JP5128565B2 - 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 - Google Patents
電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5128565B2 JP5128565B2 JP2009217819A JP2009217819A JP5128565B2 JP 5128565 B2 JP5128565 B2 JP 5128565B2 JP 2009217819 A JP2009217819 A JP 2009217819A JP 2009217819 A JP2009217819 A JP 2009217819A JP 5128565 B2 JP5128565 B2 JP 5128565B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- emitting device
- fine particles
- electrons
- emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Description
上記電極基板上に、導電微粒子と当該導電微粒子の平均粒径よりも大きい平均粒径の絶縁体微粒子とが溶媒に分散された分散液を塗布して微粒子層を形成する微粒子層形成工程と、上記微粒子層上に、電子輸送剤がバインダー成分に分散された分散液を塗布して保護層を形成する保護層形成工程と、を含むことを特徴としている。
上記方法によると、電子加速層の形成において、電極基板側から順に、導電微粒子と絶縁体微粒子とを含む微粒子層、電子輸送剤とバインダー成分とを含む保護層とが形成される。
図1は、本発明の電子放出素子の一実施形態の構成を示す模式図である。図1に示すように、本実施形態の電子放出素子1は、下部電極となる電極基板2と、上部電極となる薄膜電極3と、その間に挟まれて存在する電子加速層4とからなる。また、電極基板2と薄膜電極3とは電源11に繋がっており、互いに対向して配置された電極基板2と薄膜電極3との間に電圧を印加できるようになっている。電子放出素子1は、電極基板2と薄膜電極3との間に電圧を印加することで、電極基板2と薄膜電極3との間、つまり、電子加速層4に電流を流し、その一部を印加電圧の形成する強電界により弾道電子として、薄膜電極3を透過および/あるいは薄膜電極3の隙間から放出させる。なお、電子放出素子1と電源11とから電子放出装置14が成る。
以下の実施例では、本発明に係る電子放出素子を用いて電流測定した実験について説明する。なお、この実験は実施の一例であって、本発明の内容を制限するものではない。
まず、10mLの試薬瓶に溶媒であるヘキサン3.0gと、絶縁体微粒子7として平均粒径110nmの球状シリカ粒子とを0.5g投入し、試薬瓶を超音波分散器にかけ、絶縁体微粒子分散液を調製した。得られた絶縁体微粒子分散液1.0gに、導電微粒子8が分散された分散溶液として、銀ナノ粒子含有ヘキサン分散溶液(応用ナノ粒子研究所製、銀微粒子の平均粒径4.5nm、銀微粒子固形分濃度7%)0.7gを混合し、分散液Aを調整した。
まず、10mLの試薬瓶に溶媒であるトルエン3.0gと、絶縁体微粒子7として平均粒径110nmの球状シリカ粒子を0.5g投入し、試薬瓶を超音波分散器にかけ、絶縁体微粒子分散液を調製した。得られた絶縁体微粒子分散液1.0gに、導電微粒子8が分散された分散溶液として、銀ナノ粒子(応用ナノ粒子研究所製、銀微粒子の平均粒径4.5nm)0.03gを混合し、分散液Cを調整した。
まず、実施例2と同様に分散液Cを調製し、電極基板2となる25mm角のITOガラス基板上に得られた分散液Cを滴下後、スピンコート法を用いて500rpm、5sの後、続いて3000rpm、10sの条件の2段階で絶縁体微粒子と導電性微粒子から成る微粒子層5を形成した。この微粒子層5は常温で乾燥し、電子加速層4を形成した。なお、比較例1では、保護層6は形成していない。
図3に、実施の形態1で説明した本発明に係る電子放出装置14を利用した本発明に係る帯電装置90の一例を示す。帯電装置90は、電子放出素子1とこれに電圧を印加する電源11とを有する電子放出装置14から成り、感光体15を帯電させるものである。本発明に係る画像形成装置は、この帯電装置90を具備している。本発明に係る画像形成装置において、帯電装置90を成す電子放出素子1は、被帯電体である感光体15に対向して設置され、電圧を印加することにより、電子を放出させ、感光体15を帯電させる。なお、本発明に係る画像形成装置では、帯電装置90以外の構成部材は、従来公知のものを用いればよい。ここで、帯電装置90として用いる電子放出素子1は、感光体15から、例えば3〜5mm隔てて配置するのが好ましい。また、電子放出素子1への印加電圧は25V程度が好ましく、電子放出素子1の電子加速層の構成は、例えば、25Vの電圧印加で、単位時間当たり1μA/cm2の電子が放出されるようになっていればよい。
図4に、実施の形態1で説明した本発明に係る電子放出装置14を用いた本発明に係る電子線硬化装置100の一例を示す。電子線硬化装置100は、電子放出素子1とこれに電圧を印加する電源11とを有する電子放出装置14と、電子を加速させる加速電極21とを備えている。電子線硬化装置100では、電子放出素子1を電子源とし、放出された電子を加速電極21で加速してレジスト(被硬化物)22へと衝突させる。一般的なレジスト22を硬化させるために必要なエネルギーは10eV以下であるため、エネルギーだけに注目すれば加速電極は必要ない。しかし、電子線の浸透深さは電子のエネルギーの関数となるため、例えば厚さ1μmのレジスト22を全て硬化させるには約5kVの加速電圧が必要となる。
図5〜7に、実施の形態1で説明した本発明に係る電子放出装置14を用いた本発明に係る自発光デバイスの例をそれぞれ示す。
図9及び図10に、実施の形態1で説明した本発明に係る電子放出装置14を用いた本発明に係る送風装置の例をそれぞれ示す。以下では、本願発明に係る送風装置を、冷却装置として用いた場合について説明する。しかし、送風装置の利用は冷却装置に限定されることはない。
2 電極基板
3 薄膜電極
4 電子加速層
5 微粒子層
6 保護層
7 絶縁体微粒子
8 導電微粒子
9 電子輸送剤(Alq3)
10 シリコーン樹脂
11 電源(電源部)
12 対向電極
13 絶縁体スペーサ
14 電子放出装置
15 感光体
21 加速電極
22 レジスト(被硬化物)
31,31’,31” 自発光デバイス
32,32’ 蛍光体(発光体)
33 ITO膜
34 ガラス基板
35 電源
36 発光部
41 被冷却体
42 送風ファン
90 帯電装置
100 電子線硬化装置
140 画像表示装置
150 送風装置
160 送風装置
330 液晶パネル
Claims (24)
- 電極基板と薄膜電極と該電極基板および該薄膜電極に挟持された電子加速層とを有し、上記電極基板と上記薄膜電極との間に電圧が印加されると、上記電子加速層で電子を加速させて、上記薄膜電極から該電子を放出させる電子放出素子であって、
上記電子加速層は、上記電極基板側から順に、導電微粒子と当該導電微粒子の平均粒径よりも大きい平均粒径の絶縁体微粒子とを含む微粒子層、および絶縁体であるバインダー成分に分散された電子輸送剤を含む保護層を備えることを特徴とする電子放出素子。 - 上記電子輸送剤は、トリス(8−キノリノラト)アルミニウムであることを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子。
- 上記バインダー成分はシリコーン樹脂であることを特徴とする請求項1または2に記載の電子放出素子。
- 上記導電微粒子は、抗酸化力が高い導電体であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 上記導電微粒子は、貴金属であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 上記導電微粒子を成す導電体は、金、銀、白金、パラジウム、及びニッケルの少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 上記導電微粒子の平均粒径は、3〜10nmであることを特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 上記絶縁体微粒子は、SiO2、Al2O3、及びTiO2の少なくとも1つを含んでいる、または有機ポリマーを含んでいることを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 上記絶縁体微粒子の平均粒径は、10〜200nmであることを特徴とする、請求項1から8のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 上記電子加速層の層厚は、10〜6000nmであることを特徴とする、請求項1から9のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 上記電子加速層の層厚は、300〜6000nmであることを特徴とする、請求項10に記載の電子放出素子。
- 上記薄膜電極は、金、銀、炭素、タングステン、チタン、アルミ、及びパラジウムの少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 上記導電微粒子の周囲に、当該導電微粒子の大きさよりも小さい絶縁体物質である小絶縁体物質が存在することを特徴とする、請求項1から12のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 上記小絶縁体物質は、アルコラート、脂肪酸、及びアルカンチオールの少なくとも1つ
を含んでいること特徴とする、請求項13に記載の電子放出素子。 - 請求項1から14のいずれか1項に記載の電子放出素子と、上記電極基板と上記薄膜電極との間に電圧を印加する電源部と、を備えたことを特徴とする電子放出装置。
- 請求項15に記載の電子放出装置と発光体とを備え、該電子放出装置から電子を放出して該発光体を発光させることを特徴とする自発光デバイス。
- 請求項16に記載の自発光デバイスを備えたことを特徴とする画像表示装置。
- 請求項15に記載の電子放出装置を備え、該電子放出装置から電子を放出して送風することを特徴とする送風装置。
- 請求項15に記載の電子放出装置を備え、該電子放出装置から電子を放出して被冷却体を冷却することを特徴とする冷却装置。
- 請求項15に記載の電子放出装置を備え、該電子放出装置から電子を放出して感光体を帯電することを特徴とする帯電装置。
- 請求項20に記載の帯電装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
- 請求項15に記載の電子放出装置を備え、該電子放出装置から電子を放出して被硬化物を硬化させることを特徴とする電子線硬化装置。
- 電極基板と薄膜電極と該電極基板および該薄膜電極に挟持された電子加速層とを有し、上記電極基板と上記薄膜電極との間に電圧が印加されると、上記電子加速層で電子を加速させて、上記薄膜電極から該電子を放出させる電子放出素子の製造方法であって、
上記電子加速層の形成には、
上記電極基板上に、導電微粒子と当該導電微粒子の平均粒径よりも大きい平均粒径の絶縁体微粒子とが溶媒に分散された分散液を塗布して微粒子層を形成する微粒子層形成工程と、
上記微粒子層上に、電子輸送剤がバインダー成分に分散された分散液を塗布して保護層を形成する保護層形成工程と、を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 上記微粒子層形成工程および上記保護層形成工程において、スピンコート法を用いて各分散液の塗布を行うことを特徴とする請求項23に記載の電子放出素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009217819A JP5128565B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009217819A JP5128565B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011065959A JP2011065959A (ja) | 2011-03-31 |
JP5128565B2 true JP5128565B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=43951987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009217819A Active JP5128565B2 (ja) | 2009-09-18 | 2009-09-18 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5128565B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012014669A (ja) * | 2009-11-20 | 2012-01-19 | Fujifilm Corp | 導電シート、導電シートの使用方法及び静電容量方式タッチパネル |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0765704A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Canon Inc | 電子放出素子および画像形成装置 |
JP3721976B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2005-11-30 | 松下電工株式会社 | 電界放射型電子源の製造方法 |
JP4216112B2 (ja) * | 2003-04-21 | 2009-01-28 | シャープ株式会社 | 電子放出素子およびそれを用いた画像形成装置 |
JP4303308B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 |
-
2009
- 2009-09-18 JP JP2009217819A patent/JP5128565B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011065959A (ja) | 2011-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4303308B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 | |
JP5033892B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 | |
JP4732533B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
US8616931B2 (en) | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element | |
JP4732534B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
JP4777448B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、及び電子線硬化装置 | |
JP4990380B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
US8299700B2 (en) | Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device | |
JP2010267492A (ja) | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
JP2011003521A (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、電子放出素子の製造方法 | |
JP4880740B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
JP5783798B2 (ja) | 電子放出素子およびそれを備えた装置 | |
JP5133295B2 (ja) | 電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の駆動方法 | |
JP4932864B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法 | |
JP5128565B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 | |
JP4917121B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、冷却装置、および帯電装置 | |
JP4680305B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、冷却装置、および帯電装置 | |
JP4768051B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
JP2010267491A (ja) | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
JP4768050B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、電子放出素子の製造方法 | |
JP5795330B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、および電子放出素子の製造方法 | |
JP2010272260A (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法 | |
JP2010272259A (ja) | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、および冷却装置 | |
JP2011040250A (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5128565 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |