JP5128447B2 - 半導体製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施例1の半導体製造方法に用いられる熱処理炉を示す概略の縦断面図である。
図2は、図1の熱処理炉40を用いた半導体製造方法の一例を示す工程図である。
処理対象となる複数のウェハ60が乗せられたボート50をボートエレベータ42上に載置する。定速でボートエレベータ42を上昇させて、ボート50をボート出入口40aから熱処理炉40内に導入する。加熱ヒータ41により、炉内を所定の温度(例えば、800°C程度)に加熱し、ウェハ60に対して最初の熱処理を行う。
図3(a)、(b)は、図2中のウェハ反り方向検出方法を説明するための図であり、同図(a)は光によるウェハ反り検出の概念図、及び、同図(b)は受光器信号パターンを示す図である。
前記(2)の工程において反った凹/凸ウェハと位置が判明するので、同じ反り方向(ウェハ60の素子形成面を基準にして同じ方向に反っているもの。)のウェハ60をグルーピングし、ウェハ60の素子形成面を基準にして、例えば上方向に反ったものを第1のボートへ、下方向に反ったものを第2のボートへと、搭載するボートを変える。
前記(3)の工程においてグルーピングした第1のボートをボートエレベータ42に載置し、熱処理炉40内に導入して所定温度(例えば、1000°C前後)で酸化処理等の所定の熱処理を行う。加熱処理後、炉内の温度を下げてから(例えば、スタンバイ温度が高温の800°C程度)、第1のボートをボート出入口40aから下ろす。第2のボートについても、同様の熱処理が行われる。これにより、酸化処理等の熱処理が終了する。
本実施例1の半導体製造方法によれば、次の(a)〜(c)のような効果がある。
本発明は、上記実施例に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の(i)〜(iii)のようなものがある。
43 投光器
44 受光器
50 ボート
60 ウェハ
Claims (5)
- 複数枚の基板がほぼ平行に隣接して所定間隔で収容されたボートを熱処理炉内へ導入して、前記複数枚の基板を所定温度で加熱する加熱工程と、
前記熱処理炉から前記ボートを導出し、センサにより、前記複数枚の基板の反り方向を検出する反り方向検出工程と、
前記複数枚の基板の内の反り方向が同一の基板を分別し、反り方向が同一の複数枚の前記基板を、前記ボート又は他のボートへ再収容する分別処理工程と、
反り方向が同一の前記複数枚の基板が収容された前記ボートを前記熱処理炉へ導入して、前記複数枚の基板に対して所定温度で熱処理を行う熱処理工程と、
を有することを特徴とする半導体製造方法。 - 前記反り方向検出工程では、
前記ボートを前記熱処理炉から一定速度で導出させながら、前記センサにより、前記基板の反り方向を検出することを特徴とする請求項1記載の半導体製造方法。 - 前記反り方向検出工程において、
前記センサとして、前記基板間に光を出射する投光器と、前記光を受光して電気信号に変換する受光器と、により構成された光センサを用い、
前記受光器の出力信号に基づき、前記基板間における前記光の透過時間を測定して、前記基板の反り方向を検出することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体製造方法。 - 前記光の透過時間における長さとパターンにより、前記基板の反りを検出すると共に、反りが生じた前記基板の位置を検出することを特徴とする請求項3記載の半導体製造方法。
- 前記基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体製造方法。
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