日亚化学工业株式会社 Phosphor, light-emitting device using the same, and method for producing phosphor
JP5371359B2 (en) * 2007-12-27 2013-12-18 豊田合成株式会社 Method for producing a phosphor-containing glass plate and the light-emitting device
WO2009144922A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 株式会社 東芝 White light led, and backlight and liquid crystal display device using the same
CN101299451B (en) 2008-06-26 2012-05-02 罗维鸿 Encapsulation structure of LED
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US20100119839A1 (en) 2008-11-13 2010-05-13 Maven Optronics Corp. System and Method for Forming a Thin-Film Phosphor Layer for Phosphor-Converted Light Emitting Devices
WO2010077226A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-08 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
US10214686B2 (en) 2008-12-30 2019-02-26 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
TWI381556B (en) * 2009-03-20 2013-01-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof
KR101234316B1 (en) * 2009-07-01 2013-02-18 성균관대학교산학협력단 Aluminate phosphors including alkaline earth metals and method of preparating powders of the same
JP5118110B2 (en) * 2009-09-14 2013-01-16 シャープ株式会社 The light-emitting device
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
JP5473553B2 (en) * 2009-11-18 2014-04-16 京セラ株式会社 Optical module and droplet curing device
KR101028313B1 (en) * 2009-12-03 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
JP2011171557A (en) * 2010-02-19 2011-09-01 Toshiba Corp Light emitting device, method of manufacturing the same, and light emitting device manufacturing apparatus
CN102237474A (en) * 2010-05-07 2011-11-09 浙江雄邦节能产品有限公司 White light-emitting diode (LED)
JP5731761B2 (en) * 2010-05-18 2015-06-10 シチズン電子株式会社 The light-emitting device
JP5635832B2 (en) 2010-08-05 2014-12-03 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light-emitting device
JP2012078135A (en) * 2010-09-30 2012-04-19 Sharp Corp Conveyance inspection device, taping device, and conveyance inspection method
CN102468395A (en) * 2010-11-04 2012-05-23 浙江雄邦节能产品有限公司 Ceramic substrate LED apparatus
JP5199328B2 (en) * 2010-11-08 2013-05-15 株式会社朝日ラバー Led lamp
EP2638321B1 (en) 2010-11-10 2019-05-08 Nanosys, Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
KR101873998B1 (en) * 2011-07-28 2018-07-05 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package and lighting system including the same
KR101719645B1 (en) * 2011-12-21 2017-03-24 서울반도체 주식회사 Light emitting diode chip having wavelength converting layer, method of fabricating the same and package having the same
JP2012060192A (en) * 2011-12-26 2012-03-22 Toshiba Corp Light emitting device, method for manufacturing the light emitting device, and light emitting device manufacturing apparatus
WO2013134432A1 (en) 2012-03-06 2013-09-12 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
CN103378226A (en) 2012-04-25 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 Method for manufacturing light emitting diode
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
JP5887238B2 (en) * 2012-09-25 2016-03-16 クアーズテック株式会社 Multilayer ceramic composite body
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
JP2014170895A (en) * 2013-03-05 2014-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp Wavelength conversion member and light-emitting device using the same
JP2016154062A (en) * 2013-06-21 2016-08-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light source, and vehicle head lamp comprising light source
JP6291735B2 (en) 2013-07-05 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 The light-emitting device
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
JP6237174B2 (en) 2013-12-05 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 The light-emitting device
US9660151B2 (en) 2014-05-21 2017-05-23 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
JP2016018960A (en) * 2014-07-10 2016-02-01 エムテックスマート株式会社 Manufacturing method of led and led
KR20160074860A (en) 2014-12-18 2016-06-29 삼성전자주식회사 Light emitting device package and fluorescent film for the same
WO2018163691A1 (en) * 2017-03-10 2018-09-13 日本電気硝子株式会社 Wavelength conversion member and light emitting device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0710504Y2 (en) * 1989-03-10 1995-03-08 三洋電機株式会社 Multi-color light-emitting led equipment
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP3468018B2 (en) * 1997-04-10 2003-11-17 日亜化学工業株式会社 Emitting device and display device using the same
JP3486345B2 (en) * 1998-07-14 2004-01-13 東芝電子エンジニアリング株式会社 Semiconductor light-emitting device
JP3690968B2 (en) * 1999-06-30 2005-08-31 日亜化学工業株式会社 Emitting device and method of forming
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
JP3374112B2 (en) * 1999-12-13 2003-02-04 恵和株式会社 An optical sheet and a backlight unit using the same
JP3685018B2 (en) * 2000-05-09 2005-08-17 日亜化学工業株式会社 Emitting element and manufacturing method thereof
JP2002176201A (en) * 2000-12-05 2002-06-21 Okaya Electric Ind Co Ltd Semiconductor light emitting element
JP4193446B2 (en) * 2001-08-22 2008-12-10 日亜化学工業株式会社 The light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004179644A (en) 2004-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101041311B1 (en) Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
KR101173320B1 (en) Light-emitting device
US7951306B2 (en) Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
KR100983193B1 (en) Nitride Phosphor and Production Process Thereof, and Light Emitting Device
US8277687B2 (en) Phosphor and light-emitting device using same
EP1735816B1 (en) Phosphor and blends thereof for use in leds
US7648649B2 (en) Red line emitting phosphors for use in led applications
JP5702513B2 (en) Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent substance
US7723740B2 (en) Light emitting device
CN1729267B (en) Phosphor and optical device using same
US7267786B2 (en) Phosphor and light source comprising such a phosphor
JP4415548B2 (en) Light-emitting device using a oxynitride phosphor
US7045905B2 (en) Molded package and semiconductor device using molded package
US7229573B2 (en) Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation
CN1729268B (en) Luminescent body and optical device including the same
EP1605030B1 (en) Light emitting device
EP1875781B1 (en) Illumination system comprising a ceramic luminescence converter
JP5081370B2 (en) The light-emitting device
EP1964185B1 (en) Light emitting device
US20100127286A1 (en) Illumination system comprising a green-emitting ceramic luminescence converter
EP2463353A1 (en) Fluorescent substance, process for producing same, and luminescent device including same
CN100509997C (en) Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
US20050093146A1 (en) Support body for semiconductor element, method for manufacturing the same and semiconductor device
JP4869317B2 (en) Red phosphor and light emitting device using the same
JP4558808B2 (en) The light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060524

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060524

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060526

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060912

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080131

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100216

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100412

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100907

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101105

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110802

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120927

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250