JP5126342B2 - モータ駆動装置、モータ、ファン駆動モータ、ルームエアコン、給湯器、空気清浄機 - Google Patents
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さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置である。
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置である。
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置である。
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置である。
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置である。
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置である。
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置である。
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置である。
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置である。
前記貫通電流防止手段は、逆回復時間が短い高速の第一、第二、第三、第四、第五、第六のダイオードで構成されて、前記トランジスタアレイと前記MOSFETアレイの接続は、前記トランジスタアレイに内蔵されたPNPダーリントントランジスタのコレクタが各々前記第一、第二、第三のダイオードのアノードへ接続され、前記MOSFETアレイに内蔵されたNチャンネルMOSFETのドレインは、前記第一、第二、第三のダイオードのカソードと、前記第四、第五、第六のダイオードのアノードへ接続され、他端が共通に接続された第一、第二、第三のモータ駆動巻線の一端に各々接続されることで、前記トランジスタアレイに内蔵されたPNPダーリントントランジスタの逆回復時間が比較的長い寄生ダイオードを導通させない構成を具備するモータ駆動装置である。
前記レベルシフト手段は、第一、第二、第三のトランジスタ、抵抗を設けて、前記第一、第二、第三のトランジスタは、エミッタが各々接地され、ベースが抵抗を介して各々前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子が接続され、コレクタは各々第一、第二、第三の抵抗を介して前記トランジスタアレイのPNPダーリントントランジスタのベースへ各々接続されるという構成を具備するモータ駆動装置である。
前記トランジスタアレイのPNPダーリントントランジスタに飽和電圧の小さいチップを用い、前記MOSFETアレイのNチャンネルMOSFETにON抵抗の小さいチップを用いる構成を具備するモータ駆動装置である。
プリドライブICのスタート・ストップ切替入力端子に負特性感温抵抗素子を含む温度検出部を接続し、前記温度検出部の感温抵抗素子をモータの発熱部品近傍に設けることで、基板上の、発熱部品の温度が所定の値を超えたことを検出するとモータ駆動巻線への通電を停止して、前記発熱部品の過熱を防ぐ構成を具備するモータ駆動装置である。
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を具備するモータである。
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を具備するモータである。
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を具備するファン駆動モータである。
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を備えたファン駆動モータを内蔵するルームエアコンである。
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を備えたファン駆動モータを内蔵する給湯器である。
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を備えたファン駆動モータを内蔵する空気清浄機である。
Pd=IC1×(VCE(SAT)1+VF1)+IDC×VDS(ON)
となる。
ΔPd=IC1×(1.25−0.39)=IC1×0.86W
軽減される。
IC1=30/(141×0.75)=0.28A
従って、
ΔPd=0.28×0.86=0.24W
損失軽減されるので、モータ効率ηは、
η=30/(141×0.28−0.24)×100=76.45%
となりモータの効率が、1.45%向上する。
Pd2=VON上+下×I
で求められる。
Pd1=(VCE+VF+VDS)×I
で求められる。
VCE+VF+VDS<VON上+下
であるので、電力損失も、図12(c)に示すように、
Pd1<Pd2
の大小関係になり、図1、または図4、または図7、または図9に示すモータ駆動装置の電力損失は、従来例に比べ小さくなる。
例えば、モータが、定格負荷点で、軸出力30W、効率75%程度で、VDC=141Vであれば、モータに供給される電流Iの平均値は
I=30/(141×0.75)=0.28A
になるので、図12から電力損失Pd1、Pd2を求めると
Pd1=0.68W
Pd2=0.89W
となり、図1、または図4、または図7、または図9に示すモータ駆動装置の電力損失は、従来例に比べ
ΔPd2−1=0.21W
損失軽減されるので、モータ効率ηは、
η=30/(141×0.28−0.21)×100=76.39%
となりモータの効率が、1.39%向上する。
I=30/(141×0.75)=0.28A
であるので、R21の損失Pdは
Pd=2.2×0.28×0.28=0.17W
になる。これは、R21の定格電力比34%に相当する。通常、抵抗の実使用電力は、定格比50%以下であるので、R21の抵抗値2.2Ωは、通常運転には何ら支障にならない。
G=−1.8/3.3=−0.55V
にする必要がある。
(VSP−Vth)×G+Vth=TOC
より
(2.1−Vth)×(−0.55)+Vth=3.0
即ち
Vth=2.68Vにする必要がある。
G=−R25/(R23+R24)
=−162kΩ/(5.6kΩ+287kΩ)
=−0.55
一方、Vthは、
Vth=VREG×R27/(R27+R28)
=5×8.45kΩ/(8.45kΩ+9.76kΩ)
=2.68V
で、図中の抵抗値で得られるG、Vthは、先に必要なG、Vth値とよく一致している。
VthH>1.72V
で、図示しないトランジスタアレイ6およびMOSFET12を非導通状態にしてモータ巻線への通電を停止するよう働き、
VthL<1.43V
で、図示しないトランジスタアレイ6およびMOSFET12を導通状態にしてモータ巻線へ通電するよう働く。
2 制御電圧源
3 周辺回路
4 高圧直流電源
5 プリドライブIC
6 トランジスタアレイ
7 モータ
8a、8b 貫通電流防止手段
9 レベルシフト手段
10 ダンパ手段
11 ロータ
12 MOSFETアレイ
13 突入電流防止手段
14 保護抵抗R21
15 開閉器
16 突入防止抵抗R22
17 ダイナミックレンジ変換手段
18 バッファ
19 温度検出部
20 モータ駆動回路基板
21 プリント基板
22 シャフト
23 ステータモールド組立
24 ブラケット
25 軸受
26 ヨーク
27 マグネット
28 巻線
29 インシュレータA
30 インシュレータB
31 端子pin
32 ステータコア
33 センサ
34 樹脂ピン
35 放熱シリコン
36 絶縁板
37 リードブッシュA
38 リードブッシュB
39 リード線
40 芯線
41 ヒステリシスコンパレータ
42 ルームエアコン室内機
43 ルームエアコン室外機
44 熱交換器A
45 熱交換器B
46 クロスフローファン
47 プロペラファン
48 制御器A
49 制御器B
50 コンプレッサ
51 電源線
52 信号線
53 冷媒管
54 AC電源入力線
55 室外機用ヒンジ付きモータ
56 給湯機
57 燃焼釜
58 温水管
59 水道管
60 バーナー部
61 制御器
62 燃料ポンプ
63 気化器
64 燃料管
65 燃料タンク
66 給湯用ファンモータ
67 ケーシング
68 シロッコファン
69 排気口
70 空気清浄機
71 制御板
72 エアフィルタ
73 排気口
74 吸気口
75 操作板
76 吹き出し口
Claims (21)
- プリドライブICを含む周辺回路へ電力供給を行う制御電圧源の正側出力端子と、周辺回路の電圧源入力端子とが、待機電力削減を目的に設けた開閉器を介して接続されるモータ駆動装置であり、前記開閉器と周辺回路とを結ぶ制御電圧源正側電源線に、突入電流防止手段である抵抗を設け、前記開閉器ON時には、制御電源からモータ駆動装置への突入電流による電圧跳ね上がりを発生すること無く、制御電圧源から前記周辺回路への電力供給される構成を有するモータ駆動装置において、
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置。 - 整流ダイオードと比較的限界電力の大きな突入防止抵抗と電解コンデンサで構成され、入力される商用交流を整流・平滑して得られる高圧直流電圧を出力する高圧直流電源と、前記高圧直流電源の出力電圧を電力源として、モータ駆動巻線に、所定の電力を供給するモータ駆動装置であり、前記モータ駆動装置に、比較的限界電力の小さい保護抵抗を設け、前記高圧直流電源の正側電圧を前記保護抵抗を介して、前記モータ駆動装置へ入力する構成とし、前記モータ駆動装置内で、短絡故障を生じた際の故障電流により、前記モータ駆動装置に設けた保護抵抗が、前記高圧直流電源の突入防止抵抗より先に溶断して故障電流を遮断することで、前記突入防止抵抗の溶断を防ぐ構成を具備するモータ駆動装置において、
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置。 - プリドライブICを含む周辺回路へ電力供給を行う制御電圧源の正側出力端子と、周辺回路の電圧源入力端子とが、待機電力削減を目的に設けた開閉器を介して接続されるモータ駆動装置であり、前記開閉器と周辺回路とを結ぶ制御電圧源正側電源線に、突入電流防止手段である抵抗を設け、前記開閉器ON時には、制御電源からモータ駆動装置への突入電流による電圧跳ね上がりを発生すること無く、制御電圧源から前記周辺回路への電力供給される構成を有するモータ駆動装置であり、さらに外部から入力され、プリドライブICのPWM形成部において、生成されるPWM信号のDUTY比を、入力電圧に相応したDUTY比にすることを指令する指令信号を、ダイナミックレンジ変換手段を介して前記プリドライブICへ入力することにより、前記指令信号の電圧値を、プリドライブICに予め定められた所定の値とは異なる任意の値にしても、前記プリドライブICに予め定められた指令値を入力する場合と同じDUTY比のPWM信号を生成する構成を有するモータ駆動装置において、
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置。 - 整流ダイオードと比較的限界電力の大きな突入防止抵抗と電解コンデンサで構成され、入力される商用交流を整流・平滑して得られる高圧直流電圧を出力する高圧直流電源と、前記高圧直流電源の出力電圧を電力源として、モータ駆動巻線に、所定の電力を供給するモータ駆動装置であり、前記モータ駆動装置に、比較的限界電力の小さい保護抵抗を設け、前記高圧直流電源の正側電圧を前記保護抵抗を介して、前記モータ駆動装置へ入力する構成とし、前記モータ駆動装置内で、短絡故障を生じた際の故障電流により、前記モータ駆動装置に設けた保護抵抗が、前記高圧直流電源の突入防止抵抗より先に溶断して故障電流を遮断することで、前記突入防止抵抗の溶断を防ぐ構成を具備するモータ駆動装置であり、さらに外部から入力され、プリドライブICのPWM形成部において、生成されるPWM信号のDUTY比を、入力電圧に相応したDUTY比にすることを指令する指令信号を、ダイナミックレンジ変換手段を介して前記プリドライブICへ入力することにより、前記指令信号の電圧値を、プリドライブICに予め定められた所定の値とは異なる任意の値にしても、前記プリドライブICに予め定められた指令値を入力する場合と同じDUTY比のPWM信号を生成する構成を有するモータ駆動装置において、
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置。 - プリドライブICを含む周辺回路へ電力供給を行う制御電圧源の正側出力端子と、周辺回路の電圧源入力端子とが、待機電力削減を目的に設けた開閉器を介して接続されるモータ駆動装置であり、前記開閉器と周辺回路とを結ぶ制御電圧源正側電源線に、突入電流防止手段である抵抗を設け、前記開閉器ON時には、制御電源からモータ駆動装置への突入電流による電圧跳ね上がりを発生すること無く、制御電圧源から前記周辺回路への電力供給される構成を有するモータ駆動装置であり、さらにN、S極の磁極配置が回転円周上で等間隔であるマグネットを配したロータを有するモータの、前記ロータの回転を検出する3つのセンサの内、1つだけをホールIC、他をホール素子として、前記ホールICの出力信号をプリドライブICへ供するだけでなく、モータの回転速度を意味するDUTY比50%の矩形波信号を外部へ供給する構成を有するモータ駆動装置において、
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置。 - 整流ダイオードと比較的限界電力の大きな突入防止抵抗と電解コンデンサで構成され、入力される商用交流を整流・平滑して得られる高圧直流電圧を出力する高圧直流電源と、前記高圧直流電源の出力電圧を電力源として、モータ駆動巻線に、所定の電力を供給するモータ駆動装置であり、前記モータ駆動装置に、比較的限界電力の小さい保護抵抗を設け、前記高圧直流電源の正側電圧を前記保護抵抗を介して、前記モータ駆動装置へ入力する構成とし、前記モータ駆動装置内で、短絡故障を生じた際の故障電流により、前記モータ駆動装置に設けた保護抵抗が、前記高圧直流電源の突入防止抵抗より先に溶断して故障電流を遮断することで、前記突入防止抵抗の溶断を防ぐ構成を具備するモータ駆動装置であり、さらにN、S極の磁極配置が回転円周上で等間隔であるマグネットを配したロータを有するモータの、前記ロータの回転を検出する3つのセンサの内、1つだけをホールIC、他をホール素子として、前記ホールICの出力信号をプリドライブICへ供するだけでなく、モータの回転速度を意味するDUTY比50%の矩形波信号を外部へ供給する構成を有するモータ駆動装置において、
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置。 - 電圧差がある値以上である充電部間の距離、即ち絶縁距離が所定の一定値以上必要とし、一定値未満の場合は、前記当箇所を絶縁材で覆って、一定値未満の充電部を露出させず、かつ、PNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、NチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイと、プリドライブICとを両面銅スルーホールプリント基板にはんだ付けしたモータ駆動回路であり、前記両面銅スルーホールプリント基板における、ケースから突出した入力端子を形成する複数のリード間の距離が、前記一定値を超える絶縁距離を有する前記トランジスタアレイと前記MOSFETアレイのリード挿入穴には、スルーホール銅メッキ処理を施さず、かつ、絶縁塗布材料を絶縁距離が所定の一定値未満のはんだ面側にのみ塗布される構成を有するモータ駆動回路を含むモータ駆動装置において、
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置。 - 電圧差がある値以上である充電部間の距離、即ち絶縁距離が所定の一定値以上必要とし、一定値未満の場合は、前記当箇所を絶縁材で覆って、一定値未満の充電部を露出させず、かつ、PNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、NチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイと、プリドライブICとを両面銅スルーホールプリント基板にはんだ付けしたモータ駆動回路であり、ケースから突出した入力端子をなす複数のリード間の距離が、前記一定値を超える絶縁距離を有する前記トランジスタアレイと前記MOSFETアレイのリード挿入穴の部品面ランドをリード挿入穴径+0.1mmのランド径とし、かつ絶縁塗布材料を絶縁距離が所定の一定値未満のはんだ面側のみに塗布される構成を有するモータ駆動回路を含むモータ駆動装置において、さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置。 - トランジスタアレイと、MOSFETアレイとプリドライブICをプリント基板にはんだ付けしたモータ駆動回路基板を内蔵したモータ駆動装置であり、複数相の巻線を配したステータコアを含んだケースに、マグネットを配したロータを収めて、前記ケース上面に、モータ駆動回路基板を配して、前記モータ駆動回路基板の入出力端子に、はんだ付け接続された複数のリード線を前記ケースの側面の引出口に固定したリードブッシュを介してケース外へ引き出して、前記モータ駆動回路基板の上面に、前記トランジスタアレイとMOSFETアレイのケース上面のみ窓明けした絶縁板を載せて、ブラケットでケースを密封し、前記トランジスタアレイとMOSFETアレイのケースと前記ブラケットとの空隙を放熱シリコンで充填した構成を有するモータのモータ駆動装置において、
さらに、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を具備するモータ駆動装置。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載のモータ駆動装置において、
PNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、NチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイと、プリドライブICとを設け、前記トランジスタアレイと、MOSFETアレイは貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICは、第一、第二、第三の出力端子が各々前記トランジスタアレイの各ベースに接続され、第四、第五、第六の出力端子が各々前記MOSFETアレイの各ゲートに接続されて通電制御されるモータ駆動装置において、
前記貫通電流防止手段は、逆回復時間が短い高速の第一、第二、第三、第四、第五、第六のダイオードで構成されて、前記トランジスタアレイと前記MOSFETアレイの接続は、前記トランジスタアレイに内蔵されたPNPダーリントントランジスタのコレクタが各々前記第一、第二、第三のダイオードのアノードへ接続され、前記MOSFETアレイに内蔵されたNチャンネルMOSFETのドレインは、前記第一、第二、第三のダイオードのカソードと、前記第四、第五、第六のダイオードのアノードへ接続され、他端が共通に接続された第一、第二、第三のモータ駆動巻線の一端に各々接続されることで、前記トランジスタアレイに内蔵されたPNPダーリントントランジスタの逆回復時間が比較的長い寄生ダイオードを導通させない構成を具備するモータ駆動装置。 - 貫通電流防止手段の構成要素である第一、第二、第三のダイオードをVFの比較的小さいショットキーバリアーダイオードとした構成を具備する請求項10記載のモータ駆動装置。
- 請求項1から請求項9のいずれかに記載のモータ駆動装置において、
PNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、NチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイと、プリドライブICとを設け、トランジスタアレイとMOSFETアレイは貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICは、レベルシフト手段を介して第一、第二、第三の出力端子が各々前記トランジスタアレイの各ベースに接続され、第四、第五、第六の出力端子が各々前記MOSFETアレイの各ゲートに接続されて通電制御されるモータ駆動装置において、
前記レベルシフト手段は、第一、第二、第三のトランジスタ、抵抗を設けて、前記第一、第二、第三のトランジスタは、エミッタが各々接地され、ベースが抵抗を介して各々前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子が接続され、コレクタは各々第一、第二、第三の抵抗を介して前記トランジスタアレイのPNPダーリントントランジスタのベースへ各々接続されるという構成を具備するモータ駆動装置。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載のモータ駆動装置において、
ダンパ手段を抵抗器で構成し、前記抵抗器の抵抗値を任意に選択することで、MOSFETアレイに内蔵されたNチャンネルMOSFETのゲート容量への充・放電時間を可変して、プリドライブICの第四、第五、第六の出力端子から前記NチャンネルMOSFETの各ゲートへの信号の立ち上がり、もしくは立ち下がり速度を、前記プリドライブICの定格以下にし、前記NチャンネルMOSFETのOFFからON、ONからOFFに至る時間を所定の値に設定できて、モータ駆動装置の高圧直流電源入力端子の跳ね上がり電圧が、前記高圧直流電源に接続されて、前記モータ駆動装置の構成要素である半導体部品の耐圧を超えなくする構成を具備するモータ駆動装置。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載のモータ駆動装置において、
PNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、NチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイと、プリドライブICとを設け、前記トランジスタアレイと、MOSFETアレイは貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICは、第一、第二、第三の出力端子が各々前記トランジスタアレイの各ベースに接続され、第四、第五、第六の出力端子が各々前記MOSFETアレイの各ゲートに接続されて通電制御されるモータ駆動装置において、
前記トランジスタアレイのPNPダーリントントランジスタに飽和電圧の小さいチップを用い、前記MOSFETアレイのNチャンネルMOSFETにON抵抗の小さいチップを用いる構成を具備するモータ駆動装置。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載のモータ駆動装置において、
プリドライブICのスタート・ストップ切替入力端子に負特性感温抵抗素子を含む温度検出部を接続し、前記温度検出部の感温抵抗素子をモータの発熱部品近傍に設けることで、基板上の、発熱部品の温度が所定の値を超えたことを検出するとモータ駆動巻線への通電を停止して、前記発熱部品の過熱を防ぐ構成を具備するモータ駆動装置。 - モータ駆動装置を具備するモータにおいて、
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を具備するモータ。 - 複数のリード線がはんだ付けされたモータ駆動回路基板を内蔵したモータであり、前記モータのケース側面のリード線引き出し部分に、前記ケースに固定されるリードブッシュA、Bを設け、前記リードブッシュAは、凹部形状を有し、リードブッシュBは凸部形状を有するもので、前記リードブッシュA、Bのリード線嵌合部は凸部と凹部を組み合わせて作られるクランク形状の空隙を有し、前記空隙部に前記リード線を挟み込む構成を有するモータであり、さらに前記モータにモータ駆動装置を具備するモータにおいて、
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を具備するモータ。 - モータ駆動装置を具備するファン駆動モータにおいて、
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を具備するファン駆動モータ。 - モータ駆動装置を具備するファン駆動モータを内蔵するルームエアコンにおいて、
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を備えたファン駆動モータを内蔵するルームエアコン。 - モータ駆動装置を具備するファン駆動モータを内蔵する給湯器において、
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を備えたファン駆動モータを内蔵する給湯器。 - モータ駆動装置を具備するファン駆動モータを内蔵する空気清浄機において、
前記モータ駆動装置に、モータのロータの回転を検出するセンサと、前記センサの出力信号および外部からの速度指令信号と制御電圧源からの出力電圧が供給されてPWM信号を形成する回路を含む周辺回路と、シリコンチップ上でスイッチ素子である複数のIGBTが互いに誘電体で絶縁分離される高耐圧誘電体絶縁分離プロセス半導体で作られて商用交流電圧を整流・平滑して得られる電圧を出力する高圧直流電源の出力電圧から、前記周辺回路の出力信号に応じて、出力端子に接続されるモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御するワンチップインバータで構成されたモータ駆動装置であり、
前記周辺回路を低耐圧PN接合プロセスの半導体で作られるプリドライブICとし、前記1チップインバータを高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるPNPダーリントントランジスタ3チップからなるトランジスタアレイと、高耐圧PN接合プロセス半導体で作られるNチャンネルMOSFET3チップからなるMOSFETアレイとしたものであり、
前記PNPダーリントントランジスタは、エミッタが共通に前記高圧直流電源の正側出力に接続され、前記NチャンネルMOSFETは、ソースが前記高圧直流電源の負側出力に接続され、前記PNPダーリントントランジスタのコレクタと、前記NチャンネルMOSFETのドレインとは、貫通電流防止手段を介して接続され、前記プリドライブICの第一、第二、第三の出力端子は、レベルシフト手段を介して前記PNPトランジスタアレイの通電制御を行い、第四、第五、第六の出力端子は、ダンパ手段を介して、NチャンネルMOSFETの各ゲートに接続されて、通電制御を行い、前記MOSFETのドレインと貫通電流防止手段との各接続箇所は、出力端子をなしてモータ駆動巻線に電力供給して前記ロータの回転数を制御する構成を有するモータ駆動装置を備えたファン駆動モータを内蔵する空気清浄機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010254670A JP5126342B2 (ja) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | モータ駆動装置、モータ、ファン駆動モータ、ルームエアコン、給湯器、空気清浄機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010254670A JP5126342B2 (ja) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | モータ駆動装置、モータ、ファン駆動モータ、ルームエアコン、給湯器、空気清浄機 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001018180A Division JP4660932B2 (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | モータ駆動装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011041471A JP2011041471A (ja) | 2011-02-24 |
JP5126342B2 true JP5126342B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=43768618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010254670A Expired - Fee Related JP5126342B2 (ja) | 2010-11-15 | 2010-11-15 | モータ駆動装置、モータ、ファン駆動モータ、ルームエアコン、給湯器、空気清浄機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5126342B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102292324B1 (ko) * | 2016-10-25 | 2021-08-25 | 한국전자통신연구원 | 모터 제어 장치 및 모터 시스템 |
US10461671B2 (en) * | 2017-03-29 | 2019-10-29 | Qm Power, Inc. | Multispeed alternating current motor |
CN111277178A (zh) * | 2020-04-09 | 2020-06-12 | 深圳市景方盈科技有限公司 | 新能源汽车电机驱动控制系统 |
CN114374376B (zh) * | 2022-01-12 | 2023-04-25 | 电子科技大学 | 一种高频硅基GaN单片集成PWM电路 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6387189A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ブラシレスモ−タの駆動回路 |
JPH01136593A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-29 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 電動機制御装置の突入電流防止回路 |
JP2621075B2 (ja) * | 1988-05-31 | 1997-06-18 | 東洋電機製造株式会社 | 保護回路 |
JPH02228124A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Hitachi Ltd | 負荷駆動回路 |
JPH0327721A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 突入電流制限回路 |
JPH03101199U (ja) * | 1990-01-26 | 1991-10-22 | ||
JP2960754B2 (ja) * | 1990-07-06 | 1999-10-12 | 株式会社日立製作所 | ファン駆動用電動機 |
JPH06165575A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 直流ブラシレスモータのインバータ回路 |
JP3732003B2 (ja) * | 1998-03-04 | 2006-01-05 | 三井化学株式会社 | 冷陰極管点灯用インバータ回路 |
JP4512211B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2010-07-28 | 株式会社日立産機システム | 電流制御回路、インバータ制御装置、インバータ装置、および電力変換装置 |
JP2000295890A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Canon Inc | ブラシレスモータ駆動制御装置 |
JP2000312492A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-07 | Canon Inc | モータ駆動制御装置、モータ駆動制御方法、画像形成装置及びその制御方法 |
JP2000324848A (ja) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Fuji Electric Co Ltd | インバータ装置 |
JP4409663B2 (ja) * | 1999-06-18 | 2010-02-03 | 日本電産シバウラ株式会社 | モータの回転パルス出力回路 |
JP3775189B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2006-05-17 | 国産電機株式会社 | 内燃機関用スタータジェネレータ |
-
2010
- 2010-11-15 JP JP2010254670A patent/JP5126342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011041471A (ja) | 2011-02-24 |
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A621 | Written request for application examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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