JP5113185B2 - パッシェン・スタッキングを用いた充電ガード - Google Patents
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Description
12 基板;
14、16、18 電極;
20、22、24、66 絶縁層;
26、28 金属パッド;
30、32 支持構造;
34 ミラー
36、38、40 トレンチ
62 空気; 64窒素。
Claims (6)
- 基板に形成され、前記基板から分離していない第1および第2の隣り合う電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極の対向する側部間に空隙を形成し、それにより前記第1の電極と前記第2の電極の間にパッシェン絶縁破壊を生じさせない間隔をもたらすように、前記第1と第2の隣り合う電極間に配置された開口トレンチと、
前記第1の電極と前記第2の電極の間に形成された第1の絶縁層であって、前記第1の電極と前記第2の電極の間にさらなる電気的な障壁を形成するように、前記開口トレンチの底面から突出する自立壁を画定し、前記隣り合う電極間の前記自立壁の両側で空気空間を有する第1の絶縁層と
を備え、
前記開口トレンチの高さBは前記開口トレンチの幅Aより大きく、
前記開口トレンチの前記底面から突出する前記第1の絶縁層の自立壁の高さHは、前記自立壁の幅Wより大きいことを特徴とする静電制御式微小電子機械システム(MEMS)デバイス。 - 前記基板がシリコン基板である、請求項1に記載の静電制御式MEMSデバイス。
- 前記第1の絶縁層が二酸化ケイ素である、請求項2に記載の静電制御式MEMSデバイス。
- 前記電極の上方に置決めされたミラーをさらに備える、請求項1に記載の静電制御式MEMSデバイス。
- 基板に形成され、前記基板から分離していない第1および第2の隣り合う電極と、
前記基板に形成され、前記基板から分離していない、前記第2の電極に隣り合う第3の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極の対向する側部間に空隙を形成し、それにより前記第1の電極と前記第2の電極の間にパッシェン絶縁破壊を生じさせない間隔をもたらすように、前記第1と第2の隣り合う電極間に配置された第1の開口トレンチと、
前記第2の電極と前記第3の電極を空隙で分離するように前記第2の電極と前記第3の電極の間にエッチングされた第2の開口トレンチと、
前記第1の電極と前記第2の電極の間に形成された第1の絶縁層であって、前記第1の電極と前記第2の電極の間にさらなる電気的な障壁を形成するように、前記第1の開口トレンチの底面から突出する自立壁を画定し、前記隣り合う電極間の前記自立壁の両側で空気空間を有する第1の絶縁層と、
前記第2の電極と前記第3の電極の間に形成された第2の絶縁層であって、前記第2の電極と前記第3の電極の間にさらなる電気的な障壁を形成するように、前記第2の開口トレンチの底面から突出する第2の自立壁を画定し、隣り合う電極間の前記壁の両側で空気空間を有する第2の絶縁層と、
を備え、
前記第1および第2の開口トレンチが同じ寸法であり、前記第1および第2の開口トレンチのそれぞれの高さBが、前記第1および第2の開口トレンチのそれぞれの幅Aより大きく、
前記第1および第2の絶縁自立壁が同じ寸法であり、前記第1および第2の各自立壁の高さHが、前記第1および第2の各自立壁の幅Wより大きいことを特徴とする静電制御式微小電子機械システム(MEMS)デバイス。 - 基板に互いに隣り合って形成され、前記基板から分離していないN個の電極と、
前記隣り合う電極間にパッシェン絶縁破壊を生じさせない間隔をもたらす空隙をそれぞれ形成するように、それぞれが前記隣り合う電極の、異なる対の間に配置されたM個の開口トレンチと、
それぞれが前記M個の開口トレンチの異なる1つに関連付けられ、それぞれが、隣り合う電極の、異なる対の間に形成されたM個の絶縁層であって、それぞれが、関連付けられた開口トレンチの底面から突出するそれぞれの自立壁を画定し、前記隣り合う電極間の前記壁の両側で空気空間を有するさらなる電気的な障壁を形成するM個の絶縁層と、
前記電極と対向して位置決めされた1つまたは複数のミラーと
を備え、
前記各開口トレンチの高さBが前記各開口トレンチの幅Aより大きく、
前記各開口トレンチの前記底面から突出する前記各絶縁層の自立壁の高さHが、前記自立壁の幅Wより大きいことを特徴とする静電制御式微小電子機械システム(MEMS)デバイス。
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