JP5108247B2 - 表面実装可能な光電子式の構成素子 - Google Patents

表面実装可能な光電子式の構成素子 Download PDF

Info

Publication number
JP5108247B2
JP5108247B2 JP2006111810A JP2006111810A JP5108247B2 JP 5108247 B2 JP5108247 B2 JP 5108247B2 JP 2006111810 A JP2006111810 A JP 2006111810A JP 2006111810 A JP2006111810 A JP 2006111810A JP 5108247 B2 JP5108247 B2 JP 5108247B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
housing
notch
housing body
metallized
mountable optoelectronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006111810A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006303495A (ja
Inventor
フェルストル クリスティアン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2006303495A publication Critical patent/JP2006303495A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5108247B2 publication Critical patent/JP5108247B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、表面実装可能な光電子式の構成素子であって、該構成素子がハウジング体を有しており、該ハウジング体が、ハウジングベース面と、少なくとも第１のハウジング側面と、第２のハウジング側面とを有しており、第１のハウジング側面と第２のハウジング側面とが互いに向かい合っており、ハウジングベース面が、第１のハウジング側面から第２のハウジング側面の方向へ延在しており、接続箇所が設けられており、該接続箇所がハウジングベース面に配置されており、かつ第１のハウジング側面に隣接しており、前記接続箇所が構成素子と担体とをはんだにより接続するために設けられている形式のものに関する。
この特許出願は、ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００５０１７５２７．９号明細書の優先権を請求しており、この明細書の開示内容はここに取り込まれている。
表面実装可能な光電子構成エレメントは、通常は、はんだ付け結合によりプリント配線板、特に印刷されたプリント配線板（PCB, Printed Circuit Board）に固定される。
はんだ付け結合によりＰＣＢに固定された表面実装可能な半導体構成素子が、例えばドイツ連邦共和国６９７０９１７２Ｔ２（ヨーロッパ特許明細書の翻訳文）につき公知である。特にこの刊行物の図４には表面実装可能な構成素子（SMD, Surface Mounted Device）が記載されており、この構成素子は、はんだ付け箇所によりハウジングの側面の領域内でＰＣＢに固定されている。この場合にはんだはＰＣＢとハウジング側面との間に設けられた外側のはんだフィレットと、ＰＣＢとハウジングベース面との間に設けられた内側のはんだフィレットとを形成している。はんだは、溶融時にハウジングベース面の下方で部分的にハウジングの重力により押しのけられるが、しかしながらハウジングの側面では押しのけられないので、外側のはんだフィレットと内側のはんだフィレットとは非対称的に形成されている。
はんだフィレットにより、はんだの表面張力に基づきそれぞれ力が構成素子のハウジングに加えられ、この場合にこれらの力ははんだフィレットに向けられたそれぞれ接線方向の、すなわち、ハウジングベース若しくは担体基板の表面に対して平行に作用する成分を有している。外側及び内側のはんだフィレットの互いに対称的ではない形状に基づき、接線方向に作用する力は通常は補償されない。特に外側のはんだフィレットからハウジングに加えられる接線方向の力は、通常は内側のはんだフィレットの逆に作用する接線方向の力よりも大きい。
結果としてハウジングに作用する接線方向力は、はんだ箇所の亀裂形成をもたらす恐れがある。さらに接線方向に作用する力はハウジング体にトルクを加え、このトルクは特にはんだ付け工程時にはんだがまだ溶融していない場合には担体表面に対するハウジングの傾倒につながる恐れがある。このハウジングが墓石のように傾倒してしまう「墓石化効果（Ｔｏｍｂｓｔｏｎｉｎｇ−Ｅｆｆｅｋｔ）」は特に導体フレームなしの比較的に軽量なプラスチックハウジングを有する光電子式の構成素子において生じる。このような構成素子の原則的な構成が、例えば国際公開第２００４／０７７５５８号パンフレットにより公知である。
ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００５０１７５２７．９号明細書 ドイツ連邦共和国６９７０９１７２Ｔ２（ヨーロッパ特許明細書の翻訳文） 国際公開第２００４／０７７５５８号パンフレット
そこで本発明の課題は、担体にはんだ付けするために設けられた、改良された表面実装可能な光電子式の構成素子を提供し、特にはんだフィレットによりハウジング体に加えられて生じるトルクが減じられているようにすることである。
この課題は、ハウジング体が、接続箇所に隣接した切欠きを有しており、該切欠きが、ハウジングベース面からハウジング体内へ延びており、外側のはんだフィレットが第１のハウジング側面に形成され、かつ内側のはんだフィレットが、切欠きの、前記接続箇所に隣接した側面に形成される、表面実装可能な光電子式の構成素子により解決される。本発明の有利な構成及び発展形が従属請求項の対象となっている。
本発明による表面実装可能な光電子式の構成素子はハウジング体を有しており、このハウジング体は、ハウジングベース面と、少なくとも第１のハウジング側面と、第２のハウジング側面とを有しており、この場合に第１のハウジング側面と第２のハウジング側面とは互いに向かい合っており、ハウジングベース面は、第１のハウジング側面から第２のハウジング側面の方向に延在している。さらに１つの接続箇所がハウジングベース面に配置されており、かつ第１のハウジング側面に隣接しており、この場合に前記接続箇所は構成素子と担体とをはんだにより結合するために設けられている。ハウジング体は前記接続箇所に隣接した切欠きを有しており、この切欠きは、ハウジングベース面からハウジング体内へ延びており、この場合にはんだにより、外側の、スロート状のはんだフィレット（Ｌｏｔｋｅｈｌｅ）が第１のハウジング側面に形成され、かつ内側のはんだフィレットが、切欠きの、前記接続箇所に隣接した側面に形成される。
有利には、接続箇所に隣接した切欠きの部分領域内には、はんだ付け工程の間の溶融時にはんだが進入することができ、これにより、特に切欠きの、接続箇所に向いた側面には内側のはんだフィレットが形成され、この内側のはんだフィレットは、従来のハウジングではハウジングベース面の下方に形成された内側のはんだフィレットと比べて比較的大きい。有利には内側のはんだフィレットと外側のはんだフィレットとは担体表面に対してほぼ等しい高さ及びほぼ等しい湾曲を有している。特に有利には、内側のはんだフィレットと外側のはんだフィレットとは互いに対称的になっている。
このようにして、有利には外側のはんだフィレットからハウジング体に加えられるトルクが、内側のはんだフィレットによりハウジング体に加えられる逆向のトルクにより減じられるか、又は補償さえされる。有利にはトルクは少なくとも次のように減じられる、すなわち、はんだ工程時にはんだがまだ溶融していない場合にハウジング体がこのハウジング体に作用するトルクにより傾倒せしめられることがないように減じられる。さらにこのようにしてはんだ箇所内の亀裂形成も防止される。
本発明の有利な構成では、切欠きの横断面はハウジングベース面を起点としてハウジング体の内部へ向かって先細りしている。有利には切欠きはＶ字形又は台形の横断面を有している。
有利には、前記切欠きは、接続箇所に隣接した金属被覆された側面と、金属被覆されていない側面とを有している。このようにして、有利には内側のはんだフィレットが特に切欠きの金属被覆されていない側面にではなく、切欠きの金属被覆されている側面に形成されていることが達成される。
有利には、光電子式の構成素子は立体射出成形回路部品（Molded Interconnected Device：MID）技術に基づいている。ハウジング体は有利には少なくとも２つの異なったプラスチックを含有しており、この場合に一方のプラスチックは金属被覆不能であり、かつ他方のプラスチックは金属被覆可能であり、この場合にハウジング体は金属被覆可能なプラスチックの表面には金属被覆部を有している。
ハウジング体は、特に２成分・射出成形法により形成されていてよく、この場合に２成分は金属被覆可能なプラスチック及び金属被覆不能なプラスチックより形成されている。
有利には金属被覆部は、金属被覆不能なプラスチックより形成された絶縁ウェブにより、互いに電気的に分離された少なくとも２つの金属被覆領域に分割されている。
有利には、切欠きは金属被覆可能なプラスチックの金属被覆された領域と、金属被覆不能なプラスチックの領域との間の界面に形成されており、これにより、この切欠きは、隣接した接続箇所に向いた金属被覆された側面と、向かい合った金属被覆されていない側面とを有している。
特に有利には、本発明は、通常は金属の導体フレームがプラスチックにより被覆成形されている従来のハウジング形状とは反対に、導体フレームを有していないハウジング体のためのものである。導体フレームを有していないこの形式のハウジングは比較的わずかな重量を有しているので、このようなハウジングでは、はんだ付け時にハウジング体に作用するトルクによるハウジング体の傾倒の危険性が比較的大きい。
有利な構成では光電子式の構成素子は、放射線を吸収する、又は放射線を放出する少なくとも１つの半導体チップ、例えば発光ダイオードチップ又はレーザダイオードチップを有している。
有利には、半導体チップは、ハウジング体の別の切欠き内に配置されており、この切欠きは、ハウジングベース面には形成されていない。有利には、この別の切欠きには金属被覆部が設けられており、この金属被覆部は、放射線を放出する半導体チップから放出された放射線のためのリフレクタとして働く。
半導体チップが配置されている別の切欠きは、例えばハウジング体の、ハウジングベース面に向かい合った面に形成されていてよい。
択一的には、半導体チップが配置されている別の切欠きは、ハウジング体の、ハウジングベース面に対して垂直に配置された面に形成されていてもよい。特に光電子式の構成素子は発光ダイオードチップ又はレーザダイオードチップを有していることができ、この発光ダイオードチップ又はレーザダイオードチップチップはハウジングベース面に対して平行な主放射線方向を有している。
本発明の別の構成では、第２の接続箇所がハウジングベース面に配置されており、かつ第２のハウジング側面に隣接しており、この場合に前記第２の接続箇所は構成素子と担体とをはんだにより結合するために設けられており、ハウジング体は、第２の接続箇所に隣接した第２の切欠きを有しており、この第２の切欠きはハウジングベース面からハウジング体内へ延びており、この場合にはんだにより、外側のはんだフィレットが第２のハウジング側面に形成され、内側のはんだフィレットが、第２の切欠きの、第２の接続箇所に隣接した側面に形成される。ハウジングベース面に設けられた第２の切欠きのためには、第１の切欠きの既に記載した利点及び有利な構成が対応した形であてはまる。
この構成では、放射線を放出する、かつ／又は放射線を吸収する半導体チップが、有利には第１の電気的なコンタクト部により第１の接続箇所に電気伝導性に接続されており、かつ第２の電気的なコンタクト部により第２の接続箇所に電気伝導性に接続されている。半導体チップと、第１の接続箇所と、第２の接続箇所との間の電気伝導性の接続は、有利にはそれぞれ上に記載した、互いに電気的に絶縁された金属被覆領域により得られるようになっており、この場合に第１の金属被覆領域は第１の接続箇所を有しており、第２の金属被覆領域は第２の接続箇所を有している。例えば、半導体チップの第１の電気的なコンタクト部は第１の金属被覆領域に電気伝導性に接続されており、かつ半導体チップの第２の電気的なコンタクト部は第２の金属被覆領域に電気伝導性に接続されている。このようにして、半導体チップは第１の金属被覆領域を介して第１の接続箇所に電気伝導性に接続されており、かつ第２の金属被覆領域を介して第２の接続箇所に電気伝導性に接続されている。
さらに少なくとも１つの金属被覆領域は、有利には同時に光学的な機能を有しており、特にハウジング体の金属被覆された領域は、ハウジング体に配置された、放射線を放出する半導体チップから放出される電磁的な放射線のためのリフレクタとして働く。
次に本発明の実施の形態を図面につきさらに詳しく説明する。
図１は、本発明の実施例による、担体を有する表面実装可能な光電子式の構成素子の概略的な横断面図を示している。
図１に示した、本発明の実施例による表面実装可能な光電子式の構成素子がハウジング体１を有しており、このハウジング体１は、担体２に向いたハウジングベース面９に第１の接続箇所７及び第２の接続箇所８を有している。これらの第１の接続箇所７及び第２の接続箇所８では、前記ハウジング体１はそれぞれはんだ１０により担体２に結合されている。この担体２は、例えばプリント配線板、特にプリント回路基板（Printed Circuit Board: PCB）である。特に担体２には導体路３，４が設けられていてよく、これらの導体路３，４には、光電子式の構成素子が接続箇所７，８ではんだ１０により電気伝導性に接続されている。
前記ハウジングベース面９には、ハウジング体１内に２つの切欠き１１，１２が形成されている。第１の切欠き１１は第１の接続箇所７に隣接しており、かつ第２の切欠き１２は第２の接続箇所８に隣接している。第１の接続箇所７は、第１の切欠き１１に向いていない方の側ではハウジング体１の第１のハウジング側面１５に隣接しており、かつ第２の接続箇所８は、第２の切欠き１２に向いていない方の側ではハウジング体１の第２のハウジング側面１６に隣接している。
はんだ１０は接続箇所７，８でそれぞれ１つの外側のはんだフィレット１７と内側のはんだフィレット１８とを形成しており、外側のはんだフィレット１７は、担体２から、接続箇所７，８に隣接するハウジング側面１５，１６へ延びており、かつ内側のはんだフィレット１８は、それぞれ担体２から、切欠き１１，１２の、接続箇所７，８に隣接する側面１３，１４へ延びている。
外側のはんだフィレット１７はそれぞれトルクＭ１をハウジング体１に加える。内側のはんだフィレット１８はそれぞれトルクＭ１とは逆に向けられたトルクＭ２をハウジング体１に加える。このようにして、外側のはんだフィレット１８から加えられたトルクＭ１は、逆に向けられたトルクＭ２により有利には減じられるか、又は特に有利には補償さえされる。これにより、ハウジング体１が、はんだ付け工程においてはんだ１０がまだ固まっていない場合に外側のはんだフィレット１７により加えられたトルクＭ１により傾倒せしめられ、これにより、例えばハウジングベース面９が担体２の表面に対して平行して延びていないようになる危険が阻止される。さらにもたらされるトルクの減衰によりはんだ１０内の亀裂形成が防止される。
有利には切欠き１１，１２の横断面は、ハウジングベース面９により形成された平面を基点としてハウジング体１の内部へ向かって先細りしている。例えば、図１に示したように切欠き１１，１２は台形の横断面を有している。択一的には、切欠きは別の横断面、例えばＶ字形又は半円形の横断面を有していてもよい。
ハウジング体１は、有利には互いに結合された少なくとも２つのハウジング部分５，６を有している。特にハウジング体１は、金属被覆可能なプラスチックより形成された第１のハウジング部分５と、金属被覆不能なプラスチックより形成された第２のハウジング部分６とを有していてよい。このようなハウジング体１は、例えば２成分・射出成形法により製造され、この場合に第１のハウジング部分５の金属被覆可能なプラスチックが第１の成分であり、第２のハウジング部分６の金属被覆不能なプラスチックが第２の成分である。
金属被覆可能なプラスチックより成るハウジング部分５の表面の少なくとも一部には金属被覆部１９，２０が設けられている。これに対して、金属被覆不能なプラスチックより成るハウジング部分６は表面に金属被覆されておらず、有利には絶縁ウェブを形成しており、この絶縁ウェブは、ハウジング部分５に被着された金属被覆部１９，２０を、互いに電気的に絶縁された２つの領域に分割しており、この場合に第１の金属被覆領域１９は第１の接続箇所７を有しており、かつ第２の金属被覆領域２０は第２の接続箇所８を有している。
前記切欠き１１，１２は、有利にはそれぞれ次のように金属被覆可能なプラスチックから成るハウジング部分５と、金属被覆不能なプラスチックより成るハウジング部分６との間の境界面に配置されている、すなわち、これらの切欠き１１，１２が、隣接した接続箇所７，８に向いたそれぞれ１つの側面１３，１４を有しており、これらの側面１３，１４が金属被覆可能なプラスチック部分５の表面により形成されており、かつ前記側面１３，１４に向かい合った側面２１，２２を有しており、これらの側面２１，２２が金属被覆不能なプラスチック部分６の表面により形成されているように、配置されている。切欠きの、接続箇所７，８に隣接する側面１３，１４は、有利には金属被覆領域１９，２０のそれぞれ１つの部分領域をなしている。このことは、内側のはんだフィレット１８が、切欠きのそれぞれ金属被覆された側面１３，１４に形成されており、向かい合った側面２１，２２に形成されているのではないという利点を有している。
有利には、前記光電子式の構成素子は、放射線を放出する、かつ／または放射線を吸収する少なくとも１つの半導体チップを有しており、この半導体チップは、例えばハウジング体１の、ハウジングベース面９の向かい側の切欠き２３内に配置されている。例えばこの半導体チップは放射線を放出する半導体チップ２４であり、この半導体チップ２４はアクティブな領域２７を有しており、このアクティブな領域２７からは電磁的な放射線２８、例えば紫外線光、可視光または赤外線光が放出される。
前記半導体チップ２４は、有利にはＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料、特にＩｎｘＡｌｙＧａｌ−ｘ−ｙＮ、ＩｎｘＡｌｙＧａｌ−ｘ−ｙＰ又はＩｎｘＡｌｙＧａｌ−ｘ−ｙＡｓを含有している（それぞれ０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１である）。この場合にＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料は、必ずしも上記の公式のいずれか１つに基づく数学的に正確な組成を有している必要はない。むしろ材料の物理的な特性を根本的に変えることのない１つ又は複数のドーピング剤並びに付加的な構成成分を有していてよい。しかしながら、簡易化のために上記公式は結晶格子の主な構成成分のみを含んでいるが、場合によってはこれらの構成成分は部分的にはわずかな量の別の材料により置き換えられていてもよい。
放射線を放出する半導体チップ２４は、有利には第１のコンタクト部、例えばボンディングパッド２６を有しており、このボンディングパッド２６を介して、前記半導体チップ２４は、例えばボンディングワイヤ２９によって第１の金属被覆領域１９に電気伝導性に接続されている。さらに放射線を放出する半導体チップ２４は、第２のコンタクト部、例えばコンタクト金属被覆部２５を有しており、このコンタクト金属被覆部２５により、半導体チップ２４は第２の金属被覆領域２０に電気伝導性に接続されている。このようにして、半導体チップの第１のコンタクト部２６はボンディングワイヤ２９及び第１の金属被覆領域１９を介して第１の接続箇所７に電気伝導性に接続されており、かつ第２のコンタクト部２５は第２の金属被覆領域２０を介して第２の接続箇所８に電気伝導性に接続されている。すなわち、有利には半導体チップの電気的なコンタクトは、導体フレームを有する光電子式の構成素子とは反対に、ハウジング体１の表面の金属被覆された領域を介して行われる。
有利には、金属被覆領域１９、２０の、切欠き２３に向いた表面は、放射線を放出する半導体チップ２４から放出される放射線２８のための反射を高める層である。すなわち、有利には金属被覆領域１９，２０は、一方では半導体チップ２４を接続箇所７，８に電気伝導性に接続する電気的な機能を有しており、かつ他方ではハウジング体１の方向に放出された放射線を反射し、これにより、特に主放射線方向の放射線強度を高めるか、又はプラスチックから成るハウジング部分５，６を紫外線から保護する、光学的な機能を有している。
本発明は、上記実施例に基づく説明により制限されていない。むしろ本発明はそれぞれの新しい特徴並びに複数の特徴のそれぞれの組合せを含んでおり、この特徴又はこれらの組合せ自体が明確に請求項又は実施例に記載されていない場合にも、特にこれらの特徴のそれぞれの組合せが請求項に含まれている。
本発明の実施例による、担体を有する表面実装可能な光電子式の構成素子の概略的な横断面図である。
符号の説明
１ ハウジング体、 ２ 担体、 ３，４ プリント配線板、 ５，６ ハウジング部分、 ７，８ 接続箇所、 ９ ハウジングベース面、 １０ はんだ、 １１，１２ 切欠き、 １３，１４ 側面、 １５，１６ ハウジング側面、 １７，１８ はんだフィレット、 １９，２０ 金属被覆部、 ２１，２２ 側面、 ２３ 切欠き、 ２４ 半導体チップ、 ２５ コンタクト金属被覆部、 ２６ コンタクト部、 ２７ 領域、 ２８ 放射線、 ２９ ボンディングワイヤ、 Ｍ１，Ｍ２ トルク

Claims (14)

  1. 表面実装可能な光電子式の構成素子であって、該構成素子がハウジング体（１）を有しており、該ハウジング体（１）が、ハウジングベース面（９）と、少なくとも第１のハウジング側面（１５）と、第２のハウジング側面（１６）とを有しており、第１のハウジング側面（１５）と第２のハウジング側面（１６）とが互いに向かい合っており、ハウジングベース面（９）が、第１のハウジング側面（１５）から第２のハウジング側面（１６）の方向へ延在しており、前記光電子式の構成素子に接続箇所（７）が設けられており、該接続箇所（７）が、ハウジングベース面（９）に配置されており、かつ第１のハウジング側面（１５）に隣接しており、前記接続箇所（７）が、構成素子と担体（２）とをはんだ（１０）により接続するために設けられている形式のものにおいて、ハウジング体（１）が、接続箇所（７）に隣接した切欠き（１１）を有しており、該切欠き（１１）が、ハウジングベース面（９）からハウジング体（１）内へ延びており、外側のはんだフィレット（１７）が第１のハウジング側面（１５）に形成され、かつ内側のはんだフィレット（１８）が、切欠き（１１）の、前記接続箇所（７）に隣接した側面（１３）に形成され、
    切欠き（１１）が、接続箇所（７）に隣接した金属被覆された側面（１３）と、金属被覆されていない側面（２１）とを有しており、内側のはんだフィレット（１８）が、金属被覆された側面（１３）に形成されていることを特徴とする、表面実装可能な光電子式の構成素子。
  2. 外側のはんだフィレット（１７）によりハウジング体（１）に加えられるトルク（Ｍ１）が、内側のはんだフィレット（１８）によりハウジング体（１）に加えられる逆向のトルク（Ｍ２）により減じられている、請求項１記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  3. 切欠き（１１）の横断面が、ハウジングベース面（９）を基点として、ハウジング体（１）の内部に向かって先細りしている、請求項１又は２記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  4. 切欠き（１１）が、Ｖ字形又は台形の横断面を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  5. ハウジング体（１）が、少なくとも２つの異なったプラスチック（５，６）を含有しており、一方のプラスチック（６）が金属被覆不能であり、かつ他方のプラスチック（５）が金属被覆可能であり、ハウジング体（１）が、金属被覆可能なプラスチック（５）の表面に金属被覆部（１９，２０）を有している、請求項１から４までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  6. 金属被覆部（１９，２０）が、金属被覆不能なプラスチック（６）より形成された絶縁部により、互いに電気的に分離可能な少なくとも２つの金属被覆領域（１９，２０）に分割されている、請求項５記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  7. いずれか一方の金属被覆領域（１９）が、切欠き（１１）の金属被覆された側面（１３）を有しており、切欠き（１１）の金属被覆されていない側面（２１）が、金属被覆不能なプラスチック（６）の表面の一部である、請求項６記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  8. ハウジング体（１）が、２成分・射出成形法により製造されており、２つの成分が、２つの異なったプラスチック（５，６）である、請求項５から７までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  9. 前記構成素子が、導体フレームを有していない、請求項１から８までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  10. 前記構成素子が、放射線を放出する、又は放射線を吸収する少なくとも１つの半導体チップ（２４）を有している、請求項１から９までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  11. 半導体チップ（２４）が、ハウジングベース面（９）には形成されていない、ハウジング体（１）の別の切欠き（２３）内に配置されている、請求項１０記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  12. 別の切欠き（２３）が、ハウジング体（１）の、ハウジングベース面（９）に向かい合った面に形成されている、請求項１１記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  13. 別の切欠きが、ハウジング体の、ハウジングベース面に対して垂直に配置された表面に形成されている、請求項１１記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
  14. 第２の接続箇所（８）が、ハウジングベース面（９）に配置されており、かつ第２のハウジング側面（１６）に隣接しており、前記第２の接続箇所（８）が、構成素子と担体（２）とをはんだ（１０）により結合するために設けられており、ハウジング体（１）が、第２の接続箇所（８）に隣接した第２の切欠き（１２）を有しており、該切欠き（１２）が、ハウジングベース面（９）からハウジング体（１）内へ延びており、はんだ（１０）により、外側のはんだフィレット（１７）が第２のハウジング側面（１６）に形成されており、内側のはんだフィレット（１８）が、第２の切欠き（１２）の、第２の接続箇所（８）に隣接した側面（１４）に形成されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載の表面実装可能な光電子式の構成素子。
JP2006111810A 2005-04-15 2006-04-14 表面実装可能な光電子式の構成素子 Active JP5108247B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005017527.9 2005-04-15
DE102005017527A DE102005017527A1 (de) 2005-04-15 2005-04-15 Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006303495A JP2006303495A (ja) 2006-11-02
JP5108247B2 true JP5108247B2 (ja) 2012-12-26

Family

ID=36942551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006111810A Active JP5108247B2 (ja) 2005-04-15 2006-04-14 表面実装可能な光電子式の構成素子

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070238328A1 (ja)
EP (1) EP1717871B1 (ja)
JP (1) JP5108247B2 (ja)
DE (1) DE102005017527A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI320237B (en) * 2006-07-24 2010-02-01 Si-substrate and structure of opto-electronic package having the same
US20090273004A1 (en) * 2006-07-24 2009-11-05 Hung-Yi Lin Chip package structure and method of making the same
US7732233B2 (en) * 2006-07-24 2010-06-08 Touch Micro-System Technology Corp. Method for making light emitting diode chip package
JP4798000B2 (ja) * 2007-01-15 2011-10-19 パナソニック電工株式会社 Ｌｅｄパッケージ
TWM318792U (en) * 2007-01-23 2007-09-11 Lighthouse Technology Co Ltd Package structure
JP4809308B2 (ja) * 2007-09-21 2011-11-09 新光電気工業株式会社 基板の製造方法
KR100999699B1 (ko) * 2008-09-01 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
DE102011116534B4 (de) * 2011-10-20 2022-06-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Bauelement
TW201330332A (zh) * 2012-01-02 2013-07-16 Lextar Electronics Corp 固態發光元件及其固態發光封裝體
DE102016103707A1 (de) 2016-03-02 2017-09-07 Automotive Lighting Reutlingen Gmbh Anordnung umfassend ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und eine Leiterplatte und Verfahren zur Befestigung und elektrischen Kontaktierung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements auf einer Leiterplatte
DE102017209065A1 (de) 2017-05-30 2018-12-06 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung, scheinwerfer und verfahren

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3708722A (en) * 1970-12-18 1973-01-02 Erie Technological Prod Inc Semiconductor device with soldered terminals and plastic housing and method of making the same
US3896480A (en) * 1971-10-22 1975-07-22 Gen Electric Semiconductor device with housing of varistor material
US4551746A (en) * 1982-10-05 1985-11-05 Mayo Foundation Leadless chip carrier apparatus providing an improved transmission line environment and improved heat dissipation
US5031072A (en) * 1986-08-01 1991-07-09 Texas Instruments Incorporated Baseboard for orthogonal chip mount
US4785276A (en) * 1986-09-26 1988-11-15 General Electric Company Voltage multiplier varistor
US4833102A (en) * 1987-03-17 1989-05-23 National Semiconductor Corporation Process of making a ceramic lid for use in a hermetic seal package
US5151773A (en) * 1990-03-30 1992-09-29 Hitachi, Ltd. Electronic circuit apparatus comprising a structure for sealing an electronic circuit
JPH05218509A (ja) * 1992-01-30 1993-08-27 New Japan Radio Co Ltd 光半導体装置
JP2868367B2 (ja) * 1992-06-15 1999-03-10 シャープ株式会社 表面実装用発光ダイオード
JP2915706B2 (ja) * 1992-07-15 1999-07-05 シャープ株式会社 発光装置
US5334804A (en) * 1992-11-17 1994-08-02 Fujitsu Limited Wire interconnect structures for connecting an integrated circuit to a substrate
US5375035A (en) * 1993-03-22 1994-12-20 Compaq Computer Corporation Capacitor mounting structure for printed circuit boards
US5484964A (en) * 1995-02-06 1996-01-16 Dawson, Deceased; Peter F. Surface mounting pin grid arrays
JP3642823B2 (ja) * 1995-03-27 2005-04-27 ローム株式会社 側面発光装置
JPH09130009A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路装置とその製造方法
US6283644B1 (en) * 1996-01-18 2001-09-04 Stratos Lightwave, Inc. Optical package with alignment means and method of assembling an optical package
US6550983B1 (en) * 1996-01-18 2003-04-22 Stratos Lightwave Llc Optical package with alignment means and method of assembling an optical package
US5936846A (en) * 1997-01-16 1999-08-10 Ford Global Technologies Optimized solder joints and lifter pads for improving the solder joint life of surface mount chips
US5982038A (en) * 1997-05-01 1999-11-09 International Business Machines Corporation Cast metal seal for semiconductor substrates
DE69942902D1 (de) * 1998-03-31 2010-12-16 Tdk Corp Elektronisches Bauelement in Chipbauweise und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
JP3907145B2 (ja) * 1998-12-25 2007-04-18 ローム株式会社 チップ電子部品
JP2000216440A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオ―ド
US6175077B1 (en) * 1999-02-09 2001-01-16 Ericsson Inc. Shield can having tapered wall ends for surface mounting and radiotelephones incorporating same
JP4198284B2 (ja) * 1999-10-07 2008-12-17 ローム株式会社 面実装用光半導体装置
JP2001326387A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Rohm Co Ltd 丸型ｌｅｄ素子及び配線基板
US6780053B1 (en) * 2000-08-09 2004-08-24 Picolight Incorporated Pluggable small form factor transceivers
US20020145874A1 (en) * 2001-04-06 2002-10-10 Kahl John H. Lamp assembly with led stimulation of phospher
JP2003060240A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
DE10228000A1 (de) * 2002-06-22 2004-01-08 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung zur Druckmessung
EP1597764A1 (de) * 2003-02-28 2005-11-23 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers
US20050009242A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-13 Jung-Chien Chang Packaging method for thin integrated circuits
JP2005079329A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光ダイオード

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006303495A (ja) 2006-11-02
EP1717871B1 (de) 2018-05-02
EP1717871A2 (de) 2006-11-02
EP1717871A3 (de) 2008-11-19
DE102005017527A1 (de) 2006-11-02
US20070238328A1 (en) 2007-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5108247B2 (ja) 表面実装可能な光電子式の構成素子
JP5413877B2 (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP4739851B2 (ja) 表面実装型半導体装置
JP5340583B2 (ja) 半導体発光装置
US20070252166A1 (en) Light emitting apparatus
US10559728B2 (en) Semiconductor package structure
TWI500181B (zh) 光電裝置之基座
US20090090928A1 (en) Light emitting module and method for manufacturing the same
JP2006313896A (ja) 発光素子パッケージ
CN109155501B (zh) 发光装置及发光装置的制造方法
JP2009054801A (ja) 放熱部材及びそれを備えた発光モジュール
JP4836230B2 (ja) 発光デバイス及びこれを用いた光源装置
KR20090104580A (ko) 인쇄 회로 기판을 이용한 발광 다이오드 패키지
JP6058171B2 (ja) オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品を有する電子装置
JP2005191111A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2008078585A (ja) 発光装置
US20070252133A1 (en) Light emitting apparatus
US20130286607A1 (en) Circuit board, electric device, and method of manufacturing circuit board
JP2006013324A (ja) 発光装置
JP2006049624A (ja) 発光素子
JP2010045167A (ja) 半導体装置
JP4450234B2 (ja) 照明装置
WO2023089059A2 (en) Laser package and method for manufacturing a laser package
KR100862515B1 (ko) 발광소자 패키지
JP2005033028A (ja) 半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090413

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110819

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110824

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20111114

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20111117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120907

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121005

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5108247

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250