CN111725125B - 一种微阵列吸附基板、驱动电路以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例一种微阵列吸附基板、驱动电路以及显示装置，微阵列吸附基板包括临时基材、静电吸附微阵列结构以及保护膜，临时基材具有相对设置的第一面和第二面，静电吸附微阵列结构设置在所述第一面，所述静电吸附微阵列结构用于进行充电和放电，所述保护膜设置在所述静电吸附微阵列结构远离所述临时基材的一面，且嵌入所述静电吸附微型阵列结构间隙中。通过对临时基材上的静电吸附微阵列结构进行充电，使得临时基材可以吸附在临时基板上，在加工完成后，对静电吸附微阵列结构的放电，使得临时基材从临时基板上剥离，从而极大地降低剥离对临时基材的损伤。

Description

一种微阵列吸附基板、驱动电路以及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种微阵列吸附基板、驱动电路以及显示装置。
背景技术
随着现代半导体与显示技术的蓬勃发展，微阵列吸附基板开始大量应用在半导体及显示等领域中，可挠曲的显示屏幕、电池、电路板等成为目前最具吸引力的开发及市场宠儿。由于针对微阵列吸附基板的滚对滚生产加工技术尚远未成熟，对于基于各种临时基材的集成电路等器件加工采用临时键合的方法，以柔性OLED屏幕加工为例，首先将临时基材聚酰亚胺薄膜以非晶硅作为临时键合膜层形成在玻璃基板上，阵列及器件加工结束后，以激光照射玻璃基板背面使非晶硅解离从而将聚酰亚胺薄膜剥离。
该种方式为目前对基板损伤相对可接受的加工方式，但激光剥离成本高昂，临时基板难以回收利用，同时非晶硅在激光下氢键裂解的剥离方式对临时基材形成扫描式的冲击，微阵列吸附基板发生较大形变从而剥离后呈现不平整状态，给后续工序带来新的挑战和困扰。
因此，提供一种不容易损伤的微阵列吸附基板成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种微阵列吸附基板、驱动电路以及显示装置，能够降低微阵列吸附基板剥离时被损伤。
本申请提供一种微阵列吸附基板，包括：
临时基材，具有相对设置的第一面和第二面；
静电吸附微阵列结构，设置在所述第一面，所述静电吸附微阵列结构用于进行充电和放电；
保护膜，所述保护膜设置在所述静电吸附微阵列结构远离所述临时基材的一面，且嵌入所述静电吸附微型阵列结构间隙中。
在一些实施例中，所述静电吸附微阵列结构包括至少一组锁存器电路和与锁存器电路串联的电容电路，所述锁存器电路用于给所述电容电路充电。
在一些实施例中，所述保护膜为聚酰亚胺薄膜。
在一些实施例中，所述聚酰亚胺薄膜的厚度为10至1000微米。
在一些实施例中，所述电容电路每一条线的宽度为10至1000微米。
在一些实施例中，所述保护膜为氧化铝膜层、氮化硅、氧化铪、石英以及聚四氟乙烯中任一种。
本申请实施例还提供一种驱动电路，应用于以上所述的微阵列吸附基板中，所述驱动电路包括电源，所述电源包括第一端和第二端，所述第一端具有第一接口和第二接口，所述第一接口与第一场效应晶体管连接，所述第一场效应晶体管分别连接第二场效应晶体管和第三场效应晶体管，所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管与第二端连接，所述第二接口与第六场效应晶体管连接，所述第六场效应晶体管分别与第五场效应晶体管和第四场效应晶体管连接，所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管之间连接有电容，所述第四场效应晶体管、第五场效应晶体管以及六场效应晶体管与第二端连接，所述第一端与第一开关和第四开关连接，所述第二端与第二开关和第三开关连接。
在一些实施例中，当充电时，所述第一开关与所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管连接，所述第三开关与所述第四场效应晶体管、第五场效应晶体管以及六场效应晶体管连接，当放电时，第二开关与所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管连接，第三开关与所述第四场效应晶体管、第五场效应晶体管以及六场效应晶体管连接。
在一些实施例中，所述第一端为正电位，所述第二端为负电位。
本申请还提供一种显示装置，包括微阵列吸附基板，所述微阵列吸附基板为以上所述的微阵列吸附基板，所述微阵列吸附基板还设置金属层，所述金属层包括半导体层，所述半导体层两侧设有重掺杂区，所述半导体层上设有栅极介质层，所述栅极介质层上设有栅极金属层，所述半导体层与源漏极金属层接触。
本申请实施例所提供的微阵列吸附基板、驱动电路以及显示装置，微阵列吸附基板包括临时基材、静电吸附微阵列结构以及保护膜，临时基材具有相对设置的第一面和第二面，静电吸附微阵列结构设置在所述第一面，所述静电吸附微阵列结构用于进行充电和放电，所述保护膜设置在所述静电吸附微阵列结构远离所述临时基材的一面，且嵌入所述静电吸附微型阵列结构间隙中。通过对临时基材上的静电吸附微阵列结构进行充电，使得临时基材可以吸附在临时基板上，在加工完成后，对静电吸附微阵列结构的放电，使得临时基材从临时基板上剥离，从而极大地降低剥离对临时基材的损伤。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种微阵列吸附基板的结构示意图。
图2是本申请实施例提供的驱动电路的电路图。
图3是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
图4是本申请实施例提供的一种显示装置的剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种微阵列吸附基板、驱动电路以及显示装置，以下对显示面板做详细介绍。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种微阵列吸附基板的结构示意图。其中，微阵列吸附基板包括临时基材11、静电吸附微阵列结构12以及保护膜13，临时基材11具有相对设置的第一面11a和第二面11b，静电吸附微阵列结构12设置在所述第一面11a，所述静电吸附微阵列结构12用于进行充电和放电，所述保护膜13设置在所述静电吸附微阵列结构12远离所述临时基材11的一面，且嵌入所述静电吸附微型阵列结构12间隙中。
需要说明的是，第一面11a可以为临时基材11的上表面，第二面11b可以为临时基材11的下表面。当然，第一面11a也可以为临时基材11的下表面，第二面11b可以为临时基材11的上表面。本申请实施例中不做特殊说明的情况下，默认为第一面11a为临时基材11的上表面，第二面11b为临时基材11的下表面。
其中，临时基材11为可以弯折的基材。另外的静电吸附微阵列结构12通过阵列的方式形成在临时基材11上，当然，在一些实施例中，静电吸附微阵列结构12也可以设置在柔性基材14上。本申请实施例中对静电吸附微阵列结构12的具体的阵列方式不做过多赘述。
其中，保护膜13作为介质层，可以用来更好的使得临时基材11与待吸附的柔性基材14吸附。同时，保护层还可以保护静电吸附微阵列结构12不被损坏。
其中，所述静电吸附微阵列结构12包括至少一组锁存器电路和与锁存器电路串联的电容28电路，所述锁存器电路用于给所述电容电路充电。
可以理解的是，当锁存器向电容电路充电，锁存器将电容锁存并通过感应电荷的库仑力将临时基材11与临时基板吸附，当制造工序完成后，电容放电，临时基材11和临时基板松开，从而避免微阵列吸附基板10与临时基板分开时被损坏。
其中，所述保护膜13为聚酰亚胺薄膜。可以理解的是，在进行制造工艺时由于聚酰亚胺薄膜和临时基板热膨胀系数的不匹配容易发生起皱等异常，采用成膜在临时基板上的聚酰亚胺薄膜作为电容电极保护膜13即介质膜可以起到较好的过渡和缓冲作用，从而避免由于采用静电吸附方式固着待吸附薄膜进行工艺发生起皱等问题。
其中，所述聚酰亚胺薄膜的厚度为10至1000微米。可以理解的是，聚酰亚胺薄膜可以采用10微米、100微米、200微米，500微米以及1000微米，采用这个范围内厚度的聚酰亚胺薄膜可以重复使用。
其中，所述电容电路每一条线的宽度为10至1000微米。可以理解的是，述电容28电路每一条线的宽度可以采用10微米、100微米、200微米，500微米以及1000微米，采用这个范围内宽度的电路线条可以重复使用。
其中，所述保护膜13为氧化铝膜层、氮化硅、氧化铪、石英以及聚四氟乙烯中的材料。另外的，需要说明的是，氧化铝薄膜的介电常数比较好，因此，保护膜13采用氧化铝膜层能够提供更好吸附力。
本申请实施例中的微阵列吸附基板10包括临时基材11、静电吸附微阵列结构12以及保护膜13，临时基材11具有相对设置的第一面和第二面，静电吸附微阵列结构12设置在所述第一面，所述静电吸附微阵列结构12用于进行充电和放电，所述保护膜13设置在所述静电吸附微阵列结构12远离所述临时基材11的一面，且嵌入所述静电吸附微型阵列结构间隙中。通过对临时基材11上的静电吸附微阵列结构12进行充电，使得临时基材11可以吸附在柔性基材14上，在加工完成后，对静电吸附微阵列结构12的放电，使得临时基材11从柔性基材14上剥离，从而极大地降低剥离对临时基材11的损伤。
请参阅图2，图2是本申请实施例提供的驱动电路的电路图。其中，本申请实施例提供一种驱动电路20，应用以上所述的微阵列吸附基板10中，所述驱动电路20包括电源21，所述电源21包括第一端21a和第二端21b，所述第一端21a具有第一接口211和第二接口212，所述第一接口211与第一场效应晶体管22连接，所述第一场效应晶体管22分别连接第二场效应晶体管23和第三场效应晶体管24，所述第一场效应晶体管22、第二场效应晶体管23以及第三场效应晶体管24与第二端21b连接，所述第二接口212与第六场效应晶体管27连接，所述第六场效应晶体管27分别与第五场效应晶体管26和第四场效应晶体管25连接，所述第三场效应晶体管24和所述第四场效应晶体管25之间连接有电容28，所述第四场效应晶体管25、第五场效应晶体管26以及第六场效应晶体管27与第二端21b连接，所述第一端21a与第一开关1和第四开关4连接，所述第二端21b与第二开关2和第三开关3连接。
需要说明的是，本申请的电源21的位置可以根据实际需要更换位置，实际上，本申请的电源21可以通过施加正负电场进行替代。本申请的电源21的设置方式只是示例性描述本申请实施例。
其中，上述实施例中对微阵列吸附基板10已经详细进行了描述，本申请实施例中对微阵列吸附基板10不做过多赘述。
其中，所述第一端21a为正电位，所述第二端21b为负电位。当充电时，所述第一开关1与所述第一场效应晶体管22、第二场效应晶体管23以及第三场效应晶体管24连接，所述第三开关3与所述第四场效应晶体管25、第五场效应晶体管26以及第六场效应晶体管27连接，当放电时，第二开关2与所述第一场效应晶体管22、第二场效应晶体管23以及第三场效应晶体管24连接，第三开关3与所述第四场效应晶体管25、第五场效应晶体管26以及第六场效应晶体管27连接。
需要说明的是，本申请的电源21的位置可以根据实际需要更换位置，实际上，本申请的电源21可以通过施加正负电场进行替代。本申请的电源21的设置方式只是示例性描述本申请实施例。
通过上述电路结构使得静电吸附微阵列结构12进行充电，使得临时基材11可以吸附在临时基板上，在加工完成后，本申请实施例的电路对静电吸附微阵列结构12的放电，使得临时基材11从临时基板上剥离，从而极大地降低剥离对临时基材11的损伤。
请参阅图3和图4，图3是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图，图4是本申请实施例提供的一种显示装置的剖面示意图。其中，显示装置100包括微阵列吸附基板10，所述微阵列吸附基板10为以上所述的微阵列吸附基板10，所述微阵列吸附基板10还设置金属层30，所述金属层30包括半导体层31，所述半导体层31两侧设有重掺杂区32，所述半导体层31和重掺杂区32上设有栅极介质层34，所述栅极介质层34上设有栅极金属层35，所述源漏极金属层33与半导体层接触。
其中，上述实施例中对微阵列吸附基板10已经详细进行了描述，本申请实施例中对微阵列吸附基板10不做过多赘述。
具体的，金属层30包括第一触点41、第二触点42、第三触点43以及第四触点44。当充电时，第一触点41连接正电位，第三触点43连接正点位，第二触点42和第四触点44连接负电位。当放电时，第一触点41和第四触点44连接正电位，第二触点42和第三触点43连接负电位。其中，第一触点41、第二触点42、第三触点43以及第四触点44对应与所述第一开关1、第二开关2、第三开关3、以及第四开关4。
采用本申请实施例的结构，通过上述电路结构使得静电吸附微阵列结构12进行充电，使得临时基材11可以吸附在临时基板上，在加工完成后，菜本申请实施例的电路对静电吸附微阵列结构12的放电，使得临时基材11从临时基板上剥离，从而极大地降低剥离对临时基材11的损伤。
以上对本申请实施例提供的微阵列吸附基板、驱动电路以及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (7)

1.一种应用于微阵列吸附基板的驱动电路，其特征在于，所述微阵列吸附基板包括：
临时基材，具有相对设置的第一面和第二面；
静电吸附微阵列结构，设置在所述第一面，所述静电吸附微阵列结构用于进行充电和放电，所述静电吸附微阵列结构包括电容电路，所述电容电路包括电容，当所述电容充电后，所述微阵列吸附基板对待吸附物进行吸附；当所述电容放电后，所述微阵列吸附基板与待吸附物之间分开；
保护膜，所述保护膜设置在所述静电吸附微阵列结构远离所述临时基材的一面，且嵌入所述静电吸附微型阵列结构间隙中；
其中，所述驱动电路包括电源，所述电源包括第一端和第二端，所述第一端具有第一接口和第二接口，所述第一接口与第一场效应晶体管连接，所述第一场效应晶体管分别连接第二场效应晶体管和第三场效应晶体管，所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管与所述第二端连接，所述第二接口与第六场效应晶体管连接，所述第六场效应晶体管分别与第五场效应晶体管和第四场效应晶体管连接，所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管之间连接有所述电容，所述第四场效应晶体管、第五场效应晶体管以及六场效应晶体管与所述第二端连接，所述第一端与第一开关和第四开关连接，所述第二端与第二开关和第三开关连接；
其中，当充电时，所述第一开关与所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管连接，所述第三开关与所述第四场效应晶体管、第五场效应晶体管以及第六场效应晶体管连接，当放电时，第二开关与所述第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及第三场效应晶体管连接，第三开关与所述第四场效应晶体管、第五场效应晶体管以及第六场效应晶体管连接。
2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述保护膜为聚酰亚胺薄膜。
3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的厚度为10至1000微米。
4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述电容电路每一条线的宽度为10至1000微米。
5.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述保护膜为氧化铝膜层、氮化硅、氧化铪、石英以及聚四氟乙烯中任一种。
6.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述第一端为正电位，所述第二端为负电位。
7.一种显示装置，其特征在于，包括微阵列吸附基板和如权利要求1-6任一项所述的驱动电路，所述微阵列吸附基板还设置金属层，所述金属层包括半导体层，所述半导体层两侧设有重掺杂区，所述半导体层上设有栅极介质层，所述栅极介质层上设有栅极金属层，所述半导体层与源漏极金属层接触。
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