JP5129902B2 - 基板戴置装置用の基板戴置板の表面研磨方法及び装置 - Google Patents
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Description
上記チャックの表面の突起は、断面が台形、または頂面を平面にした山形である。該チャックの突起はブラストで形成されることが多いが、ブラスト成形の場合、該突起の側面や底面の表面粗さが悪く、該粗面からのパーティクルの発生が多くなるので、該粗面をなだらかに鏡面研磨することが求められている。該突起の頂面は平坦であり、比較的研磨し易いが、上記突起の側面は、突起の内方に存在するので研磨が困難である。
バフ研磨とは、金属表面をきれいにする加工法で、綿布・麻など、柔軟性のある素材でできた軟らかいバフに砥粒を付着させ、このバフを高速回転させながら被加工物に押し当てて表面を磨く加工方法のことである。
図1に、本発明の研磨の対象である基板戴置装置の基板戴置板(チャック)の概念図を示す。基板戴置板(チャック)1は円板状であって、その表面には無数の突起5が存在する。図1(a)は上面図、図1(b)は、側面図である。図1(c)は、図1(b)の突起5の拡大図である。
図2に、本発明に係わる基板戴置板(チャック)1の表面を鏡面研磨する方法の第1の実施例を示す。
上記磁性粒は、鉄、ニッケル、ステンレス等の磁性体からなる粉状、または円柱状のものが使用される。上記砥粒としては、ダイヤモンド、酸化アルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、立方体窒化ホウ素等が用いられる。
元素系 例:ダイヤモンド(C)
酸化物系 例:アルミナ(Al2O3),ジルコニア
水酸化物系 例:ハイドロキシアパタイト
炭化物系 例:炭化ケイ素(SiC)
炭酸塩系
窒化物系 例:窒化ケイ素(Si3N4),窒化アルミニウム(ALN)
ハロゲン化物系 例:蛍石
リン酸塩系
図3は、本発明の第2実施例を示す。
第2実施例においては、前記基板戴置板の上方にも前記基板戴置板下方の磁力源と極性の異なる磁力源を設け、前記スラリー状研磨材を上記両磁力源間に吸着させることにより、前記スラリー状研磨材が前記基板戴置板上面への磁気ブラシを形成する。
図4,図5には、本発明の第3実施例を示す。
図3の第2実施例と異なる点は、第3実施例においては、下方磁極が円盤上に載せられていて、該円盤が戴置板の下方で回転する点である。なお、下方磁極(N極)の載せられている位置は、中心ではなく周辺に近く、偏心している。
測定結果より、基板戴置板の表面が非常になだらかな鏡面になっているのが分かる。なお、前記戴置板状の突起は、エッチングやマシニングにより形成されることもあるが、その場合も本発明の鏡面研磨は有効である。
5 突起
6 研磨材
7 振動ユニット
8 モーター
21,22 モーター
23 研磨材
24,25 ヨーク
28 回転テーブル
30 振動ユニット
41 磁極
42 研磨材
43 磁極
46 回転駆動装置
47 移動装置
Claims (8)
- 半導体用ウエハーや液晶用ウエハーを戴置し、移動させるための基板戴置装置用の突起のあるファインセラミックス製の基板戴置板の表面を研磨する方法であって、該基板戴置板の表面に磁性粒、砥粒を潤滑材に混ぜたスラリー状研磨材を戴置し、上記基板戴置板の裏面下方側に磁力発生装置を置いて、該磁力発生装置を移動させて、上記基板戴置板表面の研磨材を移動させ、前記基板戴置板の表面を鏡面研磨する前記基板戴置板の表面研磨方法において、
前記基板戴置板の上方にも前記基板戴置板下方の磁力源と極性の異なる磁力源を設け、前記スラリー状研磨材を上記両磁力源間に吸着させることにより、前記スラリー状研磨材が前記基板戴置板上面への磁気ブラシを形成し、
前記基板戴置板の上方の磁力源が前記基板戴置板の中心部上方に設けられ、かつ、基板戴置板の下方の磁力源が、軸中心を前記基板戴置板の中心部下方に設けられた回転円盤の周辺部上方に設けられており、該回転円盤を回転させることにより前記下方の磁力源が偏心して回転し、前記磁気ブラシが前記基板戴置板の上面に斜めに形成され、前記円盤の回転により該磁気ブラシが基板戴置板上面を円周方向に周回して研磨することを特徴とする基板戴置板の表面研磨方法。 - 半導体用ウエハーや液晶用ウエハーを戴置し、移動させるための基板戴置装置用の突起のあるファインセラミックス製の基板戴置板の表面を研磨する方法であって、該基板戴置板の表面に磁性粒、砥粒を潤滑材に混ぜたスラリー状研磨材を戴置し、上記基板戴置板の裏面下方側に磁力発生装置を置いて、該磁力発生装置を移動させて、上記基板戴置板表面の研磨材を移動させ、前記基板戴置板の表面を鏡面研磨する前記基板戴置板の表面研磨方法において、
前記基板戴置板の上方にも前記基板戴置板下方の磁力源と極性の異なる磁力源を設け、前記スラリー状研磨材を上記両磁力源間に吸着させることにより、前記スラリー状研磨材が前記基板戴置板上面への磁気ブラシを形成し、
前記基板戴置板の下方の磁力源が前記基板戴置板の中心部下方に設けられ、かつ、基板戴置板の上方の磁力源が、軸中心を前記基板戴置板の中心部上方に設けられた回転円盤の周辺部下方に設けられており、該回転円盤を回転させることにより前記上方の磁力源が偏心して回転し、前記磁気ブラシが前記基板戴置板の上面に斜めに形成され、前記円盤の回転により該磁気ブラシが基板戴置板上面を円周方向に周回して研磨することを特徴とする基板戴置板の表面研磨方法。 - 前記基板戴置板の上方の磁力源および基板戴置板の下方の磁力源が1つの電磁コイルで励磁され、該電磁コイルから上記基板戴置板上方及び基戴置板下方にヨークが延長され、上記基板戴置板の上方の磁力源および基板戴置板の下方の磁力源を介して前記電磁コイルで励磁された磁気回路が形成されることを特徴とする前記請求項1または2記載の基板戴置板の表面研磨方法。
- 前記磁性粒が、鉄、ニッケル、ステンレス等の磁性体からなる粉状、または円柱状のピンからなり、硬度差からそれ自体は前記ファインセラミックス製の基板戴置板表面を削ることのない材質であることを特徴とする前記請求項1〜3の内、いずれか1記載の基板戴置板の表面研磨方法。
- 半導体用ウエハーや液晶用ウエハーを戴置し、移動させるための基板戴置装置用の突起のあるファインセラミックス製の基板戴置板の表面を研磨する装置であって、該基板戴置板の表面に磁性粒、砥粒を潤滑材に混ぜたスラリー状研磨材を戴置し、上記基板戴置板の裏面下方側に磁力発生装置を置いて、該磁力発生装置を移動させて、上記基板戴置板表面の研磨材を移動させ、前記基板戴置板の表面を鏡面研磨する前記基板戴置板の表面研磨装置において、
前記基板戴置板の上方にも前記基板戴置板下方の磁力源と極性の異なる磁力源を設け、前記スラリー状研磨材を上記両磁力源間に吸着させることにより、前記スラリー状研磨材が前記基板戴置板上面への磁気ブラシを形成し、
前記基板戴置板の上方の磁力源が前記基板戴置板の中心部上方に設けられ、かつ、基板戴置板の下方の磁力源が、軸中心を前記基板戴置板の中心部下方に設けられた回転円盤の周辺部上方に設けられており、該回転円盤を回転させることにより前記下方の磁力源が偏心して回転し、前記磁気ブラシが前記基板戴置板の上面に斜めに形成され、前記円盤の回転により該磁気ブラシが基板戴置板上面を円周方向に周回して研磨することを特徴とする基板戴置板の表面研磨装置。 - 半導体用ウエハーや液晶用ウエハーを戴置し、移動させるための基板戴置装置用の突起のあるファインセラミックス製の基板戴置板の表面を研磨する装置であって、該基板戴置板の表面に磁性粒、砥粒を潤滑材に混ぜたスラリー状研磨材を戴置し、上記基板戴置板の裏面下方側に磁力発生装置を置いて、該磁力発生装置を移動させて、上記基板戴置板表面の研磨材を移動させ、前記基板戴置板の表面を鏡面研磨する前記基板戴置板の表面研磨装置において、
前記基板戴置板の上方にも前記基板戴置板下方の磁力源と極性の異なる磁力源を設け、前記スラリー状研磨材を上記両磁力源間に吸着させることにより、前記スラリー状研磨材が前記基板戴置板上面への磁気ブラシを形成し、
前記基板戴置板の下方の磁力源が前記基板戴置板の中心部下方に設けられ、かつ、基板戴置板の上方の磁力源が、軸中心を前記基板戴置板の中心部上方に設けられた回転円盤の周辺部下方に設けられており、該回転円盤を回転させることにより前記上方の磁力源が偏心して回転し、前記磁気ブラシが前記基板戴置板の上面に斜めに形成され、前記円盤の回転により該磁気ブラシが基板戴置板上面を円周方向に周回して研磨することを特徴とする基板戴置板の表面研磨装置。 - 前記基板戴置板の上方の磁力源および基板戴置板の下方の磁力源が1つの電磁コイルで励磁され、該電磁コイルから上記基板戴置板上方及び基戴置板下方にヨークが延長され、上記基板戴置板の上方の磁力源および基板戴置板の下方の磁力源を介して前記電磁コイルで励磁された磁気回路が形成されることを特徴とする前記請求項5または6記載の基板戴置板の表面研磨装置。
- 前記磁性粒が、鉄、ニッケル、ステンレス等の磁性体からなる粉状、または円柱状のピンからなり、硬度差からそれ自体は前記ファインセラミックス製の基板戴置板表面を削ることのない材質であることを特徴とする前記請求項4〜6の内、いずれか1記載の基板戴置板の表面研磨装置。
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