JP5109931B2 - 半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 - Google Patents
半導体光集積素子および半導体光集積素子の製造方法 Download PDFInfo
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前記基板に、光導波路層と上部クラッド層とが順次積層された層構造を有し、
前記上部クラッド層を含むリッジ部が形成されており、
前記光導波路層は、前記第一領域に設けられた第一の光導波路層、および、前記第二、第三領域にわたって設けられた第二の光導波路層で構成され、前記第一の光導波路層と前記第二の光導波路層とが前記第一領域と前記第二領域との界面において接合しており、
前記上部クラッド層は、前記第一、第二領域にわたって設けられた第一の上部クラッド層、および、前記第三領域に設けられた第二の上部クラッド層で構成され、前記第一の上部クラッド層と前記第二の上部クラッド層とが、前記第二領域と前記第三領域との界面において接合している半導体光集積素子が提供される。
前記上部クラッド層を含むリッジ部を形成する工程と、
を含み、
前記基板に前記光導波路層を積層する工程は、
第一の光導波路層を前記基板の全面に形成する工程と、
前記第二、前記第三領域に形成された前記第一の光導波路層を除去する工程と、
前記第一領域と前記第二領域との界面において前記第一の光導波路層に接合させつつ、前記第二、前記第三領域にわたって第二の光導波路層を形成する工程と、
を含み、
前記上部クラッド層を前記光導波路層に積層する工程は、
前記第一、前記第二領域にわたって第一開口部を形成しつつ第一誘導体マスクを形成する工程と、
前記第一開口部に第一の上部クラッド層を形成する工程と、
前記第一誘電体マスクを除去した後、前記第三領域に第二開口部を形成しつつ、第二誘電体マスクを形成する工程と、
前記第二領域と前記第三領域との界面において前記第一の上部クラッド層に接合させつつ、前記第二開口部に第二の上部クラッド層を形成する工程と、
を含む半導体光集積素子の製造方法
が提供される。
(1)同一基板上の、異機能領域である第一領域、第二領域、および第三領域に、光導波路層および光導波路上部クラッド層が積層された半導体光集積素子であって、前記第一領域、前記第二領域、および前記第三領域はこの順で一方向に配列され、前記第一領域に第一の光導波路層が設けられるとともに、前記第二領域および第三領域にわたって、第二の光導波路層が設けられ、前記第一の光導波路層と前記第二の光導波路層は、前記第一領域と前記第二領域との界面において接合され、前記第一領域および前記第二領域にわたって、第一の光導波路上部クラッド層が設けられるとともに、前記第三領域に、第二の光導波路上部クラッド層が設けられ、前記第一の光導波路上部クラッド層と前記第二の光導波路上部クラッド層は、前記第二領域と前記第三領域との界面において接合されており、且つリッジ導波路構造を有することを特徴とする半導体光集積素子。
(2)前記第一の光導波路上部クラッド層および第二の光導波路上部クラッド層が選択成長により形成されることを特徴とする、(1)の半導体光集積素子。
(3)前記第一領域が光増幅器領域であり、前記第二領域が位相調整領域であり、前記第三領域が光変調器領域であることを特徴とする、(2)の半導体光集積素子。
(4)前記第一の光導波路上部クラッド層がp型半導体、前記第二の光導波路上部クラッド層はn型半導体および半絶縁性半導体からなる多層層構造を有することを特徴とする、(3)の半導体光集積素子。
(5)異機能領域である第一領域、第二領域、および第三領域がこの順で一方向に配列された同一基板上の全面に、光導波路層を形成する工程と、前記第二領域および前記第三領域に形成された光導波路層を選択的に除去するとともに、前記第一領域に前記光導波路層を残して、前記第一領域に第一の光導波路層を形成する工程と、前記第二領域および第三領域に、前記光導波路層を再成長させて、前記第一の光導波路層に接合された第二の光導波路層を形成する工程と、前記第一および第二領域上に、導波路形成領域が開口した誘電体マスクを形成し第一の光導波路上部クラッド層を開口部に形成する工程と、前記第三領域上に導波路形成領域が開口した誘電体マスクを形成し、前記第一の光導波路上部クラッド層に接合させた第二の光導波路上部クラッド層を開口部に形成する工程と、を含み、前記第一の光導波路層と前記第二の光導波路層は、前記第一領域と前記第二領域との界面において接合し、前記第一の光導波路上部クラッド層と前記第二の光導波路上部クラッド層は、前記第二領域と前記第三領域との界面において接合され、且つ各上部クラッド層は選択成長により形成されることを特徴とする半導体光集積素子の製造方法。
102 InGaAsP活性層
103 InP上部クラッド層
104 SiO2マスク
105 InGaAsP活性層
106 InP上部クラッド層
107 InPクラッド層
201 n−InP基板
202 光導波路層
203 p−InPクラッド層
204 シグナル電極
205 グランド電極
206 SI−InP基板
207 n−InPバッファー層
208 光導波路層
209 SI−InPクラッド層
210 n−InPクラッド層
211 シグナル電極
212 グランド電極
301 InP基板
302 InGaAsP活性層
303 InP上部クラッド層
304 SiO2マスク
305 InGaAsP活性層
306 InP上部クラッド層
401 SI−InP基板
402 n−InPバッファー層
403 InGaAsP活性層(光導波路層)
404 p−InPクラッド層
405 SiO2マスク
406 InGaAsP活性層(光導波路層)
407 i−InPクラッド層
408 SiO2マスク
409 p−InP上部クラッド層
410 p−InGaAsコンタクト層
411 SiO2マスク
412 SI−InP上部クラッド層
413 SiO2マスク
414 n−InP上部クラッド層
415 n−InGaAsコンタクト層
R リッジ
Claims (8)
- 同一基板に一方向に連続して配列された互いに機能が異なる第一領域、第二領域、および第三領域を有し、
前記基板に、光導波路層と上部クラッド層とが順次積層された層構造を有し、
前記上部クラッド層を含むリッジ部が形成されており、
前記光導波路層は、前記第一領域に設けられた第一の光導波路層、および、前記第二、第三領域にわたって設けられた第二の光導波路層で構成され、前記第一の光導波路層と前記第二の光導波路層とが前記第一領域と前記第二領域との界面において接合しており、
前記上部クラッド層は、前記第一、第二領域にわたって設けられた第一の上部クラッド層、および、前記第三領域に設けられた第二の上部クラッド層で構成され、前記第一の上部クラッド層と前記第二の上部クラッド層とが前記第二領域と前記第三領域との界面において接合している半導体光集積素子。 - 前記第一の上部クラッド層および前記第二の上部クラッド層がそれぞれ選択成長により形成される請求項1に記載の半導体光集積素子。
- 前記リッジ部は、前記第二の上部クラッド層に積層された第三の上部クラッド層を含み、
前記第二の上部クラッド層は半絶縁性半導体層で構成された請求項1または2に記載の半導体光集積素子。 - 前記第一領域が光増幅器領域であり、前記第二領域が位相調整領域であり、前記第三領域が光変調器領域である請求項1乃至3いずれかに記載の半導体光集積素子。
- 一方向に連続して配列された互いに機能が異なる第一領域、第二領域、および第三領域を有する同一基板に、光導波路層と上部クラッド層とを順次積層する工程と、
前記上部クラッド層を含むリッジ部を形成する工程と、
を含み、
前記基板に前記光導波路層を積層する工程は、
第一の光導波路層を前記基板の全面に形成する工程と、
前記第二、前記第三領域に形成された前記第一の光導波路層を除去する工程と、
前記第一領域と前記第二領域との界面において前記第一の光導波路層に接合させつつ、前記第二、前記第三領域にわたって第二の光導波路層を形成する工程と、
を含み、
前記上部クラッド層を前記光導波路層に積層する工程は、
前記第一、前記第二領域にわたって第一開口部を形成しつつ、第一誘導体マスクを形成する工程と、
前記第一開口部に第一の上部クラッド層を形成する工程と、
前記第一誘電体マスクを除去した後、前記第三領域に第二開口部を形成しつつ、第二誘電体マスクを形成する工程と、
前記第二領域と前記第三領域との界面において前記第一の上部クラッド層に接合させつつ、前記第二開口部に第二の上部クラッド層を形成する工程と、
を含む半導体光集積素子の製造方法。 - 前記第一の上部クラッド層および前記第二の上部クラッド層を選択成長により形成する請求項5に記載の半導体光集積素子の製造方法。
- 前記第二の上部クラッド層に積層された第三の上部クラッド層を積層させることで前記リッジ部を形成し、
半絶縁性半導体層で前記第二の上部クラッド層を形成する請求項5または6に記載の半導体光集積素子の製造方法。 - 前記第一領域が光増幅器領域であり、前記第二領域が位相調整領域であり、前記第三領域が光変調器領域である請求項5乃至7いずれかに記載の半導体光集積素子の製造方法。
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