JP5108480B2 - 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 - Google Patents
層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5108480B2 JP5108480B2 JP2007307588A JP2007307588A JP5108480B2 JP 5108480 B2 JP5108480 B2 JP 5108480B2 JP 2007307588 A JP2007307588 A JP 2007307588A JP 2007307588 A JP2007307588 A JP 2007307588A JP 5108480 B2 JP5108480 B2 JP 5108480B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- structural unit
- photosensitive resin
- resin composition
- acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
例えば、TFT(薄膜トランジスタ)型液晶表示素子は、一般的に次のような手順で製造される。ガラス基板上に偏光板を設け、透明導電回路層及びTFTを形成した後、層間絶縁膜で被覆して背面板を製造する。一方で、ガラス基板上に偏光板を設け、ブラックマトリクス及びカラーフィルタのパターンを形成した後、透明導電回路層、層間絶縁膜を順次形成して上面板を製造する。そして、この背面板と上面板とをスペーサを介して対向させて両板間に液晶を封入することによりTFT型液晶表示装置を製造する。上記層間絶縁膜は、一般的に感光性樹脂組成物を塗布、露光・現像してパターンを形成した後、該パターンを熱硬化させることにより形成される。
本発明における(A)成分は、酸性基含有構成単位(a1)、架橋性基含有構成単位(a2)及びアルコキシシリル基含有構成単位(a3)を含む共重合体(A1)を含む。なお、以下の記述において、酸性基含有構成単位(a1)、架橋性基含有構成単位(a2)及びアルコキシシリル基含有構成単位(a3)をそれぞれ、構成単位(a1)、構成単位(a2)及び構成単位(a3)という。
この一般式(a−2)で表される構成単位は、製造の容易さ、コストの優位性及び得られる層間絶縁膜の耐溶剤性を高める点から好ましく用いられる。
マレイミド類としては、具体的には、シクロヘキシルマレイミド等が挙げられる。
アリル化合物としては、具体的には、アリルエステル類(例えば酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル等)、アリルオキシエタノール等が挙げられる。
ビニルエステル類としては、具体的には、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルフエニルアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルが挙げられる。
この重合体(A2)は、上記共重合体(A1)100質量部に対して、0〜50質量部であることが好ましく、0〜30質量部であることがより好ましい。
この重合体(A2)の質量平均分子量(Mw:ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)のスチレン換算による測定値)は、2000〜50000であることが好ましく、5000〜30000であることがより好ましい。
感光剤(B)としては、感光成分として使用できる化合物であれば、特に限定されるものではないが、キノンジアジド基含有化合物であることが好ましい。
トリス(4−ヒドロシキフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,3,5−トリメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)−2,4−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)−3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−4−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、ビス(5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−3,4−ジヒドロキシフェニルメタン等のトリスフェノール型化合物;
1,1−ビス〔3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシ−5−シクロヘキシルフェニル〕イソプロパン、ビス[2,5−ジメチル−3−(4−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[2,5−ジメチル−3−(4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−エチルフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジエチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル]メタン、ビス[3−(3,5−ジエチル−4−ヒドロキシベンジル)−4−ヒドロキシ−5−エチルフェニル]メタン、ビス[2−ヒドロキシ−3−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、ビス[2−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、ビス[4−ヒドロキシ−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−5−メチルフェニル]メタン、ビス[2,5−ジメチル−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシフェニル]メタン等のリニア型4核体フェノール化合物;
2,4−ビス[2−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロキシベンジル)−5−メチルベンジル]−6−シクロヘキシルフェノール、2,4−ビス[4−ヒドロキシ−3−(4−ヒドロキシベンジル)−5−メチルベンジル]−6−シクロヘキシルフェノール、2,6−ビス[2,5−ジメチル−3−(2−ヒドロキシ−5−メチルベンジル)−4−ヒドロキシベンジル]−4−メチルフェノール等のリニア型5核体フェノール化合物等のリニア型ポリフェノール化合物;
1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、1−[1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、等の多核枝分かれ型化合物;
1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン等の縮合型フェノール化合物等が挙げられる。
これらは単独又は2種以上組み合わせて用いることができる。
さらには、オルトキノンジアジドスルホニルクロリドと、水酸基又はアミノ基をもつ化合物(例えばフェノール、p−メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールA、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエテール、ピロガロール−1,3−ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部残してエステル化又はエ−テル化された没食子酸、アニリン、p−アミノジフェニルアミン等)と、の反応生成物等も用いることができる。これらは単独又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
キノンジアジド基含有化合物としては、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化物が好ましい。
さらに、上記フェノール性水酸基含有化合物は、分解温度が、300℃以上であることがより好ましい。これにより、層間絶縁膜の透明性を確保することができる。
このような(B)成分としては、特に、1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼンのナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化物を好適に用いることができる。さらに、この感光剤は、異物経時を良好にすることができる。
(B)成分の含有量を10質量%以上とすることによって、解像度を向上させることが可能となる。また、パターンを形成した後の、パターンの膜減り量を低減させることが可能となる。また、(B)成分の含有量を40質量%以下とすることによって、適度な感度や透過率を付与することが可能となる。
本発明に係る感光性樹脂組成物は、塗布性を改善したり、粘度を調整したりするために、有機溶剤(C)(以下、(C)成分ともいう)を含有してもよい。
有機溶剤(C)の使用量は特に限定されないが、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。具体的には、感光性樹脂組成物の固形分濃度が10質量%〜50質量%、好ましくは15質量%〜35質量%の範囲内となるように用いることが好ましい。
また、本発明に係る感光性樹脂組成物は、界面活性剤や、増感剤、消泡剤、架橋剤等の各種添加剤を含有していてもよい。
界面活性剤としては、従来公知のものであってよく、アニオン系、カチオン系、ノニオン系等の化合物が挙げられる。具体的には、X−70−090(商品名、信越化学工業社製)等を挙げることができる。界面活性剤を添加することにより、塗布性、平坦性を向上させることができる。
上記消泡剤としては、従来公知のものであってよく、シリコーン系化合物、フッ素系化合物が挙げられる。
なお、本発明の感光性樹脂組成物においては、上記アルカリ可溶性成分(A)を含有しているため、上記架橋剤を添加しなくても充分な熱硬化性を得ることができ、良好な層間絶縁膜を形成することができる。
以下、本発明に係る感光性樹脂組成物を用いて層間絶縁膜を形成する方法について説明する。層間絶縁膜を形成する方法は、基板上に感光性樹脂組成物を塗布する塗布工程と、塗布後の前記感光性樹脂組成物を選択的に露光する露光工程と、前記露光の後にアルカリ現像液で現像する現像工程を有する。
以下、各工程について説明する。
感光性樹脂組成物が塗布された基板の乾燥方法としては、例えば(1)ホットプレートにて80℃〜120℃の温度にて60秒〜120秒間乾燥する方法、(2)室温にて数時間〜数日放置する方法、(3)温風ヒータや赤外線ヒータ中に数十分〜数時間入れて溶剤を除去する方法、のいずれでもよい。また、上記感光性樹脂組成物層の膜厚は、特に限定されるものではないが、1.0μm〜5.0μm程度であることが好ましい。
そして、前記パターンを加熱硬化させる。この加熱硬化温度としては、例えば150℃〜250℃の条件が好ましい。
下記の成分(A)(B)(D)からなる固形分の濃度が25質量%になるように(C)で調整して混合して、感光性樹脂組成物を調製した。
(A)成分:下記式の構成単位(a−1−1):構成単位(a−2−1):構成単位(a−3−1):構成単位(a−4−1)=31:39:20:10(モル比)の樹脂(質量平均分子量11500)・・・80質量部
(C)成分:3−メトキシブチルアセテート
(D)成分:界面活性剤(商品名:X−70−093)・・・0.1質量部
ここで、上記1−[1−(4−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−4−[1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼンは、熱分解温度が365℃であり、波長350nmにおけるグラム吸光係数が、0.003であった。
(A)成分を下記に代えた他は実施例1と同様の方法により、感光性樹脂組成物を調製した。
(A)成分:構成単位(a−1−1):構成単位(a−2−1):下記式の構成単位(a−3−2):構成単位(a−4−1)=31:39:20:10(モル比)の樹脂(質量平均分子量13500)・・・80質量部
実施例1における(A)成分を下記に代えた他は実施例1と同様の方法により、感光性樹脂組成物を調製した。
(A)成分:構成単位(a−1−1):構成単位(a−2−1)=44:56(モル比)の樹脂(質量平均分子量18000)・・・80質量部
実施例1における(A)成分を下記に代えた他は実施例1と同様の方法により、感光性樹脂組成物を調製した。
(A)成分:構成単位(a−1−1):構成単位(a−2−1):構成単位(a−4−1)=35:45:20(モル比)の樹脂(質量平均分子量11300)・・・80質量部
上記により調製した感光性樹脂組成物を、6インチのシリコン基板(信越化学社製:低抵抗品))上に、膜厚1μmとなるようにスピンナーで塗布後、ホットプレート上にて110℃で2分間乾燥させた後、超高圧水銀灯を用いて全面露光し、クリーンオーブン中で230℃、30分間加熱硬化させた。
(パターン形成方法)
上記により調製した感光性樹脂組成物を、ガラス基板(ダウコーニング社製:0.7mm×150mm(厚さ×直径))上に、膜厚3.4μmとなるようにスピンナーで塗布後、ホットプレート上にて110℃で2分間乾燥させて塗布膜を得た。この塗布膜に対して、5μmライン・パターン/5μmスペース・パターンのポジマスクパターンを介してミラープロジェクションアライナー(商品名:MPA−600FA、キヤノン社製)を用いて露光した。
次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量%水溶液(現像液)中にて、1分間浸漬させ現像を行い、純水でのリンス洗浄を経て不要部分を除去した後、超高圧水銀灯を用いて全面露光し、クリーンオーブン中で230℃30分間熱硬化させてパターンを得た。
上記実施例並びに比較例の感光性樹脂組成物について、評価を行った。評価は、硬化膜の誘電率、感度、及び硬化膜の透過率について行った。評価方法は以下のとおりである。
誘電率: 上記により得られた硬化膜について、SSM 495CV SYSTEM(日本SSM社製)を使用して誘電率を測定した。
透過率:上記パターン形成方法にて形成したパターンについて、分光光度計(商品名:UV−2500PC、島津製作所社製)を用いて測定した波長400nm〜800nmにおける最低透過率を透過率とした。
これらの結果を表1に示す。
Claims (5)
- アルカリ可溶性樹脂成分(A)及び感光剤(B)を含む層間絶縁膜用感光性樹脂組成物であって、
前記アルカリ可溶性樹脂成分(A)が、一般式(a−1)で表される酸性基含有構成単位(a1)、架橋性基含有構成単位(a2)及びアルコキシシリル基含有構成単位(a3)を含む共重合体(A1)を含む、層間絶縁膜用感光性樹脂組成物。
- 前記アルカリ可溶性樹脂成分(A)は、酸性基含有構成単位として、フェノール性水酸基含有構成単位のみを含む、請求項1又は2に記載の層間絶縁膜用感光性樹脂組成物。
- 前記共重合体(A1)における、前記酸性基含有構成単位(a1)の含有量は、20モル%〜70モル%であり、前記架橋性基含有構成単位(a2)の含有量は、20モル%〜70モル%であり、前記アルコキシシリル基含有構成単位(a3)の含有量は、1モル%〜40モル%である請求項1〜4のいずれかに記載の層間絶縁膜用感光性樹脂組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007307588A JP5108480B2 (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 |
TW097145815A TWI392970B (zh) | 2007-11-28 | 2008-11-26 | And a photosensitive resin composition for interlayer insulating film |
KR1020080117869A KR101034173B1 (ko) | 2007-11-28 | 2008-11-26 | 층간 절연막용 감광성 수지 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007307588A JP5108480B2 (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009133891A JP2009133891A (ja) | 2009-06-18 |
JP5108480B2 true JP5108480B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=40865853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007307588A Active JP5108480B2 (ja) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5108480B2 (ja) |
KR (1) | KR101034173B1 (ja) |
TW (1) | TWI392970B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5332349B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2013-11-06 | Jnc株式会社 | 感光性重合体組成物 |
JP5176768B2 (ja) * | 2008-08-06 | 2013-04-03 | Jsr株式会社 | ポジ型感光性絶縁樹脂組成物 |
JP5375412B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2013-12-25 | Jsr株式会社 | 微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法 |
TW201310166A (zh) * | 2011-08-31 | 2013-03-01 | Everlight Chem Ind Corp | 層間絕緣膜暨保護膜用之樹脂及感光樹脂組成物 |
JP5935297B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2016-06-15 | Jnc株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
JP6458236B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2019-01-30 | ナトコ株式会社 | アルカリ可溶性樹脂、感光性樹脂組成物及びその用途 |
JP6297992B2 (ja) * | 2015-02-05 | 2018-03-20 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有重合体、ケイ素含有化合物、レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
JP6807148B2 (ja) * | 2015-07-30 | 2021-01-06 | 東京応化工業株式会社 | 感光性組成物 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0484021A1 (en) * | 1990-10-19 | 1992-05-06 | Nippon Paint Co., Ltd. | Resist composition |
JP3994429B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2007-10-17 | Jsr株式会社 | 層間絶縁膜用感放射線性樹脂組成物 |
JP2006159083A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Kanemiya:Kk | 包装食品の分離装置 |
KR101068111B1 (ko) * | 2005-01-27 | 2011-09-27 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 수지 조성물 |
JP2006293326A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-10-26 | Canon Inc | 感光性組成物及び該組成物を用いた構造体の製造方法 |
JP2006259083A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 |
JP4644857B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-03-09 | 昭和電工株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP4670568B2 (ja) * | 2005-10-03 | 2011-04-13 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成 |
JP2007133232A (ja) | 2005-11-11 | 2007-05-31 | Kyocera Chemical Corp | 感光性熱硬化型樹脂組成物およびそれを用いたフレキシブルプリント配線板 |
US20070212556A1 (en) | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Musa Osama M | Curable materials containing siloxane |
KR101506535B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2015-03-27 | 제이엔씨 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 |
-
2007
- 2007-11-28 JP JP2007307588A patent/JP5108480B2/ja active Active
-
2008
- 2008-11-26 KR KR1020080117869A patent/KR101034173B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-11-26 TW TW097145815A patent/TWI392970B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101034173B1 (ko) | 2011-05-12 |
TWI392970B (zh) | 2013-04-11 |
TW200923584A (en) | 2009-06-01 |
JP2009133891A (ja) | 2009-06-18 |
KR20090055487A (ko) | 2009-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008040180A (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
JP5108480B2 (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
JP4884876B2 (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
TWI328718B (en) | Photosensitive resin composition for interplayer insulating film | |
JP2008040187A (ja) | 層間絶縁膜の形成方法及び層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
US11487200B2 (en) | Positive-type photosensitive resin composition and cured film prepared therefrom | |
JP4699053B2 (ja) | カラーフィルタ用感光性樹脂組成物およびカラーフィルタ | |
JP4240204B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4885742B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP6218393B2 (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
JP2020109509A (ja) | ポジ型感光性組成物及びそれを用いた硬化膜 | |
JP6284671B2 (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
JP2008040181A (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
JP6807148B2 (ja) | 感光性組成物 | |
KR100908694B1 (ko) | 층간절연막용 감광성 수지조성물 및 층간절연막의 형성방법 | |
JP2008040182A (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
JP2010054809A (ja) | スペーサ形成用ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP2008040184A (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
JP2008040185A (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 | |
JP2008040186A (ja) | 層間絶縁膜用感光性樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100819 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120911 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121005 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5108480 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |