JP5112749B2 - 合着装置及びそれを用いた電界発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
電界発光素子は、LCDで使われるバックライトが必要ではなくて、軽量泊型が可能なだけでなく、工程を単純化させることができる。また、低温製作が可能であり、応答時間が1ms以下の高速の応答速度を有して、低い消費電力、広い視野角及び高いコントラスト(Contrast)などの特性を示す。
第1基板及び第2基板を準備する段階と、前記第1または第2基板の一部領域上にシーラントを塗布する段階と、前記第1及び第2基板を、静電力によって前記第1及び第2基板を安着及び固定するための第1基板支持部、第2基板支持部及び開閉バルブを含む工程チャンバ内にローディングして、前記第1及び第2基板支持部上に安着させる段階と、前記第2基板が配置された第2基板支持部を移動させて、前記第1及び第2基板をアラインする段階と、前記第2基板支持部の静電力の極性を反転させて、前記第2基板支持部から前記第2基板を脱着させることによって、前記第1及び第2基板を合着する段階と、前記工程チャンバに前記開閉バルブを通じて空気を注入し、前記合着された第1及び第2基板の外部に大気圧を加える段階と、前記シーラントを硬化させることによって、前記第1及び第2基板を密封する段階とを備え、前記第2基板支持部は、互いに異なる極性を持つ2つ以上の電極が対をなすように構成された静電チャックと、前記電極に電源を供給するための電源供給部と、前記電極の極性を反転させるための極性反転部及び静電力を除去するための接地手段とを含み、前記第1及び第2基板を合着する前に、前記極性反転部を用いて前記電極の極性を反転させ前記第2基板と第2基板支持部間に斥力を作用させることで前記第2基板を前記第2基板支持部から脱着させて前記第1基板へ自由落下させ前記第1基板上に位置させ、前記接地手段は、前記極性反転後前記第2基板支持部に残存する静電力を除去するものである。
したがって、酸素及び水気による発光ダイオードの劣化を最小化することができるうえ、合着工程の際に、不純物が流入されて発光ダイオードが損傷されることを防止することができる。
Claims (14)
- 工程チャンバと、
前記工程チャンバ内に配置されて、第1基板を安着及び固定するための第1基板支持部と、第2基板を安着固定するための第2基板支持部と、
前記工程チャンバの一定領域上に配置されて、前記工程チャンバを開閉して工程チャンバ内部の圧力を調節するための開閉バルブとを備え、
前記第2基板支持部は、互いに異なる極性を持つ2つ以上の電極が対をなすように構成された静電チャックと、前記電極に電源を供給するための電源供給部と、前記電極の極性を反転させるための極性反転部及び静電力を除去するための接地手段とを含み、
前記第1及び第2基板を合着する前に、前記極性反転部は前記電極の極性を反転させ前記第2基板と第2基板支持部間に斥力を作用させることで前記第2基板を前記第2基板支持部から脱着させて前記第1基板へ自由落下させ前記第1基板上に位置させ、
前記接地手段は、前記極性反転後前記第2基板支持部に残存する静電力を除去する
合着装置。 - 前記第1または第2基板支持部のうちの何れか1つ以上は、移動手段をさらに含む請求項1に記載の合着装置。
- 前記開閉バルブは、圧力調節部に接続された請求項1に記載の合着装置。
- 第1基板及び第2基板を準備する段階と、
前記第1または第2基板の一部領域上にシーラントを塗布する段階と、
前記第1及び第2基板を、静電力によって前記第1及び第2基板を安着及び固定するための第1基板支持部、第2基板支持部及び開閉バルブを含む工程チャンバ内にローディングして、前記第1及び第2基板支持部上に安着させる段階と、
前記第2基板が配置された第2基板支持部を移動させて、前記第1及び第2基板をアラインする段階と、
前記第2基板支持部の静電力の極性を反転させて、前記第2基板支持部から前記第2基板を脱着させることによって、前記第1及び第2基板を合着する段階と、
前記工程チャンバに前記開閉バルブを通じて空気を注入し、前記合着された第1及び第2基板の外部に大気圧を加える段階と、
前記シーラントを硬化させることによって、前記第1及び第2基板を密封する段階と
を備え、
前記第2基板支持部は、互いに異なる極性を持つ2つ以上の電極が対をなすように構成された静電チャックと、前記電極に電源を供給するための電源供給部と、前記電極の極性を反転させるための極性反転部及び静電力を除去するための接地手段とを含み、
前記第1及び第2基板を合着する前に、前記極性反転部を用いて前記電極の極性を反転させ前記第2基板と第2基板支持部間に斥力を作用させることで前記第2基板を前記第2基板支持部から脱着させて前記第1基板へ自由落下させ前記第1基板上に位置させ、
前記接地手段は、前記極性反転後前記第2基板支持部に残存する静電力を除去する
電界発光素子の製造方法。 - 前記第1及び第2基板を合着する段階は、前記静電力の極性を反転させた後に、前記接地手段を通じて前記第2基板の静電力をとり除くことによって遂行される請求項4に記載の電界発光素子の製造方法。
- 前記合着された第1及び第2基板に大気圧を加える段階の前に、前記工程チャンバは、10-3〜10-8Torrの真空状態を維持する請求項4に記載の電界発光素子の製造方法。
- 前記第1及び第2基板を密封する段階は、前記シーラントに紫外線を照射することによって遂行される請求項4に記載電界発光素子の製造方法。
- 前記第1基板は、薄膜トランジスタが形成されたTFTアレイ基板である請求項4に記載の電界発光素子の製造方法。
- 前記薄膜トランジスタは、半導体層と、前記半導体層と一定領域が対応されるゲート電極と、前記半導体層及び前記ゲート電極との間に介在されたゲート絶縁膜と、前記半導体層の一定領域と電気的に接続されたソース電極及びドレーン電極とを含む請求項8に記載の電界発光素子の製造方法。
- 前記第2基板は、発光ダイオードが形成されたOLEDアレイ基板である請求項9に記載の電界発光素子の製造方法。
- 前記発光ダイオードは、下部電極、発光層及び上部電極を含む請求項10に記載の電界発光素子の製造方法。
- 前記発光層は、有機物からなる請求項10に記載の電界発光素子の製造方法。
- 前記上部電極は、透明導電膜からなるアノードである請求項10に記載の電界発光素子の製造方法。
- 前記ドレーン電極及び前記下部電極は、前記第1及び第2基板の合着の際に、電気的に接続される請求項10に記載の電界発光素子の製造方法。
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