JP5094874B2 - リソグラフィプロセス及びリソグラフィ装置 - Google Patents
リソグラフィプロセス及びリソグラフィ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5094874B2 JP5094874B2 JP2009539197A JP2009539197A JP5094874B2 JP 5094874 B2 JP5094874 B2 JP 5094874B2 JP 2009539197 A JP2009539197 A JP 2009539197A JP 2009539197 A JP2009539197 A JP 2009539197A JP 5094874 B2 JP5094874 B2 JP 5094874B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- projection system
- scan
- overlay
- patterning device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
−前記プロセスのモデルの少なくとも1つのプロセスパラメータそれぞれの推奨値に従って前記プロセスを制御することに対応するオーバーレイエラーを、前記オーバーレイパターン間に設け、
−最小オーバーレイエラーに対応する前記少なくとも1つのプロセスパラメータそれぞれの値を、前記モデルを前記設けられたオーバーレイエラーおよび前記少なくとも1つのプロセスパラメータそれぞれの前記推奨値を含むデータに当て嵌めることによって決定し、
−前記オーバーレイパターンを生成し、それによって前記少なくとも1つのプロセスパラメータそれぞれの前記決定された値に従って前記プロセスを制御する
ことを含み、
前記少なくとも1つのプロセスパラメータそれぞれの第一決定値に従って前記オーバーレイパターンのうちの1つの第一部分を生成し、前記少なくとも1つのプロセスパラメータそれぞれの前記第一決定値とは異なる第二決定値に従って前記オーバーレイパターンのうちの前記1つの第二部分を生成することによって、局所残留オーバーレイエラーを決定しかつ照明中に動的補正として適用されるフィールド内補正を決定することを特徴とするプロセス、
が提供される。
前記装置は、ターゲットフィールドの第一セクション内に前記オーバーレイパターンの1つの第一部分を生成するために、前記プロセスパラメータの第一値を、前記オーバーレイパターンの前記1つの第二部分を生成するために、前記プロセスパラメータの前記第一値とは異なる第二値を決定することによって、局所残留オーバーレイエラーを決定しかつ照明中に動的補正として適用されるフィールド内補正を決定することを特徴とする装置が提供される。
−ターゲットフィールドの第一セクションに第一パターンの第一部分を生成し、前記ターゲットフィールドの前記第一セクションとは異なる第二セクションに前記第一パターンの前記第二部分とは異なる第二部分を生成する生成手段、
−前記生成手段および前記基板テーブルに接続され、プロセスパラメータのグループの値に基づいて、前記基板テーブルおよび前記生成手段を制御することにより、前記幾つかのオーバーレイパターンの前記第一パターンと第二パターンの間のオーバレイを制御するコントローラ
を備え、
前記プロセスパラメータのグループの第一プロセスパラメータの第一値に従って前記第一部分を生成し、前記第一プロセスパラメータの第二値に従って前記第二部分を生成することを特徴とする装置が提供される。
・放射ビームB(例えばUV放射またはEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
・パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナPMに接続された支持構造体(例えばマスクテーブル)MTと、
・基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
・パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSとを含む。
−感光性層を基板に設け、
−投影システムに対してパターニングデバイスをスキャンし、それによって放射ビームをパターニングし、
−パターニングデバイスの第一像をスリット内に生成し、
−スリットに対してターゲットフィールドをスキャンし、それによって基板の感光性層を像に露光し、それによって第一パターンPT1を生成する
ことを含む既知のプロセスを使用して、基板に生成されている。
Claims (19)
- 基板の露光ターゲットフィールドに、第一パターンおよび第二パターンを含むオーバーレイパターンを生成するリソグラフィプロセスであって、
前記オーバーレイパターン間のオーバーレイエラーを供給し、
最小オーバーレイエラーに対応する投影システムパラメータ及びスキャンパラメータのそれぞれの値を、前記オーバーレイエラー並びに前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータの所定値を用いて決定し、
前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータを用いて前記オーバーレイパターンを生成し、
前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータのそれぞれの第一決定値に従って前記第一パターンの第一部分を生成し、かつ、前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータのそれぞれの前記第一決定値とは異なる第二決定値に従って前記第一パターンの第二部分を生成することによって、局所残留オーバーレイエラーを決定しかつ照明中に動的補正として適用されるフィールド内補正を決定する、
ことを含み、
前記投影システムパラメータは、投影システムの3次レンズ収差を含む、
リソグラフィプロセス。 - 前記オーバーレイエラーを設けることが、前記オーバーレイパターンのうちのただ1つの生成に関するデータに基づいて、前記オーバーレイエラーを推定することを含む、
請求項1に記載のプロセス。 - 前記オーバーレイパターンのうちの前記ただ1つが前記第二パターンである、
請求項2に記載のプロセス。 - 前記オーバーレイエラーを設けることが、前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータのそれぞれの前記所定値に従って処理された試験基板上で、オーバーレイエラーを測定することを含む、
請求項1から3のいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記第二パターンが、前記第一パターンに先立って前記基板上に生成される、
請求項1から4のいずれか一項に記載のプロセス。 - パターニングデバイスによって放射ビームをパターニングし、
前記パターニングされた放射ビームで前記露光ターゲットフィールドを照明することによって、前記第一パターンの前記第一部分および前記第二部分を生成する、
ことを含む、
請求項1から5のいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記パターニングデバイスのフィーチャの測定値を使用して、前記オーバーレイエラーを推定する、
ことを含む、
請求項6に記載のプロセス。 - 前記投影システムに対して前記パターニングデバイスをスキャンし、
第一時に、前記パターニングデバイスの第一セクションの第一像をスリット内に生成し、
前記第一時とは異なる第二時に、前記パターニングデバイスの前記第一セクションとは異なる第二セクションの第二像をスリット内に生成し、
前記スリットに対して前記露光ターゲットフィールドをスキャンし、それによって前記露光ターゲットフィールドの前記第一セクションを前記第一像で照明して、前記露光ターゲットフィールドの前記第二セクションを前記第二像で照明する、
ことを含み、
前記第一像および前記第二像が、前記パターニングデバイスの前記第一セクションおよび前記第二セクションそれぞれに対して像収縮率で収縮する、
請求項6または7に記載のプロセス。 - 前記投影システムパラメータは、前記像収縮率を含む、
請求項8に記載のプロセス。 - 前記パターニングデバイスが、前記投影システムに対してスキャンされ、前記露光ターゲットフィールドおよび前記スリットが、軌道および速度を含む前記スキャンパラメータに従って相互に対してスキャンされる、
請求項8または9に記載のプロセス。 - 前記スキャンパラメータの1つが、前記スリットに対する前記ターゲットフィールドの速度に対応する、または前記投影システムに対する前記パターニングデバイスの速度に対応する、
請求項10に記載のプロセス。 - 前記スキャンパラメータの1つが、前記ターゲットフィールドに対する前記パターニングデバイスの前記回転に対応する、
請求項11に記載のプロセス。 - 基板上にオーバーレイパターンを生成するリソグラフィプロセスの、最小オーバーレイエラーに対応する投影システムパラメータ及びスキャンパラメータの値を、推定オーバーレイエラー、並びに前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータの所定値を用いて決定する装置であって、
前記オーバーレイパターンが、第一パターンおよび第二パターンを含み、
前記装置は、露光ターゲットフィールドの第一セクション内に前記第一パターンの第一部分を生成するために、前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータの第一値を決定し、かつ、前記第一パターンの第二部分を生成するために、前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータの前記第一値とは異なる第二値を決定することによって、局所残留オーバーレイエラーを決定しかつ照明中に動的補正として適用されるフィールド内補正を決定し、
前記フィールド内補正は、第一補正セットと第二補正セットを含み、
前記第一補正セットは、前記投影システムパラメータの補正に使用され、露光スキャン中にスキャン路に沿って、スキャン方向に対して直角の方向にレンズの倍率を変更するためのものであり、
前記第二補正セットは、前記スキャンパラメータの補正に使用され、前記第二パターンの、スキャン方向のパターンの倍率、平行移動および回転を変更するためのものであり、
前記投影システムパラメータは、投影システムの3次レンズ収差を含む、
装置。 - 前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータの前記所定値に従って処理された試験基板に関するオーバーレイエラーの測定値を使用して、前記オーバーレイエラーを推定する、
請求項13に記載の装置。 - 前記オーバーレイエラーの前記測定を実行する、
請求項14に記載の装置。 - パターニングデバイスで放射ビームをパターニングし、前記パターニングされた放射ビームを使用して、前記露光ターゲットフィールド上に前記第一パターンの前記第一部分および前記第二部分を生成することを含むプロセスで使用するために、パターニングデバイスのフィーチャの測定値を使用して前記オーバーレイエラーを推定する、
請求項13から15のいずれか一項に記載の装置。 - パターニングデバイスで放射ビームをパターニングし、前記パターニングされた放射ビームを使用して、前記露光ターゲットフィールド上に前記第一パターンの前記第一部分および前記第二部分を生成することを含むプロセスで使用するために、パターニングデバイスの生成に関する情報を使用して前記オーバーレイエラーを推定する、
請求項13から16のいずれか一項に記載の装置。 - 基板を保持する基板テーブルを備え、当該基板に、幾つかのオーバーレイパターンのうちの第一パターンを生成する装置であって、
露光ターゲットフィールドの第一セクションに第一パターンの第一部分を生成し、前記ターゲットフィールドの前記第一セクションとは異なる第二セクションに前記第一パターンの前記第一部分とは異なる第二部分を生成する生成手段と、
前記生成手段および前記基板テーブルに接続され、投影システムパラメータ及びスキャンパラメータのグループの値に基づいて、前記基板テーブルおよび前記生成手段を制御することにより、前記幾つかのオーバーレイパターンの前記第一パターンと第二パターンの間のオーバレイを制御するコントローラと、を備え、
前記投影システムパラメータ及び前記スキャンパラメータのグループの第一パラメータセットの第一値に従って前記第一部分を生成し、前記第一パラメータセットの第二値に従って前記第二部分を生成し、
請求項13から16のいずれか一項に記載の装置を備える、
装置。 - 前記生成手段が、前記装置によって支持されたパターニングデバイスを結像する投影システムを備え、前記像が、像収縮率だけ前記パターニングデバイスより小さく、前記生成手段がさらに、前記第一パラメータセットの前記第一および第二値に基づいて前記収縮率を制御する投影システムマニピュレータを備える、
請求項18に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/607,098 | 2006-12-01 | ||
US11/607,098 US7683351B2 (en) | 2006-12-01 | 2006-12-01 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
PCT/NL2007/000298 WO2008066375A2 (en) | 2006-12-01 | 2007-12-03 | Process, apparatus and device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010512001A JP2010512001A (ja) | 2010-04-15 |
JP5094874B2 true JP5094874B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=39339869
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007310091A Expired - Fee Related JP5288780B2 (ja) | 2006-12-01 | 2007-11-30 | プロセス、装置およびデバイス |
JP2009539197A Expired - Fee Related JP5094874B2 (ja) | 2006-12-01 | 2007-12-03 | リソグラフィプロセス及びリソグラフィ装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007310091A Expired - Fee Related JP5288780B2 (ja) | 2006-12-01 | 2007-11-30 | プロセス、装置およびデバイス |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7683351B2 (ja) |
EP (2) | EP2261739B1 (ja) |
JP (2) | JP5288780B2 (ja) |
KR (2) | KR101418896B1 (ja) |
CN (2) | CN101221364B (ja) |
AT (1) | ATE484010T1 (ja) |
DE (1) | DE602007009729D1 (ja) |
SG (1) | SG143220A1 (ja) |
TW (1) | TWI420263B (ja) |
WO (1) | WO2008066375A2 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8248579B2 (en) * | 2006-12-01 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device for correcting overlay errors between overlapping patterns |
US8237914B2 (en) * | 2006-12-01 | 2012-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Process, apparatus, and device for determining intra-field correction to correct overlay errors between overlapping patterns |
US7683351B2 (en) | 2006-12-01 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8339573B2 (en) * | 2009-05-27 | 2012-12-25 | 3M Innovative Properties Company | Method and apparatus for photoimaging a substrate |
EP2392970A3 (en) * | 2010-02-19 | 2017-08-23 | ASML Netherlands BV | Method and apparatus for controlling a lithographic apparatus |
DE102010041556A1 (de) * | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Abbildung |
NL2007615A (en) | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Asml Netherlands Bv | Method of operating a patterning device and lithographic apparatus. |
CN103995432B (zh) * | 2012-12-03 | 2017-09-08 | 深圳清溢光电股份有限公司 | 降低光掩模板条纹的方法及装置 |
KR102219391B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2021-02-24 | 일리노이즈 툴 워크스 인코포레이티드 | 나선 컴퓨터 단층 촬영 |
KR101890815B1 (ko) * | 2014-01-10 | 2018-08-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법 및 연계된 데이터 처리 장치 및 컴퓨터 프로그램 제품 |
KR101972979B1 (ko) * | 2014-06-23 | 2019-04-26 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 방법 |
WO2016034428A2 (en) * | 2014-09-01 | 2016-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Method of measuring a property of a target structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
KR102330321B1 (ko) | 2014-12-12 | 2021-11-23 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 모델 파라미터를 계산하고 리소그래피 처리를 제어하기 위한 방법 및 장치 |
JP6792572B6 (ja) * | 2015-03-13 | 2020-12-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置 |
US10289009B2 (en) | 2015-07-03 | 2019-05-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control method and computer program product |
US11067900B2 (en) | 2016-05-19 | 2021-07-20 | Nikon Corporation | Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching |
US10712671B2 (en) | 2016-05-19 | 2020-07-14 | Nikon Corporation | Dense line extreme ultraviolet lithography system with distortion matching |
KR102458400B1 (ko) * | 2016-06-20 | 2022-10-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 왜곡 매칭을 갖는 조밀 라인 극자외선 리소그래피 시스템 |
CN109863456B (zh) * | 2016-10-21 | 2021-06-18 | Asml荷兰有限公司 | 确定图案化过程的校正的方法 |
WO2018141713A1 (en) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus |
CN111936934B (zh) * | 2018-03-29 | 2023-04-28 | Asml荷兰有限公司 | 用于扫描曝光装置的控制方法 |
WO2020048693A1 (en) * | 2018-09-03 | 2020-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for configuring spatial dimensions of a beam during a scan |
DE102019200981B3 (de) | 2019-01-25 | 2020-06-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
US20220334499A1 (en) * | 2019-09-10 | 2022-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
EP3792693A1 (en) * | 2019-09-16 | 2021-03-17 | ASML Netherlands B.V. | Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus |
CN114637270B (zh) * | 2022-05-17 | 2022-08-23 | 成都秦川物联网科技股份有限公司 | 基于集散控制的智能制造工业物联网及控制方法 |
CN115208927B (zh) * | 2022-08-24 | 2022-12-06 | 成都秦川物联网科技股份有限公司 | 用于次品修正调控的工业物联网及其控制方法 |
CN115808911B (zh) * | 2023-02-02 | 2023-04-28 | 成都秦川物联网科技股份有限公司 | 用于生产线产生不良品时的工业物联网调控方法及系统 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6753948B2 (en) * | 1993-04-27 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3448614B2 (ja) * | 1993-08-12 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | 投影露光方法、走査型投影露光装置、及び素子製造方法 |
JP3309871B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
JPH09162106A (ja) * | 1995-12-11 | 1997-06-20 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
JP3884098B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2007-02-21 | 株式会社東芝 | 露光装置および露光方法 |
JP3805829B2 (ja) * | 1996-06-05 | 2006-08-09 | 株式会社東芝 | スキャン露光装置およびスキャン露光方法 |
JPH11288880A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-10-19 | Siemens Ag | スキャン・タイプ露光システムとそのスキャン方向制御方法 |
JP4200550B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2008-12-24 | 株式会社ニコン | 露光方法及びリソグラフィシステム |
JP2000114145A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Nikon Corp | 露光システム及び走査型露光装置並びにその露光方法 |
JP2001085321A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-03-30 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法並びにマイクロデバイスの製造方法 |
JP2001028328A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び露光方法 |
US6440612B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Field correction of overlay error |
JP2001338860A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Nikon Corp | 露光方法及びデバイス製造方法 |
JP3659242B2 (ja) * | 2002-10-02 | 2005-06-15 | ソニー株式会社 | マスクパターン補正方法 |
EP1477851A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Device manufacturing method and lithographic apparatus |
US7251018B2 (en) * | 2004-11-29 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, method of measuring a position of a substrate and a lithographic apparatus |
TWI403854B (zh) * | 2005-05-25 | 2013-08-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and lithography system |
US7683351B2 (en) | 2006-12-01 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4943304B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-05-30 | 株式会社 Ngr | パターン検査装置および方法 |
-
2006
- 2006-12-01 US US11/607,098 patent/US7683351B2/en active Active
-
2007
- 2007-11-30 JP JP2007310091A patent/JP5288780B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-30 CN CN2007101646849A patent/CN101221364B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-11-30 KR KR1020070124004A patent/KR101418896B1/ko active IP Right Grant
- 2007-11-30 SG SG200718204-1A patent/SG143220A1/en unknown
- 2007-11-30 TW TW096145854A patent/TWI420263B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-12-03 AT AT07860862T patent/ATE484010T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-12-03 DE DE602007009729T patent/DE602007009729D1/de active Active
- 2007-12-03 EP EP10171096.0A patent/EP2261739B1/en not_active Not-in-force
- 2007-12-03 KR KR1020097013737A patent/KR101173968B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-03 JP JP2009539197A patent/JP5094874B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-03 CN CN2007800507777A patent/CN101622581B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-03 WO PCT/NL2007/000298 patent/WO2008066375A2/en active Application Filing
- 2007-12-03 EP EP07860862A patent/EP2132599B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090085702A (ko) | 2009-08-07 |
TW200834267A (en) | 2008-08-16 |
US7683351B2 (en) | 2010-03-23 |
EP2132599A2 (en) | 2009-12-16 |
ATE484010T1 (de) | 2010-10-15 |
CN101622581A (zh) | 2010-01-06 |
JP5288780B2 (ja) | 2013-09-11 |
JP2010512001A (ja) | 2010-04-15 |
EP2132599B1 (en) | 2010-10-06 |
KR101173968B1 (ko) | 2012-08-16 |
CN101622581B (zh) | 2013-06-05 |
CN101221364B (zh) | 2010-08-25 |
CN101221364A (zh) | 2008-07-16 |
TWI420263B (zh) | 2013-12-21 |
EP2261739B1 (en) | 2019-06-05 |
US20080128642A1 (en) | 2008-06-05 |
KR101418896B1 (ko) | 2014-07-11 |
KR20080050346A (ko) | 2008-06-05 |
DE602007009729D1 (de) | 2010-11-18 |
WO2008066375A3 (en) | 2008-08-28 |
EP2261739A3 (en) | 2013-01-30 |
JP2008147654A (ja) | 2008-06-26 |
SG143220A1 (en) | 2008-06-27 |
WO2008066375A2 (en) | 2008-06-05 |
EP2261739A2 (en) | 2010-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5094874B2 (ja) | リソグラフィプロセス及びリソグラフィ装置 | |
JP4703594B2 (ja) | 基板の位置合わせおよび露光方法 | |
JP4819924B2 (ja) | リソグラフィ装置内の不均一なレチクル加熱の補正方法、リソグラフィ装置、及びコンピュータ読み取り式記憶媒体。 | |
US9417519B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of correcting a mask | |
JP4860679B2 (ja) | デバイス製造方法およびリソグラフィ装置、ならびに、コンピュータプログラム | |
US8330941B2 (en) | Calibration method for a lithographic apparatus | |
JP2008219010A (ja) | デバイス製造方法、コンピュータプログラム、及び、リソグラフィ装置 | |
JP2012104853A (ja) | リソグラフィ装置および二重露光オーバレイ制御を用いたデバイス製造方法 | |
US8237914B2 (en) | Process, apparatus, and device for determining intra-field correction to correct overlay errors between overlapping patterns | |
CN102346492B (zh) | 位置控制系统、光刻设备以及控制可移动物体的位置的方法 | |
US8248579B2 (en) | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device for correcting overlay errors between overlapping patterns | |
JP5128576B2 (ja) | リソグラフィ装置のための方法 | |
US9977341B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP5127684B2 (ja) | 露光スリットの形状が調整された、基板トポロジーによる焦点誤差の抑制を可能にするリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US7382438B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4902685B2 (ja) | ステージシステム、当該ステージシステムを含むリソグラフィ装置、およびデバイス製造方法 | |
JP2009152558A (ja) | リソグラフィ方法 | |
JP2020521156A (ja) | 制御システム、制御システムの帯域幅を増加させる方法、及びリソグラフィ装置 | |
JP2008252092A (ja) | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120517 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120907 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5094874 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |