JP5132961B2 - Optical semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、光半導体装置及びその製造方法に関し、具体的には実装基板などに対して表面実装が可能な光半導体装置及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an optical semiconductor device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an optical semiconductor device capable of being surface-mounted on a mounting substrate or the like and a manufacturing method thereof.

ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、フォトダイオード、トランジスタ、ダイオードなどの各種の光半導体素子を、金属や樹脂などを用いたパッケージに搭載した光半導体装置は、種々の用途に幅広く用いられている。
例えば、ガラスエポキシ基板の表面に形成した電極パターンの上にＬＥＤをマウントし、透光性樹脂体により封止した表面実装型発光ダイオードが開示されている（特許文献１）。 An optical semiconductor device in which various optical semiconductor elements such as an LED (Light Emitting Diode), a photodiode, a transistor, and a diode are mounted in a package using metal, resin, or the like is widely used in various applications.
For example, a surface-mounted light emitting diode in which an LED is mounted on an electrode pattern formed on the surface of a glass epoxy substrate and sealed with a translucent resin body is disclosed (Patent Document 1).

一方、貫通ホールを有するリードフレームのダイバッド・カップ面に発光ダイオードをマウントし、貫通ホールを介してリードフレームの上下をエポキシ樹脂でモールディングした表面実装型発光ダイオードが開示されている（特許文献２）。
特開平１１−４６０１８号公報 特表２００６−５１４４２６号公報 On the other hand, a surface mount type light emitting diode is disclosed in which a light emitting diode is mounted on the die pad cup surface of a lead frame having a through hole, and the top and bottom of the lead frame are molded with epoxy resin through the through hole (Patent Document 2). .
Japanese Patent Laid-Open No. 11-46018 JP-T-2006-514426

しかし、特許文献１に開示されている表面実装型発光ダイオードの場合、ガラスエポキシ基板の熱伝導率が低く、またその表面に形成された電極パターンを介した実装基板までの放熱距離も長いために、放熱特性が低い。   However, in the case of the surface mount type light emitting diode disclosed in Patent Document 1, the thermal conductivity of the glass epoxy substrate is low, and the heat radiation distance to the mounting substrate through the electrode pattern formed on the surface is long. Low heat dissipation characteristics.

また、特許文献２に開示されている表面実装型発光ダイオードの場合、発光ダイオードがマウントされているリードフレームの下はエポキシ樹脂によりモールドされているため、発光ダイオードから下方への放熱が制限されるという問題がある。また、特許文献２に開示されているリードフレームは形状が複雑であり、パッケージの小型化や薄型化の点でも改善の余地があった。   Further, in the case of the surface mount type light emitting diode disclosed in Patent Document 2, since the lower part of the lead frame on which the light emitting diode is mounted is molded with epoxy resin, heat radiation downward from the light emitting diode is limited. There is a problem. The lead frame disclosed in Patent Document 2 has a complicated shape, and there is room for improvement in terms of reducing the size and thickness of the package.

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、小型で放熱性も良好な光半導体装置及びその製造方法を提供する。   The present invention has been made based on recognition of such problems, and provides a small-sized optical semiconductor device with good heat dissipation and a method for manufacturing the same.

本発明の一態様によれば、離間した少なくとも２つの金属棒と、前記少なくとも２つの金属棒のいずれかの主面にマウントされた光半導体素子と、前記少なくとも２つの金属棒の他のいずれかの主面と、前記光半導体素子と、を接続するワイヤと、前記光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属棒のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、を覆う封止体と、を備え、前記少なくとも２つの金属棒の少なくともいずれかは、前記主面に直交する側面であって前記封止体に接する側面の少なくともいずれかに穴が設けられたことを特徴とする光半導体装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, at least two metal rods that are spaced apart from each other, an optical semiconductor element mounted on a main surface of one of the at least two metal rods, and any one of the at least two metal rods. A wire connecting the main surface of the optical semiconductor element, the optical semiconductor element, the wire, and at least part of the at least two metal rods excluding the bottom surface facing the main surface, And at least one of the at least two metal rods is provided with a hole in at least one of the side surfaces orthogonal to the main surface and in contact with the sealing body An optical semiconductor device is provided .

また、本発明の他の一態様によれば、離間した少なくとも２つの金属棒状部のいずれかの主面に光半導体素子をマウントする工程と、前記光半導体素子と、前記少なくとも２つの金属棒状部の他のいずれかの主面と、をワイヤで接続する工程と、前記光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属棒状部のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、を封止体により覆う工程と、前記金属棒状部を切断することにより、前記封止体により覆われた部分を分離する工程と、を備え、前記少なくとも２つの金属棒状部の少なくともいずれかは、前記主面に直交する側面であって前記封止体に接する側面の少なくともいずれかに穴が設けられたことを特徴とする光半導体装置の製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, a step of mounting an optical semiconductor element on one main surface of at least two spaced apart metal rod-shaped portions, the optical semiconductor element, and the at least two metal rod-shaped portions At least a portion of the optical semiconductor element, the wire, and at least a portion of the at least two metal rod-like portions except for a bottom surface facing the main surface. And a step of covering with a sealing body, and a step of separating the portion covered with the sealing body by cutting the metal rod-shaped portion, and at least one of the at least two metal rod-shaped portions Is provided with a hole in at least one of the side surfaces orthogonal to the main surface and in contact with the sealing body .

本発明によれば、小型で放熱性も良好な光半導体装置及びその製造方法が提供される。   According to the present invention, a small-sized optical semiconductor device with good heat dissipation and a method for manufacturing the same are provided.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図１（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図１（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
また、図２は、本実施形態の光半導体装置の側面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1A is a perspective view of the optical semiconductor device viewed obliquely from above, FIG. 1B is a plan view of the optical semiconductor device viewed from the bottom side, and FIG. It is AA sectional view.
FIG. 2 is a side view of the optical semiconductor device of this embodiment.

本実施形態の光半導体装置は、離間し対向して配置された一対の金属棒１０、２０を備える。金属棒２０の第１の主面２０Ａには、光半導体素子４０がマウントされている。光半導体素子４０は、金属棒２０とのマウント面にハンダや導電性接着剤などでマウントすることにより、金属棒２０と電気的に接続される。一方、光半導体素子４０の上面に設けられた電極（図示せず）と、金属棒１０の第１の主面１０Ａと、はワイヤ４２により接続されている。このようにして、金属棒１０、２０は、光半導体素子４０のリードとして用いることができる。   The optical semiconductor device of the present embodiment includes a pair of metal rods 10 and 20 that are spaced apart and disposed opposite to each other. An optical semiconductor element 40 is mounted on the first main surface 20A of the metal rod 20. The optical semiconductor element 40 is electrically connected to the metal rod 20 by mounting it on the mounting surface with the metal rod 20 with solder or a conductive adhesive. On the other hand, an electrode (not shown) provided on the upper surface of the optical semiconductor element 40 and the first main surface 10 </ b> A of the metal rod 10 are connected by a wire 42. In this way, the metal rods 10 and 20 can be used as leads of the optical semiconductor element 40.

金属棒１０、２０の材料としては、例えば銅を主成分として少量の鉄、亜鉛、リン、錫、ジルコニアなどを含む材料を挙げることができる。また、その表面をメッキなどにより適宜被覆してもよい。そのメッキは、金属棒２０の上面の光半導体素子４０をマウントする面のみに部分的に形成してもよい。また、図１（ｄ）に表したように、光半導体素子４０は、金属棒２０のマウント面に形成されたキャビティ２４の中に設置してもよい。
光半導体素子４０としては、発光素子や受光素子を用いることができる。また、これら光半導体素子とともに、あるいはその代わりに、トランジスタやダイオードなどの電子素子を搭載することも可能である。以下、光半導体素子４０としてＬＥＤを用いた場合を例に挙げて説明する。 Examples of the material for the metal rods 10 and 20 include materials containing copper as a main component and a small amount of iron, zinc, phosphorus, tin, zirconia and the like. Further, the surface may be appropriately coated by plating or the like. The plating may be partially formed only on the surface on which the optical semiconductor element 40 is mounted on the upper surface of the metal rod 20. Further, as shown in FIG. 1D, the optical semiconductor element 40 may be installed in the cavity 24 formed on the mount surface of the metal rod 20.
As the optical semiconductor element 40, a light emitting element or a light receiving element can be used. In addition to or instead of these optical semiconductor elements, electronic elements such as transistors and diodes can be mounted. Hereinafter, a case where an LED is used as the optical semiconductor element 40 will be described as an example.

光半導体素子４０とワイヤ４２は、封止体５０により覆われている。封止体５０としては、例えば樹脂を用いることができる。封止体５０は、金属棒１０の第１の主面１０Ａと、金属棒２０の第１の主面２０Ａと、を覆っている。また、図２（ａ）に表したように、封止体５０は、金属棒１０、２０が対向する隙間には殆ど介在していなくてもよく、または、図２（ｂ）に表したように、金属棒１０、２０が対向する隙間の中ほどまで介在していてもよく、または図２（ｃ）に表したように、金属棒１０、２０が対向する隙間のほぼ全てを充填していてもよい。   The optical semiconductor element 40 and the wire 42 are covered with a sealing body 50. As the sealing body 50, for example, a resin can be used. The sealing body 50 covers the first main surface 10 </ b> A of the metal rod 10 and the first main surface 20 </ b> A of the metal rod 20. Further, as shown in FIG. 2A, the sealing body 50 may hardly be interposed in the gap between the metal rods 10 and 20, or as shown in FIG. Further, the metal rods 10 and 20 may be interposed in the middle of the opposed gap, or as shown in FIG. 2C, the metal rods 10 and 20 are filled almost all of the opposed gaps. May be.

また、本具体例の場合、封止体５０は、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂに延在している。ただし封止体５０が側面１０Ｂ、２０Ｂの全体を覆うことはなく、図１（ａ）及び（ｃ）に表したように、金属棒１０、２０の側面における封止体５０の先端５２は、金属棒１０、２０の底面１２、２２よりも上にある。つまり、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂは、封止体５０に覆われていない露出部を有する。   In the case of this specific example, the sealing body 50 extends to the side surfaces 10B and 20B of the metal rods 10 and 20. However, the sealing body 50 does not cover the entire side surfaces 10B and 20B, and as shown in FIGS. 1A and 1C, the tip 52 of the sealing body 50 on the side surfaces of the metal bars 10 and 20 is It is above the bottom surfaces 12 and 22 of the metal bars 10 and 20. That is, the side surfaces 10 </ b> B and 20 </ b> B of the metal bars 10 and 20 have exposed portions that are not covered with the sealing body 50.

本実施形態によれば、金属棒２０の上にＬＥＤなどの光半導体素子４０がマウントされ、金属棒２０の底面２２は、封止体５０などに覆われることなく露出している。従って、光半導体素子４０から放出された熱を、金属棒２０の底面から外部に効率よく放出させることができる。その結果として、例えば光半導体素子４０としてＬＥＤを用いた場合などに、光半導体素子４０の温度の上昇を抑制し、高出力の発光が安定して得られる。また、光半導体素子４０としてトランジスタなどの電子素子を用いた場合にも、大電流を流すことができる。また、図１（ｅ）に表した具体例においては、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂに段差Ｓが設けられ、側面１０Ｂ、２０Ｂにおいては、封止体５０はこの段差Ｓにより区画されている。一方、これら側面１０Ｂ、２０Ｂとは反対側の側面は、封止体５０によって比較的、底面の近くまで覆われている。このようにすると、側面１０Ｂ、２０Ｂの側を実装基板にハンダなどでマウントして、いわゆるサイドビュー型の配置が容易となる。   According to the present embodiment, the optical semiconductor element 40 such as an LED is mounted on the metal rod 20, and the bottom surface 22 of the metal rod 20 is exposed without being covered with the sealing body 50 or the like. Therefore, the heat released from the optical semiconductor element 40 can be efficiently released from the bottom surface of the metal rod 20 to the outside. As a result, for example, when an LED is used as the optical semiconductor element 40, an increase in the temperature of the optical semiconductor element 40 is suppressed, and high-output light emission is stably obtained. A large current can also flow when an electronic element such as a transistor is used as the optical semiconductor element 40. Further, in the specific example shown in FIG. 1E, the step S is provided on the side surfaces 10B and 20B of the metal rods 10 and 20, and the sealing body 50 is partitioned by the step S on the side surfaces 10B and 20B. ing. On the other hand, the side surface opposite to the side surfaces 10 </ b> B and 20 </ b> B is covered with the sealing body 50 relatively close to the bottom surface. In this way, the side surfaces 10B and 20B are mounted on the mounting substrate with solder or the like, so that a so-called side view type arrangement is facilitated.

図３は、本実施形態の光半導体装置の製造方法を例示する工程図である。すなわち、図３（ａ）〜（ｃ）には、それぞれ平面図及びそのＡ−Ａ線断面図を表し、図３（ｄ）は完成した光半導体装置を表した。   FIG. 3 is a process diagram illustrating the method for manufacturing the optical semiconductor device of this embodiment. 3A to 3C are a plan view and a cross-sectional view taken along line AA, respectively, and FIG. 3D shows a completed optical semiconductor device.

まず、図３（ａ）に表したように、複数の金属棒状部１０、２０が対向して併設されたリードフレーム４８を準備する。そして、金属棒状部２０に光半導体素子４０をハンダや導電性接着剤などでマウントする。さらに、光半導体素子４０の上面に設けられた電極（図示せず）と金属棒状部１０とをワイヤ４２により接続する。   First, as shown in FIG. 3A, a lead frame 48 in which a plurality of metal rod-like portions 10 and 20 are provided facing each other is prepared. Then, the optical semiconductor element 40 is mounted on the metal rod-shaped portion 20 with solder or a conductive adhesive. Further, an electrode (not shown) provided on the upper surface of the optical semiconductor element 40 and the metal rod-shaped portion 10 are connected by a wire 42.

次に、封止体５０を形成するためのキャビ枠８０に設けられた成形型８２に流体状の樹脂などの封止体５０を充填する。封止体５０としては、例えば、エポキシ系やシリコン系の樹脂を用いることができる。そして、リードフレーム４８を上下反転させ、光半導体素子４０とワイヤ４２を流体状の封止体５０の中に沈漬する。この際に、金属棒状部１０、２０の主面１０Ａ、２０Ａ（図１参照）も封止体５０の液面に接触させる。   Next, a sealing body 50 such as a fluid resin is filled in a molding die 82 provided in a cabinet frame 80 for forming the sealing body 50. As the sealing body 50, for example, an epoxy resin or a silicon resin can be used. Then, the lead frame 48 is turned upside down, and the optical semiconductor element 40 and the wire 42 are submerged in the fluid sealing body 50. At this time, the main surfaces 10 </ b> A and 20 </ b> A (see FIG. 1) of the metal rod-like portions 10 and 20 are also brought into contact with the liquid surface of the sealing body 50.

この状態で例えば恒温槽内で加熱することにより、封止体５０を硬化させる。   In this state, for example, the sealing body 50 is cured by heating in a thermostat.

なお、この工程において、硬化前の流体状の封止体５０の液面と金属棒状部１０、２０の主面１０Ａ、２０Ａとをほぼ一致させた場合でも、毛細管現象などによって、金属棒状部１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂに流体状の封止体５０が這い上がることがある。その結果として、図１に関して前述したように、側面１０Ｂ、２０Ｂの一部が封止体５０により被覆された状態となる。ただし、側面１０Ｂ、２０Ｂへの封止体５０の這い上がりは、側面１０Ｂ、２０Ｂの表面状態や形状、材質、封止体５０の材質や粘度、表面張力、温度、沈漬時間などにより適宜制御できる。その結果として、側面１０Ｂ、２０Ｂの全体に亘り封止体５０が這い上がることを防止できる。このように、側面１０Ｂ、２０Ｂにおける封止体５０の這い上がりを抑制することで、金属棒状部２０の底面を露出させ、光半導体素子４０から放出された熱を外部に放散させることができる。
封止体５０が硬化したら、図３（ｃ）に表したように、キャビ枠８０からリードフレーム４８及び封止体５０を取り外し、切断線９０に沿って打ち抜きプレスやブレード・ダイサーなどで切断することにより、図３（ｄ）に表したように、光半導体装置が完成する。なお、リードフレーム４８内の金属棒状部１０、２０の配置は、図３（ｅ）に表したようにそれらの片側の長辺において支持してもよい。 In this step, even when the liquid level of the fluid-like sealing body 50 before curing and the main surfaces 10A and 20A of the metal rod-like portions 10 and 20 are substantially matched, the metal rod-like portion 10 is caused by a capillary phenomenon or the like. , 20 may crawl the fluid-like sealing body 50 on the side surfaces 10B and 20B. As a result, as described above with reference to FIG. 1, the side surfaces 10 </ b> B and 20 </ b> B are partially covered with the sealing body 50. However, the creeping of the sealing body 50 to the side surfaces 10B and 20B is appropriately controlled according to the surface state and shape of the side surfaces 10B and 20B, the material, the material and viscosity of the sealing body 50, the surface tension, the temperature, the soaking time, and the like. it can. As a result, it is possible to prevent the sealing body 50 from creeping over the entire side surfaces 10B and 20B. Thus, by suppressing the sealing body 50 from creeping up on the side surfaces 10B and 20B, the bottom surface of the metal rod-shaped portion 20 can be exposed and the heat released from the optical semiconductor element 40 can be dissipated to the outside.
When the sealing body 50 is cured, as shown in FIG. 3C, the lead frame 48 and the sealing body 50 are removed from the cavity frame 80 and cut along a cutting line 90 with a punching press, a blade dicer, or the like. As a result, the optical semiconductor device is completed as shown in FIG. The arrangement of the metal rod-like portions 10 and 20 in the lead frame 48 may be supported on the long side on one side thereof as shown in FIG.

本実施形態によれば、極めてコンパクトな光半導体装置を提供できる。
図４は、本実施形態の光半導体装置のサイズを説明するための模式図である。なお、図４以降の図については、既出の図に関して説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。 According to this embodiment, an extremely compact optical semiconductor device can be provided.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the size of the optical semiconductor device of the present embodiment. 4 and the subsequent drawings, the same elements as those described with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted as appropriate.

光半導体素子４０のサイズがおよそ３００マイクロメータあるいはそれ以下である場合、光半導体装置の全体の長さＬは、例えば、３〜１０ミリメータ程度とすることができる。また、高さＨ２は、１ミリメータとすることが可能である。また、金属棒の幅Ｗ１は０．５ミリメータ程度とし、厚みＨ１は０．５ミリメータ程度とすることができる。   When the size of the optical semiconductor element 40 is about 300 micrometers or less, the total length L of the optical semiconductor device can be set to about 3 to 10 millimeters, for example. Also, the height H2 can be 1 millimeter. Further, the width W1 of the metal rod can be about 0.5 millimeters, and the thickness H1 can be about 0.5 millimeters.

またさらに、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂにおける封止体５０の這い上がりによる突出量Ｗ２は、およそ０．１ミリメータ以下に抑えることができる。つまり、封止体５０の幅Ｗ３は、およそ０．７ミリメータ以下とすることができる。このように、側面１０Ｂ、２０Ｂにおける封止体５０の這い上がりを抑制することで、光半導体素子の全体の幅Ｗ３を極めて小さくすることが可能となる。   Furthermore, the protrusion amount W2 due to the rising of the sealing body 50 on the side surfaces 10B and 20B of the metal rods 10 and 20 can be suppressed to about 0.1 millimeter or less. That is, the width W3 of the sealing body 50 can be about 0.7 millimeters or less. Thus, by suppressing the creeping of the sealing body 50 on the side surfaces 10B and 20B, the entire width W3 of the optical semiconductor element can be made extremely small.

このように幅Ｗ３を小さくすることにより、例えば、液晶表示装置などに用いる薄型バックライトの光源として用いることができる。すなわち、バックライトを薄型にするためには、導光板を薄くするとともに、その側面に配置され導光板に光を導入する発光装置も薄く形成する必要がある。これに対して、本実施形態によれば、バックライトの側面に対して金属棒２０の主面２０Ａが対向するように配置した時に、その幅Ｗ３を例えば０．７ミリメータ以下にまで小さくすることができる。その結果として、極めて薄型で高出力のバックライトを実現することが可能となる。   Thus, by reducing the width W3, for example, it can be used as a light source of a thin backlight used in a liquid crystal display device or the like. That is, in order to reduce the thickness of the backlight, it is necessary to make the light guide plate thin and to make the light emitting device arranged on the side surface for introducing light into the light guide plate thin. On the other hand, according to the present embodiment, when the main surface 20A of the metal bar 20 faces the side surface of the backlight, the width W3 is reduced to, for example, 0.7 millimeters or less. Can do. As a result, it is possible to realize a very thin and high output backlight.

以下、本実施形態の光半導体装置の他の具体例について説明する。
図５は、本発明実施形態の光半導体装置の第２の具体例を表す模式図である。すなわち、図５（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図５（ｂ）は光半導体装置を側面から見た図であり、図５（ｃ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図５（ｄ）は（ｃ）のＡ−Ａ線断面図である。
本変型例においては、封止体５０は、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂに這い上がっておらず、封止体５０の幅Ｗ３と金属棒の幅Ｗ１とが略同一である。一方、長手方向にみて、光半導体装置の両端において、封止体５０は金属棒１０、２０の端面１０Ｃ、２０Ｃに這い上がっている。ただし、この場合も、封止体５０は、金属棒１０、２０の底面１２、２２までは至らず、端面１０Ｃ、２０Ｃの全体を覆うことはない。光半導体装置の長手方向にみた封止体５０の突出量Ｗ４は、概ね０．１ミリメータ以下とすることができる。 Hereinafter, another specific example of the optical semiconductor device of this embodiment will be described.
FIG. 5 is a schematic view showing a second specific example of the optical semiconductor device according to the embodiment of the present invention. 5A is a perspective view of the optical semiconductor device viewed obliquely from above, FIG. 5B is a view of the optical semiconductor device viewed from the side, and FIG. 5C is the optical semiconductor device. It is the top view seen from the bottom face side, and FIG.5 (d) is the sectional view on the AA line of (c).
In this modification, the sealing body 50 does not crawl up the side surfaces 10B and 20B of the metal rods 10 and 20, and the width W3 of the sealing body 50 and the width W1 of the metal rod are substantially the same. On the other hand, as viewed in the longitudinal direction, the sealing body 50 rises up to the end faces 10C and 20C of the metal rods 10 and 20 at both ends of the optical semiconductor device. However, also in this case, the sealing body 50 does not reach the bottom surfaces 12 and 22 of the metal rods 10 and 20, and does not cover the entire end surfaces 10C and 20C. The protruding amount W4 of the sealing body 50 as viewed in the longitudinal direction of the optical semiconductor device can be set to approximately 0.1 millimeter or less.

図６は、本具体例の光半導体装置の製造方法を表す模式図である。
すなわち、金属棒１０、２０の母材となる金属板状部１１０、１２０を対向して配置し、金属板状部１２０の上に光半導体素子４０を所定の間隔でマウントする。そして、これら光半導体素子４０と金属板状部１１０とをワイヤ４２により接続する。しかる後に、図３（ｂ）に関して前述した工程と同様にして、光半導体素子４０とワイヤ４２を流体状の封止体５０に沈漬する。この際に、金属板状部１１０、１２０の端面１１０Ｃ、１２０Ｃに封止体５０が這い上がることがあるが、その這い上がり量は、図３（ｂ）に関して前述したように制御することができる。そして、封止体５０を硬化させた後、キャビ枠から取り出して、ダイシング・ブレード１００などにより切断線９０に沿って切断する。
以上説明した工程により、図５に表した光半導体装置が完成する。 FIG. 6 is a schematic view showing a method for manufacturing the optical semiconductor device of this example.
That is, the metal plate-like portions 110 and 120 that are base materials of the metal rods 10 and 20 are arranged to face each other, and the optical semiconductor element 40 is mounted on the metal plate-like portion 120 at a predetermined interval. Then, the optical semiconductor element 40 and the metal plate part 110 are connected by a wire 42. Thereafter, the optical semiconductor element 40 and the wire 42 are submerged in the fluid sealing body 50 in the same manner as described above with reference to FIG. At this time, the sealing body 50 sometimes crawls up on the end faces 110C and 120C of the metal plate portions 110 and 120, and the crawl amount can be controlled as described above with reference to FIG. . Then, after the sealing body 50 is cured, the sealing body 50 is taken out from the cabinet frame and cut along the cutting line 90 by the dicing blade 100 or the like.
Through the steps described above, the optical semiconductor device shown in FIG. 5 is completed.

本具体例によれば、金属棒１０、２０の側面１０Ｂ、２０Ｂと、封止体５０の側面５０Ｃと、は、ダイシング・ブレード１００などによる同一の切断面とすることができる。つまり、封止体５０は金属棒１０、２０よりも幅方向に突出することがなく、光半導体装置の幅Ｗ１、Ｗ３をより小さくすることができる。その結果として、例えば、この光半導体装置を液晶表示装置のバックライトに用いた場合に、バックライトの厚みをさらに薄くすることが可能となる。なお、金属棒１０、２０の底面１２、２２を実装基板にハンダ付けした時はトップビューとして用いることができ、また、側面１０Ｂ、２０Ｂをハンダ付けした時はサイドビューとして用いることができる。   According to this specific example, the side surfaces 10B and 20B of the metal rods 10 and 20 and the side surface 50C of the sealing body 50 can be the same cut surface by the dicing blade 100 or the like. That is, the sealing body 50 does not protrude in the width direction as compared with the metal bars 10 and 20, and the widths W1 and W3 of the optical semiconductor device can be made smaller. As a result, for example, when this optical semiconductor device is used as a backlight of a liquid crystal display device, the thickness of the backlight can be further reduced. When the bottom surfaces 12 and 22 of the metal rods 10 and 20 are soldered to the mounting substrate, they can be used as a top view, and when the side surfaces 10B and 20B are soldered, they can be used as a side view.

図７は、本実施形態の光半導体装置の第３の具体例を表す模式図である。すなわち、図７（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図７（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図７（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。
本変型例においては、金属棒１０、２０、３０がこの順に併設され、光半導体素子４０は金属棒２０の主面２０Ａの上にマウントされている。光半導体素子４０の上面には、２つの電極（図示せず）が設けられ、これら２つの電極と、金属棒１０、３０と、がワイヤ４２、４４によりそれぞれ接続されている。 FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a third specific example of the optical semiconductor device of the present embodiment. 7A is a perspective view of the optical semiconductor device as viewed obliquely from above, FIG. 7B is a plan view of the optical semiconductor device as viewed from the bottom side, and FIG. It is an AA line sectional view of).
In this modified example, the metal bars 10, 20, and 30 are provided in this order, and the optical semiconductor element 40 is mounted on the main surface 20 </ b> A of the metal bar 20. Two electrodes (not shown) are provided on the upper surface of the optical semiconductor element 40, and these two electrodes and the metal rods 10 and 30 are connected by wires 42 and 44, respectively.

そして、光半導体素子４０、ワイヤ４２、４４を覆うように封止体５０が設けられている。封止体５０は、金属棒１０、２０、３０の主面１０Ａ、２０Ａ、３０Ａの主面を覆うが、金属棒２０の側面２０Ｂと底面２２は覆っていない。また、金属棒１０、２０、３０の間隙は、図２（ａ）〜（ｃ）に関して前述したように、封止体５０が殆ど介在していなくてもよく、部分的に介在してていもよく、または間隙のほぼ全てに封止体５０が介在していてもよい。ただし、いずれの場合でも、封止体５０は、金属棒２０の底面２２には回り込むことはない。   A sealing body 50 is provided so as to cover the optical semiconductor element 40 and the wires 42 and 44. The sealing body 50 covers the main surfaces 10A, 20A, and 30A of the metal rods 10, 20, and 30 but does not cover the side surfaces 20B and the bottom surface 22 of the metal rod 20. Further, as described above with reference to FIGS. 2A to 2C, the gap between the metal rods 10, 20, and 30 may not include the sealing body 50 or may partially include the sealing body 50. Alternatively, the sealing body 50 may be interposed in almost all the gaps. However, in any case, the sealing body 50 does not wrap around the bottom surface 22 of the metal rod 20.

本具体例においても、光半導体素子４０がマウントされている金属棒２０の底面２２が封止体５０に覆われることなく露出しているので、光半導体素子４０から放出される熱を効率よく外部に放散させることができる。   Also in this specific example, since the bottom surface 22 of the metal rod 20 on which the optical semiconductor element 40 is mounted is exposed without being covered with the sealing body 50, the heat released from the optical semiconductor element 40 is efficiently removed from the outside. Can be dissipated.

図８は、本具体例の光半導体装置の製造方法を表す模式図である。
すなわち、図８（ａ）に表したように、複数の金属棒状部１０、３０が対向して併設され、これらの間に金属板状部１２０が介在したリードフレーム４９を準備する。そして、金属板状部１２０の上に光半導体素子４０を所定の間隔でマウントする。さらに、光半導体素子４０の上面に設けられた２つの電極（図示せず）と金属棒状部１０、３０とをワイヤ４２、４４によりそれぞれ接続する。 FIG. 8 is a schematic view showing a method for manufacturing the optical semiconductor device of this example.
That is, as shown in FIG. 8A, a lead frame 49 is prepared in which a plurality of metal rod-like portions 10 and 30 face each other and a metal plate-like portion 120 is interposed therebetween. Then, the optical semiconductor element 40 is mounted on the metal plate 120 at a predetermined interval. Further, two electrodes (not shown) provided on the upper surface of the optical semiconductor element 40 are connected to the metal rod-like portions 10 and 30 by wires 42 and 44, respectively.

次に、図３（ｂ）に関して前述したように、封止体５０を形成するためのキャビ枠に設けられた成形型に流体状の樹脂などの封止体５０を充填する。そして、リードフレーム４９を上下反転させ、光半導体素子４０とワイヤ４２、４４を流体状の封止体５０の中に沈漬する。この際に、金属棒状部１０、２０、３０の主面１０Ａ、２０Ａ、３０Ａ（図７参照）も封止体５０の液面に接触させる。この状態で例えば恒温槽内で加熱することにより、封止体５０を硬化させる。このようにして、ひとつの封止体５０により、隣接する複数の光半導体素子４０、ワイヤ４２、４４を封止する。   Next, as described above with reference to FIG. 3B, a sealing body 50 such as a fluid resin is filled in a mold provided in a cabinet frame for forming the sealing body 50. Then, the lead frame 49 is turned upside down, and the optical semiconductor element 40 and the wires 42 and 44 are submerged in the fluid sealing body 50. At this time, main surfaces 10 </ b> A, 20 </ b> A, 30 </ b> A (see FIG. 7) of the metal rod-like portions 10, 20, 30 are also brought into contact with the liquid surface of the sealing body 50. In this state, for example, the sealing body 50 is cured by heating in a thermostat. In this way, a plurality of adjacent optical semiconductor elements 40 and wires 42 and 44 are sealed by one sealing body 50.

しかる後に、図８（ｂ）に表したように、切断面９４に沿って封止体５０及び金属板状部１２０を切断する。そしてさらに、切断面９２に沿って金属棒状部１０、３０をそれぞれ切断することにより、光半導体装置をリードフレーム４９から分離することができる。   Thereafter, as shown in FIG. 8B, the sealing body 50 and the metal plate-like portion 120 are cut along the cut surface 94. Further, the optical semiconductor device can be separated from the lead frame 49 by cutting the metal rod-like portions 10 and 30 along the cut surface 92, respectively.

以上説明したように、本具体例によれば、封止体５０の側面と金属棒２０の側面とを同一の切断面とすることができる。つまり、図７（ｃ）に表したように、金属棒２０の幅Ｗ１と、封止体５０の幅Ｗ３と、を同一とすることができ、幅をコンパクトにした光半導体装置を提供できる。リードフレーム枠内の金属棒状部１０、３０の配置は、図８（ｅ）に例示したように、それらの片側の長辺において支持してもよい。   As explained above, according to this example, the side surface of the sealing body 50 and the side surface of the metal rod 20 can be made the same cut surface. That is, as shown in FIG. 7C, the width W1 of the metal rod 20 and the width W3 of the sealing body 50 can be made the same, and an optical semiconductor device with a compact width can be provided. As illustrated in FIG. 8E, the arrangement of the metal rod-like portions 10 and 30 in the lead frame frame may be supported on the long side of one side thereof.

一方、図８（ｃ）は、本具体例の光半導体装置の製造方法のもうひとつの具体例を表す模式図である。
本具体例の製造方法においては、図６に関して前述したものと同様に、金属板状部１１０、１２０、１３０が併設され、金属板状部１２０の上に光半導体素子４０が所定の間隔でマウントされる。そして、これら光半導体素子４０と、金属板状部１１０、１３０との間をワイヤ４２、４４によりそれぞれ接続した後に、ひとつの封止体５０により封止する。
その後、図８（ｃ）に表したように、ダイシング・ブレード１００などを用いて切断することにより、図７に表した光半導体装置が完成する。 On the other hand, FIG. 8C is a schematic diagram showing another specific example of the manufacturing method of the optical semiconductor device of this specific example.
In the manufacturing method of this specific example, the metal plate-like portions 110, 120, and 130 are provided together as described above with reference to FIG. 6, and the optical semiconductor element 40 is mounted on the metal plate-like portion 120 at a predetermined interval. Is done. Then, the optical semiconductor element 40 and the metal plate portions 110 and 130 are connected by wires 42 and 44, respectively, and then sealed with one sealing body 50.
Thereafter, as shown in FIG. 8C, the optical semiconductor device shown in FIG. 7 is completed by cutting using a dicing blade 100 or the like.

この製造方法を用いた場合も、封止体５０の側面と金属棒２０の側面とを同一の切断面とすることができる。つまり、図７（ｃ）に表したように、金属棒２０の幅Ｗ１と、封止体５０の幅Ｗ３と、を同一とすることができ、幅をコンパクトにした光半導体装置を提供できる。   Also when this manufacturing method is used, the side surface of the sealing body 50 and the side surface of the metal rod 20 can be made into the same cut surface. That is, as shown in FIG. 7C, the width W1 of the metal rod 20 and the width W3 of the sealing body 50 can be made the same, and an optical semiconductor device with a compact width can be provided.

図９は、本実施形態の光半導体装置の第４の具体例を表す模式図である。
本発明においては、封止体５０が金属棒１０、２０、３０の底面を覆うことはないので、これら金属棒１０、２０、３０から封止体５０が剥離しにくいように、金属棒１０、２０、３０の形状に工夫を加えるとよい。 FIG. 9 is a schematic diagram illustrating a fourth specific example of the optical semiconductor device of this embodiment.
In the present invention, since the sealing body 50 does not cover the bottom surfaces of the metal bars 10, 20, 30, the metal rod 10, It is advisable to devise the shape of 20,30.

例えば、図９（ａ）表した具体例の場合、金属棒１０と金属棒２０との対向部において、金属棒１０の対向面は底面１２に向かって間隔が広がるようなテーパ面１０Ｔとされている。同様に、金属棒２０と金属棒３０との対向部において、金属棒３０の対向面は底面３２に向かって間隔が広がるようなテーパ面３０Ｔとされている。金属棒２０にも、同様にテーパ面２０Ｔが設けられている。このように、金属棒の対向部において、底面に向かって間隔が広がるようにすれば、この間隙に封止体５０が介在した時に、上方に向けて封止体５０が剥離することを防止するアンカー効果が得られる。   For example, in the specific example shown in FIG. 9A, in the facing portion between the metal rod 10 and the metal rod 20, the facing surface of the metal rod 10 is a tapered surface 10 </ b> T in which the distance increases toward the bottom surface 12. Yes. Similarly, in the facing portion between the metal rod 20 and the metal rod 30, the facing surface of the metal rod 30 is a tapered surface 30 </ b> T having a gap that widens toward the bottom surface 32. The metal bar 20 is similarly provided with a tapered surface 20T. In this manner, when the gap is widened toward the bottom surface at the opposing portion of the metal rod, the sealing body 50 is prevented from peeling upward when the sealing body 50 is interposed in the gap. An anchor effect is obtained.

また、図９（ａ）に表した具体例において、金属棒２０の側面に、凸部２０Ｐが設けられている。封止体５０がこの凸部の周囲を取り囲むように形成すれば、封止体５０の剥離を凸部２０Ｐにより防止できる。さらに、図９（ａ）に表したように、同様の作用を有する凸部１０Ｐ、３０Ｐをそれぞれ金属棒１０、３０の端面に設けてもよい。   Further, in the specific example shown in FIG. 9A, a convex portion 20 </ b> P is provided on the side surface of the metal rod 20. If the sealing body 50 is formed so as to surround the periphery of the convex portion, peeling of the sealing body 50 can be prevented by the convex portion 20P. Further, as shown in FIG. 9A, convex portions 10 </ b> P and 30 </ b> P having the same function may be provided on the end surfaces of the metal rods 10 and 30, respectively.

図９（ｂ）に表した具体例においては、金属棒１０、２０、３０の側面に穴１０Ｈ、２０Ｈ、３０Ｈが設けられている。封止体５０がこれらの穴１０Ｈ、２０Ｈ、３０Ｈの中に入り込んだ状態で硬化すれば、封止体５０の剥離を防止するアンカー効果が得られる。   In the specific example shown in FIG. 9B, holes 10 </ b> H, 20 </ b> H, and 30 </ b> H are provided on the side surfaces of the metal bars 10, 20, and 30. If the sealing body 50 is cured in a state where it enters the holes 10H, 20H, and 30H, an anchor effect that prevents the sealing body 50 from peeling off can be obtained.

図９（ｃ）に表した具体例においては、図９（ａ）に関して前述したものと同様の凸部１０Ｐ、２０Ｐ、３０Ｐが、金属棒１０、２０、３０の側面に設けられている。またさらに、金属棒１０、２０の対向部と、金属棒２０、３０の対向部においても、凸部１０Ｐ、２０Ｐ、３０Ｐが設けられている。これら凸部１０Ｐ、２０Ｐ、３０Ｐの周囲を取り囲むように封止体５０を形成すれば、やはり封止体５０剥離を防止するアンカー効果が得られる。   In the specific example shown in FIG. 9C, convex portions 10P, 20P, and 30P similar to those described above with reference to FIG. 9A are provided on the side surfaces of the metal rods 10, 20, and 30. Furthermore, convex portions 10P, 20P, and 30P are also provided at the facing portions of the metal rods 10 and 20 and the facing portions of the metal rods 20 and 30, respectively. If the sealing body 50 is formed so as to surround the convex portions 10P, 20P, and 30P, an anchor effect for preventing the sealing body 50 from peeling off can be obtained.

図９（ｄ）に表した具体例においては、金属棒１０、２０の主面１０Ａ、２０Ａから底面１２、２２に貫通する穴１０Ｈ、２０Ｈが設けられている。これらの穴１０Ｈ、２０Ｈの径は、主面１０Ａ、２０Ａの側で小さく、底面１２、２２の側で大きい。封止体５０がこれらの穴１０Ｈ、２０Ｈに入り込んで硬化すれば、主面１０Ａ、２０Ａの側に向けて抜けにくくなるので、剥離を防止するアンカー効果が得られる。なおこの場合、封止体５０は、必ずしもこれら穴１０Ｈ、２０Ｈの中で底面１２、２２にまで至る必要はなく、穴の径が大きくなったところまで充填されていればアンカー効果が得られる。   In the specific example shown in FIG. 9D, holes 10 </ b> H and 20 </ b> H penetrating from the main surfaces 10 </ b> A and 20 </ b> A of the metal rods 10 and 20 to the bottom surfaces 12 and 22 are provided. The diameters of these holes 10H, 20H are small on the main surfaces 10A, 20A side and large on the bottom surfaces 12, 22 side. If the sealing body 50 enters these holes 10H and 20H and hardens, it becomes difficult to come out toward the main surfaces 10A and 20A, so that an anchor effect for preventing peeling is obtained. In this case, the sealing body 50 is not necessarily required to reach the bottom surfaces 12 and 22 in the holes 10H and 20H, and an anchor effect can be obtained if the sealing body 50 is filled up to a position where the diameter of the hole is increased.

図１０は、本実施形態の光半導体装置の第５の具体例を表す模式図である。すなわち、図１０（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図１０（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図１０（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。   FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a fifth specific example of the optical semiconductor device of this embodiment. 10A is a perspective view of the optical semiconductor device viewed obliquely from above, FIG. 10B is a plan view of the optical semiconductor device viewed from the bottom side, and FIG. It is an AA line sectional view of).

本発明においては、封止体５０の側面に、光反射層６０が設けられている。光半導体素子４０がＬＥＤなどの発光素子である場合、光半導体素子４０から放出された光を所定の範囲に照射させたい場合がある。このような場合に、光反射層６０を封止体５０の側面に設けると、光もれを防ぎ、輝度を上げることができる。本具体例は、例えば、液晶表示装置のバックライト用の光源などに用いて好適である。なお、この場合、光反射層６０は、必ずしも封止体５０の対向する両側面に設ける必要はなく、いずれか片方の側面のみに形成してもよい。また、封止体５０の両側面を被覆する光反射層６０の大きさが異なっていもよい。つまり、封止体５０のいずれか一方の側面は光反射層６０により大きく覆われ、他方の側面は光反射層６０により小さく覆われているようにしてもよい。   In the present invention, the light reflecting layer 60 is provided on the side surface of the sealing body 50. When the optical semiconductor element 40 is a light emitting element such as an LED, there are cases where it is desired to irradiate a predetermined range with light emitted from the optical semiconductor element 40. In such a case, if the light reflecting layer 60 is provided on the side surface of the sealing body 50, light leakage can be prevented and the luminance can be increased. This specific example is suitable, for example, for a light source for a backlight of a liquid crystal display device. In this case, the light reflection layer 60 is not necessarily provided on both opposing side surfaces of the sealing body 50, and may be formed only on one of the side surfaces. Further, the size of the light reflection layer 60 covering both side surfaces of the sealing body 50 may be different. That is, any one side surface of the sealing body 50 may be largely covered with the light reflecting layer 60, and the other side surface may be covered with the light reflecting layer 60.

光反射層６０としては、銀、金、アルミニウム、パラジウム、白金などの金属からなる反射層や、光を散乱する粒子を分散させた樹脂などを用いることができる。光を散乱する粒子としては、例えば、金属や酸化チタンや酸化マグネシウムなどの粉末を用いることができる。   As the light reflection layer 60, a reflection layer made of a metal such as silver, gold, aluminum, palladium, platinum, or a resin in which particles that scatter light are dispersed can be used. As the particles that scatter light, for example, powder of metal, titanium oxide, magnesium oxide, or the like can be used.

また、光反射層６０が電気的に絶縁性である場合には、金属棒１０、２０の側面にまで延在させて設けても、電気的なショートは発生しない。これに対して、光反射層６０が導電性である場合には、ショートを防止す観点から、図１０に例示したように、封止体５０の側面のみに形成し、金属棒１０、２０の側面にまでは延在しないようにすることが望ましい。   Further, when the light reflecting layer 60 is electrically insulative, an electrical short circuit does not occur even if the light reflecting layer 60 is provided to extend to the side surfaces of the metal rods 10 and 20. On the other hand, when the light reflection layer 60 is conductive, it is formed only on the side surface of the sealing body 50 as illustrated in FIG. It is desirable not to extend to the side.

図１１は、本実施形態の光半導体装置の第６の具体例を表す模式図である。すなわち、図１１（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図１１（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図１１（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。   FIG. 11 is a schematic diagram illustrating a sixth specific example of the optical semiconductor device of the present embodiment. That is, FIG. 11A is a perspective view of the optical semiconductor device viewed obliquely from above, FIG. 11B is a plan view of the optical semiconductor device viewed from the bottom side, and FIG. It is an AA line sectional view of).

本具体例においても、封止体５０の側面に光反射層６０Ａ、６０Ｂが設けられている。ただし、これら光反射層６０Ａ、６０Ｂは、互いに分離して設けられ、且つ、金属棒１０、２０の側面にまでそれぞれ延在している。これら光反射層６０Ａ、６０Ｂは、導電性であり、電極として用いることができる。例えば、この光半導体装置をバックライトの光源として用いる場合に、これら光反射層６０Ａ、６０Ｂをマウント面として、図示しない基板の上にマウントすることができる。この際に、基板の表面に設けられた電極パターンと、光反射層６０Ａ、６０Ｂとをそれぞれ接続することにより、マウントと同時に電気的な接続も完了する。   Also in this specific example, the light reflecting layers 60 </ b> A and 60 </ b> B are provided on the side surfaces of the sealing body 50. However, these light reflecting layers 60A and 60B are provided separately from each other and extend to the side surfaces of the metal rods 10 and 20, respectively. These light reflecting layers 60A and 60B are conductive and can be used as electrodes. For example, when this optical semiconductor device is used as a light source of a backlight, these light reflecting layers 60A and 60B can be mounted on a substrate (not shown) as a mounting surface. At this time, by connecting the electrode pattern provided on the surface of the substrate and the light reflecting layers 60A and 60B, the electrical connection is completed simultaneously with the mounting.

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。例えば、本発明の光半導体装置を構成する光半導体素子、金属棒、ワイヤ、封止体、光反射層などについては、当業者が適宜設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。例えば、封止体５０は、略直方体状などに形成してもよい。   The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, the optical semiconductor elements, metal rods, wires, sealing bodies, light reflecting layers and the like constituting the optical semiconductor device of the present invention may be modified by the person skilled in the art as appropriate. As long as it has, it is included in the scope of the present invention. For example, the sealing body 50 may be formed in a substantially rectangular parallelepiped shape.

また、各具体例及び各変型例のふたつ以上を技術的に可能な範囲で組み合わせたものについても、本発明の範囲に包含される。   Moreover, what combined two or more of each specific example and each modification within the technically possible range is also included in the scope of the present invention.

図１（ａ）は光半導体装置を斜め上方から眺めた斜視図であり、図１（ｂ）は光半導体装置を底面側から眺めた平面図であり、図１（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 1A is a perspective view of the optical semiconductor device viewed obliquely from above, FIG. 1B is a plan view of the optical semiconductor device viewed from the bottom side, and FIG. It is AA sectional view. 本実施形態の光半導体装置の側面図である。It is a side view of the optical semiconductor device of this embodiment. 本実施形態の光半導体装置の製造方法を例示する工程図である。It is process drawing which illustrates the manufacturing method of the optical semiconductor device of this embodiment. 本実施形態の光半導体装置のサイズを説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the size of the optical semiconductor device of this embodiment. 本発明実施形態の光半導体装置の第２の具体例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the 2nd specific example of the optical semiconductor device of this invention embodiment. 第２の具体例の光半導体装置の製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the optical semiconductor device of the 2nd example. 本実施形態の光半導体装置の第３の具体例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the 3rd specific example of the optical semiconductor device of this embodiment. 第３具体例の光半導体装置の製造方法を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the manufacturing method of the optical semiconductor device of a 3rd example. 本実施形態の光半導体装置の第４の具体例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the 4th specific example of the optical semiconductor device of this embodiment. 本実施形態の光半導体装置の第５の具体例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the 5th example of the optical semiconductor device of this embodiment. 本実施形態の光半導体装置の第６の具体例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing the 6th specific example of the optical semiconductor device of this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０、２０、３０ 金属棒（金属棒状部）、 １０Ａ、２０Ａ、３０Ａ 主面、 １０Ｂ、２０Ｂ、３０Ｂ 側面、 １０Ｃ、２０Ｃ 端面、 １０Ｈ、２０Ｈ、３０Ｈ 穴、 １０Ｐ、２０Ｐ、３０Ｐ 凸部、 １０Ｔ、２０Ｔ、３０Ｔ テーパ面、 １２、２２、３２ 底面、 ４０ 光半導体素子、 ４２ ワイヤ、 ４８、４９ リードフレーム、 ５０ 封止体、 ５０Ｃ 側面、 ５２ 先端、 ６０ 光反射層、 ６０Ａ、６０Ｂ 光反射層、 ８０ キャビ枠、 ８２ 成形型、 ９０ 切断線、 ９２、９４ 切断面、１００ ダイシング・ブレード、１１０ 金属板状部、１１０Ｃ 端面、１２０ 金属板  10, 20, 30 Metal rod (metal rod-shaped portion), 10A, 20A, 30A main surface, 10B, 20B, 30B side surface, 10C, 20C end surface, 10H, 20H, 30H hole, 10P, 20P, 30P convex portion, 10T, 20T, 30T taper surface, 12, 22, 32 bottom surface, 40 optical semiconductor element, 42 wire, 48, 49 lead frame, 50 sealing body, 50C side surface, 52 tip, 60 light reflecting layer, 60A, 60B light reflecting layer, 80 Cavity frame, 82 Mold, 90 Cutting line, 92, 94 Cutting surface, 100 Dicing blade, 110 Metal plate, 110C End surface, 120 Metal plate

Claims (4)

離間した少なくとも２つの金属棒と、
前記少なくとも２つの金属棒のいずれかの主面にマウントされた光半導体素子と、
前記少なくとも２つの金属棒の他のいずれかの主面と、前記光半導体素子と、を接続するワイヤと、
前記光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属棒のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、を覆う封止体と、
を備え、
前記少なくとも２つの金属棒の少なくともいずれかは、前記主面に直交する側面であって前記封止体に接する側面の少なくともいずれかに穴が設けられたことを特徴とする光半導体装置。 At least two metal rods spaced apart;
An optical semiconductor element mounted on one of the main surfaces of the at least two metal rods;
A wire connecting the other main surface of the at least two metal rods and the optical semiconductor element;
A sealing body covering the optical semiconductor element, the wire, and at least a part of the at least two metal rods excluding a bottom surface facing the main surface;
With
An optical semiconductor device, wherein at least one of the at least two metal rods is provided with a hole in at least one of side surfaces orthogonal to the main surface and in contact with the sealing body. 前記少なくとも２つの金属棒の前記主面に直交する側面の少なくとも一部は、前記封止体に覆われていないことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 Wherein at least a portion of the side surface perpendicular to the main surface of the at least two metal bars, according to claim 1 Symbol mounting the optical semiconductor device is characterized in that which is not covered with the sealing member. 前記封止体の少なくとも一部は、光反射層により覆われたことを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体装置。 Wherein at least a portion of the sealing body, an optical semiconductor device according to claim 1 or 2, characterized in that is covered by the light reflective layer. 離間した少なくとも２つの金属棒状部のいずれかの主面に光半導体素子をマウントする工程と、
前記光半導体素子と、前記少なくとも２つの金属棒状部の他のいずれかの主面と、をワイヤで接続する工程と、
前記光半導体素子と、前記ワイヤと、前記少なくとも２つの金属棒状部のそれぞれの前記主面に対向する底面を除く少なくとも一部と、を封止体により覆う工程と、
前記金属棒状部を切断することにより、前記封止体により覆われた部分を分離する工程と、
を備え、
前記少なくとも２つの金属棒状部の少なくともいずれかは、前記主面に直交する側面であって前記封止体に接する側面の少なくともいずれかに穴が設けられたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。 Mounting an optical semiconductor element on one of the main surfaces of at least two spaced apart metal rods;
Connecting the optical semiconductor element and any other main surface of the at least two metal rod-shaped portions with a wire;
A step of covering the optical semiconductor element, the wire, and at least a part of the at least two metal rod-like portions excluding a bottom surface facing the main surface with a sealing body;
A step of separating the portion covered by the sealing body by cutting the metal rod-shaped portion;
With
At least one of the at least two metal rod-shaped portions is a side surface orthogonal to the main surface, and a hole is provided in at least one of the side surfaces in contact with the sealing body. Method.
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