JP2005326782A - 光偏向装置および光偏向装置の駆動方法 - Google Patents
光偏向装置および光偏向装置の駆動方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】板状部材106の回転中心軸に対して左右対称に、電極103a、103b、103dを配置し、電極103aに電位V1、103bにV2、103dにV3を印加すると、板状部材106はフローティング電位Vmとなる。電極103a、103dと板状部材間の電位差が板状部材の駆動電圧となり、電極103aと電極103dの電位を変化させて、光反射領域を有する板状部材106の傾斜方向を制御する。
【選択図】図1
Description
本発明の目的は、ミラーが剛性を利用しないため、偏向角を剛性部材の弾性限界や破壊限界に依存せずに自由に設定できる光偏向装置および光偏向装置の駆動方法を提供することにある。
Vm=(C1V1+C2V2+C4V4)/(C1+C2+C4)
電極Aや電極Dと板状部材間の電位差が板状部材の駆動電圧となる。板状部材が電極A側に傾いている場合は、電極Aと板状部材間の静電容量C1が大きく、電極Dと板状部材間の静電容量C4は小さい。例えば駆動電圧として電極Aに0V、電極Bに0V、電極Dに10Vを印加した場合、上式により板状部材のフローティング電圧は、Vm=V4・(C4/(C1+C2+C4))
となり、C4/(C2+C4)が小さいほどVmは0Vに近くなる。板状部材が電極D側に傾いて行く場合でも板状部材の電位は0Vに近くなり、電極Dと板状部材間の電圧がV4すなわち10V近くに維持でき駆動電位差を充分、得ることができる。板状部材が電極D側に傾いている場合は、電極Aに10V,電極Bに0V,電極Dに0V加えると、板状部材には電極A側に傾く静電力が発生する。板状部材が電極Aに傾き、C1が増加してもC2が大きいので同様に、板状部材にはV1つまり10Vの大部分が働き、駆動に充分な静電力が得られる。
Vm=(C1V1+C2V2+C3V3+C4V4)/(C1+C2+C3+C4)
電極Aと板状部材の間の容量をC1,電極Bと板状部材間の容量をC2,電極Cと板状部材間の容量をC3,電極Dと板状部材間の容量をC4とする。また電極Aの電位をV1,電極Bの電位をV2,電極Cの電位をV3,電極Dの電位をV4とする。
(a)のように板状部材は電極A側に傾いているとする。板状部材の電位Vmは次式で表される。V2とV3に極性の異なる同電位E例えば、V2=10V,V3=−10Vを与え、さらにV1=0Vとする場合は、
Vm=C4V4/(C1+C2+C3+C4)
となる。
(b)板状部材が電極D側に傾きつつある場合は、C1は減少していくので影響がすくない。特にこの場合、V1=0VであるのでC1V1は0である。C4は増加するが、電極Aや電極Dと板状部材の距離より電極Bや電極Cの距離が明らかに小さく、C2,C3がC1,C4より大きい。VmはV4の数分の1程度である。
(c)板状部材が電極Dに接近した状態で、C4は最大に近くなっている。しかし、前実施例と同様にC2とC3の和の方がC4より数倍大きくでき、Vmの大きさは数分の一と小さくなる。C2,C3がC4より大きいほど小さくなり、このため、電極Dと板状部材間の電位差は
V4・(1−C4/(C1+C2+C3+C4))
となりV4に近い値を維持できる。
(a)Siウエハを基板101とする場合を例として説明する。酸化して1.7μmの酸化膜(SiO2)を形成する。または、SiH4とN2Oの混合ガスのCVD法でSiO2を形成する。有機レジストを用い階調をもつフォトマスクでフォトリソグラフィによりマスクを形成し、C4F8ガスによるRIE(Reactive Ion Etching)によりSiO2を1.5μmエッチングして、支点部材となる突起105を形成する。他の残ったSiO2は絶縁膜102となる。
(b)電極103となるTiN膜をスパッタ法で150nm成膜し、有機レジストを用いフォトリソグラフィでパターンニングする。Cl2ガスによるRIEでエッチングし、電極を形成する。SiH4とN2Oの混合ガスによるプラズマCDV法により、保護絶縁膜104を250nm成膜する。
(c)SiH4の熱CVD法で犠牲層となるpoly−Siを3.0μm成膜する。CMP(Chemical Mechanical Polishing)法により、平坦化する。
(d)板状部材106となる金属膜、例えばAlやAl−Ti合金やCrなどを100nm成膜する。フォトリソグラフィ後、Cl2のRIEでエッチングしパターンニングする。これにより板状部材形状を形成することができる。
(e)アモルファスSiをSiH4とH2の混合ガスのプラズマCVD法で200nm成膜する。
(f)poly−SiとアモルファスSiをフォトリソグラフィとSF6とO2の混合ガスのRIEでパターンニングする。
(g)規制部材108となる部材、例えば酸化膜SiO2をSiH4とN2Oの混合ガスの熱CVD法やプラズマCVD法で500nm成膜する。フォトリソグラフィとCF4とH2の混合ガスのRIEでエッチングする。これにより規制部材のパターンが形成される。
(h)犠牲層であるpolySiとアモルファスSiをTMAH(トリメチル・アンモニューム・ハイドレイド)でエッチングする。これにより板状部材が自由になり、支点部材にシーソ状に横たわるようになる。
102、104 酸化膜
103 電極
105 支点部材
106 板状部材
108 規制部材
Claims (13)
- 光反射領域を有する部材が静電引力で変位することにより、該光反射領域に入射する光束が反射方向を変えて偏向される光偏向装置であって、基板と、複数の規制部材と、支点部材と、板状部材と、複数の電極を有し、前記複数の規制部材はそれぞれ上部にストッパを有し、前記基板の複数の端部にそれぞれ設けられ、前記支点部材は頂部を有して前記基板の上面に設けられ、前記板状部材は固定端を持たず、上面に前記光反射領域を有し、少なくとも一部に導電性を有する部材からなる導電体層を有し、前記基板と前記支点部材と前記ストッパの間の空間内で可動的に配置され、前記複数の電極は前記基板上にそれぞれ設けられ、前記板状部材の導電体層とほぼ対向している構成を有する光偏向装置において、前記複数の電極の内、主として支点部材近傍の電極により前記板状部材に静電誘導を生じ、板状部材電位を決めることを特徴とする光偏向装置。
- 前記支点は、板状部材に静電誘導を生ずる前記電極上または前記電極で囲まれた頂部であることを特徴とする請求項1記載の光偏向装置。
- 前記支点部材近傍の電極を中心とし、板状部材の回転中心軸に対して最外の2つの電極が対称に並ぶことを特徴とする請求項1または2記載の光偏向装置。
- 前記板状部材に静電誘導を生ずる電極を支点近傍に少なくとも2つ配置したことを特徴とする請求項1または2記載の光偏向装置。
- 前記板状部材の回転軸に垂直な板状部材の対称線に対し複数の電極の面積が対称に配置されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の光偏向装置。
- 前記支点部材近傍の電極と板状部材間の静電容量が板状部材と他の電極間の容量より大きいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の光偏向装置。
- 前記支点部材近傍の電極と板状部材の距離が他電極と板状部材の距離より短いことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一つに記載の光偏向装置。
- 前記板状部材の回転中心に対し最外の電極の形状が板状部材の回転中心側に延長されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一つに記載の光偏向装置。
- 前記板状部材は絶縁性部材と導電性部材の積層であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一つに記載の光偏向装置。
- 前記規制部材は板状部材の周辺にあることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一つに記載の光偏向装置。
- 前記板状部材に軸を設け、周辺に軸受け状の規制部材があることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一つに記載の光偏向装置。
- 請求項1乃至11のいずれか一つに記載の光偏向装置において、前記支点部材近傍の電極に固定電位を与えることを特徴とする光偏向装置の駆動方法。
- 請求項4乃至11のいずれか一つに記載の光偏向装置において、前記支点部材近傍にある2つの電極に極性の異なる同電位を与えることを特徴とする光偏向装置の駆動方法。
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US7345823B2 (en) | 2004-10-20 | 2008-03-18 | Ricoh Company, Ltd. | Optical system, color information displaying method, optical deflecting device, and image projection displaying apparatus |
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JP2002139681A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 誘導電荷ミラー |
JP2004078136A (ja) * | 2001-11-14 | 2004-03-11 | Ricoh Co Ltd | 光偏向方法並びに光偏向装置及びその光偏向装置の製造方法並びにその光偏向装置を具備する光情報処理装置及び画像形成装置及び画像投影表示装置及び光伝送装置 |
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