JP5130740B2 - 半導体装置の製造方法及びその方法に使用する装置 - Google Patents
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Description
絶縁膜2に形成した開口部1の内側および外側にCu膜3とバリアメタル層11を形成した基板すなわち被研磨体7を、化学的機械的研磨装置6の研磨ヘッド8に装着し、Cu膜3の形成されている面(被研磨面)を下にして、所定の加重を加えた状態で被研磨体7を研磨布9に押し当てる。尚、被研磨体7は、研磨ヘッド8によって側面を覆われた状態で、研磨布9に押し当てられる。従って、図20では、被研磨体7は破線で示した。
次に、酸性の加工液の中に酸化剤(H2O2等)と砥粒(Al2O3等)を混ぜた研磨液(スラリー)12を、研磨布(研磨パッド)9を貼付した定盤(プラテン)10の上に流す。尚、砥粒とは、研磨剤として使用される微粒子のことである。
次に、開口部1の外側に形成されたCuが除去された被研磨体7を別の化学的機械的研磨装置に移し、水酸化カリウム(KOH)またはアンモニア水(NH4OH)などのアルカリ性水溶液(pH8以上)に砥粒(シリコン酸化物粒子(SiO2)、酸化セリウム粒子(CeO2)など)を混ぜた研磨液(スラリー)を使用して、バリアメタル層11及び絶縁膜3(同時に開口部1の内側に形成されたCu)を所定の厚さ化学的機械的研磨する。ここで、アルカリ性の研磨液を使用する理由は、シリコン酸化物粒子等の砥粒をK+やNH4 +によって電気的に安定化させるためである。
最後に、表面に付着した砥粒や金属汚染(Cu汚染)を洗浄する。砥粒の洗浄には、例えば有機アルカリ洗浄液や水に水素を溶解させた水素機能水によるブラシスクライブが用いられる。一方、金属汚染の洗浄には、例えば有機酸(シュウ酸(COOH)2)による洗浄が用いられる。
上記の目的を達成するために、本発明の第1の側面は、絶縁膜に開口部を形成する第1の工程と、導電体を、前記開口部の内側および前記開口部の外側に形成する第2の工程と、前記開口部の外側に形成された前記導電体を、酸化剤が混合された第1の研磨液を用いて化学的機械的研磨する第3の工程と、前記絶縁膜の上部及び前記開口部の内側に形成された前記導電体の上部を、アルカリ性の第2の研磨液を用いて所定の厚さ化学的機械的研磨し除去する第4の工程を有する、半導体装置の製造方法において、第4の工程が、第2の研磨液に代えて、水に水素を溶解してなる水素機能水を、アルカリ性の研磨液に混合してなる第3の研磨液を用い、第3の研磨液に超音波を印加した状態で、前記絶縁膜の上部及び前記開口部の内側に形成された前記導電体の上部を、所定の厚さ化学的機械的研磨し除去する工程であることを特徴とする。
本発明の第2の側面は、第1の側面において、第3の研磨液における前記水素の濃度が、0.5ppm以上1.5ppm以下であることを特徴とする。
本発明の第3の側面は、第1乃至第2の側面において、水素機能水を混合するアルカリ性の前記研磨液が、シリコン酸化物粒子、アルミナ酸化物粒子、およびセリウム酸化物粒子からなる群より選ばれた少なくても一の粒子を砥粒として含む研磨液であることを特徴とする。
第2の工程が、前記開口部の内側および前記開口部の外側に前記導電体の拡散を防止するバリアメタル層を形成した後に、前記バリアメタル層を介して前記導電体を前記開口部の内側および前記開口部の外側に形成する工程であり、第4の工程が、第2の研磨液に代えて、水に水素を溶解してなる水素機能水を、アルカリ性の研磨液に混合してなる第3の研磨液を用い、第3の研磨液に超音波を印加した状態で、前記バリアメタル層、前記絶縁膜の上部、及び前記開口部の内側に形成された前記導電体の上部を、所定の厚さ化学的機械的研磨し除去する工程であり、第4の工程によって研磨された、前記絶縁膜の上部及び前記開口部の内側に形成された前記導電体の上部から、水に水素を溶解してなる水素機能水を用いたブラシスクライブによって、第1及び第3の研磨液に混合された砥粒を除去する第5の工程を有することを特徴とする請求項1乃至3に記載の半導体装置の製造方法。
本発明の第5の側面は、研磨布が上面に貼付され、研磨時に回転する定盤と、所定の圧力を加えて、被研磨面を下にして被研磨体を前記研磨布に押し当てる研磨ヘッドと、研磨液を前記研磨布に供給する研磨液供給装置からなる化学的機械的研磨装置において、水に水素を溶解してなる水素機能水を第1の研磨液に混合してなる第2の研磨液を供給する研磨液供給装置と、前記被研磨体と前記研磨布の間に入り込んだ第2の研磨液に超音波を発生させる超音波発生装置を具備することを特徴とする。
本発明の第6の側面は、第5の側面において、前記超音波発生装置が、前記研磨ヘッド内に、前記被研磨体に接するように配置され、前記被研磨体を介して、前記研磨液に超音波を発生させる超音波発生装置であることを特徴とする。
本発明の第7の側面は、第5又は第6の側面において、前記研磨液供給装置が、砥粒を含む研磨液を供給する研磨液供給装置と、水に水素を溶解した水素機能水を製造する水素機能水製造装置と、前記研磨液と前記水素器機能水を混合する液体混合装置を備えることを特徴とする。
(実施の形態例1)
本実施の形態例は、金属配線における腐食痕発生を抑制した半導体装置の製造方法に係るものである。
以下、本実施の形態例における半導体装置の製造方法について図7乃至図14に示す工程断面図並びに図6に示す要部工程図を用いて説明する。
次に、本実施の形態例による半導体装置の製造方法の評価結果について説明する。
本実施の形態例は、金属配線における腐食痕発生を抑制する上述の「半導体装置の製造方法」に使用される化学的機械的研磨装置に係るものである。
図15は、本実施の形態例における化学的機械的研磨装置の要部を示した図である。
本実施の形態例における化学的機械的研磨装置90は、研磨布9が上面に貼付され研磨時に回転する定盤10と、所定の圧力を加えて被研磨体を研磨布9に押し当てる研磨ヘッド8と、水に水素を溶解してなる水素水を研磨液に混合した水素機能水調整研磨液を供給する研磨液供給装置(水素機能水調整研磨液供給装置)117と、被研磨体7と研磨布9の間に入り込んだ水素機能水調整研磨液に超音波を発生させる超音波発生装置118とによって構成されている。本実施の形態例では、超音波発生装置118は研磨ヘッド8に内蔵されている。尚、化学的機械的研磨装置90には、通常研磨布9の破損を修復するコンディショナ13も備え付けてもよい。
次に、この化学的機械的研磨装置の動作について説明する。
(変形実施の形態例)
本発明は上記実施の形態例に限らず種々の変形が可能である。
2 絶縁膜
3 導電体
4 開口部の内側に形成された導電体の上部
5 絶縁膜の上部
6 従来の化学的機械的研磨装置
7 被研磨体
8 研磨ヘッド
9 研磨布(研磨パッド)
10 定盤(プラテン)
11 バリアメタル層
12 研磨液(スラリー)
13 コンディショナ
14 Cuの平衡電位
15 Cu2p3/2に由来する光電子ピーク
16 CuOに由来する光電子ピーク
17 Cuの酸化還元電位
18 Cu2p1/2に由来する光電子ピークのトピーク
20 シリコン基板
22 素子分離膜
24 ゲート電極
26 ソース/ドレイン拡散層
28 シリコン窒化膜
30 PSG膜
32 SiC膜
34 層間絶縁膜
36 コンタクトホール
38 コンタクトプラグ
40 SiOC膜
42 シリコン酸化膜
44 層間絶縁膜
46 フォトレジスト膜
48 配線溝
50 バリアメタル層
52 Cu膜
54 配線層
56 ノズル
58 SiC膜
64 SiOC膜
66 シリコン酸化膜
68 シリコン窒化膜
70 層間絶縁膜
72 フォトレジスト膜
74 フォトレジスト膜
76 ビアホール
78 配線溝
80 バリアメタル層
82 Cu膜
84 配線層
86 SiC膜
90 実施の形態例2における化学的機械的研磨装置
117 水素機能水調整研磨液供給装置
118 超音波発生装置
119 スピンドル
120 ウエハガイド
121 上蓋
123 圧縮空気
124 超音波振動子
125 ウエハ押さえ
126 超音波発生装置
127 振動伝達板に開いた窓
128 研磨液供給装置
129 水素機能水製造装置
130 液体混合装置
131 水素機能水調整研磨液
132 振動伝達板
Claims (7)
- 絶縁膜に開口部を形成する第1の工程と、
金属を、前記開口部の内側および前記開口部の外側に形成する第2の工程と、
前記開口部の外側に形成された前記金属を、酸化剤が混合された第1の研磨液を用いて化学的機械的研磨する第3の工程と、
前記絶縁膜の上部及び前記開口部の内側に形成された前記金属の上部を、砥粒を含むアルカリ性の第2の研磨液を用いて所定の厚さ化学的機械的研磨し除去する第4の工程を有する、
半導体装置の製造方法において、
第4の工程が、
第2の研磨液に代えて、水に水素を溶解してなる水素機能水を、砥粒を含むアルカリ性の研磨液に混合してなる第3の研磨液を用い、
第3の研磨液に超音波を印加した状態で、
前記絶縁膜の上部及び前記開口部の内側に形成された前記金属の上部を、所定の厚さ化学的機械的研磨し除去する工程である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第3の研磨液における前記水素の濃度が、0.5ppm以上1.5ppm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 水素機能水を混合するアルカリ性の前記研磨液が、シリコン酸化物粒子、アルミナ酸化物粒子、およびセリウム酸化物粒子からなる群より選ばれた少なくても一の粒子を砥粒として含む研磨液であることを特徴とする請求項1乃至2に記載の半導体装置の製造方法。
- 第2の工程が、
前記開口部の内側および前記開口部の外側に前記金属の拡散を防止するバリアメタル層を形成した後に、前記バリアメタル層を介して前記金属を前記開口部の内側および前記開口部の外側に形成する工程であり、
第4の工程が、
第2の研磨液に代えて、水に水素を溶解してなる水素機能水を、砥粒を含むアルカリ性の研磨液に混合してなる第3の研磨液を用い、第3の研磨液に超音波を印加した状態で、前記バリアメタル層、前記絶縁膜の上部、及び前記開口部の内側に形成された前記金属の上部を、所定の厚さ化学的機械的研磨し除去する工程であり、
第4の工程によって研磨された、前記絶縁膜の上部及び前記開口部の内側に形成された前記金属の上部から、
水に水素を溶解してなる水素機能水を用いたブラシスクライブによって、第1及び第3の研磨液に混合された砥粒を除去する第5の工程を有することを特徴とする請求項1乃至3に記載の半導体装置の製造方法。 - 研磨布が上面に貼付され、研磨時に回転する定盤と、
所定の圧力を加えて、被研磨面を下にして被研磨体を前記研磨布に押し当てる研磨ヘッドと、
研磨液を前記研磨布に供給する研磨液供給装置からなる化学的機械的研磨装置において、
水に水素を溶解してなる水素機能水を砥粒を含むアルカリ性の第1の研磨液に混合してなる第2の研磨液を供給する研磨液供給装置と、
前記被研磨体と前記研磨布の間に入り込んだ第2の研磨液に超音波を発生させる超音波発生装置を具備することを特徴とする化学的機械的研磨装置。 - 前記超音波発生装置が、
前記研磨ヘッド内に、前記被研磨体に接するように配置され、
前記被研磨体を介して、前記研磨液に超音波を発生させる超音波発生装置であることを特徴とする請求項5に記載の化学的機械的研磨装置。 - 前記研磨液供給装置が、
砥粒を含む研磨液を供給する研磨液供給装置と、
水に水素を溶解した水素機能水を製造する水素機能水製造装置と、
前記研磨液と前記水素器機能水を混合する液体混合装置を備えることを、
特徴とする請求項5又は6に記載の化学的機械的研磨装置。
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